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一种太赫兹近场成像系统及方法

2021-02-27 21:32:33

一种太赫兹近场成像系统及方法

  技术领域

  本发明涉及太赫兹成像领域,具体涉及一种太赫兹近场成像系统及方法。

  背景技术

  太赫兹(Terahertz,THz)波通常是指频率为100GHz~10THz,波长为30~3000μm的电磁波,在电磁波谱中位于毫米波和远红外射线之间,具有低辐射、强穿透性、以及与生物、半导体材料易产生共振的光学属性,这些特点使得太赫兹近场成像技术被广泛地应用于安检安防、化学品鉴定、医学成像、质量控制等领域。近年来,随着太赫兹频段信号源和检测手段等技术的逐渐成熟,太赫兹频段的近场高分辨率成像技术也逐步发展起来。

  现有技术中,用于太赫兹频段的扫描近场光学显微镜为散射型扫描近场光学显微镜,其主要以固态微波信号源、气体激光器和太赫兹时域光谱仪等作为信号源,入射波通过复杂的光路模块入射到探针上,通过探针的聚焦和散射作用,将样品表面的近场信息转化为散射波,再通过光学元件收集和传播到探测器。

  传统的散射型扫描近场光学显微镜无法直接接收到样品表面的近场信息,通常利用探针的散射效应将近场信号传播到远场,因此需要非常复杂而精密的信号收集光路系统。例如专利CN111060719A所提供的太赫兹近场显微镜的太赫兹脉冲束引出机构即是通过设计复杂且精密的光路系统将样品产生的近场信号传播到远场。专利CN106442394B公开了一种太赫兹近场成像系统,其利用自混频效应代替近场探测器,且近场探针反射的近场太赫兹信号与入射信号共光路,有效地简化了光路系统。

  但是,发明人发现,利用光路系统将近场信号传播到远场这种信号提取方式仍然存在两个核心问题。其一,在远场收集到的信号中,含有近场信息的部分通常来说非常少,大部分都是无用的背景散射信号,因此信噪比非常低;其二,光路系统的精度要求非常高,需要纳米级别分辨率的位移台精调,稍有偏差则信号的强度和信噪比将显著下降。

  发明内容

  本发明的一个目的在于提供一种太赫兹近场成像系统,其利用扫描近场光学显微镜的金属探针将样品表面产生的近场信号耦合成电流,并通过传输线直接将电流传递到后端处理器进行处理,进而得到样品表面的近场信息,实现金属探针直接从样品表面提取近场信号,不仅省去了用于提取传播近场信号的精密且复杂的光路系统,显著降低了制造成本,简化了扫描近场光学显微镜的构造,而且金属探针能够直接提取到样品表面的高质量的近场信号,避免了在光路系统中传输时混入远场信号,显著地提高了近场信号的提取效率,提高了信号的信噪比,简化了后续信号处理难度。

  具体地,上述目的通过下述技术方案实现:

  激光器,用于产生飞秒激光,所述飞秒激光经过分束镜分为入射光和检测光,所述入射光传输至入射单元,所述检测光传输至延时单元经延时后传输至光导开关并触发光导开关导通;

  入射单元,用于在入射光的激励下产生入射信号,所述入射信号用于激励金属探针产生局域场,所述局域场用于激励金属探针探测方向上的样品产生近场信号;

  金属探针,用于将近场信号耦合成电流信号,所述电流信号经金属探针、传输线、光导开关传输至后端处理单元;

  后端处理单元,用于接收和处理电流信号,得到样品表面的近场信息。

  本技术方案中,激光器产生的飞秒激光经过分束镜后被分为两束,即入射光和检测光。其中,入射光传输至入射单元,检测光传输至延时单元。

  在一个或多个实施例中,入射单元将入射光转化为入射信号后,入射信号通过抛物面镜聚焦于扫描近场光学显微镜的金属探针上,在金属探针的尖端产生局域场,所述局域场为高度局域的电磁场,在该局域场的激励下,金属探针下方的样品产生近场信号。在一个或多个实施例中,入射信号以电流的形式经传输线馈入到金属探针上,在金属探针的尖端上形成局域场以激励下方样品产生近场信号。

  金属探针为圆锥结构,其尖端可以达到纳米级别的分辨率。金属探针底端通过传输线连出到光导开关。金属探针相当于一根单线波导,可以传导电磁波和电流,其传导效率远高于散射效率。利用金属探针这一特性,采用金属探针直接从样品表面提取近场信号。具体地,样品表面的近场信号被金属探针耦合成电流信号,该电流信号为金属探针表面的电流信号。电流信号沿金属探针、传输线传输至光导开关,光导开关在检测光的触发下导通,使得电流信号传输至后端处理单元进行处理,从而得到样品表面的近场信息。本技术方案中,在与探针相连的传输线上加载光导开关,利用同步激光作为光导开关的触发,通过延时单元中延迟线的移动对皮秒量级的脉冲电流做电光采样,从而获得有效的近场信号。

  通过上述设置,将传统的太赫兹近场成像系统中基于光路系统的信号提取方式替代为利用金属探针将样品表面的近场信号转化为探针上的电流并引出,不仅省去了用于将近场信号传播到远场的光路系统,显著降低了制造成本,简化了扫描近场光学显微镜的构造,更重要的是,金属探针耦合的电流信号为近场信号,其通过传输线传输至后端处理单元的过程中不会混入远场信号,因此能够大幅提高近场信号的提取效率和信噪比,避免了现有技术中利用高阶解调算法区分近场和远场信号的方法,简化了后续信号的处理难度。

  作为太赫兹近场成像系统中入射单元的一种优选实施方式,该太赫兹近场成像系统的入射单元包括入射光电导天线、抛物面镜和至少一个反射镜,所述入射光电导天线用于接收经反射镜调整光路的入射光,并产生入射到抛物面镜的入射信号,所述抛物面镜用于将入射信号聚焦于金属探针上,入射信号在金属探针的尖端产生局域场。本技术方案中入射信号以自由空间的波的形式聚焦于金属探针上以激发局域场。经分束镜分束的入射光通过至少一个反射镜构成的反射镜组的调整入射至外接有偏置电压的入射光电导天线,从而产生太赫兹入射波。该入射波通过抛物面镜聚焦到金属探针上,在金属探针的尖端产生高度局域的电磁场,从而激励下方的样品产生近场信号。

  本发明的另一个目的在于提供一种太赫兹近场成像系统,其利用太赫兹传输线将用于入射的光电导天线和金属探针连接,使得产生的入射波直接以电流的形式传导到金属探针,在金属探针的尖端形成局域场以激励探针下方的样品,不但移除了用于聚焦入射光的抛物面镜,而且提高了信号的激发效率,并进一步提高了近场信号的提取效率。

  具体地,该太赫兹近场成像系统的入射单元包括入射光电导天线,所述入射光电导天线通过传输线与金属探针连接,入射光电导天线用于在入射光的激励下产生入射信号,所述入射信号以电流的形式经传输线传导到金属探针,在金属探针的尖端产生局域场。本技术方案中入射信号以电流的形式经传输线馈入到金属探针,在探针的尖端产生局域场激励样品。经分束镜分束的入射光可以通过反射镜组调整光路后入射至入射光电导天线,也可以直接入射至入射光电导天线。入射光电导天线外接有偏置电压,通过偏置电压和激光的控制,入射光电导天线可以产生皮秒量级的脉冲电流信号,传导到探针尖端,用以激发样品表面的近场信号。通过上述设置,将近场信号的激发过程也替换电流的形式,进一步简化了近场光路系统的设计和搭建,降低了近场信号激发和采集的难度,极大地提高了近场信号的信噪比和信号强度。

  进一步地,该太赫兹近场成像系统还包括印制电路板,所述印制电路板设置有相互连接的入射光电导天线和微带线,所述印制电路板上还设置有陶瓷托板,所述陶瓷托板用于固定金属悬臂以及与金属悬臂连接的金属探针,所述金属悬臂通过跳线连接至微带线。作为探针和入射光电导天线的具体安装方式,圆锥形的探针与带状的金属悬臂相连,被固定在陶瓷托板上。陶瓷托板被固定在承载了光电导天线和微带线的PCB板上,通过跳线将微带线与金属悬臂相连,即可实现光导天线与探针的连接。

  进一步地,所述金属探针的长度与入射信号的波长为同一量级。优选地,探针长度与入射信号存在半波长左右的比例关系时,能够达到更好的信号提取效果。

  进一步地,所述后端处理单元包括电流放大器和计算机,所述电流放大器用于放大电流信号并将放大后的电流信号传输至计算机,所述计算机用于处理放大后的电流信号得到样品表面的近场信息。

  进一步地,所述光导开关为探测光电导天线。

  进一步地,所述延时单元包括若干反射镜构成的时延光路,以将检测光的传输时间调整为与电流信号传输至光导开关的时间匹配。

  本发明的又一个目的在于基于上述太赫兹近场成像系统提供太赫兹近场成像方法,利用光电导天线产生皮秒级别的入射脉冲,以电流的形式从与其相连接的传输线馈入到金属探针,入射波在尖端产生电场激励样品,实现样品激发,同时,利用金属探针直接耦合样品表面的近场信息,以电流的形式提取出来进行信号处理,不仅能够显著提高近场信号的信噪比和信号强度,并且大幅简化近场光路设计,可以更好地利用近场光学显微镜探究结构和材料的物理效应,为理解各种物理现象提供了新的视角。

  具体地,该太赫兹近场成像方法包括以下步骤:

  飞秒激光经分光镜分为入射光和检测光;

  入射光转化为入射信号,入射信号激励金属探针产生局域场,局域场激励金属探针探测方向上的样品产生近场信号,近场信号在金属探针上耦合为电流信号后经金属探针、传输线传输至光导开关;

  检测光经过延时后触发光导开关导通,光导开关导通后采集相应的电流信号;

  处理采集到的电流信号得到样品表面的近场信息。

  进一步地,所述入射信号以电流的形式经传输线传导到金属探针,所述金属探针在入射信号的激励下产生局域场。

  本发明与现有技术相比,具有如下的优点和有益效果:

  1、本发明将传统的太赫兹近场成像系统中基于光路系统的信号提取方式替代为利用金属探针将样品表面的近场信号转化为探针上的电流并引出,提供了一种非散射型的太赫兹扫描近场电流显微镜,不仅省去了用于将近场信号传播到远场的光路系统,显著降低了制造成本,简化了扫描近场光学显微镜的构造,更重要的是,金属探针耦合的电流信号为近场信号,其通过传输线传输至后端处理单元的过程中不会混入远场信号,因此能够大幅提高近场信号的提取效率和信噪比,避免了现有技术中利用外加电压令探针上下振动对信号作调制,再通过信号强度随着距离的衰减方式的不同来区分近场和远场电磁波,简化了后续信号的处理难度;

  2、本发明利用太赫兹传输线将用于入射的光电导天线和金属探针连接,使得产生的入射波直接以电流的形式传导到金属探针,用于在金属探针的尖端形成局域场以激励探针下方的样品,不但移除了用于入射光聚集的抛物面镜,而且提高了信号的激发效率,并进一步提高了近场信号的提取效率;

  3、本发明对金属探针的长度进行优化,当金属探针的长度为入射信号的波长的0.5倍左右时近场信号的提取效果更好,进一步优选地,探针长度与入射信号存在半波长左右的比例关系;

  4、本发明提供的太赫兹近场成像方法,利用金属探针以电流的形式激发和提取样品表面的近场信号,不仅能够显著提高近场信号的信噪比和信号强度,并且大幅简化近场光路设计,可以更好地利用近场光学显微镜探究结构和材料的物理效应,为理解各种物理现象提供了新的视角。

  附图说明

  此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解,构成本申请的一部分,并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:

  图1为本发明一个或多个实施例中一种太赫兹近场成像系统的结构示意图;

  图2为本发明一个或多个实施例中另一种太赫兹近场成像系统的结构示意图。

  具体实施方式

  为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本发明作进一步的详细说明,本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明,并不作为对本发明的限定。

  在本发明的描述中,需要理解的是,术语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“高”、“低”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

  在本发明中使用的术语“连接”在不进行特别说明的情况下,可以是直接相连,也可以使经由其他部件间接相连。

  实施例1:

  如图1所示的一种太赫兹近场成像系统,包括激光器、入射单元、延时单元、后端处理单元和金属探针;其中:

  激光器,用于产生飞秒激光,所述飞秒激光经过分束镜分为入射光和检测光,所述入射光传输至入射单元,所述检测光传输至延时单元经延时后传输至光导开关并触发光导开关导通;

  入射单元包括入射光电导天线、抛物面镜和至少一个反射镜,所述入射光电导天线用于接收经反射镜调整光路的入射光,并产生入射到抛物面镜的入射信号,所述抛物面镜用于将入射信号聚焦于金属探针上,入射信号在金属探针的尖端产生局域场,所述局域场用于激励金属探针探测方向上的样品产生近场信号;

  金属探针,用于将近场信号耦合成电流信号,所述电流信号经金属探针、传输线、光导开关传输至后端处理单元;

  延时单元包括若干反射镜构成的时延光路,以将检测光的传输时间调整为与电流信号传输至光导开关的时间匹配。

  后端处理单元包括电流放大器和计算机,所述电流放大器用于放大电流信号并将放大后的电流信号传输至计算机,所述计算机用于处理放大后的电流信号得到样品表面的近场信息。

  本实施例中,入射信号以入射波的形式聚焦于金属探针上以激发局域场。经分束镜分束的入射光通过至少一个反射镜构成的反射镜组的调整入射至外接有偏置电压的入射光电导天线,入射光电导天线产生的入射波通过抛物面镜聚焦到金属探针上,在金属探针的尖端产生局域场,局域场激励金属探针下方的样品产生近场信号。近场信号被金属探针耦合成电流信号,该电流信号为金属探针表面的电流信号。电流信号沿金属探针、传输线传输至光导开关,光导开关在检测光的触发下导通,使得电流信号传输至后端处理单元进行处理,从而得到样品表面的近场信息。本实施例中,在与探针相连的传输线上加载光导开关,利用同步激光作为光导开关的触发,通过延时单元中延迟线的移动对皮秒量级的脉冲电流做电光采样,从而获得有效的近场信号。

  在部分实施例中,所述金属探针的长度为入射信号的波长的0.5倍。在一个实施例中,探针长度与入射信号存在半波长左右的比例关系。

  在部分实施例中,激光器为太赫兹时域光谱仪的激光器,太赫兹时域光谱仪产生的超快脉冲波的波长在10-12量级,频段覆盖0.1到10太赫兹。

  实施例2:

  如图2所示的一种太赫兹近场成像系统,包括激光器、入射单元、延时单元、后端处理单元和金属探针;其中:

  激光器,用于产生飞秒激光,所述飞秒激光经过分束镜分为入射光和检测光,所述入射光传输至入射单元,所述检测光传输至延时单元经延时后传输至光导开关并触发光导开关导通;

  入射单元包括入射光电导天线,所述入射光电导天线通过传输线与金属探针连接,入射光电导天线用于在入射光的激励下产生入射信号,所述入射信号以电流的形式经传输线传导到金属探针,在金属探针的尖端产生局域场,所述局域场用于激励金属探针探测方向上的样品产生近场信号;

  金属探针用于将产生的近场信号耦合成电流信号,所述电流信号经金属探针、传输线、光导开关传输至后端处理单元,所述光导开关受经延时单元延时的检测光的触发而导通;

  延时单元包括若干反射镜构成的时延光路,以将检测光的传输时间调整为与电流信号传输至光导开关的时间匹配。

  后端处理单元包括电流放大器和计算机,所述电流放大器用于放大电流信号并将放大后的电流信号传输至计算机,所述计算机用于处理放大后的电流信号得到样品表面的近场信息。

  本实施例中,入射信号以电流的形式经传输线馈入到金属探针,在探针的尖端产生电场激励样品。经分束镜分束的入射光可以通过辐射经组调整光路后入射至入射光电导天线,也可以直接入射至入射光电导天线。入射光电导天线外接有偏置电压和光纤,通过偏置电压和激光的控制,入射光电导天线可以产生皮秒量级的脉冲电流信号,传导到探针尖端,用以激发样品表面的近场信号。通过上述设置,将近场信号的激发过程也替换电流的形式,进一步简化了近场光路系统的设计和搭建,降低了近场信号激发和采集的难度,极大地提高了近场信号的信噪比和信号强度。

  在一个实施例中,光导开关采用探测光电导天线实现对脉冲电流信号的电光采样,所述探测光电导天线外接有光纤和同轴线,将电流信号输出到后端放大器等信号处理模块。

  在一个或多个实施例中,还包括印制电路板,所述印制电路板设置有相互连接的入射光电导天线和微带线,所述印制电路板上还设置有陶瓷托板,所述陶瓷托板用于固定金属悬臂以及与金属悬臂连接的金属探针,所述金属悬臂通过跳线连接至微带线。

  实施例3:

  基于上述实施例中的成像系统的太赫兹近场成像方法,包括以下步骤:

  飞秒激光经分光镜分为入射光和检测光;

  入射光转化为入射信号,入射信号激励金属探针产生局域场,局域场激励金属探针探测方向上的样品产生近场信号,近场信号在金属探针上耦合为电流信号后经金属探针、传输线传输至光导开关;

  检测光经过延时后触发光导开关导通,光导开关导通后采集相应的电流信号;

  处理采集到的电流信号得到样品表面的近场信息。

  在部分实施例中,所述入射信号以电流的形式经传输线传导到金属探针,所述金属探针在入射信号的激励下产生局域场。利用金属探针以电流的形式激发和提取样品表面的近场信号,不仅能够显著提高近场信号的信噪比和信号强度,并且大幅简化近场光路设计,可以更好地利用近场光学显微镜探究结构和材料的物理效应,为理解各种物理现象提供了新的视角。

  以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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