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一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法
2020-11-21
一种制备碲化镉或碲锌镉多晶料的方法技术领域本发明属于晶体材料制备领域,具体涉及一种合成碲化镉(CdTe)或碲锌镉(Cd1-xZnxTe)多晶料的新方法。背景技术碲化镉、碲锌镉晶体是制备...
一种籽晶生长装置
2020-11-21
一种籽晶生长装置技术领域本实用新型涉及碳化硅长晶领域,具体涉及一种籽晶生长装置。背景技术目前碳化硅单晶生长技术能够实现量产的方法主要是PVT法和CVD法,这两种方法最常用...
一种热场埚底结构
2020-11-21
一种热场埚底结构技术领域本实用新型涉及热场相关技术领域,具体为一种热场埚底结构。背景技术热场就是热系统,在机械中一般指单晶炉热场,就是单晶炉的热系统,合格的热场能够生长...
一种新式连续加料微下拉法装置及工艺
2020-11-16
一种新式连续加料微下拉法装置及工艺技术领域本发明涉及加料技术领域,具体是一种新式连续加料微下拉法装置及工艺。背景技术微下拉法是一种单晶生长方法,利用坩埚底部加工成模...
一种用于新材料水热法合成的智能系统及控制方法
2020-11-10
一种用于新材料水热法合成的智能系统及控制方法技术领域本发明属于智能控制及物联网技术领域,具体涉及一种用于新材料水热法合成的智能系统及控制方法。背景技术水热反应因其...
一种氮化镓生产用生长杆输送装置
2020-11-10
一种氮化镓生产用生长杆输送装置技术领域本实用新型涉及晶体新材料生产技术领域,具体涉及一种氮化镓生产用生长杆输送装置。背景技术工业上使用氮化镓生长炉生产制备氮化镓晶...
一种氮化镓生长加热炉
2020-11-10
一种氮化镓生长加热炉技术领域本实用新型涉及氮化镓工业生产装置技术领域,具体涉及一种氮化镓生长加热炉。背景技术以氮化镓为代表的第三代半导体材料,由于具有宽的禁带,可以发...
一种新型的晶体连续快速生长装置
2020-11-10
一种新型的晶体连续快速生长装置技术领域本发明涉及晶体生长系统,尤其涉及一种新型的晶体连续快速生长装置,属于生产过程设备领域。背景技术KDP(磷酸二氢钾,KH2PO4)型晶体是人...
一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置
2020-11-10
一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置技术领域本发明涉及一种掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置,具体涉及一种Ф6~12英寸掺镁铌酸锂单晶的生长方法及装置。背景技术目前,掺镁铌酸...
可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法
2020-11-10
可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法技术领域本发明涉及可自动调节放肩工艺技术领域,具体而言,尤其涉及可自动调节放肩工艺参数的单晶炉及控制方法。背景技术目前,单晶炉...
单晶炉热场装置及单晶炉
2020-11-10
单晶炉热场装置及单晶炉技术领域本实用新型属于单晶炉技术领域,尤其涉及单晶炉热场装置及单晶炉。背景技术随着光伏行业平价上网时代的到来,国内晶硅行业竞争日益加剧,目前晶硅...
一种高纯NaAlB<Sub>14</Sub>晶体的制备方法
2020-11-10
一种高纯NaAlB14晶体的制备方法技术领域本发明涉及一种高纯NaAlB14晶体的制备方法,属于非金属材料领域。背景技术基于B12二十面体的富硼化合物,凭借其优异的物理性质、化学性...
一种氮化镓晶体的制备方法
2020-11-10
一种氮化镓晶体的制备方法技术领域本发明涉及氮化镓晶体技术领域,具体涉及一种氮化镓晶体的制备方法。背景技术近年来,在硅功率半导体器件同时扩展器件的高速运行和端电压特性...
递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法
2020-11-10
递进式改进坩埚压力差的砷锗镉原料合成和单晶生长方法技术领域本发明涉及黄铜矿类半导体晶体砷锗镉的原料合成和单晶生长方法,尤其是涉及一种采用递进式改进坩埚压力差的砷锗...
用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置
2020-11-09
用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置技术领域本实用新型涉及直拉单晶生长技术领域,尤其涉及一种用于提高直拉单晶生长速度的热辐射反射装置。背景技术直拉单晶生长法又...
辅助单晶生长的摇摆装置及大尺度单晶生长摇摆炉系统
2020-11-09
辅助单晶生长的摇摆装置及大尺度单晶生长摇摆炉系统技术领域本实用新型涉及单晶生长装置技术领域,具体而言,涉及辅助单晶生长的摇摆装置及大尺度单晶生长摇摆炉系统。背景技术...
AlN材料单晶层的制造方法和外延生长AlN材料单晶膜的衬底
2020-11-09
AlN材料单晶层的制造方法和外延生长AlN材料单晶膜的衬底技术领域本发明涉及一种用于生产氮化铝(AlN)材料的单晶层的方法和用于外延生长这种AlN材料的单晶层的衬底。背景技术...
高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
2020-11-09
高纯半绝缘SiC单晶的制备方法技术领域本发明涉及SiC单晶的生长制备技术领域,尤其涉及一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法。背景技术作为第三代宽带隙半导体材料的一员,相对于常...
GaAs晶体
2020-11-08
GaAs晶体本申请是申请日为2015年1月27日、国际申请号为PCT/JP2015/052120、中国申请号为201580038381.5的专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及GaAs晶体。背景技术化合物...
一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉
2020-11-08
一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉技术领域本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片及单晶硅生长炉。背景技术单晶硅是现代通信技...
一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置
2020-11-07
一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置技术领域本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置,属于传感器部件加工装置技术领域。背景技术传感器用单晶硅在加工过...
气相沉积腔室
2020-11-07
气相沉积腔室技术领域本申请涉及半导体器件制造领域,特别涉及一种气相沉积腔室。背景技术气相沉积是将工艺气体输送到反应腔,通过工艺气体发生物理或化学变化而在衬底(例如,硅...
一种单晶PBN坩埚处理工艺
2020-11-07
一种单晶PBN坩埚处理工艺技术领域本发明涉及半导体材料制备技术领域,尤其涉及一种单晶PBN坩埚处理工艺。背景技术现在砷化镓或锗单晶的生长技术多采用传统VGF(垂直梯度凝固法...
一种氮化镓生长炉进气端法兰结构
2020-11-07
一种氮化镓生长炉进气端法兰结构技术领域本实用新型涉及氮化镓工业生产设备技术领域,具体涉及一种氮化镓生长炉进气端法兰结构。背景技术工业上使用氮化镓生长炉生产制备氮化...
一种带有自清洁功能的蓝宝石单晶炉观察窗
2020-11-07
一种带有自清洁功能的蓝宝石单晶炉观察窗技术领域本实用新型涉及单晶炉技术领域,具体为一种带有自清洁功能的蓝宝石单晶炉观察窗。背景技术单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气...
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