氮化铝板
技术领域
本说明书公开一种与氮化铝板相关的技术。
背景技术
作为半导体的生长基板，已知有氮化铝板。氮化铝板由于晶格常数接近，因此，被用作III族氮化物半导体的生长基板。日本特开2011－20900号公报(以下称为专利文献1)公开了仅表层为单晶、表层以外的部分为多晶的氮化铝板(氮化铝层叠板)。专利文献1中，虽然认识到了单晶的氮化铝作为半导体的生长基板是有用的，但是，很难稳定地制造出自立的(具有能够操作的厚度)单晶的氮化铝板，因此，制作了单晶与多晶的层叠板。具体而言，为了抑制因为基板(供氮化铝生长的基板)与氮化铝之间的晶格常数的差异而导致氮化铝发生翘曲等，在基板上薄薄地形成单晶的氮化铝层，再在单晶层的表面形成多晶的氮化铝层。
在专利文献1中，使氮化铝板中所包含的氮(N)的比例发生变化，构成单晶层和多晶层。此外，专利文献1将单晶层用作：供半导体生长的生长面。由于使半导体在单晶层上生长，所以预估会形成(生长)出高品质的半导体。
发明内容
在半导体装置中，有时在制造过程中没有除去氮化铝板而使氮化铝板残留在最终产品(半导体装置)中。如上所述，专利文献1的氮化铝板是使单晶层和多晶层中所包含的氮的比例发生变化。具体而言，在专利文献1中，使单晶层的含氮量为34.15～34.70质量％，使多晶层的含氮量为32.50～34.00质量％。在这种情况下，构成氮化铝板的单晶层与多晶层之间的特性差异有时会对半导体装置的功能造成影响。因此，即便在氮化铝层的表面形成高品质的半导体，也存在着半导体装置的功能未被提高、或者呈降低的情形。本说明书提供一种作为半导体的生长基板而有用的氮化铝板。
本说明书中公开的氮化铝板可以为：当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1时，且从厚度方向对表层以外的部位进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2时，同时满足以下的关系式(1)及(2)。另外，在该氮化铝板中，表层的含氮量与表层以外的部位的含氮量之差按重量比计可以小于0.15％。此外，可以根据(002)晶面的衍射强度(I002)和(100)晶面的衍射强度(I 100)，并通过“c面取向度(％)＝I 002/(I 002+I 100)×100”，来计算c面取向度。
c1＞97.5％……(1)
c2/c1＜0.995…(2)
上述氮化铝板至少具备表层和表层以外的部位(以下称为下层)这2层。在上述氮化铝板中，表层的c面取向度c1为97.5％以上。另一方面，下层的c面取向度c2相对于表层的c面取向度c1而言小于99.5％。即，表层的各晶体的c轴的朝向一致，下层与表层相比较，各晶体的c轴的朝向不一致。此外，本说明书中所称的“表层”是指：将氮化铝板在厚度方向上分成10份时的一端的层中包含的部分，且是在一端侧的表面露出的部分。例如，将在厚度方向上被分为10份的一端的层在厚度方向上进一步分成10份时，在一端侧的表面露出的层与其他层之间确认到c面取向度的差异时，在厚度方向上分割成100份时的一端的层成为“表层”。表层在氮化铝板的厚度中所占据的比例也根据氮化铝板的厚度而发生变化。
上述氮化铝板中，由于表层的c轴的朝向一致(c面取向度超过97.5％)，因此，能够在氮化铝板的表面生长出高品质的(缺陷少的)半导体。另外，通过使下层的c面取向度c2低于表层的c面取向度c1，能够缓和：在半导体装置的制造过程或者半导体装置的使用中从半导体(半导体元件部分)施加给氮化铝板的应力。此外，即便使下层的c面取向度c2与表层的c面取向度c1为相同水平，也能够在氮化铝板的表面生长出高品质的半导体。然而，在这种情况下，有可能发生如下情况，即，氮化铝板的强度(破坏韧性)降低，例如因为所生长的半导体与氮化铝板之间的热膨胀系数的差异而对氮化铝板施力，而能够引起促进氮化铝板的劣化。上述氮化铝板中，通过使下层的c面取向度c2低于表层的c面取向度c1，能够使得氮化铝板的强度增大，从而耐久性得以提高。另外，上述氮化铝板中，表层的含氮量与表层以外的含氮量之差按重量比计小于0.15％。即，表层与下层的化学组成大致相同，晶体形态也大致相同。因此，例如能够抑制因为表层与下层之间的晶格常数差异所引起的两者间的应变等。其结果，还能够抑制：从氮化铝板向半导体元件部分施加应变等力等、氮化铝板对半导体元件部分造成影响。
在上述氮化铝板中，表层的氮化铝晶体的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度可以为2.5°以下。能够抑制在构成表层的晶体间产生出间隙，进而能够生长出高品质的半导体。
在上述氮化铝板中，表层以外的部位(下层)的c面取向度c2可以为97％以上。即，在满足上述(2)式的范围内，下层的c面取向度可以较高。通过使c面取向度c2为97％以上，使得下层的透光率得以提高。即，得到透明度高的氮化铝板。例如，作为LED等发光元件的发光部(发光元件的基板)，可以利用氮化铝板。
附图说明
图1示出用于说明氮化铝板的特征的图。
图2示出用于说明构成表层的晶体的特征的图。
图3示出氮化铝晶体的X射线衍射峰。
图4示出构成表层的晶体的m面的方向一致的状态。
图5示出构成表层的晶体的m面的方向不一致的状态。
图6示出实施例的氮化铝板的制作用的流延成型体的组成。
图7示出实施例的氮化铝板的评价结果。
具体实施方式
以下，对本说明书中公开的技术的实施方式进行说明。
在本说明书中公开一种适合用作半导体、特别是III族氮化物半导体的生长基板的氮化铝板。氮化铝板的热传导率高，适合用作半导体装置的基板。本说明书中公开的氮化铝板为平板状即可，外形没有特别限定，例如可以为矩形、圆形。另外，在圆形的氮化铝板的情况下，可以形成有切口、定向平面等。另外，氮化铝板的厚度没有特别限定，可以为0.1mm以上，可以为0.2mm以上，可以为0.25mm以上，可以为0.5mm以上，可以为0.75mm以上，可以为1.0mm以上。如果厚度过薄，则有时在移动中会发生破损、或者氮化铝板发生翘曲等，从而对半导体装置的特性造成影响。另外，氮化铝板的厚度可以为10mm以下，可以为5mm以下，可以为3mm以下，可以为1mm以下。如果厚度过厚，则有时因为热膨胀系数的差异而对半导体元件部施加较大的力、或者妨碍半导体装置的微细化。
氮化铝板可以根据c面取向度的差异而至少具备表层和下层。可以在下层之上(下层的表面)设置有表层。表层可以包括氮化铝板的表面(供半导体生长的生长面)。虽然没有特别限定，不过，表层的厚度可以为10nm～500μm。氮化铝板的厚度中的表层的厚度根据氮化铝板的厚度而发生变化，不过，可以比氮化铝板的厚度的10分之一还要薄。下层可以包括不使半导体生长这一侧的表面(氮化铝板的背面)。即，在氮化铝板的厚度方向上，下层可以为表层以外的部位。表层的c面取向度c1可以大于97.5％，可以大于98％，可以大于99％。构成表层的各晶体(氮化铝晶体)的c轴的倾斜角(Tilt angle)越小，越能得到高品质的半导体。因此，氮化铝板的表层的c面取向度c1可以满足“式1：c1＞97.5％”。此外，在表层的c面取向度c1为97.5％以下的情况下，不易得到高品质的半导体，例如有时会在半导体层内产生缺陷。
优选构成表层的各晶体的围绕c轴的朝向一致。具体而言，表层的氮化铝晶体的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度可以为2.5°以下。即，在以特定的晶体为基准时，优选其他晶体相对于特定的晶体而没有围绕c轴旋转(扭转)。此外，各晶体的围绕c轴的朝向越一致，上述半值宽度就会越小。(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度可以为2.0°以下，可以为1.5°以下，可以为1.0°以下。半值宽度越小(各晶体的围绕c轴的朝向越一致)，各晶体间的间隙越小，就越能够生长出高品质的半导体。
表层的c面取向度c1可以高于下层的c面取向度c2。换言之，下层的c面取向度c2可以低于表层的c面取向度c1。下层的c面取向度c2相对于表层的c面取向度c1而言可以小于99.5％。即，当表层的c面取向度为c1％，下层的c面取向度为c2％时，可以满足“式2：c2/c1＜0.995”。下层的c面取向度越低，氮化铝板的破坏韧性就越高，也就越能够使氮化铝板不易开裂。此外，可以在下层的c面取向度满足上述式2的范围内根据目的而进行调整。不过，随着下层的c面取向度越低，光在下层内散射，透光率会降低。因此，在将氮化铝板作为发光元件等、要求透明性的半导体装置的基板来使用的情况下，可以在满足上述式2的范围内提高下层的c面取向度。另一方面，在不要求透光性的用途(例如、功率半导体装置用的基板)的情况下，下层的c面取向度c2可以为“52％”。即，在不要求透光性的用途的情况下，下层可以为无取向。
此外，即便降低表层的c面取向度c1，也能够使氮化铝板的破坏韧性提高。然而，如上所述，表层的c面取向度c1要维持在较高水平，以便生长出高品质的半导体。本说明书中公开的氮化铝板中，表层的c面取向度c1维持在较高水平，且下层的c面取向度c2低于表层的c面取向度，由此，能够生长出高品质的半导体，并且，能够提高氮化铝板本身的破坏韧性。即，氮化铝板可以同时满足上述式1及式2。
此外，c面取向度如下测定，即，以圆板状的氮化铝板的表层或下层为上表面的方式将氮化铝板安装于试样保持件，对氮化铝板照射X射线，来测定c面取向度。c面取向度的测定使用了XRD装置(Bruker－AXS制D8-ADVANCE)，在2θ＝20～70°的范围内测定出XRD图谱。具体而言，使用CuKα射线而以电压50kV、电流300mA的条件进行了测定。使用(002)晶面的衍射强度(I 002)和(100)晶面的衍射强度(I 100)，根据“I 002/(I 002+I 100)×100”，来计算出c面取向度(％)。另外，作为c面的扭转角的指标，针对圆板状的氮化铝板的表层而进行了(102)晶面的摇摆曲线测定(XRC)。摇摆曲线测定中，XRD装置使用Bruker－AXS制D8-DISCOVER，以电压40kV、电流40mA、准直器直径0.5mm、防散射狭缝3mm、ω步幅0.01°、以及计数时间1秒的测定条件，进行了测定。此外，本测定中，利用Ge(022)非对称反射单色仪而将CuKα射线进行平行单色光化(半值宽度28秒)，来进行了测定。基于这样得到的XRC图谱而求出半值宽度。
本说明书中公开的氮化铝板是通过调整构成表层及下层的各晶体的c面的取向度而得到上述的优点。本说明书中公开的氮化铝板中，表层及下层均为由多个微晶形成的多晶。表层及下层可以为：使用实质上相同的原料(包含氮化铝晶粒的粉体)而制作的多晶。即，表层和下层只要c面取向度不同即可，各晶体的晶体结构本身可以相同。换言之，表层及下层的化学组成可以大致相同。作为具体的指标，表层的含氮量与表层以外的含氮量之差按重量比计可以小于0.15％。通过使表层及下层的化学组成大致相同，能够使表层及下层的特性(物理化学特性)也大致相同。例如，能够抑制因为晶格常数的差异而在表层与下层之间产生应变。因此，能够抑制氮化铝板对半导体元件部分造成影响。
如上所述，本申请中公开的氮化铝板的下层可以通过对氮化铝粉末进行烧成来制作。具体而言，氮化铝板的下层可以如下制作，即，使用板状且纵横尺寸比为3以上的氮化铝粉体，来制作平板状的成型体，然后，采用常压烧结法、热压法、热等静压制法(HIP)、放电等离子烧结法(SPS)等而将成型体烧结，由此能够制作出氮化铝板的下层。此外，在制作氮化铝板的下层时，可以使用能够促进板状的氮化铝粉体烧结的烧结助剂。另外，对烧结后的氮化铝板的下层进一步进行烧成，可以除去残留在氮化铝板中的烧结助剂。
氮化铝板的表层可以使用板状且纵横尺寸比为3以上的氮化铝粉体，来制作。具体而言，首先，采用磁场取向下的成型、流延成型等，将纵横尺寸比为3以上的板状的氮化铝粉体制作成平板状的成型体。然后，采用常压烧结法、热压法、热等静压制法(HIP)、放电等离子烧结法(SPS)等而将成型体烧结，由此能够制作出氮化铝板(表层)。此外，在制作氮化铝板的表层时，可以使用能够促进板状的氮化铝粉体烧结的烧结助剂。另外，对烧结后的氮化铝板的表层进一步进行烧成，可以除去残留在氮化铝板中的烧结助剂。
此外，利用上述热压制作的氮化铝板还可以如下表达。该氮化铝板可以如下获得，即，使用板状且纵横尺寸比为3以上的氮化铝粉体，来制作平板状的成型体，采用热压法而将该成型体烧结，来制作出氮化铝板。另外，烧结后的氮化铝板中，当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1，且从厚度方向对表层以外的部位进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2时，可以同时满足以下的关系式(1)及(2)。另外，在该氮化铝板中，表层的含氮量与表层以外的部位的含氮量之差按重量比计可以小于0.15％。
c1＞97.5％……(1)
c2/c1＜0.995…(2)
此外，板状的氮化铝粉体的尺寸与氮化铝板相比较，相当小。例如，氮化铝粉体的面方向长度(c面的尺寸)L可以为0.6～20μm。如果面方向长度L过小，则粉体彼此凝聚，很难提高粉体内的各晶体的c面取向度。另外，如果面方向长度L过大，则在制造氮化铝板时，不易发生烧结，氮化铝板的密度(相对于理论密度的相对密度)有时会降低。另外，氮化铝粉体的厚度方向长度D可以为0.05～2μm。如果厚度方向长度D过小，在制造氮化铝板时，氮化铝粉体的形状容易崩塌，不易提高氮化铝板的(特别是表层的)c面取向度。另外，如果厚度方向长度D过大，则在使用例如刮刀等来调整烧成前的成型体的厚度时，在粉体侧面(与厚度方向平行的面)受到从刮刀施加给氮化铝粉体的剪切应力的比例就会增加，氮化铝粉体的排列有可能被打乱。其结果，很难提高氮化铝板的c面取向度。
以下，参照图1～5，对本说明书中公开的氮化铝板的特征进行说明。图1是示意性地表示氮化铝板10的截面。此外，图中的箭头12、14表示c轴的朝向。氮化铝板10具备：c轴的取向度(c面取向度)较高的表层10a、以及c轴的取向度低于表层10a的c轴的取向度的下层10b。在表层10a及下层10b中，c面取向度满足上述式1及2。半导体(省略图示)生长在c轴的取向度较高的表层10a的表面。在氮化铝板10中，表层10a承担着使高品质的半导体生长的作用，下层10b承担着缓和从半导体元件部分向氮化铝板10施加的力的作用。
氮化铝板10是使用上述板状的氮化铝粉体而制作的。表层10a及下层10b由实质上相同的原料(板状的氮化铝粉体)制作，化学组成大致相同。例如，若着眼于表层10a及下层10b的氮元素的含有率，则两者大致相同，具体而言，两者之差小于0.15％wt。因此，表层10a及下层10b的特性也大致相同。此外，图1中的将表层10a及下层10b划分开的虚线是表示：板状的氮化铝粉体因为烧结而粒生长从而构成表层10a及下层10b，并不一定是指晶体晶界。
此外，氮化铝板10可以如下制作，即，分别制作出用于制作c轴的取向度较高的表层10a的表层片材、和用于制作c轴的取向度低于表层10a的c轴的取向度的下层10b的下层片材，将两者贴合后，再采用热压法，将表层10a及下层10b同时烧结，由此制作氮化铝板10。具体而言，将各片材(表层片材、下层片材)用的原料通过刮刀法而成型于带(膜)上，将各流延成型体进行层叠，形成层叠成型体(烧结前的层叠体)，经一次烧成、二次烧成而制作出氮化铝板10。一次烧成及二次烧成的温度调整为1400～2100℃的范围。一次烧成时，在已对层叠成型体进行加压的状态下进行烧成(热压)。通过一次烧成而使得氮化铝粒子进行粒生长。在二次烧成中，在没有对层叠成型体进行加压的状态下进行烧成。通过二次烧成，可以除去残留在层叠成型体中的助剂。
各片材(表层片材、下层片材)用的原料为浆料状，可以将板状的氮化铝粒子和碳酸钙、三氧化二钇、Ca－Al－O系等烧成助剂进行混合，来制作出混合原料，在该混合原料中添加粘合剂、增塑剂、分散剂等，来生成各片材用的原料。此外，根据需要，在浆料状的原料内加入粒状(球状)的氮化铝粒子。此外，作为板状的氮化铝粒子，使用高纵横尺寸比(纵横尺寸比3以上)的氮化铝粒子。
图2示意性地表示构成表层10a的氮化铝晶体16、18。图2中呈现的是氮化铝晶体16、18的c面。氮化铝晶体的晶体结构为六方晶系，与c轴正交的面呈现的是m面。图2中示了出氮化铝晶体16的m面16m和氮化铝晶体18的m面18m。在氮化铝板10中，构成表层10a的各氮化铝晶体的围绕c轴的朝向一致。例如，若着眼于氮化铝晶体16、18的m面16m、18m，则实质上m面16m和m面18m是平行的。该现象通过表层10a的氮化铝晶体的(102)晶面的X射线摇摆曲线来表示。
图3示出了氮化铝晶体的(102)晶面的峰(最强峰)。利用XRD装置而对表层10a进行测定，可以根据(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度，来判断表层10a的各氮化铝晶体的围绕c轴的朝向是否一致。在氮化铝板10的情况下，表层10a的(102)晶面的半值宽度b10为2.5°以下。即，表层10a的各氮化铝晶体的围绕c轴的朝向一致。
图4示意性地表示表层10a的表面。如图4所示，当各氮化铝晶体的围绕c轴的朝向一致时，在氮化铝晶体上所生长出的半导体的晶体方位也一致，能够制成高品质的(缺陷少的)半导体。另一方面，如图5所示，当各氮化铝晶体的围绕c轴的朝向不一致时，例如，如果氮化铝晶体18相对于氮化铝晶体16进行旋转(扭转)，则氮化铝晶体上所生长出的半导体的晶体方位也旋转，从而晶体方位不匹配的界面形成缺陷。已知在上述具有缺陷的半导体中特性会降低。氮化铝板10通过使表层10a的氮化铝晶体的围绕c轴的朝向一致，能够适合用作半导体的生长基板。
实施例
以下，制作多个氮化铝板，并示出进行特性评价的结果。此外，以下所示的实施例用于说明本说明书的公开，但并不限定本说明书的公开。
首先，对氮化铝板的原料亦即板状的氮化铝粒子的制造方法进行说明。板状的氮化铝粒子是将板状的氧化铝在氮流通下的加热炉内进行热处理而制造出来的。具体而言，将板状的氧化铝(Kinseimatec(株))100g、炭黑(三菱化学(株))50g、氧化铝球石
从得到的混合物中除去氧化铝球石，并采用旋转蒸发仪而使该混合物干燥。然后，将残留的混合物(板状氧化铝、碳混合物)利用研钵轻轻地破碎(以比较弱的力使凝聚的粒子分离)。接下来，将混合物100g填充于碳制的坩埚，配置于加热炉内，在氮气3L/min流通下以升温速度200℃/hr升温至1600℃，并以1600℃保持20小时。加热结束后，自然冷却，从坩埚中取出试样，使用马弗炉而在氧化气氛下以650℃进行10hr热处理(后热处理)，得到板状的氮化铝粒子。此外，后热处理是为了除去试样中残留的碳而进行的。
接下来，从得到的板状的氮化铝粒子中筛选出：作为氮化铝板的原料而使用的粒子。上述热处理后的氮化铝粒子中包含单一粒子和凝聚粒子。因此，针对热处理后的氮化铝粒子实施破碎处理及分级处理，筛选出单一粒子。具体而言，将热处理后的氮化铝粒子100g、氧化铝球石
接下来，对氮化铝板的制造时使用的烧结助剂的合成方法进行说明。作为烧结助剂，制作出Ca与Al的复合氧化物(Ca－Al－O系助剂)。具体而言，将碳酸钙(白石钙(株)制、Shilver－W)56g、γ―氧化铝(大明化学工业(株)制、TM－300D)19g、氧化铝球石
接下来，对用于制作流延成型体的原料的调合进行说明。调整上述板状的氮化铝粒子、上述烧结助剂、市售的氮化铝粒子(Tokuyama(株)制、F级、平均粒径1.2μm)的比例(质量比例)，制作出4种原料(流延原料1～4)。流延原料1～4的详细情况如图6所示。具体而言，关于各流延原料20g(合计重量)，将氧化铝球石
使用流延原料1～4来制作出4种流延成型体。具体而言，相对于上述各流延原料100质量份，加入：作为粘合剂的聚乙烯醇缩丁醛(积水化学工业制、型号BM－2)7.8质量份、作为增塑剂的邻苯二甲酸二(2－乙基己基)酯(黑金化成制)3.9质量份、作为分散剂的山梨醇三油酸酯(花王制、Rheodol SP－O30)2质量份、以及作为分散介质的2－乙基己醇，进行混合，制作出原料浆料。此外，分散介质的添加量调整为浆料粘度为20000cP。使用调整后的原料浆料，按氮化铝粒子的板面(c面)沿着流延成型体的表面排列的方式通过刮刀法而将原料浆料成型在PET膜上。此外，浆料厚度调整为干燥后的厚度为30μm。利用以上的工序，制作出4种流延成型体(流延成型体1～4)。
使用流延成型体1～4，制作出4种氮化铝板(试样1～4)。首先，将各流延成型体切割成直径20mm的圆形，将规定数的各流延成型体层叠，制作出4种层叠成型体。将各层叠成型体(试样1～4)中使用的流延成型体的种类及块数示于图7。图7中的使用带1～4相当于图6的由流延原料1～4得到的流延成型体。将各层叠成型体载放于厚度10mm的铝板上后，放入箱体，将箱体内部抽成真空而制成真空箱体。将各真空箱体在85℃的热水中以100kgf/cm2的压力进行静水压制，得到圆板状的层叠成型体。
接下来，对各试样进行一次烧成。具体而言，首先，将层叠成型体配置于脱脂炉中，于600℃进行10小时脱脂。采用石墨制的模具，将脱脂后的层叠成型体在热压、氮中、烧成温度(最高到达温度)1850℃、5小时、面压200kgf/cm2的条件下进行烧成，对各试样(层叠成型体)进行一次烧成。此外，热压时的加压方向为层叠成型体的层叠方向(与流延成型体的表面大致正交的方向)。另外，加压维持至降到室温。
接下来，对一次烧成后的各试样进行二次烧成。首先，对一次烧成后的各试样的表面进行磨削，制作出
接下来，对二次烧成后的各试样的表面(氮化铝板的表层侧)和背面(氮化铝板的下层侧)进行粗研磨后，进而，将各试样固定于
针对得到的试样(试样1～4)，对取向度、表层与下层之间的含氮量差、表层所存在的缺陷数、加工性进行评价。将评价结果示于图7。以下，对各评价方法进行说明。
关于取向度(c面取向度)，对各试样的表层及下层的测定面(研磨面)分别照射X射线，评价取向度(c面取向度)。具体而言，使用XRD装置(Bruker－AXS制D8-ADVANCE)，利用CuKα射线，在电压50kV、电流300mA的条件下，以2θ＝20～70°的范围测定XRD图谱。此外，取向度(f)通过Lotgering法进行计算。具体而言，通过将由以下的式(3)、(4)得到的结果P、P0代入式(2)来计算。此外，式中，P为：根据获得的试样(氮化铝板)的XRD测定而得到的值，P0为：根据标准氮化铝(JCPDS Card No.076－0566)计算出的值。此外，作为(hkl)，使用了(100)、(002)、(101)、(102)、(110)、(103)。
f＝{(P－P0)/(1－P0)}×100…(2)
P0＝ΣI0(002)/ΣI0(hkl)…(3)
P＝ΣI(002)/ΣI(hkl)…(4)
关于各流延成型体1～4，表层与下层之间的含氮量差是按如下所述来计算的，即：仅利用1种流延成型体来制作层叠成型体，与上述试样1～4同样地进行一次烧成、二次烧成，根据得到的各试样(由1种流延成型体制作的氮化铝板)的含氮量来进行计算。具体而言，关于各试样(由1种流延成型体制作的试样)，使用氧氮分析装置((株)堀场制作所制、EMGA－920)，来测定含氮量，各试样1～4中使用的流延成型体的表层中的含氮量减去流延成型体的下层中的含氮量，计算出含氮量差。
关于表层中存在的缺陷数，利用扫描型电子显微镜(日本电子(株)制、JSM－6390)以倍率3000倍观察研磨后的各试样的表面(20个视野以上)，计数有凹凸的缺陷(由微粒、晶体引起的凹坑或微粒、刮痕、晶界台阶等)的数量，评价缺陷数是否为100个/mm2以下。图7中，对缺陷数为100个/mm2以下的试样标记“〇”，对缺陷数超过100个/mm2的试样标记“×”。
关于加工性，对各试样进行切割，测定切割后的背面缺口的宽度，进行评价。具体而言，首先，准备出具有平坦面的氧化铝烧结板，将各试样的下层侧用蜡固定于氧化铝烧结板的表面(平坦面)。然后，使用#400的树脂金刚石刀片，以刀片的旋转速度30000rpm、刀片的输送速度3mm/s从各试样的表层侧将各试样切断。切断后，将各试样从氧化铝烧结板中拆下，利用光学显微镜观察各试样的下层侧，测定背面缺口宽度(下层面中的从切截面起算的缺口的宽度)，评价缺口宽度是否为10μm以下。图7中，对背面缺口宽度为10μm以下的试样标记“〇”，对背面缺口宽度超过10μm的试样标记“×”。
如图7所示，确认到表层与下层之间的含氮量差较小(小于0.15％)、表层的取向度较高的试样1及试样2(超过97.5％)的表层的缺陷较少(100个/mm2以下)。此外，试样4虽然表层的取向度较高，但是，表层与下层之间的含氮量差较大(0.15％以上)。该结果说明：通过使表层与下层之间的含氮量差变小(使化学组成大致相同)，可抑制由表层与下层之间的晶格常数差所引起的应变等，从而抑制表层的晶体缺陷。此外，由试样1和试样3的结果确认到：即便使表层与下层之间的含氮量差变小(两者均小于0.15％)，为了减少表层的缺陷，还需要提高表层的取向度(超过97.5％)。
此外，试样2的表层的缺陷较少，因此，作为半导体的生长基板(制作半导体装置后除去的基板)是有用的。然而，在使氮化铝板残留于最终产品(半导体装置)中的情况下，确认到：理想的是像试样1那样对表层和下层的取向度设置差异(表层/下层＜0.995)。此外，虽然图7中未图示，但是，在表层的取向度较低(97.5％以下)、且表层与下层之间的取向度差较小(表层/下层≥0.995)的情况下，即便提高表层的含氮量(超过97.5％)，由试样3的结果可知，也很难抑制至少表层的缺陷。
实施例的结果说明：当氮化铝板的表层的c面取向度为c1、下层(表层以外的部位)c面取向度为c2时，通过使表层与下层之间的氮含有率差小于0.15％(重量比)，且满足“式1：c1＞97.5％”及“式2：c2/c1＜0.995”，可得到：作为高品质的半导体的生长基板是有用的、且强度(破坏韧性)优异的氮化铝板。
以上，对本发明的实施方式详细地进行了说明，但是，这些实施方式只不是示例而已，并不限定权利要求书。权利要求书中记载的技术包括对以上例示的具体例进行各种变形、变更得到的实施方式。另外，本说明书或附图中说明的技术要素通过单独或者各种组合而发挥出技术的有用性，并不限定于申请时权利要求中记载的组合。另外，本说明书或附图中例示的技术同时实现多个目的，实现其中的一个目的本身具有技术的有用性。
