阵列基板、其制作方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。
背景技术
目前，液晶显示面板(LCD，Liquid Crystal Display)和电致发光(EL，electroluminescence)显示面板等显示装置已广泛地进入到人们的生活中。在这些显示装置中，薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)控制各像素开关，对于显示装置的响应度及色彩真实度等具有重要影响，是该类显示装置中的重要组成部分。
TFT的结构主要有背沟道蚀刻型TFT。背沟道蚀刻型TFT主要包括由下至上依次设置的基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层，以及位于半导体层和栅极绝缘层上方的源漏极层(包括漏极和源极)。由于栅极的存在，后续膜层在经过栅极处时都会经过一个台阶而形成爬坡。源漏极金属在爬坡处会存在一定程度的凹陷，使得源漏极层上的光阻在该处由于光阻的流平性导致厚度偏薄，从而引起光阻与金属间的接触不良，在后续的蚀刻过程中极易造成爬坡处的金属线断裂，俗称“爬坡断线”。
虽然现有技术中已开发有一些不同类型的薄膜晶体管结构，但是出于提高TFT器件的性能、延长其使用寿命、扩展TFT矩阵设计空间以及改良TFT器件的制备方法等因素的考虑，实有必要对现有技术进行改进，以解决现有TFT的膜层结构中由于存在台阶易造成爬坡断线的问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，解决了的现有TFT膜层结构中由于存在台阶易造成爬坡断线的问题，实现了TFT结构的平坦化，提高了阵列基板的良率。
本发明提供了一种阵列基板的制作方法，所述方法包括：
提供基板，并制备第一槽体于所述基板内；
制备栅电极于所述第一槽体内；以及
依次制备栅极绝缘层、有源层、源极、漏极以及钝化层于所述基板上，以形成所述阵列基板。
优选的，所述栅电极的厚度小于或等于所述第一槽体的深度。
优选的，所述提供基板，并制备第一槽体于所述基板内的步骤，还包括：
制备光阻层于所述基板上，并暴露所述基板第一区域的上表面；
对所述基板进行蚀刻以在所述第一区域形成所述第一槽体。
优选的，所述光阻层包括正性光阻层或负性光阻层。
优选的，所述制备栅电极于所述第一槽体内的步骤，还包括：
沉积第一金属层于所述基板上，以形成位于所述第一槽体内的所述栅电极，以及位于所述光阻层上的覆盖金属层；
去除所述光阻层以及所述覆盖金属层。
优选的，所述栅电极与所述覆盖金属层相隔断。
本发明还提供了一种阵列基板，包括：
基板，所述基板上设置有第一槽体；
栅电极，设置于所述第一槽体内；
栅极绝缘层，设置于所述基板上，并覆盖所述栅电极；
有源层，设置于所述栅极绝缘层上，并位于所述栅电极上方；
源极、漏极，设置于所述有源层上，并与所述有源层两侧搭接；以及
钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，并覆盖所述有源层、所述源极以及所述漏极。
优选的，所述栅电极的厚度小于或等于所述第一槽体的深度。
优选的，所述第一槽体的截面形状包括下窄上宽的倒梯形。
本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一项所述的阵列基板。
本发明提供的阵列基板、其制作方法及显示面板，通过提供基板，并制备第一槽体于所述基板内；制备栅电极于所述第一槽体内；以及依次制备栅极绝缘层、有源层、源极、漏极以及钝化层于所述基板上，以形成所述阵列基板，将所述栅电极沉积于所述基板内，实现了TFT结构的平坦化，使得形成所述源极和所述漏极的源漏极金属膜层为一个完整的平面，解决了现有的TFT膜层结构中由于存在台阶易造成爬坡断线的问题，进而提高了阵列基板的良率。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程框图；
图2a至2f为本发明实施例提供的方法制成阵列基板过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的TFT膜层结构中由于存在台阶易造成爬坡断线的问题，本发明实施例用以解决该问题。
如图1和图2a至2f所示，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，该方法包括以下步骤：
步骤S101、提供基板101，并制备第一槽体1012于所述基板101内；
步骤S102、制备栅电极103于所述第一槽体1012内；以及
步骤S103、依次制备栅极绝缘层105、有源层106、源极1071、漏极1072以及钝化层109于所述基板101上，以形成所述阵列基板100。
如图2a和2b所示，步骤S101可以包括：制备第一光阻层102于所述基板101上，并暴露所述基板101第一区域1011的上表面；对所述基板101进行蚀刻以在所述第一区域1011形成所述第一槽体1012。
具体地，如图2b中的(1)所示，在所述基板101上形成第一光阻层102，并在所述第一区域1011处进行曝光显影以暴露所述第一区域1011的上表面。随后采用主要含HF(氢氟酸)的蚀刻液对所述基板101进行蚀刻以在所述第一区域1011形成所述第一槽体1012，所述第一槽体1012的截面形状包括下窄上宽的倒梯形。优选的，所述基板101为玻璃基板；所述光阻为正性光阻。
进一步优选的，当所述光阻为负性光阻时，所得结构如图2b中的(2)所示。具体地，在所述基板101上形成负性光阻薄膜102’，并在所述第一区域1011处进行曝光显影以暴露所述第一区域1011的上表面。随后采用主要含HF(氢氟酸)的蚀刻液对所述基板101进行蚀刻以在所述第一区域1011形成第一槽体1012’，所述第一槽体1012’的截面形状包括下窄上宽的倒梯形。负性光阻在曝光显影后会形成一个倒角，从而在后续步骤中更加有利于阻止位于所述负性光阻薄膜102’上的金属与所述第一槽体1012’内的所述栅电极103连续成膜。
进一步地，由于湿法蚀刻具有各向同性，即在沿所述基板101厚度方向蚀刻的同时还存在着严重的侧向蚀刻，因而使得所述第一槽体1012的最大宽度，大于位于所述第一槽体1012上方的光阻边缘的宽度。
后续步骤中以所述光阻为正性光阻进行介绍。
如图2c和2d所示，步骤S102还包括：沉积第一金属层于所述基板101上，以形成位于所述第一槽体1012内的所述栅电极103，以及位于所述第一光阻层102上的覆盖金属层104；去除所述第一光阻层102以及所述覆盖金属层104。
具体地，在形成有所述第一槽体101以及覆盖有所述第一光阻层102的所述基板101上，可以通过物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition，PVD)沉积第一金属层，以形成位于所述第一槽体1012内的所述栅电极103，以及位于所述第一光阻层102上的所述覆盖金属层104。其中，上述沉积膜层的过程可以在真空条件下进行。所述第一金属层的材料可以为铜(Cu)、钼(Mo)、铜钼合金或铜钼钛合金。
由于所述第一槽体1012的最大宽度，大于位于所述第一槽体1012上方的光阻边缘的宽度，使得所述第一槽体1012与光阻边缘并未连接，即使在所述第一槽体1012侧壁上沉积有金属，形成呈倒梯形状的所述栅电极103，则可通过调整所述第一槽体1012的蚀刻深度，使所述第一槽体1012的蚀刻深度大于所述栅电极103的沉积厚度，可有效阻止位于所述第一槽体1012内的所述栅电极103与位于所述第一光阻层102上方的所述覆盖金属层104连续，使得所述栅电极103与所述覆盖金属层104相隔断。而后通过剥离液去除所述第一光阻层102以及所述覆盖金属层104，得到图2d所示的结构，并且可以通过过滤反应后的剥离液回收金属材料。
进一步地，所述栅电极103的厚度小于或等于所述第一槽体1012的深度，以实现将所述栅电极103沉积于所述基板101中，实现阵列基板结构的平坦化，避免因所述栅电极103的存在而使得后续膜层在经过所述栅电极103处时都会经过一个台阶形成爬坡，且不限于4mask或5mask工艺。现有的阵列基板制作方法中需要对所述第一金属层进行图案化以形成所述栅电极103，而本实施例中无需对所述第一金属层进行图案化即可形成所述栅电极103，避免了对所述第一金属层进行蚀刻，因而减少了一次蚀刻液的使用，可起到降低成本的作用。
在所述栅电极103的上方依次形成所述栅极绝缘层105、有源层106、第二金属层107，以及覆盖第二金属层107的第二光阻层108，且所述第二光阻层108经曝光显影后暴露所述第二金属层107的部分区域，所述部分区域位于所述栅电极103的正上方，得到的结构如图2e所示。
其中，所述栅极绝缘层105的材料可以为氧化硅(SiOx)或氮化硅与氧化硅(SiNx+SiOx)的叠层。所述有源层106的材料可以为非晶硅。所述第二金属层107的材料可以为铜(Cu)、钼(Mo)、铜钼合金或铜钼钛合金。
对所述第二金属层107经图案化处理后形成所述源极1071、所述漏极1072。而后剥离所述第二光阻层108，通过化学气相法沉积形成所述钝化层109，所述钝化层109覆盖所述有源层106、所述源极1071以及所述漏极1072，得到图2f所示结构。其中，所述钝化层109的材料可以为氧化硅(SiOx)或氮化硅与氧化硅(SiNx+SiOx)的叠层。
现有的阵列基板制造过程中，所述栅电极103位于所述基板101的上方，形成了高度差，造成所述第二光阻层108与所述第二金属层107附着不紧密而产生孔隙，对所述第二金属层107进行蚀刻以形成所述源极1071、所述漏极1072时，由于孔隙腐蚀使得易发生爬坡断线，为避免发生爬坡断线则需使用较高要求的蚀刻液，因而导致蚀刻液的开发难度较大。而本发明实施例所述的方法通过在所述基板101上蚀刻形成所述第一槽体1012，随后沉积所述第一金属层形成位于所述第一槽体1012内的所述栅电极103，将所述栅电极103埋于所述基板101内，实现了后续的所述栅极绝缘层105、所述有源层106以及所述第二金属层107的平坦化，消除了高度差，改善了所述第二光阻层108与所述第二金属层107之间的附着紧密度，减少孔隙的产生，避免了因存在高度差导致爬坡断线，提升了阵列基板的良率，同时在所述栅电极103形成过程中无需使用蚀刻液以形成栅极图形，起到降低成本的作用。
本实施例还提供了一种由上述方法制得的阵列基板，参见图2f，所述阵列基板包括：基板101，所述基板上设置有第一槽体1012；栅电极103，设置于所述第一槽体1012内；栅极绝缘层105，设置于所述基板101上，并覆盖所述栅电极103；有源层106，设置于所述栅极绝缘层105上，并位于所述栅电极103上方；源极1071、漏极1072，设置于所述有源层106上，并与所述有源层106两侧搭接；以及钝化层109，设置于所述栅极绝缘层105上，并覆盖所述有源层106、所述源极1071以及所述漏极1072。
优选的，所述栅电极103的厚度小于或等于所述第一槽体1012的深度；所述第一槽体1012的截面形状包括下窄上宽的倒梯形。
本领域技术人员应当知道，图中虽未示出，本实施例提供的阵列基板中的所述钝化层109还可以包括位于所述漏极1072上方的接触孔，所述阵列基板100还可以包括位于所述钝化层109上方的像素电极。
本实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板、其制作方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
