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一种在高温高压下使用前驱体合成球状菱铁矿单晶的方法
2021-01-31
一种在高温高压下使用前驱体合成球状菱铁矿单晶的方法技术领域本发明涉及一种在高温高压下使用前驱体合成球状菱铁矿单晶的方法,属于地球科学矿物学研究领域。背景技术菱铁矿...
坩埚护板
2021-01-31
坩埚护板技术领域本实用新型涉及坩埚技术领域,特别涉及一种坩埚护板。背景技术随着时代的发展人们生活水平的不断提高,人们对太阳能的使用越来越频繁,其中太阳能电池的使用尤为...
一种碳化硅晶体的制备方法
2021-01-31
一种碳化硅晶体的制备方法技术领域本发明涉及一种碳化硅晶体的制备方法,属于碳化硅的制备技术领域。背景技术SiC具有高强度、高硬度、高弹性模量、化学稳定性好等特点,可广泛...
一种半导体单晶炉磁场装置升降装置
2021-01-31
一种半导体单晶炉磁场装置升降装置技术领域本实用新型属于升降设备技术领域,具体涉及一种用于半导体单晶炉磁场装置升降和旋转的半导体单晶炉磁场装置升降装置。背景技术随着...
一种晶体炉观察窗
2021-01-31
一种晶体炉观察窗技术领域本实用新型涉及一种晶体炉观察窗。属于光学元件加工领域。背景技术晶体在晶体炉中的生长过程比较长,并且要实时监控晶体在炉中的生长状态,通常晶体炉...
一种用于砷化镓生产的单晶炉保温筒夹具
2021-01-31
一种用于砷化镓生产的单晶炉保温筒夹具技术领域本实用新型涉及砷化镓生产技术领域,具体是一种用于砷化镓生产的单晶炉保温筒夹具。背景技术砷化镓是一种重要的半导体材料。属...
一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法
2021-01-31
一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法技术领域本发明涉及晶硅太阳电池制备领域,尤其涉及一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法。背景技术利用纳米线制绒的黑硅能够在没...
一种硫酸钙晶须表面的改性方法
2021-01-31
一种硫酸钙晶须表面的改性方法技术领域本发明属于材料表面改性技术领域,涉及一种硫酸钙晶须表面的改性方法。背景技术硫酸钙晶须(Calcium Sulfate Whisker)化学式为CaSO4,是以...
单晶铸件的制造方法、系统及设备
2021-01-31
单晶铸件的制造方法、系统及设备技术领域本发明涉及精密制造铸造技术领域,尤其涉及一种单晶铸件的制造方法、系统及设备。背景技术在单晶铸件的制造领域,单晶铸件比如单晶叶片...
一种基于MWT电池的扩散炉管排废装置
2021-01-31
一种基于MWT电池的扩散炉管排废装置技术领域本实用新型涉及一种基于MWT电池的扩散炉管排废装置,属于MWT太阳能电池组件加工技术领域。背景技术扩散炉是太阳能电池片形成PN结...
一种应用于单晶炉的旋板阀
2021-01-31
一种应用于单晶炉的旋板阀技术领域本实用新型是关于单晶炉旋板阀的辅助加工领域,特别涉及一种应用于单晶炉的旋板阀。背景技术单晶硅是用于太阳能光伏发电的重要材料。单晶硅...
一种石墨护套
2021-01-31
一种石墨护套技术领域本实用新型涉及护套技术领域,特别涉及一种石墨护套,主要用于多晶硅锭熔铸的坩埚上。背景技术光伏产业重点研发如何更好地利用环保能源——太阳能,随着多晶...
CCZ连续拉晶坩埚及涂层方法
2021-01-31
CCZ连续拉晶坩埚及涂层方法技术领域本发明属于半导体材料制备技术领域,更具体地说,是涉及一种CCZ连续 拉晶坩埚及该坩埚的涂层方法。背景技术目前,单晶拉棒技术正在从多次装料...
一种直拉单晶炉及其纵向温度梯度的测定控制方法
2021-01-31
一种直拉单晶炉及其纵向温度梯度的测定控制方法技术领域本发明涉及单晶硅生产领域,具体地说,涉及一种直拉单晶炉及其纵向温度梯度的测定控制方法。背景技术随着极大规模集成电...
含硅物质形成装置
2021-01-31
含硅物质形成装置技术领域本发明的实施方式涉及含硅物质形成装置。背景技术半导体硅基板作为用于形成各种电子电路的材料被广泛使用。在形成该半导体硅基板时、及在形成含有...
单晶炉停炉预防热场损坏方法
2021-01-31
单晶炉停炉预防热场损坏方法技术领域本发明主要涉及晶体材料加工设备技术领域,具体涉及一种单晶炉停炉预防热场损坏方法。背景技术在非常规停炉时,液体硅在凝固和冷却的过程中...
一种多晶硅铸锭炉用循环冷却水的装置
2021-01-31
一种多晶硅铸锭炉用循环冷却水的装置技术领域本实用新型涉及到太阳能硅片领域,是一种多晶硅铸锭炉用循环冷却水的装置。背景技术太阳能电池多晶硅锭是一种柱状晶,晶体生长方...
一种硅锭的制备方法和铸锭用坩埚
2021-01-31
一种硅锭的制备方法和铸锭用坩埚技术领域本发明涉及多晶硅铸锭技术领域,特别是涉及一种多晶硅铸锭方法和铸锭用坩埚。背景技术目前市场上主流光伏产品是晶体硅太阳能电池,也是...
一种单晶炉侧压轮机构
2021-01-31
一种单晶炉侧压轮机构技术领域本实用新型涉及晶体硅生产的技术领域,具体涉及一种单晶炉侧压轮机构。背景技术提拉法单晶硅生长的原理,在惰性气体(氩气)环境中,用石墨电阻加热器...
多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片
2021-01-31
多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片技术领域本发明属于太阳能电池用晶体硅材料制备领域,涉及一种多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片。背景技术定向凝固铸造法是光...
一种基于热释电效应可逆调控液滴在固体表面润湿性、调控液滴移动及引起液滴弹跳的方法
2021-01-31
一种基于热释电效应可逆调控液滴在固体表面润湿性、调控液滴移动及引起液滴弹跳的方法技术领域本发明涉及一种基于热释电效应可逆调控液滴在固体表面润湿性、调控液滴移动及...
一种晶片承载盘
2021-01-31
一种晶片承载盘技术领域本申请涉及半导体制备领域,具体而言,涉及一种晶片承载盘。背景技术外延晶片的一般制备过程主要包括:将衬底放入晶片承载盘的凹槽,连同晶片承载盘一起放入...
一种用磷石膏制备硫酸钙晶须的方法
2021-01-31
一种用磷石膏制备硫酸钙晶须的方法本发明专利申请属于申请日为2015年01月07日、申请号为201510007196.1的中国专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及一种用磷石膏制备硫酸...
一种电阻法碳化硅长晶设备
2021-01-31
一种电阻法碳化硅长晶设备技术领域本发明涉及碳化硅制备领域,特别涉及一种电阻法碳化硅长晶设备。背景技术碳化硅晶体结晶工艺就是将高纯碳化硅原料在坩埚中升华,气化,在特定籽...
衬托器、气相生长装置及气相生长方法
2021-01-31
衬托器、气相生长装置及气相生长方法技术领域本发明涉及半导体领域,特别涉及一种衬托器、一种气相生长装置及一种气相生长方法。背景技术近年来,外延(epitaxial)层形成在一基...
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