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一种罩式退火炉的快速冷却罩
2021-01-31
一种罩式退火炉的快速冷却罩技术领域本实用新型涉及冷却设备技术领域,具体为一种罩式退火炉的快速冷却罩。背景技术退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个...
均一沉积
2021-01-31
均一沉积技术领域本发明大体上涉及基板处理方法和装置,具体涉及化学沉积方法和沉积反应器。更具体地,但不排他地,本发明涉及通过原子层沉积(ALD)的均一沉积。背景技术本节说明...
用于CVD反应器的基座
2021-01-31
用于CVD反应器的基座技术领域本发明涉及一种用于CVD反应器的基座,所述基座带有布置在支承面中的插入孔,定位元件的插入区段分别插入到所述插入孔中,所述定位元件利用从插入孔中...
一种6H-碳化硅二维单晶纳米片的制备方法
2021-01-31
一种6H-碳化硅二维单晶纳米片的制备方法技术领域本发明属于碳化硅纳米材料制备技术领域,具体涉及一种基于碳化硅二维纳米片的制备方法。背景技术二维材料是指材料在二维方向...
一种晶体生长坩埚
2021-01-31
一种晶体生长坩埚技术领域本实用新型涉及一种晶体生长坩埚。背景技术铌酸锂(LiNbO3,简称LN)晶体生长一般采用提拉法生长。在单晶炉膛中间放置生长坩埚,坩埚内装有铌酸锂原料,盖...
一种新型刻蚀碱槽
2021-01-31
一种新型刻蚀碱槽技术领域本发明涉及光伏晶硅片加工设备技术领域,更具体的说是涉及一种新型刻蚀碱槽。背景技术随着光伏平价上网的迅速接近,2019年将成为全球太阳能行业的里程...
一种太阳能多晶硅原料的制备工艺
2021-01-31
一种太阳能多晶硅原料的制备工艺技术领域本发明涉及一种太阳能多晶硅原料的制备工艺,涉及一种生产太阳能多晶硅材料的技术。背景技术太阳能光伏发电技术是太阳能利用中的重要...
应用于单晶炉的副炉室
2021-01-30
应用于单晶炉的副炉室技术领域本实用新型涉及单晶炉的辅助设备领域,特别涉及一种应用于单晶炉的副炉室。背景技术单晶硅是用于太阳能光伏发电的重要材料。单晶硅生产中不可缺...
结晶性氧化物半导体膜及半导体装置
2021-01-30
结晶性氧化物半导体膜及半导体装置技术领域本发明涉及一种用于半导体装置中的结晶性氧化物半导体膜、使用所述结晶性半导体氧化物膜的半导体装置及系统。背景技术作为能够实...
提高单晶硅品质的热场及方法
2021-01-30
提高单晶硅品质的热场及方法技术领域本发明涉及单晶硅生长及半导体制造技术领域,尤其涉及一种提高单晶硅品质的热场及方法。背景技术在太阳能电池产品中,电池片主要以硅半导体...
一种Si/SiC/石墨烯材料的制备方法
2021-01-30
一种Si/SiC/石墨烯材料的制备方法技术领域本发明涉及石墨烯制备技术领域,特别涉及一种Si/SiC/石墨烯材料的制备方法。背景技术石墨烯是一种新型二维材料,具有极高的断裂强度及...
一种石英晶片清洗装置
2021-01-30
一种石英晶片清洗装置技术领域本实用新型涉及一种石英晶片清洗装置。背景技术石英晶片在切割过程中会出现破坏层,表面破坏层的存在不仅大大增加了晶体振动能量的损耗,同时也带...
一种空心单晶涡轮工作叶片外形尺寸精确控制的方法
2021-01-29
一种空心单晶涡轮工作叶片外形尺寸精确控制的方法技术领域本发明是一种空心单晶涡轮工作叶片外形尺寸精确控制的方法,属于航空发动机单晶高温合金涡轮叶片熔模精密铸造技术领...
制备13N超高纯锗单晶的方法及设备
2021-01-29
制备13N超高纯锗单晶的方法及设备技术领域本发明涉及高纯半导体材料制备技术领域,尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。背景技术超高纯锗单晶作为高纯锗...
高温真空炉及半导体加工设备
2021-01-29
高温真空炉及半导体加工设备技术领域本申请涉及半导体加工技术领域,具体而言,本申请涉及一种高温真空炉及半导体加工设备。背景技术目前,第三代半导体碳化硅(SiC)器件制造属于...
一种掺杂钒酸镝磁光晶体、其制备生长方法及其应用
2021-01-29
一种掺杂钒酸镝磁光晶体、其制备生长方法及其应用技术领域本申请涉及一种掺杂钒酸镝磁光晶体,属于晶体材料领域。背景技术磁光晶体是一种基于磁光效应的重要光功能晶体。应用...
一种造纸黑液制备高质量单晶石墨烯的方法
2021-01-29
一种造纸黑液制备高质量单晶石墨烯的方法技术领域本发明涉及一种基于木质素的单晶石墨烯量子点的制备方法,具体的说是通过一步水热碳化处理,得到了平均尺寸在2.5μm,最大尺寸为...
底注式真空定向凝固炉
2021-01-29
底注式真空定向凝固炉技术领域本实用新型属真空精密铸造设备领域,尤其涉及一种底注式真空定向凝固炉。背景技术真空定向凝固炉是一种用于在真空或保护气氛下进行精密铸造的特...
一种基于云计算的PVT法长晶系统自动预警系统
2021-01-29
一种基于云计算的PVT法长晶系统自动预警系统技术领域本发明涉及半导体材料制备领域,特别是涉及一种基于云计算的PVT法长晶系统自动预警系统。背景技术半导体是一种电导率在绝...
宏观3D纳米材料掺杂的方法
2021-01-28
宏观3D纳米材料掺杂的方法技术领域本发明属于纳米材料掺杂技术领域,具体涉及宏观3D纳米材料掺杂的方法。背景技术关于掺杂机制的理解,目前主要有三种模型。第一种机制是Turnbu...
一种钻石生长制备方法及设备
2021-01-28
一种钻石生长制备方法及设备【技术领域】本发明属于材料合成生产技术领域,具体是指一种钻石生长制备方法及设备。【背景技术】钻石的质地坚硬,火彩强烈,光彩夺目,自古以来深受人...
一种半导体硅材料耗材生长炉及硅材料制备方法
2021-01-28
一种半导体硅材料耗材生长炉及硅材料制备方法技术领域本发明属于硅晶体材料生长炉技术领域。背景技术硅材料由于具有单方向导电性、热敏特性、光电特性以及掺杂特性等优良性...
一种单晶炉热场拆装装置
2021-01-27
一种单晶炉热场拆装装置技术领域本实用新型涉及太阳能光伏领域,特别涉及一种单晶炉热场拆装装置。背景技术单晶炉拉晶结束之后,为了提高单晶炉的生产效率,一般在停炉6-8个小时...
一种钻石晶体生长设备的真空系统结构
2021-01-26
一种钻石晶体生长设备的真空系统结构技术领域本实用新型涉及合成钻石技术领域,具体为一种钻石晶体生长设备的真空系统结构。背景技术合成钻石又名人工钻石,是一种由直径10到30...
单晶炉用外部加料装置
2021-01-26
单晶炉用外部加料装置技术领域本实用新型涉及一种单晶炉用外部加料装置。背景技术目前,大多数单晶炉都是采用一次性向石英坩埚投料的方法,通常是生产完一炉后,等单晶炉冷却后,再...
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