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氢氧化镧纳米晶须及其制备方法和用途
2023-03-19
氢氧化镧纳米晶须及其制备方法和用途技术领域本发明涉及一种氢氧化镧纳米晶须及其制备方法和用途,还涉及聚乳酸组合物及其制备方法。背景技术稀土镧系元素具有特殊的原子结构...
硅片单面制备纳米绒面的设备及太阳能电池片的生产设备
2023-03-19
硅片单面制备纳米绒面的设备及太阳能电池片的生产设备技术领域本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种硅片单面制备纳米绒面的设备及太阳能电池片的生产设备。背景技...
一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法
2023-03-19
一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法技术领域本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种高质量κ-Ga2O3薄膜的制备方法。背景技术氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体材料,具...
一种晶体同步培养装置
2023-03-19
一种晶体同步培养装置技术领域本实用新型属于实验仪器领域,尤其涉及一种晶体同步培养装置。背景技术单晶在配位化学、无机材料化学、金属有机化学等领域的结构解析中有着广泛...
一种光伏电池生产用多晶硅铸锭炉
2023-03-19
一种光伏电池生产用多晶硅铸锭炉技术领域本发明涉及光伏电池生产技术领域,具体为一种光伏电池生产用多晶硅铸锭炉。背景技术多晶硅的生长主要是通过硅料在多晶硅铸锭炉中的定...
异形表面形貌金刚石单晶及其制造方法
2023-03-19
异形表面形貌金刚石单晶及其制造方法技术领域本发明涉及一种能增强金刚石与结合剂之间的结合力及材料合成效率,改善金刚石类磨削工具锋利度,提高加工效率的异形表面形貌金刚石...
大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法
2023-03-19
大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法技术领域本发明属于六方氮化硼技术领域,具体涉及一种大尺寸单层六方氮化硼单晶或薄膜及制备方法。背景技术自2010年Andre Geim和Ko...
一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽
2023-03-19
一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽技术领域本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,更具体的是涉及一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽。背景技术随着中国经济的发展,我们越来越...
一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置
2023-03-19
一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置技术领域本实用新型涉及单晶生长领域,具体涉及一种砷化镓单晶结晶潜热释放装置。背景技术如Si、GaAs和InP等重要的半导体材料通常都是使用熔...
一种单晶硅生产工艺
2023-03-19
一种单晶硅生产工艺技术领域本发明属于单晶硅技术领域,具体涉及一种单晶硅生产工艺。背景技术单晶炉是以直拉法从熔化的多晶硅熔液中生长硅单晶的专用设备。单晶炉生产过程包...
一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法
2023-03-19
一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法技术领域本发明涉及晶体生长技术领域,尤其涉及一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法。背景技术AlN单晶因其晶格常数和热膨胀系数与...
一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法
2023-03-19
一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法技术领域本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种超大尺寸自支撑氮化镓单晶及其制备方法。背景技术GaN是第三代宽禁带半导体的典型...
一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用
2023-03-19
一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用技术领域本申请涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用,属于半导体材料领域。背景技术随着5G通讯、新能源汽车...
一种制备单晶的装置
2023-03-18
一种制备单晶的装置技术领域本申请涉及一种制备单晶的装置,属于半导体材料领域。背景技术碳化硅单晶是最重要的第三代半导体材料之一,因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、...
一种低应力金刚石及其制备方法
2023-03-18
一种低应力金刚石及其制备方法技术领域本发明涉及金刚石合成领域,特别涉及一种低内应力的金刚石及其制备方法。背景技术高质量金刚石禁带宽度高、光透谱宽,同时其超高的硬度和...
单晶炉用卷丝轮传动导向机构
2023-03-18
单晶炉用卷丝轮传动导向机构技术领域本实用新型涉及一种导向机构,具体地说是一种单晶炉用卷丝轮传动导向机构。背景技术目前,随着国内光伏市场的日益发展,批量化单晶炉设备的需...
一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构
2023-03-18
一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构技术领域本实用新型属于直拉单晶技术领域,尤其是涉及一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构。背景技术常规小尺寸单晶,现有炉台...
一种拆卸管路的方法、外延设备的保养方法
2023-03-18
一种拆卸管路的方法、外延设备的保养方法技术领域本发明涉及半导体设备领域,特别是涉及一种拆卸管路的方法、外延设备的保养方法。背景技术外延(Epitaxy,简称EPI)工艺是指在单...
用于金属硅冶炉的持续上料机构
2023-03-15
用于金属硅冶炉的持续上料机构技术领域本实用新型涉及金属硅冶炉上料技术领域,尤其涉及用于金属硅冶炉的持续上料机构。背景技术目前多晶铸锭炉生产工艺是打开炉子一次性坩埚...
一种硅片激光与酸液结合制绒工艺
2023-03-12
一种硅片激光与酸液结合制绒工艺技术领域本发明属于硅片生产技术领域,尤其是涉及一种硅片激光与酸液结合制绒工艺。背景技术随着半导体技术的发展,对半导体表面钝化的要求越来...
一种化学预处理和介电泳协同作用的碳化硅平面抛光方法和装置
2023-03-12
一种化学预处理和介电泳协同作用的碳化硅平面抛光方法和装置技术领域本发明属于超精密加工领域,具体涉及一种化学预处理和介电泳协同作用的碳化硅平面抛光方法和装置。背景技...
一种制备大尺寸蓝宝石单晶的方法
2023-03-12
一种制备大尺寸蓝宝石单晶的方法技术领域本申请属于蓝宝石单晶生长的技术领域,特别涉及一种制备大尺寸蓝宝石单晶的方法。背景技术蓝宝石(α-Al2O3)具有熔点高(2045℃)、导热...
一种自动转肩工艺
2023-03-08
一种自动转肩工艺技术领域本发明属于单晶拉制技术领域,尤其是涉及一种自动转肩工艺。背景技术目前行业内竞争日益激烈,降本增效成为了一个企业屹立不倒的法宝,目前太阳能光伏材...
石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法
2023-03-04
石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法技术领域本发明涉及一种石英玻璃坩埚及其制造方法,尤其涉及一种基于切克劳斯基法(CZ法)进行的单晶硅的制...
一种SiP晶体生长调控方法
2023-03-02
一种SiP晶体生长调控方法技术领域本发明属于单晶材料的生长调控方法技术领域,具体涉及一种大尺寸、高结晶性的SiP晶体生长的调控方法。背景技术一磷化硅SiP作为一种P型直接带...
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