一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置
技术领域
本实用新型涉及制造用固定装置领域，尤其涉及一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置。
背景技术
石英陶瓷坩埚，全称为高纯熔融石英陶瓷坩埚(二氧化硅含量≥99.9％)。是以高纯熔融石英为原料做成的陶瓷质坩埚。一般情况下，其形状主要有方形和圆筒形。其中，方形的高纯石英坩埚用在多晶硅铸锭环节，充当多晶硅化料和长晶的容器；圆形的高纯石英坩埚则用在单晶硅中拉单晶的环节。
但是现有的石英陶瓷坩埚制造中通常需要对石英陶瓷坩埚坯进行烧制后在进行打磨，但是在烧制时由于现有的装置还没有能够对石英陶瓷坩埚坯进行固定的，因此在烧制时，上下料的过程中产生的晃动可能会导致石英陶瓷坩埚坯掉落损毁。因此提出一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置。
实用新型内容
本实用新型提出的一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置，解决了现有石英陶瓷坩埚制造时没有固定装置，易掉落损坏的问题。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置，包括底板，所述底板上表面左、右两侧均固定连接有吊环，所述底板的上表面固定连接有托台，所述托台的上表面固定连接有垫块，所述垫块的上方设置有石英陶瓷坩埚坯，所述底板内开设有多个腔体，所述腔体内设置有螺纹盘，所述螺纹盘上表面固定连接有第一转轴，所述螺纹盘下表面固定连接有第二转轴，所述第二转轴的下表面固定连接有转盘，每个所述腔体的上表面开设有滑道，所述螺纹盘的上方设置有多个弧形滑块，每个所述弧形滑块的上表面均固定连接有弧形夹板。
优选的，所述垫块的下表面与托台固定连接，所述垫块的上表面承接有石英陶瓷坩埚坯。
优选的，所述螺纹盘的上、下表面分别通过第一转轴与第二转轴转动连接在腔体的上、下内壁。
优选的，所述第二转轴的下端穿过腔体延伸在底板的下表面，且延伸端固定连接有转盘。
优选的，所述弧形滑块的下表面开设有螺纹，且弧形滑块的下表面与螺纹盘的上表面螺纹连接。
优选的，所述弧形夹板上端穿过滑道延伸在底板的上表面，且延伸端滑动连接在滑道内。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
通过底板、吊环、托台、垫块、石英陶瓷坩埚坯、腔体、螺纹盘、第一转轴、第二转轴、转盘、滑道、弧形滑块、弧形夹板，使得本装置可以通过将石英陶瓷坩埚坯放置在垫块的上表面通过垫块与托台之间的中空设置让石英陶瓷坩埚坯底部在烧制时可以受热均匀；可以通过转动转盘带动螺纹盘转动，进而带动螺纹盘上表面螺纹连接的弧形滑块互相沿着螺纹盘径向聚拢或者远离的滑动以带动弧形夹板对石英陶瓷坩埚坯进行夹持。
使得本装置具有方便夹持，且受热均匀，提高了石英陶瓷坩埚坯的成品率的特点。
附图说明
图1为本实用新型的一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置的结构的剖视图。
图2为本实用新型的一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置的俯视图。
图中标号：1底板、2吊环、3托台、4垫块、5石英陶瓷坩埚坯、6腔体、 7螺纹盘、8第一转轴、9第二转轴、10转盘、11滑道、12弧形滑块、13弧形夹板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-2，一种石英陶瓷坩埚制造用固定装置，包括底板1，底板1上表面左、右两侧均固定连接有吊环2，底板1的上表面固定连接有托台3，托台3 的上表面固定连接有垫块4，垫块4的上方设置有石英陶瓷坩埚坯5，其特征在于，底板1内开设有多个腔体6，腔体6内设置有螺纹盘7，螺纹盘7上表面固定连接有第一转轴8，螺纹盘7下表面固定连接有第二转轴9，第二转轴9的下表面固定连接有转盘10，每个腔体6的上表面开设有滑道11，螺纹盘7的上方设置有多个弧形滑块12，每个弧形滑块12的上表面均固定连接有弧形夹板13。
本实施方式中，垫块4的下表面与托台3固定连接，垫块4的上表面承接有石英陶瓷坩埚坯5。
本实施方式中，螺纹盘7的上、下表面分别通过第一转轴8与第二转轴9 转动连接在腔体6的上、下内壁。
本实施方式中，第二转轴9的下端穿过腔体6延伸在底板1的下表面，且延伸端固定连接有转盘10。
本实施方式中，弧形滑块12的下表面开设有螺纹，且弧形滑块12的下表面与螺纹盘7的上表面螺纹连接。
本实施方式中，弧形夹板13上端穿过滑道11延伸在底板1的上表面，且延伸端滑动连接在滑道11内。
工作原理：在使用时，可以通过将石英陶瓷坩埚坯5放置在垫块4的上表面通过垫块4与托台3之间的中空设置让石英陶瓷坩埚坯5底部在烧制时可以受热均匀；可以通过转动转盘10，进而通过转盘10上表面连接的第二转轴9带动螺纹盘7转动，进而带动螺纹盘7上表面螺纹连接的弧形滑块12互相沿着螺纹盘7径向聚拢或者远离的滑动以带动弧形夹板13对石英陶瓷坩埚坯5进行夹持。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
