一种防止单晶高温合金导向叶片杂晶缺陷形成的方法技术领域：本发明涉及单晶高温合金叶片制备技术领域，具体为一种防止单晶高温合金导向叶片杂晶缺陷形成的方法。背景技术：单晶高...

一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法技术领域本发明涉及多晶黑硅技术领域，具体为一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法。背景技术多晶黑硅是组成太阳能电池的基本结构...

一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法技术领域本发明属于单晶金刚石制备技术领域，具体涉及一种抑制单晶金刚石棱边多晶化的方法。背景技术单晶金刚石禁带宽度为5.5 eV，属于超宽...

具有滑道的金刚石合成块电解装置技术领域本实用新型涉及电解设备技术领域，具体地说涉及金刚石合成块电解装置。背景技术金刚石合成块是生产金刚石的中间产品，金刚石合成块的里...

单晶硅炉用炭纤维坩埚编织体技术领域本实用新型涉及坩埚编织体技术领域，特别是涉及一种单晶硅炉用炭纤维坩埚编织体。背景技术碳碳复合材料作为一种新型材料，具有耐烧蚀、高热...

一种用于碳化硅单晶生长的装置技术领域：本申请属于晶体生长领域，具体涉及一种用于碳化硅单晶生长的装置。背景技术：碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度...

单晶炉及其连续加料装置技术领域本实用新型涉及单晶制备装置领域，具体涉及一种单晶炉及其连续加料装置。背景技术目前，直拉法硅单晶炉是大多数厂商生产单晶硅棒的主要设备，在保...

一种高效晶体退火装置及其退火方法技术领域本发明属于晶体生长加工领域；具体涉及一种高效晶体退火装置及其退火方法。背景技术在使用PVT(Physical Vapor Transport，物理气相沉...

一种三维针刺坩埚坯体固型工装技术领域本实用新型涉及一种坯体固型工装，尤其涉及一种三维针刺坩埚坯体固型工装。背景技术C/C复合材料坩埚现在广泛地应用于硅单晶炉，作为石英...

氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体技术领域本发明涉及氮化物半导体基板、半导体层叠物、层叠结构体、氮化物半导体基板的制造方法以...

一种制备纳米莫来石晶须的方法技术领域本发明涉及一种制备纳米莫来石晶须的方法。背景技术煤矸石是一种煤伴生固体废弃矿物。截止2017年，据不完全统计，中国煤矸石库存累计量达...

一种可吸收蓝光的防眩目蓝宝石屏幕技术领域本发明涉及手机领域，特别一种可吸收蓝光的防眩目蓝宝石屏幕。背景技术自然界的光根据波长的不同可划分为：红色、橙色、黄色、绿色、...

一种提拉法生长大尺寸碘化铯晶体的工艺技术领域本发明涉及碘化铯晶体的制备方法技术领域，特别是涉及一种提拉法生长大尺寸碘化铯晶体的工艺。背景技术空间碘化钠(NaI)晶体探...

一种基于界面水膜驱动的单层胶体晶体的自组装方法技术领域本发明属于纳米加工技术领域，具体涉及一种基于界面水膜驱动的单层胶体晶体的自组装方法。背景技术近年来，由于各种先...

可快速拆装式单晶硅制备用水冷热屏及单晶炉技术领域本实用新型涉及硅单晶棒拉晶设备技术领域，特别涉及一种可快速拆装式单晶硅制备用水冷热屏及单晶炉。背景技术单晶炉是多晶...

长方体状单晶及制造方法、陶瓷及制造方法、压电元件、压电装置和电子设备本发明是申请号为201610152683.1、申请日为2016年03月17日、发明名称为“长方体状单晶的制造方法、...

一种具有多重安全保护的单晶炉技术领域本实用新型涉及单晶炉，尤其涉及一种具有多重安全保护的单晶炉。背景技术单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将...

一种单晶用高纯石英坩埚及其制备方法技术领域本发明属于单晶硅设备制造领域，特别涉及一种单晶用高纯石英坩埚及其制备方法。背景技术目前单晶硅生产的主流方法是CZ法，将多晶硅...

矿化剂胶囊容器和结晶化合物制造过程中矿化剂的使用方法技术领域本发明涉及结晶化合物的制造，尤其涉及在氮化镓晶体制造过程中矿化剂的使用方法和放置矿化剂的矿化剂胶囊容器...

一种高效光电转化率的多晶硅锭浇铸装置及浇铸方法技术领域本发明属于光伏技术领域，涉及一种多晶硅锭的浇铸装置，特别是一种半熔法浇铸多晶硅锭的装置。背景技术太阳能发电是人...

一种大尺寸单晶硅圆棒拼接方法技术领域本发明属于单晶硅圆棒拼接技术领域，尤其是涉及一种大尺寸单晶硅圆棒拼接方法。背景技术硅圆棒拉制后需截断成若干标准尺寸长度的硅圆棒...

一种断线测量方法、设备及存储介质技术领域本公开涉及晶体硅制造领域，尤其涉及一种断线测量方法、设备及存储介质。背景技术直拉法是晶体硅制备的常见方法之一，其制备过程包括...

单向弯曲敏感传感器及其制备方法技术领域本发明涉及传感器技术领域，特别是一种单向弯曲敏感传感器及其制备方法。背景技术目前，许多智能化的检测设备已经大量地采用了各种各样...

一种稳定性高的长晶炉用晶体称重装置技术领域本实用新型涉及晶体技术领域，具体为一种稳定性高的长晶炉用晶体称重装置。背景技术晶体是有大量微观物质单位按一定规则有序排列...

氢氧化镧纳米晶须及其制备方法和用途技术领域本发明涉及一种氢氧化镧纳米晶须及其制备方法和用途，还涉及聚乳酸组合物及其制备方法。背景技术稀土镧系元素具有特殊的原子结构...