低压差线性稳压电路
技术领域
本申请实施例涉及电子技术领域，尤其涉及低压差线性稳压电路。
背景技术
对于低压差线性稳压器(英文；Low Dropout Regulator，LDO)，为了实现更快的响应，通常使用N型金氧半场效晶体管(英文：Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，MOS)做输出功率管，因为N型MOS管具有更大的迁移率，使其在相同面积下能够提供更大的电流，并且源极负反馈也让N型MOS管瞬态响应能力更强。但是，N型MOS管需要消耗较多的电压裕度，在低电源电压下难以适用。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例所解决的技术问题之一在于提供一种低压差线性稳压电路，用以克服现有技术中低压差线性稳压器中N型MOS管难以适用的缺陷。
本申请实施例提供了一种低压差线性稳压电路，包括：误差放大电路、电荷泵电路及输出反馈电路；
误差放大电路的输出端与电荷泵电路的输入端连接；
电荷泵电路包括第一开关模组、第一储能模块、第三开关模组、寄生电容、第二开关模组、第二储能模块及时钟控制电路，其中，第一储能模块中的元件与接地点之间形成寄生电容；
第一开关模组与第一储能模块连接形成第一充电支路；第三开关模组与第一储能模块的一端连接，第三开关模组与寄生电容形成第三充电支路；第一储能模块与第二开关模组及第二储能模块连接形成第二充电支路；
时钟控制电路分别与第一开关模组、第三开关模组及第二开关模组连接，用于控制第一开关模组、第三开关模组及第二开关模组是否闭合；
电荷泵电路的输出端与输出反馈电路连接，输出反馈电路与误差放大电路连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，误差放大电路包括放大器和电压复制模组，电压复制模组输出与放大器相同的输出电压；
放大器的反相输入端与输出反馈电路连接，放大器的正向输入端输入基准电压，放大器的输出端与第二充电支路连接；
电压复制模组的输出端与第三充电支路连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，第一开关模组包括第一开关单元和第二开关单元；第一开关单元的一端接地，另一端与第一储能模块的第一端连接；
第二开关单元的一端与第一储能模块的第二端连接，第二开关单元的另一端接入稳压电压。
可选地，在本申请的一个实施例中，第一开关单元为第一场效应管，第二开关单元为第二场效应管。
可选地，在本申请的一个实施例中，第二开关模组包括第三开关单元和第四开关单元；
第三开关单元的一端与放大器的输出端及第二储能模块的第一端连接，第三开关单元的另一端与第一储能模块的第一端连接；
第四开关单元的一端与第二储能模块的第二端连接，第四开关单元的另一端与第一储能模块的第二端连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，第三开关单元为第三场效应管，第四开关单元为第四场效应管。
可选地，在本申请的一个实施例中，电荷泵电路还包括电压抬升电路，电压抬升电路连接在时钟控制电路与第四场效应管的栅极之间。
可选地，在本申请的一个实施例中，第三开关模组连接在电压复制模组的输出端与寄生电容的第一端之间，寄生电容的第二端接地，寄生电容的第一端与第一储能模块的第一端连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，第三开关模组为第五场效应管。
可选地，在本申请的一个实施例中，第一储能模块为第一电容，第二储能模块为第二电容，寄生电容为第三电容，其中，第一电容的一个极板与接地点之间形成第三电容。
可选地，在本申请的一个实施例中，输出反馈电路包括第六场效应管、第一电阻、第二电阻及第四电容；
电荷泵电路的输出端与第六场效应管的栅极连接，第六场效应管的漏极接入输入电压，第六场效应管的源极输出低压差线性稳压电路的输出电压；
第一电阻的第一端与第六场效应管的源极连接，第一电阻的第二端与第二电阻连接，第一电阻的第二端连接至放大器的反相输入端；
第二电阻的第二端接地，第四电容的第一端与第六场效应管的源极连接，第四电容的第二端接地。
本申请实施例的低压差线性稳压电路，由于电荷泵电路提供了更高的电压，即输出反馈电路的输入电压增高，使得N型MOS管的栅极在低压环境下也可以输入更高的电压，使得N型MOS管适用于低压环境，而且电荷泵电路包含的时钟控制电路，可以分别控制第一开关模组、第三开关模组及第二开关模组断开或者闭合，在第一开关模组中的开关单元闭合时，对第一储能模块充电，在第三开关模组中的开关闭合时，对寄生电容充电，在第二开关模组中的开关单元闭合时，第一储能模块对第二储能模块充电，保证了电压稳定，而且因为在第二开关模组闭合前，可以闭合第三开关模组，对寄生电容单独充电，避免在第二开关模组闭合时，因为对寄生电容充电而导致电压波动较大。
附图说明
后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本申请实施例的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
图1为本申请实施例提供的一种低压差线性稳压电路的框图；
图2为本申请实施例提供的一种低压差线性稳压电路的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种时序控制示意图；
图4为本申请实施例提供的一种输出反馈电路的电路结构与低压差线性稳压电路中的误差放大电路、电荷泵电路框图的整体示意图；
图5为本申请实施例提供的一种误差放大电路的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种电压抬升电路的结构图；
图7为本申请实施例提供的一种电压抬升电路的信号效果示意图。
具体实施方式
实施本申请实施例的任一技术方案必不一定需要同时达到以上的所有优点。
为了使本领域的人员更好地理解本申请实施例中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请实施例保护的范围。
下面结合本申请实施例附图进一步说明本申请实施例的具体实现。
图1为本申请实施例提供的一种低压差线性稳压电路的示意性框图；本申请实施例提供了一种低压差线性稳压电路10，如图1所示，该低压差线性稳压电路10包括：误差放大电路101、电荷泵电路102及输出反馈电路103；
误差放大电路101的输出端与电荷泵电路102的输入端连接；
电荷泵电路102包括第一开关模组1021、第一储能模块1022、第三开关模组1025、寄生电容1026、第二开关模组1023、第二储能模块1024及时钟控制电路1027，其中，第一储能模块1022中的元件与接地点之间形成寄生电容1026；
第一开关模组1021与第一储能模块1022连接形成第一充电支路；第三开关模组1025与第一储能模块1022的一端连接，第三开关模组1025与寄生电容1026形成第三充电支路；第一储能模块1022与第二开关模组1023及第二储能模块1024连接形成第二充电支路；
时钟控制电路1027分别与第一开关模组1021、第三开关模组1025及第二开关模组1023连接，用于控制第一开关模组1021、第三开关模组1025及第二开关模组1023是否闭合；
电荷泵电路102的输出端与输出反馈电路103连接，输出反馈电路103与误差放大电路101连接。输出反馈电路103用于对误差放大电路101的输出电压进行稳压。因为电荷泵电路102将输入的电压升高，也就是输出反馈电路103的输入电压升高，使得输出反馈电路103在低压环境下提供了更高的输入电压，就可以使得N型MOS管的栅极在低压环境下可以获得更高的电压，使得N型MOS管适用于低压环境。可选地，在本申请中，输出反馈电路103包括N型MOS管。
参照图1所示，可选地，误差放大电路101的两个输入端分别输入参考电压与输出反馈电路103的输出电压，根据参考电压与输出反馈电路103的输出电压之间的误差值产生误差电压并对误差电压进行放大，并通过误差放大电路101的输出端输出。误差放大电路101的输出的电压输入到电荷泵电路，可选地，误差放大电路101的输出的电压输入到电荷泵电路102的第二充电支路路和第三充电支路。
需要说明的是，第一开关模组1021、第三开关模组1025和第二开关模组1023中每个开关模组都包含至少一个开关单元，开关模组断开或闭合可以使得对应的充电支路断开或连通。具体的，在第一开关模组1021闭合时，第一充电支路连通，此时，通过定义储能模块1022外接的偏置电压对第一储能模块1022充电；在第三开关模组1025闭合时，第三充电支路连通，通过误差放大电路101对寄生电容1026充电；在第一开关模组1021和第三开关模组1025断开，第二开关模组1023导通时，第二充电支路连通，第一储能模块1022放电以对第二储能模块1024充电，而在第一储能模块1022向第二储能模块1024充电时，误差放大电路101也在向第二储能模块1024充电，因此，第二储能模块两端电压升高，向输出反馈电路103输入的电压就比较高，第二储能模块1024靠近输出反馈电路的一端作为电荷泵电路102的输出端，可以向输出反馈电路103提供更高的电压。第一开关模组1021和第二开关模组1023不同时断开或闭合，或者说两个开关模组的状态互补。
输出反馈电路103因为输入的电压变高，使得N形MOS管可以适用于该电路。输出反馈电路103将电荷泵电路输出的电压信号进行处理并反馈至误差放大电路101的输入端，以对误差放大电路101的输出电压进行稳压。
本实施例中的电荷泵电路102可以提供更大的电压，结合图1所示的电路，因为第一储能模块1022可以通过充电预先存储电荷，在误差放大电路向第二储能模块1024转移电荷时，第一储能模块1022预先存储的电荷也向第二储能模块1024转移，这就导致第二储能模块1024的电压升高，向输出反馈电路103输入的电压就比较高。在此过程中，因为第一储能模块1022中的元件与接地点之间形成寄生电容1026，也可以说第一储能模块1022中的元件对地形成寄生电容1026，因此，在第一储能模块1022向第二储能模块1024充电时，会先向寄生电容1026充电，这会导致电路输出存在较大波纹。本申请中，在第一储能模块1022向第二储能模块1024充电之前，通过控制第三开关模组1025闭合，通过误差放大电路101先对寄生电容1026进行充电，进而在第一储能模块1022向第二储能模块1024充电时，因为寄生电容1026已经完成充电，避免了电路输出产生波纹，避免输出电压不稳定。
基于图1所示的低压差线性稳压电路的框图，图2为本申请实施例提供的一种低压差线性稳压电路的结构示意图，图2所示的低压差线性稳压电路是对图1所示的低压差线性稳压电路的进一步限定描述，图2中重点体现电荷泵电路102的内部结构，对误差放大电路101的结构作了进一步详细展示，参照图2所示，可选地，在本申请的一个实施例中，误差放大电路101包括放大器1011和电压复制模组1012，电压复制模组1012输出与放大器1011相同的输出电压；
放大器1011的反相输入端与输出反馈电路103连接，放大器1011的正向输入端输入基准电压，放大器1011的输出端与第二充电支路连接；电压复制模组1012的输出端与第三充电支路连接。
电压复制模组1012的输出端输出的电压与放大器1011的输出端输出的电压相同。
参照图2所示，本申请中，开关模组可以包括至少一个开关单元，一个开关单元可以是一个场效应管或三极管，储能模块可以是一个电容，当然，只是示例性说明，此处，列举三个示例分别对第一充电支路、第三充电支路和第二充电支路进行说明。
可选地，在第一个示例中，第一开关模组1021包括第一开关单元10211和第二开关单元10212；第一开关单元10211的一端接地，另一端与第一储能模块1022的第一端连接；
第二开关单元10212的一端与第一储能模块1022的第二端连接，第二开关单元10212的另一端接入偏置电压(VA)，偏置电压是外接的电压，可以通过外部电路接入。
可选地，在本申请的一个实施例中，第一开关单元10211为第一场效应管，第二开关单元10212为第二场效应管。第一储能模块1022可以是第一电容。
可选地，在第二个示例中，第二开关模组1023包括第三开关单元10231和第四开关单元10232；
第三开关单元10231的一端与放大器1011的输出端及第二储能模块1024的第一端连接，第三开关单元10231的另一端与第一储能模块1022的第一端连接；
第四开关单元10232的一端与第二储能模块1024的第二端连接，第四开关单元10232的另一端与第一储能模块1022的第二端连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，第三开关单元10231为第三场效应管，第四开关单元10232为第四场效应管。第二储能模块1024可以是第二电容。
可选地，在本申请的一个实施例中，电荷泵电路102还包括电压抬升电路1028，电压抬升电路1028连接在时钟控制电路1027与第四场效应管的栅极之间。
可选地，在第三个示例中，第三开关模组1025连接在电压复制模组1012的输出端与寄生电容1026的第一端之间，寄生电容1026的第二端接地，寄生电容1026的第一端与第一储能模块1022的第一端连接。
可选地，在本申请的一个实施例中，第三开关模组1025可以是第五开关单元，第五开关单元可以是第五场效应管。寄生电容1026是第一电容的一个极板与接地点之间形成的电容。
基于上述图2所示的电路，图3为本申请实施例提供的一种时序控制示意图。图3中，示出了对第一开关单元10211、第二开关单元10212、第三开关单元10231、第四开关单元10232和第五开关单元的控制情况，高电平表示开关闭合，支路导通，低电平表示开关断开，支路断开。结合图3所示，在一个周期的控制中，可以分为三个时段，第一时段中，第一开关单元10211和第二开关单元10212闭合，第三开关单元10231、第四开关单元10232和第五开关单元断开，第一储能模块1022充电至稳压电压；第二时段中，第一开关单元10211和第二开关单元10212断开，第五开关单元闭合，此时，电压复制模组1012输出电压对寄生电容1026充电；第三时段中，第三开关单元10231和第四开关单元10232闭合，第一开关单元10211和第二开关单元10212断开，因为第二时段中，已经对寄生电容1026充电，在第三开关单元10231和第四开关单元10232闭合后，不需要通过放大器1011的输出端的输出电压向寄生电容1026进行充电，第一储能模块1022向第二储能模块1024充电。
需要说明的是，在一个周期中，第一开关单元10211的偏置电压可以先于第二开关单元10212的偏置电压由高电平变为低电平，即第一开关单元10211先于第二开关单元10212断开，第一结合图2，在第一开关单元10211和第二开关单元10212闭合时，通过偏置电压(VA)向第一储能模块1022充电，如果先断开第二开关单元10212，或者同时断开第一开关单元10211和第二开关单元10212，第二开关单元10212还会有一部分电荷转移至第一储能模块1022，也就是会产生沟道注入效应，使得第一储能模块1022上储存的电荷与预期的电荷量产生误差。因此，在断开第一开关单元10211和第二开关单元10212时，先断开第一开关单元10211，使得第一储能模块1022靠近第一开关单元10211的一端处于悬空状态，再断开第二开关单元10212，第二开关单元10212上的电荷就不会转移到第一储能模块1022，减小了沟道注入效应的影响。因为第一开关单元10211的偏置电压可以先于第二开关单元10212的偏置电压由高电平变为低电平，因此，第一开关单元10211的偏置电压也先于第二开关单元10212的偏置电压由低电平变为高电平。同理，第三开关单元10231和第四开关单元10232也是这样控制，以减少沟道注入效应的影响。
以上描述了一个周期中的开关控制，如此周期性循环控制，就可以使得第二储能模块1024的电压维持在稳压电压附近，第二储能模块1024的第二端作为电荷泵电路102的输出端，与输出反馈电路103的输入端连接，输出反馈电路103根据第二储能模块1024的第二端输出的电压信号对误差放大电路101传输反馈信号(VFB)，对误差放大电路101形成负反馈，对误差放大电路101的输出电压起到稳压的作用。
基于上述图1所示的低压差线性稳压电路的框图，图4为本申请实施例提供的一种输出反馈电路的电路结构与低压差线性稳压电路中的误差放大电路、电荷泵电路框图的整体示意图，重点展示低压差线性稳压电路中输出反馈电路103的具体结构，可选地，在本申请的一个实施例中，如图4所示，输出反馈电路103包括第六场效应管1031、第一电阻1032、第二电阻1033及第四电容1034；
电荷泵电路102的输出端与第六场效应管1031的栅极连接，第六场效应管1031的漏极接入输入电压，第六场效应管1031的源极输出低压差线性稳压电路10的输出电压；
第一电阻1032的第一端与第六场效应管1031的源极连接，第一电阻1032的第二端与第二电阻1033连接，第一电阻1032的第二端连接至放大器1011的反相输入端；
第二电阻1033的第二端接地，第四电容1034的第一端与第六场效应管1031的源极连接，第四电容1034的第二端接地。
基于图4所示的输出反馈电路，因为第六场效应管1031的栅极和源极之间存在电压差，而栅极的电压又受限于电源电压，如果没有电荷泵电路102，则第六场效应管的栅极输入的是误差放大电路101输出的电压，第六场效应管1031的漏极接入的是电源电压，这就导致第六场效应管1031栅极电压太小而无法使第六场效应管1031导通，在加入电荷泵电路102后，误差放大电路101输出的电压经过电荷泵电路102升压后输出到第六场效应管1031的栅极，就可以使第六场效应管1031导通。
基于上述图1所示的低压差线性稳压电路的框图，图5为本申请实施例提供的一种误差放大电路的结构示意图，对低压差线性稳压电路中误差放大电路101的内部结构进行说明，如图5所示，误差放大电路101包括放大器1011和电压复制模组1012，放大器1011输出的信号与电压复制模组1012输出的信号电压相同。其中，OUT表示放大器1011的输出端，OUT_R表示电压复制模组1012的输出端。
图5中，用字母T表示场效应管，图5所示的电路中，场效应管T也可以是MOS管，本申请对此不作限制，用C表示电容，放大器1011包括11个场效应管T1-T11，以及1个电容C1；
电压复制模组1012包括2个场效应管T12和T13，以及1个电容C2。
在放大器1011中，T1-T4的源极均接入电源电压，T1-T3的栅极接入偏置电压VB1，T4的栅极与T3的漏极相连，T1的漏极分别连接T5和T6的源极，T5的栅极作为放大器1011的反相输入端，T5的栅极可以输入VFB信号(即输出反馈电路103输出的反馈信号)，T6的栅极作为放大器1011的正相输入端，T6的栅极可以输入VREF信号(即外部输入的参考电压)；
T7的漏极与T2的漏极连接，T8的漏极与T3的漏极连接，T7的栅极与T8的栅极连接，并接入偏置电压VB2，T5的漏极与T7的源极连接，T6的漏极与T8的源极连接，T8的漏极与T4的漏极分别连接在C1的两端；
T9的漏极与T7的源极连接，T10的漏极与T8的源极连接，T11的漏极与T4的漏极连接，T9-T11的源极接地，T9-T11的栅极接入偏置电压VB3，其中，T4的漏极即为放大器1011的输出端。
在电压复制模组1012中，T12的源极均接入电源电压，T12的栅极接入偏置电压VB1，T12的漏极与T13的漏极连接，T13的源极接地，T13的栅极与T3的漏极相连，T12的漏极和T13的源极分别连接在C2的两端，其中T12的漏极即为电压复制模组1012的输出端。
需要说明的是，图5中所示的偏置电压VB1、VB2、VB3均由外部电路输入。当然，图5只是示例性说明放大器1011与电压复制模组1012的实现方式，并不代表本申请局限于此。
基于上述图2所示的低压差线性稳压电路的结构图，图6为本申请实施例提供的一种电压抬升电路的结构图，对电压抬升电路的内部结构进行说明，结合图2所示的电路，电压抬升电路1028的输入端与时钟控制电路1027的输出端相连，电压抬升电路1028的输出端与第四场效应管的栅极相连。图6中，用字母T表示场效应管，用M表示MOS管，用C表示电容。
具体可选的，电压抬升电路1028可以包括两个场效应管T14和T15，3个MOS管M1、M2和M3、1个电容C3以及1个反相器。反相器的输入端与时钟控制电路1027的输出端相连，反相器的输入端输入时钟输入信号CLKIN，反相器的输出端输出时钟反相信号CLKb，反相器的输出端与T14的漏极相连，T14的栅极与M1的栅极相连，且接入电源电压，T14的源极与M1的漏极相连；
M2的源极与M1的源极连接，M2的栅极与T14的栅极相连，M2的漏极接入电源电压，M2的源极和T14的漏极分别连接在C3的两端；
M2的源极与M3的源极相连，M3的栅极可以与反相器的输出端相连，M3的栅极接入时钟反相信号CLKb，M3的漏极与T15的漏极连接，T15的栅极可以与反相器的输出端相连，T15的栅极接入时钟反相信号CLKb，T15de源极接地，其中，M3的漏极即为电压抬升电路1028的输出端，输出时钟输出信号CLKOUT，通过时钟输出信号CLKOUT对第四场效应管进行控制。
结合图2所示的电路结构，因为电荷泵电路102将输出电压抬高，也就是将输出反馈电路103的输入电压抬高了，此时，第四开关单元10232(可以是第四场效应管)的偏置电压也要相应抬高，否则无法令第四开关单元10232导通，因此，通过电压抬升电路1028将时钟偏置电压CLKIN的电压抬高输出钟偏置电压CLKOUT。如图7所示，图7为本申请实施例提供的一种电压抬升电路的信号效果示意图。
本申请实施例的低压差线性稳压电路，由于电荷泵电路提供了更高的电压，即输出反馈电路的输入电压增高，使得N型MOS管的栅极在低压环境下也可以输入更高的电压，使得N型MOS管适用于低压环境，而且电荷泵电路包含的时钟控制电路，可以分别控制第一开关模组、第三开关模组及第二开关模组断开或者闭合，在第一开关模组中的开关单元闭合时，对第一储能模块充电，在第三开关模组中的开关闭合时，对寄生电容充电，在第二开关模组中的开关单元闭合时，第一储能模块对第二储能模块充电，保证了电压稳定，而且因为在第二开关模组闭合前，可以闭合第三开关模组，对寄生电容单独充电，避免在第二开关模组闭合时，因为对寄生电容充电而导致电压波动较大。
上述产品可执行本申请实施例所提供的方法，具备执行方法相应的功能模块和有益效果。未在本实施例中详尽描述的技术细节，可参见本申请实施例所提供的方法。
在20世纪90年代，对于一个技术的改进可以很明显地区分是硬件上的改进(例如，对二极管、晶体管、开关等电路结构的改进)还是软件上的改进(对于方法流程的改进)。然而，随着技术的发展，当今的很多方法流程的改进已经可以视为硬件电路结构的直接改进。设计人员几乎都通过将改进的方法流程编程到硬件电路中来得到相应的硬件电路结构。因此，不能说一个方法流程的改进就不能用硬件实体模块来实现。例如，可编程逻辑器件(Programmable Logic Device,PLD)(例如现场可编程门阵列(Field Programmable GateArray，FPGA))就是这样一种集成电路，其逻辑功能由用户对器件编程来确定。由设计人员自行编程来把一个数字系统“集成”在一片PLD上，而不需要请芯片制造厂商来设计和制作专用的集成电路芯片。而且，如今，取代手工地制作集成电路芯片，这种编程也多半改用“逻辑编译器(logic compiler)”软件来实现，它与程序开发撰写时所用的软件编译器相类似，而要编译之前的原始代码也得用特定的编程语言来撰写，此称之为硬件描述语言(Hardware Description Language，HDL)，而HDL也并非仅有一种，而是有许多种，如ABEL(Advanced Boolean Expression Language)、AHDL(Altera Hardware DescriptionLanguage)、Confluence、CUPL(Cornell University Programming Language)、HDCal、JHDL(Java Hardware Description Language)、Lava、Lola、MyHDL、PALASM、RHDL(RubyHardware Description Language)等，目前最普遍使用的是VHDL(Very-High-SpeedIntegrated Circuit Hardware Description Language)与Verilog。本领域技术人员也应该清楚，只需要将方法流程用上述几种硬件描述语言稍作逻辑编程并编程到集成电路中，就可以很容易得到实现该逻辑方法流程的硬件电路。
控制器可以按任何适当的方式实现，例如，控制器可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该(微)处理器执行的计算机可读程序代码(例如软件或固件)的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式，控制器的例子包括但不限于以下微控制器：ARC 625D、Atmel AT91SAM、Microchip PIC18F26K20以及Silicone Labs C8051F320，存储器控制器还可以被实现为存储器的控制逻辑的一部分。本领域技术人员也知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现控制器以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得控制器以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器等的形式来实现相同功能。因此这种控制器可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种功能的装置也可以视为硬件部件内的结构。或者甚至，可以将用于实现各种功能的装置视为既可以是实现方法的软件模块又可以是硬件部件内的结构。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
