阵列基板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
随着生活水平的提高，LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)显示屏幕因其快速响应及成本较低依然活跃在显示领域市场。
有源矩阵式薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示使用TFT作为像素开关的液晶显示技术，对于TFT器件，最核心起作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅(Amphorous Silicon,a-Si)和多晶硅(Polycrystalline Silicon,p-Si)。其中，低温多晶硅薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、器件尺寸小等优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。其制备工艺为使用化学气相沉积生长a-Si薄膜，使用准分子激光退火形成p-Si,最后通过曝光蚀刻工艺制作硅岛。现有技术中，为避免温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大引起的显示不良，通常在硅岛图案的底部设计遮光层，由于遮光层的边缘存在台阶，a-Si在台阶处覆盖性较差，导致薄膜较其他位置偏薄，准分子激光退火时结晶异常，导致无法形成合格的阵列基板。
因此，亟需一种阵列基板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术中，有源矩阵式薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示使用TFT作为像素开关的液晶显示技术，对于TFT器件，最核心起作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅(AmphorousSilicon,a-Si)和多晶硅(Polycrystalline Silicon,p-Si)。其中，低温多晶硅薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、器件尺寸小等优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。其制备工艺为使用化学气相沉积生长a-Si薄膜，使用准分子激光退火形成p-Si,最后通过曝光蚀刻工艺制作硅岛。为避免温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大引起的显示不良，通常在硅岛图案的底部设计遮光层，由于遮光层的边缘存在台阶，a-Si在台阶处覆盖性较差，导致薄膜较其他位置偏薄，准分子激光退火时结晶异常，导致无法形成合格的阵列基板的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
一种阵列基板，包括衬底、位于所述衬底上的遮光层、位于所述遮光层上的有源层、及与所述遮光层同层设置的平坦化单元；
其中，所述平坦化单元的厚度与所述遮光层的厚度相同。
在本申请的阵列基板中，所述衬底包括至少一第一凹槽；
所述遮光层包括多个遮光单元，所述遮光单元位于所述第一凹槽内；
其中，所述第一凹槽与所述平坦化单元一体设置。
在本申请的阵列基板中，所述第一凹槽的开口宽度大于对应所述有源层的硅岛的宽度。
在本申请的阵列基板中，所述衬底还包括连接相邻两个所述第一凹槽的第二凹槽；
其中，所述第二凹槽内填充有柔性透明金属材料。
在本申请的阵列基板中，所述阵列基板的源极层通过多个第一过孔与所述第二凹槽内的所述柔性透明金属材料电连接。
在本申请的阵列基板中，所述平坦化单元包括包围所述遮光层的透明无机层，所述透明无机层包括多个透明无机单元，一所述透明无机单元包围一所述遮光层的遮光单元；
其中，所述透明无机单元用于延伸所述遮光单元的边缘台阶。
一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底上形成遮光层及与所述遮光层同层设置的平坦化单元；
在所述衬底上形成有源层；
其中，所述平坦化单元的厚度与所述遮光层的厚度相同。
在本申请的阵列基板的制作方法中，形成遮光层及平坦化单元的步骤包括：
在衬底上形成至少一第一凹槽，以形成平坦化单元；
在所述第一凹槽内形成遮光单元，以形成遮光层。
在本申请的阵列基板的制作方法中，形成遮光层及平坦化单元的步骤包括：
在衬底上形成包括多个遮光单元的遮光层；
在所述衬底及所述遮光单元外围形成透明无机单元，以形成平坦化单元；
其中，一所述透明无机单元包围一所述遮光层的遮光单元。
在本申请的阵列基板的制作方法中，形成遮光层及平坦化单元的步骤包括：
在衬底上形成整层的透明无机层；
在所述透明无机层上形成多个第三凹槽，以形成相互接触的多个透明无机单元；
在所述第三凹槽中形成遮光单元，以形成遮光层；
其中，所述透明无机单元的厚度与所述遮光单元的厚度相同，所述第三凹槽的深度与所述透明无机层的厚度相同，平坦化单元与所述无机透明单元一体设置。
有益效果：本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请阵列基板的第一种结构示意图；
图2为本申请阵列基板的第二种结构示意图；
图3为本申请阵列基板的第三种结构的局部俯视示意图；
图4为本申请阵列基板的第四种结构示意图；
图5为本申请阵列基板的第五种结构示意图；
图6为本申请阵列基板的第六种结构的局部俯视示意图；
图7为本申请阵列基板的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
有源矩阵式薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示使用TFT作为像素开关的液晶显示技术，对于TFT器件，最核心起作用的是半导体有源层，目前主流的材料为非晶硅(Amphorous Silicon,a-Si)和多晶硅(Polycrystalline Silicon,p-Si)。其中，低温多晶硅薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、器件尺寸小等优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。其制备工艺为使用化学气相沉积生长a-Si薄膜，使用准分子激光退火形成p-Si,最后通过曝光蚀刻工艺制作硅岛。现有技术中，为避免温多晶硅薄膜晶体管的漏电流较大引起的显示不良，通常在硅岛图案的底部设计遮光层，由于遮光层的边缘存在台阶，a-Si在台阶处覆盖性较差，导致薄膜较其他位置偏薄，准分子激光退火时结晶异常，导致无法形成合格的阵列基板。
请参阅图1～图6，本申请提供了一种阵列基板100，包括衬底200、位于所述衬底200上的遮光层、位于所述遮光层上的有源层600、及与所述遮光层同层设置的平坦化单元300；
其中，所述平坦化单元300的厚度与所述遮光层的厚度相同。
本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1～图6，所述阵列基板100，包括衬底200、位于所述衬底200上的遮光层、位于所述遮光层上的有源层600、及与所述遮光层同层设置的平坦化单元300。其中，所述平坦化单元300的厚度与所述遮光层的厚度相同。
本实施例中，所述阵列基板100还包括位于所述遮光层与所述有源层600之间的缓冲层500，具体请参阅图1～图6。所述缓冲层500起到一定的平坦化作用，但还是会有所述遮光层的边缘台阶的影响有源层600材料的结晶异常。
本实施例中，所述衬底200包括至少一第一凹槽210。所述遮光层包括多个遮光单元410，所述遮光单元410位于所述第一凹槽210内。其中，所述第一凹槽210与所述平坦化单元300一体设置，具体请参阅图2，图中不方便画出整体平坦化单元300，所以为部分平坦化单元300。至少一所述第一凹槽210构成了所述平坦化单元300，在所述第一凹槽210内填充遮光单元410，利用所述第一凹槽210的深度等于所述遮光单元410的厚度，消除所述遮光单元410的边缘台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层600材料结晶异常，提高了阵列基板100的产品合格率。
本实施例中，所述有源层600包括多个硅岛610，所述第一凹槽210的开口宽度大于对应所述有源层600的硅岛610的宽度，具体请参阅图2。所述遮光单元410的宽度大于对应所述有源层600的硅岛610的宽度，更好地遮光以及减少漏电流较大引起的不良显示。一所述硅岛610与至少一所述遮光单元410对应。同时，稍大的开口宽度，可以将可能的结晶异常的边缘台阶平移远离硅岛610的正常结晶区域，减少了遮光层边缘台阶处的有源层600材料结晶异常，提高了阵列基板100的产品合格率。
本实施例中，所述衬底200还包括连接相邻两个所述第一凹槽210的第二凹槽220，具体请参阅图3。其中，所述第二凹槽220内填充有柔性透明金属材料。所述遮光单元410的材料为金属导电材料，连接相邻两个所述第一凹槽210内的遮光单元410，起到对可能的漏电流的分流，减小对阵列基板100的损坏，同时柔性材料，可以增加衬底200的柔性，保护遮光层，减少断裂的风险，保护阵列基板100。
本实施例中，所述阵列基板100的源极层810通过多个第一过孔910与所述第二凹槽220内的所述柔性透明金属材料电连接。所述阵列基板100还包括位于所述有源层600上的绝缘层700、及位于所述绝缘层700上的源漏极层800。所述源漏极层800包括源极层810及漏极层820。所述绝缘层700包括多个第一过孔910及多个第二过孔920。所述第一过孔910使所述第二凹槽220中的柔性透明金属材料裸露，或/和所述第一过孔910使所述遮光单元410裸露。所述第二过孔920使有源层600裸露。所述源漏极层800的源极层810通过多个第一过孔910与所述第二凹槽220内的所述柔性透明金属材料电连接，具体请参阅图4。通过源极层810的源极电连接所述第二凹槽220内的柔性透明金属材料实现源极与遮光单元410的电连接，可以控制遮光单元410的电位，从而保持遮光单元410及遮光层的电稳定，进而保持阵列基板100的电稳定性，提高所述阵列基板100的工作效能，延长所述阵列基板100的使用寿命。
本实施例中，所述第一凹槽210内填充有柔性单元，所述柔性单元包括第四凹槽，所述第四凹槽内填充有所述遮光单元410。通过在所述遮光单元410外围包围柔性层，提高所述衬底200的柔性同时，避免了所述第一凹槽210对所述衬底200的刚性破坏，柔性单元提升了对所述第一凹槽210的支撑性，保证了所述衬底200的整体支撑性。
本实施例中，所述平坦化单元300包括包围所述遮光层的透明无机层，所述透明无机层包括多个透明无机单元310，一所述透明无机单元310包围一所述遮光层的遮光单元410，具体请参阅图5、图6，图中不方便画出整体平坦化单元300，所以为部分平坦化单元300。其中，所述透明无机单元310用于延伸所述遮光单元410的边缘台阶。所述透明无机单元310的厚度与所述遮光单元410的厚度相同。所述无机透明单元310与所述平坦化单元300一体设置。本实施例通过与所述遮光单元410等高的所述透明无机单元310，使在制作过程中有源层600在遮光单元410边缘的形成结晶效果正常，使得非正常的结晶区域远离所述有源层600的硅岛610的工作区域，保证了所述有源层600的所述硅岛610正常的工作。
本实施例中，所述透明无机层为整层设置，所述透明无机层包括多个第三凹槽230，所述遮光单元410位于所述第三凹槽230内，所述遮光单元410的厚度与所述透明无机层的厚度相同。所述透明无机单元310的厚度与所述遮光单元410的厚度相同，所述第三凹槽230的深度与所述透明无机层的厚度相同，所述透明无机单元410包围所述遮光单元310，相邻两个所述透明无机单元410相接触，具体请参阅图6。所述无机透明单元310与所述平坦化单元300一体设置。所述遮光层与所述透明无机层共同整面设置在所述衬底200上，所述有源层600可以更加高效便捷地在所述透明无机层与所述遮光层上形成硅岛610，方便精准形成图案化。同时，透明无机层可以很好地粘结衬底200与有源层600，以及很好地粘结衬底200与缓冲层500，避免膜层脱落。
本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
请参阅图1～图7，本申请还公开了一种阵列基板100的制作方法，包括：
S100、在衬底200上形成遮光层及与所述遮光层同层设置的平坦化单元300；
S200、在所述衬底200上形成有源层600；
其中，所述平坦化单元300的厚度与所述遮光层的厚度相同。
本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1～图7，阵列基板100的制作方法，包括：
S100、在衬底200上形成遮光层及与所述遮光层同层设置的平坦化单元300。
本实施例中，步骤S100包括：
S110、在衬底200上形成至少一第一凹槽210，以形成平坦化单元300。
S120、在所述第一凹槽210内形成遮光单元410，以形成遮光层。
本实施例中，所述衬底200包括至少一第一凹槽210。所述遮光层包括多个遮光单元410，所述遮光单元410位于所述第一凹槽210内。其中，所述第一凹槽210与所述平坦化单元300一体设置，具体请参阅图1、2，图中不方便画出整体平坦化单元300，所以为部分平坦化单元300。至少一所述第一凹槽210构成了所述平坦化单元300，在所述第一凹槽210内填充遮光单元410，利用所述第一凹槽210的深度等于所述遮光单元410的厚度，消除所述遮光单元410的边缘台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层600材料结晶异常，提高了阵列基板100的产品合格率。
本实施例中，所述有源层600包括多个硅岛610，所述第一凹槽210的开口宽度大于对应所述有源层600的硅岛610的宽度，具体请参阅图2。所述遮光单元410的宽度大于对应所述有源层600的硅岛610的宽度，更好地遮光以及减少漏电流较大引起的不良显示。同时，稍大的开口宽度，可以将可能的结晶异常的边缘台阶平移远离硅岛610的正常结晶区域，减少了遮光层边缘台阶处的有源层600材料结晶异常，提高了阵列基板100的产品合格率。
本实施例中，在形成平坦化单元300之后还包括：
S111、在所述衬底200上形成连接相邻两个所述第一凹槽210的第二凹槽220，在所述第二凹槽220内填充柔性透明金属材料。
本实施例中，所述衬底200还包括连接相邻两个所述第一凹槽210的第二凹槽220，具体请参阅图3。其中，所述第二凹槽220内填充有柔性透明金属材料。所述遮光单元410的材料为金属导电材料，连接相邻两个所述第一凹槽210内的遮光单元410，起到对可能的漏电流的分流，减小对阵列基板100的损坏，同时柔性材料，可以增加衬底200的柔性，保护遮光层，减少断裂的风险，保护阵列基板100。
本实施例中，在形成所述第一凹槽210之后还包括：
S112、在所述第一凹槽210内填充柔性单元。
S113、在任一所述柔性单元上形成第四凹槽。
S114、在所述第四凹槽内形成遮光单元410，以形成遮光层。
本实施例中，所述第一凹槽210内填充有柔性单元，所述柔性单元包括第四凹槽，所述第四凹槽内填充有所述遮光单元410。通过在所述遮光单元410外围包围柔性层，提高所述衬底200的柔性同时，避免了所述第一凹槽210对所述衬底200的刚性破坏，柔性单元提升了对所述第一凹槽210的支撑性，保证了所述衬底200的整体支撑性。
本实施例中，步骤S100包括：
S110、在衬底200上形成包括多个遮光单元410的遮光层。
S120、在所述衬底200及所述遮光单元410外围形成透明无机单元310，以形成平坦化单元300。
本实施例中，所述平坦化单元300包括包围所述遮光层的透明无机层，所述透明无机层包括多个透明无机单元310，一所述透明无机单元310包围一所述遮光层的遮光单元410，具体请参阅图5、图6，图中不方便画出整体平坦化单元300，所以为部分平坦化单元300。其中，所述透明无机单元310用于延伸所述遮光单元410的边缘台阶。所述透明无机单元310的厚度与所述遮光单元410的厚度相同。所述无机透明单元310与所述平坦化单元300一体设置。本实施例通过与所述遮光单元410等高的所述透明无机单元310，使在制作过程中有源层600在遮光单元410边缘的形成结晶效果正常，使得非正常的结晶区域远离所述有源层600的硅岛610的工作区域，保证了所述有源层600的所述硅岛610正常的工作。
本实施例中，步骤S100包括：
S110、在衬底200上形成整层的透明无机层。
S120、在所述透明无机层上形成多个第三凹槽230，以形成相互接触的多个透明无机单元310。
S130、在所述第三凹槽230中形成遮光单元140，以形成遮光层。
本实施例中，所述透明无机层为整层设置，所述透明无机层包括多个第三凹槽230，所述遮光单元410位于所述第三凹槽230内，所述遮光单元410的厚度与所述透明无机层的厚度相同。所述透明无机单元310的厚度与所述遮光单元410的厚度相同，所述第三凹槽230的深度与所述透明无机层的厚度相同。所述透明无机单元410包围所述遮光单元310，相邻两个所述透明无机单元410相接触，具体请参阅图6。所述无机透明单元310与所述平坦化单元300一体设置。所述遮光层与所述透明无机层共同整面设置在所述衬底200上，所述有源层600可以更加高效便捷地在所述透明无机层与所述遮光层上形成硅岛610，方便精准形成图案化。同时，透明无机层可以很好地粘结衬底200与有源层600，以及很好地粘结衬底200与缓冲层500，避免膜层脱落。
本实施例中，步骤S200包括：
S210、在所述衬底200上形成缓冲层500。
S220、在所述缓冲层500上形成包括多个硅岛610的有源层600。
本实施例中，所述阵列基板100还包括位于所述遮光层与所述有源层600之间的缓冲层500，具体请参阅图1。所述缓冲层500起到一定的平坦化作用，但还是会有所述遮光层的边缘台阶的影响有源层600材料的结晶异常。一所述硅岛610与至少一所述遮光单元410对应。
本实施例中，在形成所述有源层600之后还包括：
S230、剥离与所述透明无机层接触的有源层600。
S240、剥离所述透明无机层。
本实施例中，剥离所述透明无机层，进一步增加所述阵列基板100的透光性，提升应用所述阵列基板100的显示面板的显示效果。以及剥离有源层600非正常结晶的区域，提升阵列基板100的工作性能，保证了阵列基板100的产品合格率。
本实施例中，在形成有源层600后还包括：
S300、在所述有源层600上形成绝缘层700。
S400、在所述绝缘层700上形成多个第一过孔910及多个第二过孔920。
本实施例中，所述第一过孔910使所述第二凹槽220中的柔性透明金属材料裸露，或/和所述第一过孔910使所述遮光单元410裸露。所述第二过孔920使有源层600裸露，具体请参阅图4。
S500、在所述绝缘层700上形成源漏极层800，所述源漏极层800的源极层810通过多个第一过孔910与所述第二凹槽220内的所述柔性透明金属材料电连接。
本实施例中，所述阵列基板100的源极层810通过多个第一过孔910与所述第二凹槽220内的所述柔性透明金属材料电连接。所述源漏极层800包括源极层810及漏极层820，具体请参阅图4。通过源极层810的源极电连接所述第二凹槽220内的柔性透明金属材料实现源极与遮光单元410的电连接，可以控制遮光单元410的电位，从而保持遮光单元410及遮光层的电稳定，进而保持阵列基板100的电稳定性，提高所述阵列基板100的工作效能，延长所述阵列基板100的使用寿命。
本实施例中，所述源漏极层800通过所述第二过孔920与所述有源层600电连接，具体请参阅图4，保证了所述阵列基板100的正常工作。
本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
本申请还公开了一种显示面板，包括如上述的阵列基板100。
本实施例中，所述显示面板包括背光单元、位于所述背光单元上的所述阵列基板100、位于所述阵列基板100上的液晶盒及彩膜层。具体所述阵列基板100的结构可参考上述阵列基板100的实施例，在此不再赘述。
本实施例中，所述显示面板包括所述阵列基板100、位于所述阵列基板100上的发光单元。具体所述阵列基板100的结构可参考上述阵列基板100的实施例，在此不再赘述。
本申请还公开了一种显示装置，包括如上述的显示面板。
具体显示装置、显示面板的结构请参考上述阵列基板100的实施例，在此不再赘述。
本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括衬底、位于该衬底上的遮光层、位于该遮光层上的有源层、及与该遮光层同层设置的平坦化单元；其中，该平坦化单元的厚度与该遮光层的厚度相同。本申请通过在衬底上设置用于消除所述遮光层的边缘台阶的平坦化单元，消除遮光层的台阶，减少了遮光层边缘台阶处的有源层材料结晶异常，提高了阵列基板的产品合格率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
