一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置
技术领域
本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，属于传感器部件加工装置技术领域。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理，现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，对单晶硅进行刻蚀，片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而片架的旋转可能导致其发生偏移，从而造成单晶硅与等离子之间的接触不均，进而影响其刻蚀效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，可以对片架进行定位，可以防止片架刻蚀加工时晃动，影响刻蚀效果，通过设置气源室，气源室可以通过进气管向反应室内腔充入反应气体，便于刻蚀操作，通过设置驱动电机，驱动电机可以带动主动皮带轮旋转，主动皮带轮可以通过皮带带动从动皮带轮旋转，从动皮带轮可以通过轴杆带动凸形转盘旋转，进而可以带动片架旋转，可以增加单晶硅与等离子体的接触均度，通过设置伸缩定位杆可以对定位圆环进行支撑固定，通过旋转螺纹筒调节伸缩定位杆的长度即可，操作方便，便于拆卸固定，适合不同直径的反应室使用，套筒通过固定螺栓固定在片架顶部外侧，方便拆卸安装，通过设置定位杆与导向轮，定位杆与导向轮可以在不影响片架旋转的同时对片架进行定位，可以防止片架旋转时晃动，影响刻蚀效果，通过设置橡胶套，橡胶套可以吸收导向轮旋转过程中产生的机械振动，可以有效解决背景技术中的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，包括反应室，所述反应室顶部贯通固定设有进气管，所述进气管一端部贯通固定连接有气源室，所述反应室一侧底部贯通固定设有出气管，所述出气管一端部固定连接有真空泵，所述反应室底部固定设有驱动电机，所述驱动电机传动轴端部固定设有主动皮带轮，所述反应室内腔底部固定设有底座，所述底座中部设有槽口，所述槽口内腔通过转轴转动设有凸形转盘，所述凸形转盘底部固定设有轴杆，所述轴杆底部固定设有从动皮带轮，所述从动皮带轮与主动皮带轮之间连接有皮带，所述凸形转盘顶部固定设有片架，所述片架顶部外侧套设有套筒，所述套筒外侧周向等距固定设有定位杆，所述定位杆端部固定设有U形架，所述U形架内腔通过转轴转动设有导向轮，所述导向轮外围设有定位圆环，所述定位圆环外侧周向等距固定设有伸缩定位杆，所述伸缩定位杆包括螺纹杆，所述螺纹杆一端套设有螺纹筒，所述螺纹筒一端固定设有垫板。
作为上述技术方案的进一步描述，所述垫板一侧固定设有橡胶垫。
作为上述技术方案的进一步描述，所述螺纹筒外侧周向等距固定设有防滑凸起。
作为上述技术方案的进一步描述，所述套筒外侧周向等距穿插设有固定螺栓。
作为上述技术方案的进一步描述，所述定位圆环内壁固定设有圆形滑轨。
作为上述技术方案的进一步描述，所述导向轮外侧固定套设有橡胶套。
作为上述技术方案的进一步描述，所述出气管上设有流量控制阀。
作为上述技术方案的进一步描述，所述反应室外侧等距固定设有电磁线圈。
本发明有益效果：1、通过设置气源室，气源室可以通过进气管向反应室内腔充入反应气体，便于刻蚀操作，通过设置驱动电机，驱动电机可以带动主动皮带轮旋转，主动皮带轮可以通过皮带带动从动皮带轮旋转，从动皮带轮可以通过轴杆带动凸形转盘旋转，进而可以带动片架旋转，可以增加单晶硅与等离子体的接触均度;
2、通过设置伸缩定位杆可以对定位圆环进行支撑固定，通过旋转螺纹筒调节伸缩定位杆的长度即可，操作方便，便于拆卸固定，适合不同直径的反应室使用，套筒通过固定螺栓固定在片架顶部外侧，方便拆卸安装;
3、通过设置导向杆，通过设置定位杆与导向轮，定位杆与导向轮可以在不影响片架旋转的同时对片架进行定位，可以防止片架旋转时晃动，影响刻蚀效果，通过设置橡胶套，橡胶套可以吸收导向轮旋转过程中产生的机械振动。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
图1是本发明一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置剖视图。
图2是本发明一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置的反应室俯视剖视图。
图3是本发明一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置的底座剖视图。
图4是本发明一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置的伸缩定位杆剖视图。
图5是本发明一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置的导向轮主视图。
图中标号：1、反应室;2、进气管;3、气源室;4、出气管;5、真空泵;6、驱动电机;7、主动皮带轮;8、底座;9、槽口;10、凸形转盘;11、轴杆;12、从动皮带轮;13、皮带;14、片架;15、套筒;16、定位杆;17、U形架;18、导向轮;19、定位圆环;20、伸缩定位杆;21、螺纹杆;22、螺纹筒;23、垫板;24、橡胶垫;25、防滑凸起;26、固定螺栓;27、圆形滑轨;28、橡胶套;29、流量控制阀;30、电磁线圈。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1-5，本发明提供一种技术方案：一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，包括反应室1，所述反应室1顶部贯通固定设有进气管2，所述进气管2一端部贯通固定连接有气源室3，气源室3可以通过进气管2向反应室1内腔充入反应气体，所述反应室1一侧底部贯通固定设有出气管4，所述出气管4一端部固定连接有真空泵5，所述反应室1底部固定设有驱动电机6，驱动电机6可以带动主动皮带轮7旋转，主动皮带轮7可以通过皮带13带动从动皮带轮12旋转，从动皮带轮12可以通过轴杆11带动凸形转盘10旋转，进而可以带动片架14旋转，可以增加单晶硅与等离子体的接触均度，所述驱动电机6传动轴端部固定设有主动皮带轮7，所述反应室1内腔底部固定设有底座8，所述底座8中部设有槽口9，所述槽口9内腔通过转轴转动设有凸形转盘10，所述凸形转盘10底部固定设有轴杆11，所述轴杆11底部固定设有从动皮带轮12，所述从动皮带轮12与主动皮带轮7之间连接有皮带13，所述凸形转盘10顶部固定设有片架14，所述片架14顶部外侧套设有套筒15，所述套筒15外侧周向等距固定设有定位杆16，所述定位杆16端部固定设有U形架17，所述U形架17内腔通过转轴转动设有导向轮18，定位杆16与导向轮18可以在不影响片架14旋转的同时对片架14进行定位，可以防止片架14旋转时晃动，影响刻蚀效果，所述导向轮18外围设有定位圆环19，所述定位圆环19外侧周向等距固定设有伸缩定位杆20，通过旋转螺纹筒22调节伸缩定位杆20的长度，伸缩定位杆20可以对定位圆环19进行支撑固定，所述伸缩定位杆20包括螺纹杆21，所述螺纹杆21一端套设有螺纹筒22，所述螺纹筒22一端固定设有垫板23。
具体的，如图1所示，所述出气管4上设有流量控制阀29，通过流量控制阀29可以控制排气流量，所述反应室1外侧等距固定设有电磁线圈30。
具体的，如图2所示，所述套筒15外侧周向等距穿插设有固定螺栓26，固定螺栓26可以对套筒15进行锁紧固定，所述导向轮18外侧固定套设有橡胶套28，橡胶套28可以吸收导向轮18旋转过程中产生的机械振动。
具体的，如图3所示，所述底座8中部设有槽口9，所述槽口9内腔通过转轴转动设有凸形转盘10，使凸形转盘10可以旋转。
具体的，如图4所示，所述垫板23一侧固定设有橡胶垫24，设置橡胶垫24可以提高支撑稳定度，所述螺纹筒22外侧周向等距固定设有防滑凸起25，防滑凸起25可以提高螺纹筒22表面的摩擦力，便于旋转螺纹筒22。
具体的，如图5所示，所述定位圆环19内壁固定设有圆形滑轨27，圆形滑轨27可以对导向轮18进行导向限位。
本发明工作原理：气源室3可以通过进气管2向反应室1内腔充入反应气体，驱动电机6可以带动主动皮带轮7旋转，主动皮带轮7可以通过皮带13带动从动皮带轮12旋转，从动皮带轮12可以通过轴杆11带动凸形转盘10旋转，进而可以带动片架14旋转，可以增加单晶硅与等离子体的接触均度，定位杆16与导向轮18可以在不影响片架14旋转的同时对片架14进行定位，可以防止片架14旋转时晃动，影响刻蚀效果，通过旋转螺纹筒22调节伸缩定位杆20的长度，伸缩定位杆20可以对定位圆环19进行支撑固定，橡胶套28可以吸收导向轮18旋转过程中产生的机械振动。
以上为本发明较佳的实施方式，本发明所属领域的技术人员还能够对上述实施方式进行变更和修改，因此，本发明并不局限于上述的具体实施方式，凡是本领域技术人员在本发明的基础上所作的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。
