一种传输速率为25Gbps的TO型EML光模块外壳
技术领域
本实用新型属于光电外壳技术领域，主要用于5G前传网络，具体的说是涉及一种传输速率为25Gbps的TO型EML光模块外壳。
背景技术
近几年中国的信息技术行业发展迅速，前景光明。随着中国制造2025、互联网+、大数据和云计算等行业的快速发展，对信息行业基础设施的需求也越来越高。同时也推进了大规模数据中心和5G移动数据网络基站的建设，这将带来每年千万级的TO型光模块外壳需求。
发明内容
为了解决上述问题，本实用新型提供了一种传输速率为25Gbps的TO型EML光模块外壳，该外壳实现了25Gbps的传输速率，成本低，易批量生产。
为了达到上述目的，本实用新型是通过一下技术方案实现的：
本实用新型是一种传输速率为25Gbps的TO型EML光模块外壳，包括底座和氮化铝基板，在所述底座上设置有两只射频引脚、五只馈电引脚，在底座的一侧还设置有一只接地引脚，在射频引脚、五只馈电引脚与底座之间均设置有玻璃介质。
本实用新型的进一步改进在于：两只射频引脚与底座之间、五只馈电引脚与所述底座之间分别通过玻璃介质熔接在一起，接地引脚与底座之间通过银铜一次性焊接成型。
本实用新型的进一步改进在于：氮化铝基板与底座、射频引脚通过金锡一次性焊接成型。
本实用新型的进一步改进在于：底座为SPCC制成的底座。
本实用新型的进一步改进在于：射频引脚、五只馈电引脚和接地引脚均采用4J50材质制成的引脚。
本实用新型的进一步改进在于：底座为带凸台结构。
本实用新型的有益效果是：本实用新型的射频引脚与底座之间、馈电引脚与底座通过玻璃介质熔封，实现一体化焊接技术，接地引脚与底座之间通过银铜一次性焊接成型，半成品镀镍镀金后，管座与氮化铝基板、射频引脚与氮化铝基板通过金锡焊连接，利用一体化金锡焊接技术，实现氮化铝基板与管座、氮化铝基板与射频引脚一次性焊接成型，大大缩短生产周期。
本实用新型实现了25Gbps的传输速率，成本低，工艺简单，易批量生产。
附图说明
图1是本实用新型的主视图。
图2 是本实用新型的后视图。
图3 是本实用新型的俯视图。
具体实施方式
以下将以图式揭露本实用新型的实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说，在本实用新型的部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示之。
如图1-3所示，本实用新型是一种传输速率为25Gbps的TO型EML光模块外壳，包括底座1和氮化铝基板2，所述底座1为SPCC制成的底座，所述底座1为带凸台结构，所述底座1上设置有两只射频引脚3、五只馈电引脚4，在所述底座1的一侧还设置有一只接地引脚6，所述射频引脚3、五只馈电引脚4和所述接地引脚6均采用4J50材质制成的引脚，在所述射频引脚3、五只馈电引脚4与所述底座之间均设置有玻璃介质5，两只所述射频引脚3与所述底座1之间、五只所述馈电引脚4与所述底座1之间分别通过玻璃介质5熔接在一起，玻璃熔封的温度为950℃，熔封所用玻璃介质为Elan型电子玻璃，所述接地引脚6与所述底座1之间通过银铜一次性焊接成型，接地引脚与底座纸件是通过银铜焊接一次性焊接成型，银铜焊接所用焊料为AgCu28，焊接温度为800℃，所述氮化铝基板2与所述底座1、射频引脚3通过金锡一次性焊接成型，金锡焊接所用焊料为AuSn20，金锡焊接温度为300±10℃。
镀镍镀金前的半成品，底座与射频引脚、馈电引脚通过玻璃熔封连接，底座与接地引脚通过银铜焊连接，利用熔封/银铜焊一体化焊接技术，实现了玻璃熔封与银铜焊接一次性焊接成型，大大缩短生产周期，半成品镀镍镀金后，管座与氮化铝基板、射频引脚与氮化铝基板通过金锡焊连接，利用一体化金锡焊接技术，实现氮化铝基板与管座、氮化铝基板与射频引脚一次性焊接成型，射频端口特性阻抗为25Ω，差分阻抗为50Ω。
本实用新型的光模块外壳可以采用如下制作尺寸：
其中，A为底座直径；D1为射频玻璃介质外径；D2为馈电玻璃介质外径；E为底座凸台长；W为底座凸台宽；X为引脚正面伸出长度；Y为背面引脚伸出长度；d1为射频引脚直径；d2为馈电及接地引脚直径。
以上所述仅为本实用新型的实施方式而已，并不用于限制本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原理的内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本实用新型的权利要求范围之内。
