地体墙体花岗岩雕刻画方法
技术领域
本发明涉及石雕技术领域，具体涉及一种地体墙体花岗岩雕刻画方法。
背景技术
在中国历史悠久。在漫长的旧、新石器时代，石器加工是岭南原始先民谋生的手段。在珠江口的香港、澳门、珠海发现多处岩刻，以复杂的抽象图案为主，采用凿刻的技法，尤以珠海南水镇高栏岛岩刻为巨，最大的一幅高3米、长5米，明文凿刻，线条清晰，从复杂的线条中还可辨认出人物和船刻。
石雕指用各种可雕、可刻的石头，创造出具有一定空间的可视、可触的艺术形象，借以反映社会生活、表达艺术家的审美感受、审美情感、审美理想的艺术。常用的石材有花岗石、大理石、青石、砂石等。石材质量坚硬耐风化，是大型纪念性雕塑的主要材料。
发明内容
本发明主要解决现有技术中存在手工雕刻难度大、效率低和不可重复再现的不足，提供了一种地体墙体花岗岩雕刻画方法，其具有省时省力、方便快捷、效率高和可批量制作的特点。解决了地体墙体花岗岩雕刻难度大的问题。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种地体墙体花岗岩雕刻画方法，包括如下操作步骤：
第一步：根据地体墙体的雕刻面积制作同样大小的薄钢板，在薄钢板进行画的放样刻制。
第二步：在地体墙体铺设好花岗岩后，将放样刻制好的薄钢板附在花岗岩表面，进行撑杆或压架固定。
第三步：调制高锰酸钾溶液，通过喷枪在薄钢板上喷涂，使得花岗岩表面形成绘画或书法。
第四步：按照喷涂的绘画或书法痕迹，将花岗岩雕刻呈凹面绘画或书法。
第五步：地体墙体花岗岩雕刻画完成后，配比草酸和硫酸混合溶液，通过草酸、硫酸与高锰酸钾反应生成水溶性的硫酸钾和硫酸锰。
第六步：最后通过高压水枪冲洗地体墙体，完成花岗岩雕刻画的制作过程。
作为优选，地体墙体花岗岩雕刻画的凹面深度为1mm～3mm。
作为优选，地体墙体花岗岩雕刻画采用凿、铲、钻或挖这几种加工相结合的手工方法雕刻成凹面绘画或书法。
作为优选，高锰酸钾、草酸、硫酸的计量数之比为2:5:3。
酸性溶液高锰酸钾与草酸发生氧化还原反应，Mn元素的化合价从+7价降低到+2价得到5个电子，被还原得到还原产物硫酸锰，草酸生成2个二氧化碳，其中中C元素升高失去2个电子，被氧化得到氧化产物为二氧化碳，根据得失电子守恒，高锰酸钾、草酸、硫酸的计量数之比为2:5:3，再根据原子守恒平衡方程为：2高锰酸钾+5草酸+3硫酸=硫酸钾+2硫酸锰+10二氧化碳+8水。
作为优选，当花岗岩雕刻画需要上色时，放样刻制的薄钢板清洗干净后，再覆盖在花岗岩雕刻画上，接着调制所需的油漆颜料，根据配色需求进行涂刷。
作为优选，完成油漆颜料的涂刷后，在花岗岩雕刻画表面喷一层表板蜡。
作为优选，表板蜡包括下述重量份的组分：聚二甲基硅氧烷A 2～20份，聚二甲基硅氧烷B1～10份，羟基改性聚二甲基硅氧烷0.1～5份，异构十二烷10～80份，异构十六烷10～80份，杀菌剂0.05～0.7份；其中，聚二甲基硅氧烷A的粘度为1～1000cps；聚二甲基硅氧烷B的粘度为5000～100000cps。
作为优选，油漆颜料为环保油漆颜料。
本发明能够达到如下效果：
本发明提供了一种地体墙体花岗岩雕刻画方法，与现有技术相比较，具有省时省力、方便快捷、效率高和可批量制作的特点。解决了地体墙体花岗岩雕刻难度大的问题。
具体实施方式
下面通过实施例，对发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：一种地体墙体花岗岩雕刻画方法，包括如下操作步骤：
第一步：根据地体墙体的雕刻面积制作同样大小的薄钢板，在薄钢板进行画的放样刻制。
第二步：在地体墙体铺设好花岗岩后，将放样刻制好的薄钢板附在花岗岩表面，进行撑杆或压架固定。
第三步：调制高锰酸钾溶液，通过喷枪在薄钢板上喷涂，使得花岗岩表面形成绘画或书法。
第四步：按照喷涂的绘画或书法痕迹，将花岗岩雕刻呈凹面绘画或书法。地体墙体花岗岩雕刻画采用凿、铲、钻或挖这几种加工相结合的手工方法雕刻成凹面绘画或书法。地体墙体花岗岩雕刻画的凹面深度为2mm。
第五步：地体墙体花岗岩雕刻画完成后，配比草酸和硫酸混合溶液，通过草酸、硫酸与高锰酸钾反应生成水溶性的硫酸钾和硫酸锰。高锰酸钾、草酸、硫酸的计量数之比为2:5:3。
第六步：最后通过高压水枪冲洗地体墙体，完成花岗岩雕刻画的制作过程。
当花岗岩雕刻画需要上色时，放样刻制的薄钢板清洗干净后，再覆盖在花岗岩雕刻画上，接着调制所需的油漆颜料，油漆颜料为环保油漆颜料。根据配色需求进行涂刷。完成油漆颜料的涂刷后，在花岗岩雕刻画表面喷一层表板蜡。
表板蜡包括下述重量份的组分：聚二甲基硅氧烷A 5份，聚二甲基硅氧烷B3份，羟基改性聚二甲基硅氧烷2份，异构十二烷40份，异构十六烷49.5份，杀菌剂0.5份；其中，聚二甲基硅氧烷A的粘度为500cps；聚二甲基硅氧烷B的粘度为60000cps。
综上所述，该地体墙体花岗岩雕刻画方法，具有省时省力、方便快捷、效率高和可批量制作的特点。解决了地体墙体花岗岩雕刻难度大的问题。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。
