含硅物质形成装置
技术领域
本发明的实施方式涉及含硅物质形成装置。
背景技术
半导体硅基板作为用于形成各种电子电路的材料被广泛使用。在形成该半导体硅基板时、及在形成含有含硅物的膜或锭等时，分别使用了外延生长装置及化学气相生长装置等含硅物质形成装置。
外延生长装置具备反应室、和与反应室连接的供给管及排出管。介由供给管向反应室供给原料气体。而且，排出气体从反应室介由排出管被排出。在使用外延生长装置时，将基板设置于在不活泼气氛下被减压了的反应室内。而且，通过使被导入到反应室内的原料气体与加热了的基板反应，从而在基板上形成含有含硅物的膜。作为原料气体，例如使用含有硅及氯的化合物与氢气的混合气体。在反应室内与基板反应后的原料气体作为排出气体介由排出管向装置的外部排出。排出气体可包含原料气体中的成分、例如含有硅及氯的化合物。
这里，反应室内的温度与排出管相比为非常高温。因此，排出至排出管内的废气中包含的含有硅及氯的化合物在排出管内被冷却，有时作为副产物而析出。副产物可包含也被称为油性硅烷的粘性高的液状物质、及固体物质。另外，副产物可包含油性硅烷在空气中或水中改性而二次生成的物质。要求将这样的副产物安全地无害化。而且，从提高安全性及缩短作业时间的观点出发，要求在不将形成排出气体的排出路径的排出管等配管卸下的情况下将副产物无害化。
发明内容
本发明所要解决的课题在于，提供在不将形成排出路径的配管卸下的情况下，将在含有硅及卤素元素的原料物质的反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理的含硅物质形成装置。
根据实施方式，含硅物质形成装置具备反应室、排出机构、处理液罐、供给机构和流路切换构件。在反应室中，含有硅及卤素元素的原料物质发生反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质发生反应。排出机构具备将来自反应室的排出物质排出的排出路径。在处理液罐中，将包含碱性的水溶液的处理液贮液。供给机构具备从处理液罐向排出机构的排出路径中供给处理液的供给管线，利用所供给的处理液，使通过反应而产生的副产物在排出路径中被处理。流路切换构件在与反应室及供给机构的供给管线各自之间切换排出机构的排出路径的连通状态。
根据上述构成，能够提供在不将形成排出路径的配管卸下的情况下，将在含有硅及卤素元素的原料物质的反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应中产生的副产物进行处理的含硅物质形成装置。
附图说明
图1是表示第1实施方式所涉及的外延生长装置的概略图。
图2是表示第1实施方式的某个变形例所涉及的外延生长装置的概略图。
具体实施方式
以下，对于实施方式，参照图1及图2进行说明。
(第1实施方式)
首先，作为实施方式所涉及的含硅物质形成装置的一个例子，对第1实施方式所涉及的外延生长装置进行说明。图1表示第1实施方式所涉及的外延生长装置1。如图1中所示的那样，本实施方式的外延生长装置1具备装置主体2、除害装置3和连接部5。装置主体2具备箱体6、反应室7、排出管8和供给管(未图示)。反应室7、排出管8及供给管被容纳于箱体6内。供给管的一端与反应室7连接，供给管的另一端与作为原料物质的原料气体的气体供给源(未图示)连接。本实施方式中，通过供给管，形成将原料气体从气体供给源供给至反应室7的气体供给机构(气体供给系统)。
排出管8的一端与反应室7连接，排出管8的另一端与连接部5连接。在排出管8上，配置反应室独立阀(Chamber Isolation Valve：CIV)13及压力调整阀(Pressure ControlValve：PCV)15。本实施方式中，反应室独立阀13相对于压力调整阀15配置于反应室7侧(上游侧)。在反应室独立阀13关闭的状态下，能够仅将在排出管8中相对于反应室独立阀13与反应室7相反侧(下游侧)的部位进行维修。连接部5的一端与排出管8连接，连接部5的另一端与除害装置3连接。需要说明的是，排出管8及连接部5各自由1个以上的配管(导管)形成。
外延生长装置1除了上述的反应室7以外，还具备排出机构(排出系统)10、控制部(控制器)21、洗涤水罐22、处理液罐23、供给机构(供给系统)25、排气机构(排气系统)27、传感器28、液体排出机构(液体排出系统)31、及废液罐32。需要说明的是，图1中，实线的箭头表示液体及气体等流体的流动，虚线的箭头表示向控制部21的输入信号及来自控制部21的输出信号等电信号。
本实施方式中，排出机构10由排出管8、连接部5、及除害装置3形成。而且，本实施方式中，通过排出管8及连接部5，形成排出机构10的排出路径11。因此，上述的反应室独立阀13及压力调整阀15配置于排出路径11中。排出路径11能够与反应室7连通。
控制部21控制外延生长装置1整体。控制部21具备包含CPU(Central ProcessingUnit，中央处理单元)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)或FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)等的处理器或集成电路(控制电路)和存储器等存储介质。控制部21可以仅具备1个处理器或集成电路，也可以具备多个处理器或集成电路。控制部21通过执行存储于存储介质中的程序等来进行处理。
供给机构(液体供给机构)25具备供给管线35。另外，排气机构27具备排气管线36，液体排出机构31具备液体排出管线37。供给管线35、排气管线36、及液体排出管线37各自由1个以上的配管(导管)形成。另外，供给管线35、排气管线36、及液体排出管线37各自与排出机构10的排出路径11连接。
另外，本实施方式中，外延生长装置1具备切换阀41、42作为流路切换构件。切换阀41、42配置于排出机构10的排出路径11中。切换阀41相对于上述的反应室独立阀13及压力调整阀15配置于反应室7侧(上游侧)。另外，切换阀42相对于反应室独立阀13及压力调整阀15配置于与反应室7相反侧(下游侧)。在本实施方式的排出路径11中，在切换阀41、42之间，从反应室7侧(上游侧)向除害装置3侧(下游侧)仅形成1个延设部12。另外，在排出路径11中，从切换阀42至除害装置3，形成中继部43。
本实施方式中，供给机构25的供给管线35、及排气机构27的排气管线36通过切换阀(第1流路切换构件)41与排出机构10的排出路径11连接。另外，液体排出机构31的液体排出管线37通过切换阀(第2流路切换构件)42与排出机构10的排出路径11连接。
本实施方式中，切换阀41可切换成第1工作状态及第2工作状态。在切换阀41的第1工作状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12与反应室7连通。但是，在切换阀41的第1工作状态下，排出机构10的排出路径11(延设部12)相对于供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自的连通被阻断。另一方面，在切换阀41的第2工作状态下，排出机构10的排出路径11(延设部12)与供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自连通。但是，在切换阀41的第2工作状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12相对于反应室7的连通被阻断。因此，通过切换阀(流路切换构件)41的工作状态切换，排出路径11(延设部12)相对于反应室7、供给机构25的供给管线35、及排气机构27的排气管线36各自的连通状态发生切换。
另外，切换阀42可切换成第3工作状态及第4工作状态。在切换阀42的第3工作状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12介由中继部43与除害装置3连通。但是，在切换阀42的第3工作状态下，排出机构10的排出路径11(延设部12)相对于液体排出机构31的液体排出管线37的连通被阻断。另一方面，在切换阀42的第4工作状态下，排出机构10的排出路径11(延设部12)与液体排出机构31的液体排出管线37连通。但是，在切换阀42的第4工作状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12相对于除害装置3(中继部43)的连通被阻断。因此，通过切换阀(流路切换构件)42的工作状态切换，排出路径11(延设部12)相对于液体排出机构31的液体排出管线37、及除害装置3各自的连通状态发生切换。
本实施方式中，切换阀41、42的工作通过控制部21来控制，通过控制部21，切换阀41、42各自的工作状态发生切换。在某个实施例中，控制部21基于利用用户界面等操作装置(未图示)的作业者的操作，切换切换阀41、42各自的工作状态。需要说明的是，切换阀41、42各自的工作状态的切换没有必要通过控制部21来进行，在另外的某个实施例中，切换阀41、42各自的工作状态的切换也可以通过作业者而不介由控制部21来进行。
在外延生长装置1中，在利用气体供给机构将作为原料物质的原料气体从气体供给源向反应室7的供给中，切换阀41被切换成第1工作状态，切换阀42被切换成第3工作状态。即，在原料气体被导入反应室7的状态下，反应室7介由排出机构10的排出路径11(延设部12)与除害装置3连通，排出路径11(延设部12)也可以不与供给机构25的供给管线35、排气机构27的排气管线36、及液体排出机构31的液体排出管线37中的任一者连通。
原料气体是含有硅及卤素元素的气体。因此，原料气体包含卤素元素中的任1种以上和硅。卤素元素属于17族，卤素元素中，可列举出氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)及碘(I)等。含有硅及卤素元素的气体例如为含有硅及卤素元素的化合物与氢的混合气体。该混合气体中的氢的浓度例如为95体积％以上。在含有硅及卤素元素的化合物中，包含选自由含有硅及氯的化合物、含有硅及溴的化合物、含有硅及氟的化合物、及含有硅及碘的化合物构成的组中的1种以上的化合物。而且，含有硅及卤素元素的化合物中包含卤代硅烷类。
含有硅及氯的化合物例如为二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、及四氯硅烷(SiCl4)等氯硅烷类中的任1种、或它们的混合物。在混合气体中包含含有硅及氯的化合物的情况下，混合气体也可以包含单硅烷(SiH4)及氯化氢(HCl)中的至少一者。另外，含有硅及溴的化合物例如为二溴硅烷(SiH2Br2)、三溴硅烷(SiHBr3)、及四溴硅烷(SiBr4)等溴硅烷类中的任1种、或它们的混合物。在混合气体中包含含有硅及溴的化合物的情况下，混合气体也可以包含单硅烷(SiH4)及溴化氢(HBr)中的至少一者。
原料气体也可以包含2种以上的卤素元素，原料气体除了包含氯以外，还可以包含氯以外的卤素元素中的任1种以上。在某一个例子中，原料气体为含有硅及氯的化合物、氢气、和含有氯以外的卤素元素的化合物及氯气以外的卤素气体中的至少一者的混合气体。在含有氯以外的卤素元素的化合物中，可以包含硅，也可以不包含硅。另外，在另外的某一个例子中，原料气体为含有氯以外的卤素元素及硅的化合物、氢气、和含有氯的化合物及氯气中的至少一者的混合气体。在含有氯的化合物中，可以包含硅，也可以不包含硅。
另外，在反应室7与排出路径11的延设部12连通的状态下，反应室7可通过压力调整阀15来减压。通过利用压力调整阀15将反应室7减压，从而在排出路径11中，与相对于压力调整阀15在反应室7侧的区域相比，在相对于压力调整阀15与反应室7相反侧的区域中，压力上升。在外延生长装置1中，在反应室7的压力被减压的状态下，在反应室7中设置基板。在反应室7中，介由供给管而供给的原料气体与基板发生反应。此时，基板被加热至与原料气体的反应温度以上。在某一个例子中，反应温度为600℃以上，在另外的某一个例子中，反应温度为1000℃以上。如上所述，通过减压下且高温下的原料气体与基板的热化学反应，在基板上形成单晶或多晶的含硅膜。需要说明的是，基板例如为单晶硅基板。
来自反应室7的排出物质即排出气体介由排出路径11(延设部12及中继部43)向除害装置3排出。在排出气体中，可包含原料气体中包含的含有硅及卤素元素的化合物中没有沉积于基板上的一部分。因此，在排出气体中，可包含原料气体中包含的卤代硅烷类中没有沉积于基板上的一部分。另外，在排出气体中，可包含原料气体中包含的含有硅及卤素元素的化合物中在反应室7中未反应的一部分。而且，在排出气体中，可包含通过含有卤素元素及硅的化合物在反应室7中的反应而产生的卤代硅烷类。进而，在作为排出物质的废气中，可包含上述的单硅烷(SiH4)，同时可包含上述的氯化氢(HCl)及溴化氢(HBr)等卤化氢。排出气体在除害装置3中通过燃烧被无害化。
在原料气体与基板的反应中产生的副产物可在排出路径11(延设部12)的一部分中析出。副产物是上述的排出气体中包含的成分发生反应而被固化或液化而得到的物质。例如通过排出气体中包含的卤代硅烷类彼此在排出路径11中发生反应，可产生副产物。另外，通过卤代硅烷类与排出气体中包含的其他成分在排出路径11中发生反应，可产生副产物。而且，所产生的副产物可附着于形成排出路径11的配管的内表面等。
如上所述产生的副产物可包含也称为油性硅烷的粘性高的液状物质、及固体物质。另外，副产物可包含油性硅烷在空气中或水中发生改性而二次生成的物质。这样的副产物包含卤代硅烷类。卤代硅烷类可通过含有卤素元素及硅的化合物发生反应而产生。卤代硅烷类具有Si-α键(α为选自由Cl、Br、F及I构成的组中的1种以上的卤素元素)和Si-Si键。
作为卤代硅烷类的一个例子，可列举出氯硅烷类、及溴硅烷类等。氯硅烷类含有氯作为卤素元素，具有Si-Cl键和Si-Si键。另外，溴硅烷类含有溴作为卤素元素，具有Si-Br键和Si-Si键。另外，卤代硅烷类也可以包含2种以上的卤素元素，在某一个例子中，卤代硅烷类除了包含氯以外还包含氯以外的卤素元素中的任1种以上。
副产物中包含的卤代硅烷类有时没有改性。另一方面，卤代硅烷类如上所述具有Si-α键(α为选自由Cl、Br、F及I构成的组中的1种以上的卤素元素)和Si-Si键，这些键相对于水及氧可显示出高的反应性。因此，卤代硅烷类在大气气氛下可与水及氧迅速地反应而改性为具有爆炸性的物质。因此，需要将副产物安全地无害化。
此外，副产物中包含的卤代硅烷类可包含具有环状结构的卤代硅烷类和不具有环状结构的卤代硅烷类。具有环状结构的卤代硅烷类可包含结构式(1)至(25)中所示的结构的化合物中的任一者。因此，具有环状结构的卤代硅烷类可具有4元环结构、5元环结构、6元环结构、7元环结构、8元环结构、及多元环结构中的任一者。需要说明的是，在结构式(1)至(25)中，X为选自由Cl、Br、F及I构成的组中的1种以上的卤素元素。
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
副产物中包含的具有环状结构的卤代硅烷类如结构式(1)至(25)中所示的那样，可为具有仅由硅构成的硅环的同素环式化合物。另外，具有环状结构的卤代硅烷类如结构式(1)至(25)中所示的那样，可为不含碳的无机环式化合物。另外，具有环状结构的卤代硅烷类也可以包含含有硅及氧的杂环式化合物。
不具有环状结构的卤代硅烷类可包含具有链状结构的卤代硅烷类。具有链状结构的卤代硅烷类可包含结构式(26)及(27)中所示的结构的化合物中的任一者。需要说明的是，在结构式(26)中，N例如为0、或15以下的正的整数。在结构式(26)及(27)中，X为选自由Cl、Br、F及I构成的组中的1种以上的卤素元素。
[化学式8]
具有链状结构的卤代硅烷类可为如结构式(26)中所示的那样没有支链的直链化合物。另外，具有链状结构的卤代硅烷类可为如结构式(27)中所示的那样具有支链的链式化合物。
另外，副产物可包含通过上述的卤代硅烷类与水接触而可二次生成的水解产物。水解产物可为固体状物质。卤代硅烷类的水解产物与卤代硅烷类同样地可具有Si-Si键。另外，水解产物可为硅氧烷类。而且，水解产物可包含具有硅氧烷键(Si-O-Si、O-Si-O)及硅烷醇基(-Si-OH)中的至少一者的化合物。另外，水解产物可具有氢硅烷醇基(-Si(H)OH)。副产物中包含的水解产物可具有结构式(28)至(33)的结构中的任一者。
[化学式9]
结构式(28)至(33)中所示的水解产物为仅由硅、氧、及氢构成的水解产物。另外，结构式(28)至(33)中所示的水解产物具有硅氧烷键及硅烷醇基这两者。而且，结构式(28)至(33)中所示的水解产物为具有2个以上的硅烷醇基的聚硅烷醇。副产物中包含的水解产物中，Si-Si键及硅氧烷键可成为爆炸性的原因。另外，副产物可包含二氧化硅。
其中，在切换阀41与反应室独立阀13之间的部位等在排出路径11中相对于反应室7在近位侧的部位中，温度高。另外，相对于压力调整阀15在反应室7侧的区域与反应室7同样地被减压。因此，认为在相对于压力调整阀15在反应室7侧的区域中，难以发生排出气体中包含的成分的反应，难以产生副产物。
另外，如上所述，与相对于压力调整阀15在反应室7侧的区域相比，相对于压力调整阀15与反应室7相反侧的区域压力上升。因此，在压力调整阀15中，相对于上游侧在下游侧压力上升。因此，认为在排出路径11中在与相对于压力调整阀15的下游侧邻接的部位，排出气体中包含的成分彼此的反应容易进行，容易产生副产物。因此，认为在排出路径11中在压力调整阀15、及与压力调整阀15的下游侧邻接的部位，特别容易产生副产物。即，认为在排出路径11(延设部12)中，在压力调整阀15及其附近，容易产生副产物。需要说明的是，排出气体中包含的成分彼此的上述的反应在减压下难以发生。
另外，在排出路径11中除害装置3的附近的部位等在排出路径11中从压力调整阀15向下游侧远离的部位中，排出气体中的成为副产物的原料的成分的量变少。因此，认为在排出路径11中从压力调整阀15向下游侧远离的部位中，难以产生副产物。
如上所述，在外延生长装置1中，通过原料气体与基板的反应，在排出路径11中产生副产物。在本实施方式的外延生长装置1中，使原料气体与基板反应，进行在基板上形成含硅膜的处理后，进行将在排出路径11中产生的副产物无害化的处理。
在外延生长装置1中，在副产物的无害化中，切换阀41切换成第2工作状态，切换阀42切换成第4工作状态。即，在排出路径11中进行副产物的无害化的状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12与反应室7及除害装置3中的任一者均不连通。而且，在排出路径11中进行副产物的无害化的状态下，排出机构10的排出路径11的延设部12与供给机构25的供给管线35、排气机构27的排气管线36、及液体排出机构31的液体排出管线37各自连通。
本实施方式中，排出机构10的排出路径11介由供给机构25的供给管线35与洗涤水罐22及处理液罐23连接。在洗涤水罐22中，洗涤水被贮水。另外，在处理液罐23中，处理液被贮液。处理液被用于副产物的无害化。另外，处理液包含碱性的水溶液。供给机构(液体供给机构)25能够从洗涤水罐22向排出路径11的延设部12供给洗涤水，并且能够从处理液罐23向排出路径11的延设部12供给处理液。
本实施方式中，供给机构25除了具备上述的供给管线35以外，还具备阀45、46、48及泵等流量调整器47。另外，供给管线35具备流路部55～58。流路部55从洗涤水罐22延设至阀45，流路部56从处理液罐23延设至阀46。另外，流路部57从阀45、46分别延设至阀48。本实施方式中，在流路部57中形成来自洗涤水罐22的供给路径与来自处理液罐23的供给路径的合流部。另外，流路部58从阀48经由流量调整器47延设至切换阀41。
另外，本实施方式中，排出机构10的排出路径11介由液体排出机构31的液体排出管线37与废液罐32连接。液体排出机构31能够将用于副产物的无害化后的处理液从排出路径11的延设部12排出。另外，在废液罐32中，贮存从排出路径11排出的处理液。
本实施方式中，液体排出机构31除了具备上述的液体排出管线37以外，还具备阀51。另外，液体排出管线37具备流路部61、62。流路部61从切换阀42延设至阀51。另外，流路部62从阀51延设至废液罐32。
另外，外延生长装置1具备循环管线52。循环管线52由1个以上的配管(导管)形成。循环管线52的一端与供给管线35连接，循环管线52的另一端与液体排出管线37连接。循环管线52通过阀48与供给管线35连接。另外，循环管线52通过阀51与液体排出管线37连接。
阀45、46各自的工作状态可切换成开状态及闭状态。在阀45的开状态下，在供给管线35中流路部55、57连通，在阀45的闭状态下，在供给管线35中流路部55、57的连通被阻断。另外，在阀46的开状态下，在供给管线35中流路部56、57连通，在阀46的闭状态下，在供给管线35中流路部56、57的连通被阻断。
另外，阀48、51各自的工作状态可切换成循环状态及非循环状态。在阀48的循环状态下，供给管线35的流路部58与循环管线52连通，在供给管线35中流路部57、58的连通被阻断。在阀48的非循环状态下，在供给管线35中流路部57、58连通，供给管线35与循环管线52之间的连通被阻断。另外，在阀51的循环状态下，液体排出管线37的流路部61与循环管线52连通，在液体排出管线37中流路部61、62的连通被阻断。在阀51的非循环状态下，在液体排出管线37中流路部61、62连通，液体排出管线37与循环管线52之间的连通被阻断。
另外，通过泵等流量调整器47的工作状态发生变化，从而在供给管线35中通过流路部58的洗涤水或处理液的流量发生变化。而且，通过流路部58的流量发生变化，从而洗涤水或处理液从供给管线35向排出路径11的喷射压力发生变化。因此，通过控制流量调整器47的工作，从而调整流路部58的流量，调整从供给管线35向排出路径11的喷射压力。
本实施方式中，阀45、46、48、51及流量调整器47的工作通过控制部21而控制，通过控制部21，阀45、46、48、51及流量调整器47各自的工作状态被切换。在某个实施例中，控制部21基于利用用户界面等操作装置(未图示)的作业者的操作，切换阀45、46、48、51及流量调整器47各自的工作状态。需要说明的是，阀45、46、48、51及流量调整器47各自的工作状态的切换没有必要通过控制部21来进行，在另外的某个实施例中，阀45、46、48、51及流量调整器47各自的工作状态的切换也可以通过作业者而不介由控制部21来进行。
本实施方式中，通过将阀46设定为开状态，并且将阀48设定为非循环状态，从而通过供给机构25从处理液罐23经由供给管线35供给处理液。另外，由于如上所述切换阀41为第2工作状态，因此从供给管线35向排出路径11的延设部12喷射处理液，向排出路径11(延设部12)供给处理液。在排出路径11(延设部12)中，附着于形成排出路径11的配管等的副产物通过供给机构25所供给的处理液被无害化。
如上所述，处理液包含碱性的水溶液。另外，卤代硅烷类如上所述具有Si-α键(α为选自由Cl、Br、F、I构成的组中的1种以上的卤素元素)和Si-Si键作为相对于水及氧显示高反应性的键。通过卤代硅烷类与碱性的处理液发生反应，从而相对于水及氧显示高反应性的上述的键被切断。例如，通过氯硅烷类与碱性的处理液发生反应，Si-Cl键及Si-Si键被切断。
另外，副产物中可包含的水解产物如上所述可具有可成为爆炸性的原因的硅氧烷键及Si-Si键。通过水解产物与碱性的处理液发生反应，可成为爆炸性的原因的上述的键被切断。
因此，在与副产物反应后的处理液中，大体上不含具有爆炸性的物质。如上所述，通过使副产物与碱性的处理液接触，不会产生具有爆炸性的物质，副产物被分解。即，在含有硅及卤素元素的气体与基板的反应中产生的副产物被安全地无害化。
另外，通过利用处理液的副产物的无害化反应，可产生卤化氢。例如，在副产物中包含氯硅烷类的情况下，通过处理液与副产物的反应，可产生氯化氢(HCl)。另外，在副产物中包含溴硅烷类的情况下，通过处理液与副产物的反应，可产生溴化氢(HBr)。氯化氢等卤化氢的水溶液为酸性。因此，通过利用副产物与处理液的反应而产生卤化氢，处理液的pH容易变低。本实施方式中，通过使用碱性的处理液，由于利用处理液将卤化氢中和，所以能够抑制处理液的pH的降低。因此，通过使用碱性的处理液，反应后的处理液的安全性更加提高。
其中，处理液中包含的碱性的水溶液包含无机碱及有机碱中的至少一者。作为无机碱，例如使用选自由金属氢氧化物、碱金属盐、碳酸盐、碳酸氢盐、金属氧化物、及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的1种以上。另外，无机碱例如优选包含选自由碱金属元素的氢氧化物、碱金属元素的碳酸盐、碱金属元素的碳酸氢盐、碱土类金属元素的氢氧化物、碱土类金属元素的碳酸盐、及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的1种以上。特别是无机碱优选为选自由氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、碳酸钠(Na2CO3)、氢氧化钙(Ca(OH)2)、氢氧化锂(LiOH)、碳酸氢钠(NaHCO3)、及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的1种以上。这种情况下，由于使用毒性低的无机碱，因此副产物被更安全地处理。而且，无机碱更优选为选自由氢氧化钾(KOH)、碳酸钠(Na2CO3)、氢氧化锂(LiOH)、碳酸氢钠(NaHCO3)、及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的1种以上。这种情况下，由于处理液与副产物的反应平稳地进行，因此将副产物无害化的处理更安全地进行。
作为处理液中包含的有机碱，例如使用选自由氢氧化烷基铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺、及杂环式胺构成的组中的1种以上。另外，有机碱优选为选自由苯酚钠(C6H5ONa)、2-羟基乙基三甲基氢氧化铵(氢氧化胆碱)、及四甲基氢氧化铵(TMAH)构成的组中的1种以上。
另外，作为处理液的溶剂，使用水。而且，处理液的pH在副产物的无害化处理的前后，优选为8以上且14以下。另外，无害化处理之前的处理液的pH优选为9以上且14以下，更优选为10以上且14以下。另外，处理液除了包含无机碱及有机碱中的至少一者以外，还可以包含表面活性剂及pH缓冲剂等任意成分。
此外，在某个实施例中，通过控制部21控制流量调整器47的工作，调整流路部58中的处理液的流量，从而处理液从供给管线35向排出路径11(延设部12)的喷射压力被调整为0.1Pa以上。通过从供给管线35向排出路径11以0.1Pa以上的喷射压力喷射处理液，副产物的块通过处理液与排出路径11的内表面(形成排出路径11的配管)的碰撞被分散。通过附着于形成排出路径11的配管等的副产物被分散，可促进副产物与处理液的反应，促进副产物的无害化。
另外，在某个实施例中，处理液在排出路径11中从供给机构25的供给管线35朝向压力调整阀15或其附近喷射。如上所述在原料气体与基板的反应中，在排出路径11(延设部12)中在压力调整阀15及其附近，容易产生副产物。因此，通过从供给管线35朝向压力调整阀15或其附近喷射处理液，从而处理液被喷射至在排出路径11中被认为产生了许多副产物的部位。因此，在排出路径11中被认为产生了许多副产物的部位，处理液适当地与副产物反应。由此，可促进副产物的无害化。
另外，在上述的利用处理液进行的副产物的无害化反应中产生气体。在将副产物无害化的反应中产生的气体中包含氢。另外，在将副产物无害化的反应中产生的气体中，可包含氯化氢等卤化氢。排气机构(气体排出机构)27将通过副产物与处理液的反应而产生的气体从排出机构10的排出路径11经由排气管线36进行排气。如上所述在副产物的无害化中，切换阀41成为第2工作状态。因此，排出机构10的排出路径11与排气机构27的排气管线36连通，气体介由排气管线36被适当排气。
排气机构27的排气管线36例如从排出路径11形成至作业者进行作业的房屋(环境)的外部。在将副产物无害化的反应中产生的气体介由排气管线36被排气至作业者进行作业的房屋的外部。在某个实施例中，排气至房屋的外部的气体被回收，被无害化。另外，在另外的某个实施例中，排气机构27具备抽吸泵等抽吸源(未图示)。而且，通过利用抽吸源使抽吸力作用于排出路径11及排气管线36，从而上述的气体被排气。这种情况下，也可以通过控制部21来控制抽吸源的驱动。
另外，在将副产物无害化的反应中产生的气体主要为氢。氢比空气轻。因此，排气管线36的与排出路径11的连接部分优选在排出路径11(延设部12)中被设置于铅直上侧的部位。由此，在将副产物无害化的反应中产生的气体(氢)被更适当地排气。在图1的一个例子中，在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在近位侧(上游侧)的部位与在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在远位侧(下游侧)的部位相比，位于铅直上侧。而且，在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在近位侧(上游侧)的部位设置切换阀41，通过切换阀41，排气管线36与排出路径11连接。因此，排气管线36的与排出路径11的连接部分在排出路径11(延设部12)中设置于铅直上侧的部位。
在某个实施例中，在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在近位侧(上游侧)的部位与在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在远位侧(下游侧)的部位相比，也可以位于铅直下侧。这种情况下，排气管线36的与排出路径11的连接部分也优选在排出路径11(延设部12)中设置于铅直上侧的部位。因此，在本实施例中，排气管线36的与排出路径11的连接部分例如优选设置于在延设部12(排出路径11)中相对于反应室7在远位侧(下游侧)的部位。
在排出路径11中与副产物反应后的处理液通过液体排出机构31从排出路径11介由液体排出管线37被排出。如上所述在副产物的无害化中，由于切换阀42为第4工作状态，因此处理液从排出路径11(延设部12)流入至液体排出管线37中。另外，由于切换阀42为第4工作状态，因此可防止处理液介由中继部43向除害装置3的流入。向液体排出管线37排出的处理液积存于废液罐32中。此时，通过将阀51设定为非循环状态，通过液体排出机构31将处理液排出至废液罐32中。
另外，本实施方式中，通过将阀48、51各自切换成循环状态，能够使处理液从液体排出管线37的流路部61介由循环管线52流入至供给管线35的流路部58中。由此，处理液经由供给管线35的流路部58、排出路径11的延设部12、液体排出管线37的流路部61、及循环管线52进行循环。通过如上所述使处理液循环，能够减少用于副产物的无害化的处理液的量，处理液被有效利用。
另外，在图1的一个例子中，在延设部12中上游侧的部位(切换阀41及其附近)相对于在延设部12中为下游侧的部位(切换阀42及其附近)，位于铅直上侧。另外，供给管线35与液体排出管线37相比，位于铅直上侧。而且，在供给管线35的流路部58、排出路径11的延设部12、液体排出管线37的流路部61、及循环管线52中，循环管线52的与液体排出管线37的连接部分即阀51及其附近位于铅直最下侧。因此，在如上所述使处理液循环的情况下，通过泵等流量调整器47，处理液从液体排出管线37经由循环管线52向供给管线35被汲水。
其中，在排出路径11中与副产物反应后的处理液、即在液体排出管线37中排出的处理液中，可包含未溶解于处理液中的残渣。作为处理液中包含的残渣，可列举出二氧化硅(SiO2)等。在图1的一个例子中，在处理液的循环中，如上所述处理液从液体排出管线37向供给管线35被汲水。因此，在使处理液循环的状态下，在循环管线52与液体排出管线37的连接部分、即阀51及其附近，处理液中的残渣变得容易沉淀。由此，处理液中的残渣变得难以从液体排出管线37向供给管线35流入，可有效防止包含许多残渣的处理液从供给管线35向排出路径11(延设部12)供给。
另外，在图1的一个例子中，废液罐32相对于阀51位于铅直下侧，液体排出管线37的流路部62从阀51朝向铅直下侧而延设向废液罐32。因此，通过将阀51从循环状态切换成非循环状态，在处理液的循环中沉淀于阀51及其附近的残渣适当地向废液罐32排出。
另外，在某个实施例中，也可以在从液体排出管线37向循环管线52的流入部分设置将流路截面的一部分闭塞的壁部。这种情况下，在处理液的循环中，从液体排出管线37向循环管线52流入的处理液与壁部进行碰撞。通过处理液与壁部进行碰撞，处理液中包含的残渣变得更容易沉淀于阀51及其附近。由此，处理液中的残渣变得更难以从液体排出管线37向供给管线35流入。
另外，在某个实施例中，也可以在从液体排出管线37向循环管线52的流入部分设置过滤器。这种情况下，处理液等液体能够通过过滤器，但处理液中的残渣不能通过过滤器。通过设置过滤器，能可靠地防止处理液中的残渣从液体排出管线37向供给管线35的流入。而且，在循环管线52的与液体排出管线37的连接部分，处理液中的残渣可靠地沉淀。
另外，在本实施方式中，在副产物的无害化处理中，传感器28检测关于处理液与副产物的反应的进行状况的参数。传感器28对于经由液体排出管线37而排出的处理液、即对于在排出路径11中与副产物反应后的处理液进行检测。在图1的一个例子中，传感器28对于在液体排出管线37的流路部61中流动的处理液进行检测。传感器28可以与液体排出管线37一体，也可以可装卸地安装于液体排出管线37。另外，在某个实施例中，传感器28也可以与液体排出管线37分开设置，而不与液体排出管线37机械地连结。传感器28例如可以包含pH测定器、拉曼分光分析装置、红外分光(Infrared spectroscopy：IR)分析装置、及核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance：NMR)分光装置中的1个以上。
pH测定器在副产物的无害化处理中测定液体排出管线37中的处理液的pH作为关于处理液与副产物的反应的进行状况的参数。拉曼分光分析装置在副产物的无害化处理中检出液体排出管线37中的处理液的拉曼光谱。而且，在所检出的拉曼光谱中，取得特定波长区域中的光谱强度作为关于处理液与副产物的反应的进行状况的参数。另外，IR分析装置在副产物的无害化处理中检出液体排出管线37中的处理液的IR光谱。而且，在所检出的IR光谱中，取得特定波长区域中的光谱强度作为关于处理液与副产物的反应的进行状况的参数。另外，NMR分光分析装置在副产物的无害化处理中检出液体排出管线37中的处理液的NMR光谱。而且，在所检出的NMR光谱中，取得特定波长区域中的光谱强度作为关于处理液与副产物的反应的进行状况的参数。
本实施方式中，控制部21取得由传感器28得到的检测结果。而且，控制部21基于由传感器28得到的检测结果，判断副产物的无害化处理的进行状况，判断副产物是否被适当无害化。此外，在某个实施例中，也可以设置告知副产物被适当无害化的告知装置(未图示)。这种情况下，控制部21在判断副产物被适当无害化的情况下，使告知装置工作，告知副产物被适当无害化。需要说明的是，告知通过声音的发送、发光、及图像显示等中的任一者来进行。另外，在某个实施例中，也可以让作业者代替控制部21来进行副产物是否被适当无害化的判断。这种情况下，作业者取得由传感器28得到的检测结果，基于取得的检出结果，判断副产物是否被适当无害化。
如上所述通过副产物与处理液的反应，产生卤化氢。卤化氢的水溶液为酸性。因此，随着副产物的无害化处理的进行，处理液的pH降低。因此，基于在液体排出管线37中流动的处理液的pH，能够适宜地判断处理液与副产物的反应的进行状况，能够适宜地判断无害化处理的进行状况。
另外，通过副产物与处理液的反应，在副产物中包含的成分中，原子间的键合状态及分子结构等发生变化。例如，如上所述通过副产物与处理液的反应，在卤代硅烷类中，Si-α键(α为选自由Cl、Br、F、I构成的组中的1种以上的卤素元素)及Si-Si键被切断。另外，通过副产物与处理液的反应，在上述的水解产物中，硅氧烷键及Si-Si键被切断。因此，伴随着副产物的无害化处理的进行，在液体排出管线37中流动的与处理液的混合物中，原子间的键合状态及分子结构等发生变化。由于在与处理液的混合物中原子间的键合状态及分子结构等发生变化，因此伴随着副产物的无害化处理，拉曼光谱、IR光谱、及NMR光谱也发生变化。因此，基于拉曼光谱、IR光谱、及NMR光谱中的任一种光谱强度，能够适宜地判断处理液与副产物的反应的进行状况，能够适宜地判断无害化处理的进行状况。
在某个实施例中，控制部21也可以基于由传感器28得到的检测结果，来控制切换阀41、42、阀45、46、48、51、及流量调整器47各自的工作。例如在基于由传感器28得到的检测结果而判断副产物被适当无害化的情况下，控制部21将阀46设定为闭状态，将阀48及阀51各自设定为非循环状态。由此，停止处理液向排出路径11的供给。
另外，在某个实施例中，在基于由传感器28得到的检测结果而判断副产物的无害化的进行速度慢的情况等中，控制部21控制流量调整器47，增加供给管线35的流路部58中的处理液的流量。由此，处理液从供给管线35向排出路径11的喷射压力增加，在排出路径11中处理液与副产物的反应被促进。因此，副产物的无害化被促进。另外，在另外的某个实施例中，在基于由传感器28得到的检测结果而判断副产物的无害化的进行速度慢的情况等中，控制部21延长利用处理液的处理时间。这种情况下，控制部21也可以告知在下次以后的处理中将处理液设定为高浓度的主旨。
另外，在某个实施例中，在如上所述经由循环管线52使处理液循环的状态下，在基于由传感器28得到的检测结果而判断副产物的无害化的进行速度慢的情况等中，控制部21将阀48、51各自设定为非循环状态，将阀46设定为开状态。由此，循环的处理液向废液罐32排出，并且新的处理液从处理液罐23供给至排出路径11。通过新的处理液被供给至排出路径11，在排出路径11中处理液与副产物的反应被促进，副产物的无害化被促进。
如果上述的利用处理液进行的副产物的无害化处理结束，处理液向排出路径11的供给停止，则将阀45设定为开状态。由此，从洗涤水罐22向排出路径11供给洗涤水，通过洗涤水将排出路径11(延设部12)洗涤。需要说明的是，在利用洗涤水进行的洗涤中，也与利用处理液进行的副产物的无害化同样地能够将阀48、51各自切换为循环状态。通过阀48、51各自成为循环状态，洗涤水经由供给管线35的流路部58、排出路径11的延设部12、液体排出管线37的流路部61、及循环管线52进行循环。
如果利用洗涤水的排出路径11的洗涤结束，则将阀45设定为闭状态，将阀48及阀51各自设定为非循环状态。由此，洗涤水向排出路径11的供给被停止。在排出路径11的洗涤后，在基板上形成含硅膜的情况下，将切换阀41切换成第1工作状态，将切换阀42切换成第3工作状态。由此，反应室7介由排出路径11与除害装置3连通。而且，通过压力调整阀15将反应室7减压。然后，在减压后的反应室中，如上所述使原料气体与基板反应，在基板上形成含硅膜。
如上所述在本实施方式的含硅物质形成装置即外延生长装置1中，在含有硅及卤素元素的气体与基板的反应中产生的副产物在排出路径11中被安全地无害化。另外，在外延生长装置1中，由于在不将形成排出路径11的配管卸下的情况下副产物被无害化，因此可进一步安全地进行副产物的无害化处理。另外，在外延生长装置1中，通过处理液与副产物的反应而产生的气体(氢)通过排气机构27被适当地排气。另外，由于通过传感器28来检测关于排出路径11中的处理液与副产物的反应的进行状况的参数，因此基于由传感器28得到的检测结果，能够适当地判断副产物的无害化的进行状况。
(变形例)
需要说明的是，在外延生长装置1中，上述的传感器28未必需要设置。另外，在外延生长装置1中，也可以不设置循环管线52。这种情况下，变得不需要设置阀48、51。
另外，在某个变形例中，也可以在排出机构10的排出路径11中，设置相对于彼此并行地延设的多个延设部。例如，在图2中所示的变形例中，相对于彼此并行地延设的2个延设部12A、12B被设置于排出路径11中。在本变形例中，也与第1实施方式同样地，外延生长装置1具备反应室7、排出机构10、控制部21、洗涤水罐22、处理液罐23、供给机构25、排气机构27、传感器28、液体排出机构31、废液罐32、切换阀(流路切换构件)41、42、及循环管线52。需要说明的是，在图2中，实线的箭头表示液体及气体等流体的流动，虚线的箭头表示向控制部21的输入信号及来自控制部21的输出信号等电信号。
在本变形例中，在排出路径11的切换阀41、42之间，延设部12A、12B相对于彼此并行地(并列地)延设。因此，延设部12A、12B在切换阀41中分支，在切换阀42中合流。延设部12A、12B相对于彼此能够与同一反应室7连通。延设部12A、12B各自与第1实施方式的延设部12同样地形成。因此，在延设部12A上，配置与反应室独立阀13同样的反应室独立阀13A、及与压力调整阀15同样的压力调整阀15A。而且，在延设部12B上，配置与反应室独立阀13同样的反应室独立阀13B、及与压力调整阀15同样的压力调整阀15B。
在本变形例中，切换阀41可切换成第1工作状态及第2工作状态。在切换阀41的第1工作状态下，排出路径11的延设部(第1延设部)12A与反应室7连通。但是，在切换阀41的第1工作状态下，排出路径11的延设部12A相对于供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自的连通被阻断。另外，在切换阀41的第1工作状态下，排出路径11的延设部(第2延设部)12B与供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自连通。但是，在切换阀41的第1工作状态下，排出路径11的延设部12B相对于反应室7的连通被阻断。
另外，在切换阀41的第2工作状态下，排出路径11的延设部(第1延设部)12A与供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自连通。但是，在切换阀41的第2工作状态下，排出路径11的延设部12A相对于反应室7的连通被阻断。另外，在切换阀41的第2工作状态下，排出路径11的延设部(第2延设部)12B与反应室7连通。但是，在切换阀41的第2工作状态下，排出路径11的延设部12B相对于供给机构25的供给管线35及排气机构27的排气管线36各自的连通被阻断。因此，通过切换阀(流路切换构件)41的工作状态发生切换，从而排出路径11的多个延设部12A、12B各自相对于反应室7、供给机构25的供给管线35、及排气机构27的排气管线36各自的连通状态发生切换。
另外，在本变形例中，切换阀42可切换成第3工作状态及第4工作状态。在切换阀42的第3工作状态下，排出路径11的延设部(第1延设部)12A介由中继部43与除害装置3连通。但是，在切换阀42的第3工作状态下，排出路径11的延设部12A相对于液体排出机构31的液体排出管线37的连通被阻断。另外，在切换阀42的第3工作状态下，排出路径11的延设部(第2延设部)12B与液体排出管线37连通。但是，在切换阀42的第3工作状态下，排出路径11的延设部12B相对于除害装置3(中继部43)的连通被阻断。
另外，在切换阀42的第4工作状态下，排出路径11的延设部(第1延设部)12A与液体排出管线37连通。但是，在切换阀42的第4工作状态下，排出路径11的延设部12A相对于除害装置3(中继部43)的连通被阻断。另外，在切换阀42的第4工作状态下，排出路径11的延设部(第2延设部)12B介由中继部43与除害装置3连通。但是，在切换阀42的第4工作状态下，排出路径11的延设部12B相对于液体排出管线37的连通被阻断。因此，通过切换阀(流路切换构件)42的工作状态发生切换，从而排出路径11的多个延设部12A、12B各自相对于液体排出机构31的液体排出管线37、及除害装置3各自的连通状态发生切换。
在本变形例的外延生长装置1中，能够将与基板反应后的原料气体从反应室7经由延设部12A、12B中的一者作为废气排出，同时在延设部12A、12B中的另一者中将副产物通过处理液进行无害化。例如，通过切换阀41成为第1工作状态，并且切换阀42成为第3工作状态，从而反应室7经由延设部12A及中继部43与除害装置3连通。因此，即使在反应室7中使原料气体与基板反应，由原料气体与基板的反应得到的排出气体也经由延设部12A而被排出。另外，通过切换阀41成为第1工作状态，能够经由供给管线35将处理液供给至延设部12B。通过所供给的处理液，在延设部12B中，副产物被无害化。另外，通过切换阀42成为第3工作状态，能够将在延设部12B与副产物反应后的处理液从延设部12B经由液体排出管线37而排出。
另一方面，通过切换阀41成为第2工作状态，并且切换阀42成为第4工作状态，从而反应室7经由延设部12B及中继部43与除害装置3连通。因此，即使在反应室7中使原料气体与基板反应，由原料气体与基板的反应得到的排出气体也经由延设部12B而排出。另外，通过切换阀41成为第2工作状态，能够经由供给管线35将处理液供给至延设部12A。通过所供给的处理液，在延设部12A中，副产物被无害化。另外，通过切换阀42成为第4工作状态，能够将在延设部12A与副产物反应后的处理液从延设部12A经由液体排出管线37而排出。
另外，在上述的实施方式等中，供给机构25的供给管线35的一部分作为洗涤水的供给用及处理液的供给用被共用，但并不限于此。在某个变形例中，从处理液罐23至排出路径11为止的处理液的供给管线的整体也可以相对于从洗涤水罐22至排出路径11为止的洗涤水的供给管线独立地形成。
另外，上述的在排出路径(例如11)中产生含有卤代硅烷类等的副产物的装置并不限于上述的外延生长装置。在某个实施例的含硅物质形成装置中，含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质相对于彼此通过分开的路径被供给至反应室(例如7)。其中，含有硅的原料物质可包含粉末状(固体状)的硅。另外，含有卤素元素的原料物质可为含有氯化氢等卤化氢的原料气体。
在本实施例的含硅物质形成装置中，也可以不在反应室(例如7)中设置硅基板等基板。而且，在反应室中，相对于彼此被分别导入的含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质发生反应。通过含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应，生成卤代硅烷类及氢。而且，通过卤代硅烷类与氢的反应，得到含硅物质。通过含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应而生成的卤代硅烷类可包含三氯硅烷(SiHCl3)等氯硅烷类。另外，在反应室的反应中，可产生卤化氢及四卤化硅等。
在本实施例的含硅物质形成装置中，从反应室排出的排出气体(排出物质)也包含卤代硅烷类，在排出气体中包含的卤代硅烷类中，可包含上述的三氯硅烷等氯硅烷类。另外，在来自反应室的排出气体中，可包含氢，同时可包含通过反应室中的反应而产生的卤化氢及四卤化硅等。通过反应室中的反应而产生的卤化氢可包含氯化氢(HCl)。而且，通过反应室中的反应而产生的四卤化硅可包含四氯化硅(SiCl4)。
另外，在本实施例的含硅物质形成装置中，在来自反应室的排出气体(排出物质)的排出路径(排出管8)中设置将排出气体冷却的冷却机构。排出气体通过被冷却机构冷却而液化。而且，排出气体液化而得到的液状物质(排出物质)被回收。
在本实施例的含硅物质形成装置中，也通过使排出气体利用冷却机构被液化，从而在排出路径(例如11)中可析出副产物。副产物可包含排出气体的液状物质中没有被回收而残留在排出路径(例如11)中的一部分。另外，副产物可包含排出气体中包含的卤代硅烷类，同时可包含卤代硅烷类的水解产物。需要说明的是，卤代硅烷类的水解产物可为固体物质。副产物可包含排出气体中包含的四卤化硅等。另外，在排出路径(例如11)中，特别是在冷却机构及其附近容易析出副产物。
如上所述在本实施例的含硅物质形成装置中，包含卤代硅烷类等的副产物也可在排出路径(例如11)中析出。在本实施例的含硅物质形成装置中产生的副产物也可在大气气氛下改性为具有爆炸性的物质。因此，在本实施例的含硅物质形成装置中，也与上述的实施方式等中的任一者同样地在排出路径(例如11)中使用处理液将副产物无害化。
根据它们中的至少一个实施方式或实施例的含硅物质形成装置，供给机构将处理液从处理液罐经由供给管线供给至排出机构的排出路径，利用所供给的处理液，使通过反应而产生的副产物在排出路径中被处理。另外，流路切换构件在反应室及供给机构的供给管线各自之间切换排出机构的排出路径的连通状态。由此，能够提供在含有硅及卤素元素的原料物质的反应、或含有硅的原料物质与含有卤素元素的原料物质的反应中产生的副产物在不将形成排出路径的配管卸下的情况下被处理的含硅物质形成装置。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示出的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以以其他的各种形态来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形包含于发明的范围或主旨中，同时包含于权利要求书中记载的发明和其均等的范围内。
