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一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法
2020-12-25
一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法技术领域本发明涉及一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法,特别是涉及一种通过改变不同卤素混合比例来调控禁带宽度的方法,为寻找更...
可拆卸的多晶硅铸锭炉加热装置
2020-12-25
可拆卸的多晶硅铸锭炉加热装置技术领域本实用新型涉及加热装置领域,更具体的,涉及一种可拆卸的多晶硅铸锭炉加热装置。背景技术目前,多晶硅电池片的生产工序包括:坩埚喷涂、填料...
一种反向提拉式单晶炉
2020-12-24
一种反向提拉式单晶炉技术领域本实用新型涉及单晶炉技术领域,具体涉及一种反向提拉式单晶炉。背景技术单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等...
一种多晶硅铸锭用熔化长晶工艺
2020-12-24
一种多晶硅铸锭用熔化长晶工艺技术领域本发明涉及多晶硅铸锭技术领域,尤其涉及一种介于半熔和全熔之间的多晶硅铸锭用熔化长晶工艺。背景技术随着不可再生的传统能源的日趋减...
外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法
2020-12-24
外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法技术领域本发明涉及一种外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法。背景技术以往,为了抑制外延硅晶片的缺陷产生而一直进行了研究(例如,参考专利文献...
一种新型节能10寸石墨热场
2020-12-24
一种新型节能10寸石墨热场技术领域本实用新型涉及石墨热场技术领域,具体为一种新型节能10寸石墨热场。背景技术热场就是热系统,在机械中一般指单晶炉热场,就是单晶炉中的热系统...
一种碳化硅籽晶粘贴加压机构
2020-12-22
一种碳化硅籽晶粘贴加压机构技术领域本实用新型属于晶片加工技术领域,更具体地说,是涉及一种碳化硅籽晶粘贴加压机构。背景技术目前,碳化硅半导体材料具有宽禁带、高临界击穿电...
一种微光像增强器的防离子反馈膜的制备方法
2020-12-21
一种微光像增强器的防离子反馈膜的制备方法技术领域本发明属于光电器件技术领域,尤其涉及一种微光像增强器的防离子反馈膜的制备方法。背景技术微光像增强器是微光夜视仪的核...
一种双支撑加热器
2020-12-20
一种双支撑加热器技术领域本实用新型涉及一种加热器,特别涉及一种双支撑加热器,属于石墨热场技术领域。背景技术在热场中,往往会用到石墨加热器,将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉...
一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法
2020-12-17
一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法技术领域本发明涉及一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法背景技术随着行业的发展,太阳能电池效率不断提升,为了达到更...
具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统
2020-12-13
具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统技术领域本发明涉及金刚石合成装置领域,更具体的涉及一种具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统。背景技术金刚石由于...
一种利用脉冲激光触发形核的方法
2020-12-13
一种利用脉冲激光触发形核的方法技术领域本发明涉及到一种通过脉冲激光触发形核的方法,属于晶体形核技术领域。背景技术深过冷技术是目前获得大尺寸快速凝固材料的有效方法,其...
一种单晶硅生长装置
2020-12-12
一种单晶硅生长装置技术领域本实用新型涉及单晶硅技术领域,尤其涉及一种单晶硅生长装置。背景技术单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展...
一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置
2020-12-12
一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置技术领域本发明涉及单晶材料生长技术,尤其是涉及一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置。背景技术氮化镓作为第三代半导体材料,凭借其宽禁带...
经强化的钟表部件
2020-12-10
经强化的钟表部件技术领域本发明涉及一种用于由能微加工的材料(例如硅)制造钟表部件的方法。本发明还涉及钟表部件、钟表机芯以及包括这种钟表部件的钟表。背景技术硅是对于...
一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法
2020-12-09
一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法技术领域本发明涉及金刚石制备技术领域,特别是涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法。背景技术单晶金刚石具有优异的物理化学...
一种多晶硅锭的翻转装置
2020-12-09
一种多晶硅锭的翻转装置技术领域本实用新型涉及多晶硅锭相关技术领域,具体为一种多晶硅锭的翻转装置。背景技术多晶硅,单质硅的一种形态,高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能...
一种硅酸镓铽磁光压电晶体及其生长方法
2020-12-02
一种硅酸镓铽磁光压电晶体及其生长方法技术领域本发明属于磁光压电晶体生长技术领域,具体涉及一种硅酸镓铽磁光压电晶体及其生长方法。背景技术有一类十分有趣的晶体,当你对它...
一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置
2020-12-01
一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置技术领域本发明涉及单晶生长领域,具体涉及一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置。背景技术如Si、GaAs和InP等重要的半导...
一种深紫外非线性光学晶体氟磷酸锌钡及制备方法与应用
2020-12-01
一种深紫外非线性光学晶体氟磷酸锌钡及制备方法与应用技术领域本发明涉及非线性光学晶体,尤其是涉及一种深紫外非线性光学晶体氟磷酸锌钡及制备方法与应用。背景技术以非线性...
一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用
2020-11-30
一种制备高质量单晶碳化硅的装置及其应用技术领域本发明涉及晶体材料制备装置技术领域,尤其涉及一种高质量单晶碳化硅的制备装置,还涉及制备高质量单晶碳化硅的装置在制备高质...
基座
2020-11-26
基座背景技术金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器的设计多种多样。在MOCVD反应中,通过反应气体对受热表面的反应,在受热的晶片表面上形成材料膜。产物可以沉积在晶片表面上,气态...
一种金刚线切割硅片预处理设备
2020-11-25
一种金刚线切割硅片预处理设备技术领域本实用新型属于太阳能电池制造领域,具体涉及一种金刚线切割硅片预处理设备。背景技术在太阳能电池持续降成本的趋势下, 硅片切割方式普...
一种晶体原位碳化退火装置及方法
2020-11-24
一种晶体原位碳化退火装置及方法技术领域本发明涉及一种晶体原位碳化退火装置及方法,尤其是基于物理气相传输法碳化硅晶体生长原位超高温退火碳化的方法,属于碳化硅材料领域。...
晶体生长悬浮提拉炉
2020-11-23
晶体生长悬浮提拉炉技术领域本发明涉及晶体生长设备技术领域,具体为一种晶体生长悬浮提拉炉。背景技术目前,晶体生长炉已经广泛应用在研究院校和实验当中。现在技术的晶体生长...
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