一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板。
背景技术
随着光电与半导体技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)也得到了蓬勃发展。在诸多液晶显示器中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性。在当今信息社会，TFT-LCD已经广泛应用于生活的各个方面，从小尺寸的手机、摄像机、数码相机，中尺寸的笔记本电脑、台式机，大尺寸的家用电视，到大型投影设备等。TFT-LCD在轻、薄优势的基础上，加上完美的画面及快速的响应特性，在显示器市场上独占鳌头。
通常液晶显示器包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶显示面板主要是由一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩膜基板(Color Filter，CF)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
盒厚（Cell gap）即配置于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层的厚度，盒厚是影响液晶显示面板性能的重要参数。盒厚不均表现为盒厚偏大，或者盒厚偏小，根据TN、IPS和VA三种显示模式的透过率公式，盒厚偏大时亮度偏高，盒厚偏小时亮度偏低。具体而言，如果正常区域偏黄，看到的Mura泛白基本可以判别为盒厚偏小，看到的Mura呈紫色基本可以判别为盒厚偏大。如果正常区域偏蓝，看到的Mura呈深蓝色基本可以判别为盒厚偏小，看到的Mura泛白基本可以判别为盒厚偏大，还有产生一些其他的显示缺陷。
有鉴于此，如何提供一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，是目前需要解决的问题。
实用新型内容
为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，解决目前盒厚不均匀的技术问题，保证盒厚均匀性。
本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，包括显示区以及围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括走线区和绑定区，所述走线区包括设置有GIP单元的第一走线区域以及未设置有GIP单元的第二走线区域，所述第二走线区域位于所述显示区和绑定区之间，所述第二走线区域包括依次层叠设置的金属层、半导体层、金属走线层和绝缘层。
进一步地，所述半导体层包括层叠设置的半导体衬底层和SiNx层。
进一步地，所述绝缘层为SiNx层。
进一步地，所述绑定区设有集成电路芯片。
本实用新型具有如下有益效果：
本申请提供了一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，通过在第二走线区域增加一层半导体层和一层金属层，从而改善第二走线区域膜厚较小的问题，减少设置有GIP单元的第一走线区域与第二走线区域之间膜厚的高度差，进而解决盒厚均匀性的问题，提升液晶盒厚均匀性，提升显示画面的品质，进而大幅度提升了液晶显示器的显示效果。
附图说明
图1为液晶显示面板的结构示意图；
图2为现有技术中第二走线区域走线的膜层结构图；
图3为本实用新型中第二走线区域走线的膜层结构图。
图中：1、显示区，2、非显示区，3、绑定区，4、第二走线区域，5、半导体层，6、金属走线层，7、绝缘层，8、基板，9、金属层。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；除非另有明确的限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义；术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数；“多个”的含义是两个或两个以上。这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
正如背景技术所描述的，现有技术中存在盒厚不均匀的问题。但造成这种问题的原因并不清楚，发明人通过研究发现：参阅图1-2，现有的液晶显示面板中包括显示区以及围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括走线区和绑定区，所述走线区包括设置有GIP单元的第一走线区域以及未设置有GIP单元的第二走线区域，所述第二走线区域位于所述显示区和绑定区之间，所述第二走线区域由依次层叠设置的金属走线层和绝缘层组成。由于第一走线区域上GIP单元膜层结构多，例如典型的GIP单元膜层包括第一布线，其形成在基板上； 第一绝缘膜，其被配置为覆盖第一布线；第二布线，其形成在第一绝缘膜上；第二绝缘膜，其被配置为覆盖第二布线；以及第三布线，其形成在第二绝缘膜上，以通过第一接触孔CT1和第二接触孔CT2将第一布线和第二布线彼此连接，这种膜层结构会使该处膜厚较大，而第二走线区域上走线的膜层结构仅由金属走线层和绝缘层组成，膜厚较小，这样会造成盒厚不均匀。
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，通过在第二走线区域增加一层半导体层和一层金属层，从而改善第二走线区域膜厚较小的问题，进而解决盒厚均匀性的问题，提升液晶盒厚均匀性，进而大幅度提升了液晶显示器的显示效果。
本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
一种提升盒厚均匀性的液晶显示面板，包括显示区以及围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括走线区和绑定区，所述走线区包括设置有GIP单元的第一走线区域以及未设置有GIP单元的第二走线区域，所述第二走线区域位于所述显示区和绑定区之间，所述第二走线区域包括依次层叠设置的金属层、半导体层、金属走线层和绝缘层。
本申请实施例中，对第二走线区中走线的膜层结构进行改进，在现有结构的基础上增加了一层半导体层和一层金属层，从而改善第二走线区域膜厚较小的问题，进而解决盒厚均匀性的问题。
具体来说，所述第二走线区域内沿远离所述液晶显示面板基板的方向依次设置有金属层、半导体层、金属走线层和绝缘层。
本申请实施例中，所述第二走线区域中的金属走线层用于连接显示区和绑定区。本申请实施例中，所述金属走线层包括若干金属走线。本申请对所述金属走线层的具体设置不作特别限定，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
本申请实施例中对金属走线层的材料不作特别限定，可以采用本领域技术人员所熟知的各种材料，作为优选，所述金属走线层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种，但不局限于此，也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的其他材料。
本申请实施例中对金属层的材料不作特别限定，可以采用本领域技术人员所熟知的各种材料，作为优选，所述金属走线层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种，但不局限于此，也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的其他材料。
所述半导体层包括层叠设置的半导体衬底层和SiNx层。
本申请实施例中，对半导体层和金属层的厚度不作特别限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行调整。
具体来说，所述金属层设于所述显示面板的基板上，所述半导体衬底层设于金属层远离所述基板一侧，所述SiNx层设于半导体衬底层和金属走线层之间。
本申请实施例中对半导体衬底层的材料不作特别限定，可以采用本领域技术人员所熟知的各种材料，作为优选，所述半导体衬底层的材料为无定形硅、铟镓锌氧化物或低温多晶硅，但不局限于此，也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的其他材料。
本申请实施例中，对绝缘层的具体材料不作特别限制，可以根据实际应用需求进行选择。作为优选，在本实施例中，所述绝缘层为SiNx层，但不局限于此，也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的其他材料。
本申请实施例中，所述绑定区设有集成电路芯片。
需要说明的是，本申请对GIP单元的具体结构不作特别限定，可以采用现有技术实现，且本申请未对其进行改进，在此不再赘述。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。
