一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法。
背景技术
目前一般衬底材料是普通玻璃片，经过溅射镀铟锡氧膜，作为阴极电极，氧化钨膜，二氧化硅膜等。
由于一般都是直接在玻璃进行镀膜，由于产品最终是在空气中使用，直接在玻璃上镀膜透过率偏低，溅射镀成本高，合格良率低，防爆功能弱，不易大规模生产。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种用于电致变色的装饰膜。
为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种用于电致变色的装饰膜，包括将上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、将下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。
在某些实施方式中，所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层上面的HC加硬层、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层的下面的上IM消影层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层下面的上二氧化硅层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上氧化铟锡层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上AZO（氧化锌铝）层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上MTO（氧化锰和氧化铟的混合物）层，所述上氧化铟锡层、所述上AZO层或者所述上MTO层贴设于所述电致变色层的上面，其中，所述上氧化铟锡层中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述上AZO层中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述上MTO层中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。
在某些实施方式中，所述上IM消影层的厚度为600-900nm, 折射率在1.47～1.7，所述HC加硬层的厚度为1-5um, 折射率在1.47～1.65，所述上二氧化硅层和所述上氧化铟锡层或者所述上AZO层或者所述上MTO层的总厚度为10-20nm。
在某些实施方式中，所述下镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述下薄膜层上面的下IM消影层，通过磁控溅射工艺镀设在所述下IM消影层上面的下二氧化硅层，通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下氧化铟锡层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下AZO层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下MTO层，所述下氧化铟锡层、所述下AZO层或者所述下MTO层贴设于所述电致变色层的下面，其中，所述下氧化铟锡层中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述下AZO层中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述下MTO层中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。
在某些实施方式中，所述下薄膜层的下面具有UV压印层。
在某些实施方式中，所述下IM消影层的厚度为600-900nm,所述下二氧化硅层和所述下氧化铟锡层或者所述下AZO层或者所述下MTO层的总厚度为10-20nm。
在某些实施方式中，所述上薄膜层的材质为PET、PC、COP或者PI，所述下薄膜层的材质为PET、PC、COP或者PI。
在某些实施方式中，所述电致变色层为离子导电层、电子绝缘的解质层或者导电聚合物层。
在某些实施方式中，所述电致变色层为聚苯胺层、聚吡咯层、聚噻吩层、1,1′-双取代基-4,4′-联吡啶层、二酞菁合镥层、聚(3,4-乙撑氧噻吩)层、聚[3,4-(2,2′- 二甲基丙烯二氧基）噻吩]层、聚噻吩层、二酞菁合镥层、锰酞菁层中的一种。
本发明解决的又一技术问题是提供一种制备用于电致变色的装饰膜的方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种制备用于电致变色的装饰膜的方法，包括以下步骤：
步骤一：准备三种材料：上镀膜层，电致变色层，下镀膜层；
步骤二：上镀膜层贴覆在电致变色层的上面；
步骤三：下镀膜层贴覆在电致变色层的下面，制作完成。
本发明的范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的（但不限于）具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案等。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明提供的一种用于电致变色的装饰膜，使用PET为衬底基材进行磁控溅射镀膜，与电致变色材料进行贴合，通过导电的装饰膜进行多层结构贴合，复合型的电子变色材料的合成更为简便，能获得具有多色显色、宽光谱及快相应的优点；
2、本发明提供的一种用于电致变色的装饰膜的导电功能在实际工作中稳定性较好，并且使生产过程中良率高，降低成本，再结合上镀膜层，能满足客户的高标准要求，适应市场需求；
3、本发明提供的一种用于电致变色的装饰膜能够广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上，当贴附于手机后盖的玻璃上时，玻璃在遇到外力冲击破碎时，能够避免因碎片飞溅引起的伤人事故，同时起到防爆效果；
4、本发明提供的一种用于电致变色的装饰膜能够解决城市污染问题，节能环保。
附图说明
附图1为本发明实施例的构造示意图；
其中: 11、上薄膜层；12、HC加硬层；13、上IM消影层；14、上二氧化硅层；15、上氧化铟锡层（或者上AZO层或者上MTO层）；2、电致变色层；31、下薄膜层；32、下IM消影层；33、下二氧化硅层；34、下氧化铟锡层（或者下AZO层或者下MTO层）。
具体实施方式
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的产品状态为基准的，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如附图1所示，一种用于电致变色的装饰膜，包括以上薄膜层11作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层2、以下薄膜层31作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层2两侧面形成一体。
所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层11上面的HC加硬层12、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层11的下面的上IM消影层13、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层13下面的上二氧化硅层14、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层14下面的上氧化铟锡层15，或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上AZO层15，或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上MTO层15，所述上氧化铟锡层15或者所述上AZO层15或者所述上MTO层贴设于所述电致变色层2的上面，其中，所述上氧化铟锡层15中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述上AZO层15中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述上MTO层15中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。
所述上薄膜层11的材质为PET、PC、COP或者PI。
所述上IM消影层13的厚度为600-900nm, 折射率在1.47～1.7，所述上IM消影层的设置增加产品反射率，以及提高抗划伤能力，所述HC加硬层12的厚度为1-5um, 折射率在1.47～1.65，所述HC加硬层的设置使得后端制程的OCA胶和PET连接更紧密，所述上二氧化硅层14和所述上氧化铟锡层15或者上AZO层15或者上MTO层15的总厚度为10-20nm。
所述下镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述下薄膜层31上面的下IM消影层32，通过磁控溅射工艺镀设在所述下IM消影层32上面的下二氧化硅层33，通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层33上面的下氧化铟锡层34 ，或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层33上面的下AZO层34，或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层33上面的下MTO层34，所述下氧化铟锡层34或者所述下AZO层34或者所述下MTO层，贴设于电致变色层2的下面，其中，所述下氧化铟锡层34中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述下AZO层34中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述下MTO层34中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。
所述下薄膜层31的材质为PET、PC、COP或者PI。
在后端加工中，需要在下薄膜层31做UV压印层（UV图案处理）更进一步丰富视觉效果，UV压印技术为本领域常用技术，不赘述。
所述下IM消影层32的厚度为600-900nm,所述下IM消影层的设置增加产品反射率，以及提高抗划伤能力，和所述下氧化铟锡层34或者所述下AZO层34或者所述下MTO层34的总厚度为10-20nm。
所述下二氧化硅层和所述下氧化铟锡层、AZO层、MTO层起基底封盖和光学匹配作用。
所述电致变色层2为离子导电层、电子绝缘的解质层或者导电聚合物层。所述电致变色层2为聚苯胺层、聚吡咯层、聚噻吩层、1,1′-双取代基-4,4′-联吡啶层、二酞菁合镥层、聚(3,4-乙撑氧噻吩)层、聚[3,4-(2,2′- 二甲基丙烯二氧基）噻吩]层、聚噻吩层、二酞菁合镥层、锰酞菁层中的一种。
一种制备用于电致变色的装饰膜的方法，包括以下步骤：
步骤一：准备三种材料：上镀膜层，电致变色层2，下镀膜层；
步骤二：上镀膜层贴覆在电致变色层2的上面；
步骤三：下镀膜层贴覆在电致变色层2的下面，制作完成。
下表中为在涂布IM/HC层的PET基材上打样时的透过率：
得出，本实施例中的用于电致变色的装饰膜，在涂布IM/HC层的PET基材上打样，可以有效提高透过率至90%。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
