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熔窑鼠洞的修补方法

2021-02-11 12:43:30

熔窑鼠洞的修补方法

  技术领域

  本发明涉及玻璃熔窑领域,特别涉及一种熔窑鼠洞的修补方法。

  背景技术

  浮法玻璃熔窑作为玻璃生产的重要组成部分,其窑龄大概为8年左右。在其使用过程中,熔窑顶部的耐火材料长期受到高温火焰、熔窑内烟气的侵蚀,局部会有耐材烧穿、透火现象,形成“鼠洞”。熔窑鼠洞处会有大量热量透出,造成环境温度的升高和能源浪费,同时鼠洞若不及时修复还会导致烧损逐步扩大,引起碹砖掉落,严重时会引起碹顶坍塌。

  目前,在玻璃熔窑修补过程中,一般直接采用热补料填补鼠洞。该方法在面对烧穿较大的鼠洞时,会有大量热补料掉入窑内,污染玻璃液,从而影响玻璃产品质量。所以面对烧穿较大的鼠洞,需要提供一种新的修补方法,来减少修补时热补料对熔窑污染,以及提高修补质量。

  发明内容

  本发明的主要目的是提出一种熔窑鼠洞的修补方法,旨在针对较大鼠洞进行修补时,减少热补料对熔窑的污染,提高修补质量。

  本发明提出的熔窑鼠洞的修补方法,包括:

  对照熔窑鼠洞的形状裁切一块核心砖,所述核心砖略小于所述熔窑鼠洞;

  将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内,所述核心砖与所述熔窑鼠洞之间形成填充间隙;

  采用骨架料对所述填充间隙进行填充;

  采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充,并将热补料捣实、规整;

  维持所述核心砖的悬吊状态,观察所述热补料粘结情况,若所述热补料粘结完整且修补部位不再发红,方可将所述核心砖上的悬挂部件拆除。

  可选地,所述核心砖的顶部设置有用于悬挂的吊环。

  可选地,所述核心砖包括零膨胀硅砖,所述零膨胀硅砖在1000℃温度下的线膨胀系数α≤0.2%/℃。

  可选地,所述零膨胀硅砖的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥99%,Al2O3≤0.3%,Fe2O3≤0.1%。

  可选地,所述骨架料包括耐火绳、耐火球、耐火弧砖等。

  可选地,所述耐火绳为多晶硅绳,所述多晶硅绳的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥98.5%,Al2O3≤0.5%,CaO≤0.3%,MgO≤0.4%,Na2O≤0.3%。

  可选地,所述热补料包括硅质热补料,所述硅质热补料呈泥状。

  可选地,在所述采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充的步骤之前,还包括:将硅质粉末物料与工业磷酸混合搅拌,配制所述硅质热补料。

  可选地,所述硅质粉末物料与工业磷酸的质量比为4~3:1,其中,工业磷酸的质量浓度为85%。

  可选地,所述硅质粉末物料以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥95%。

  在本发明中,针对较大的熔窑鼠洞,先采用核心砖对熔窑鼠洞进行粗填充,填堵熔窑鼠洞的主要空间,然后再用骨架料对核心砖与所述熔窑鼠洞之间的填充间隙进行细填充,填堵填充间隙的主要空间,最后用热补料对骨架料之间的缝隙进一步填充、封实。这样的修补方法,相对于现有技术中的直接用热补料填充,可以避免大量热补料掉入窑内,污染玻璃液,影响玻璃产品质量。采用本发明的修补方法修补较大的熔窑鼠洞时,热补料不会污染熔窑,保证了熔窑内玻璃液的品质,同时提高了修补质量。

  附图说明

  为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构或流程获得其他的附图。

  图1为本发明熔窑鼠洞的修补方法一实施例的流程示意图;

  图2为本发明熔窑鼠洞的修补方法另一实施例的流程示意图。

  本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。

  具体实施方式

  下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

  另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。

  本发明提出一种熔窑鼠洞的修补方法,适用于修补尺寸较大的熔窑鼠洞。

  在本发明的一实施例中,所述熔窑鼠洞的修补方法包括:

  S1、对照熔窑鼠洞的形状裁切一块核心砖,所述核心砖略小于所述熔窑鼠洞;

  S2、将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内,所述核心砖与所述熔窑鼠洞之间形成填充间隙;

  S3、采用骨架料对所述填充间隙进行填充;

  S4、采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充,并将热补料捣实、规整;

  S5、维持核心砖的悬吊状态,观察热补料粘结情况,若热补料粘结完整且修补部位不再发红,方可将核心砖上的悬挂部件拆除。

  首选,对照熔窑鼠洞的形状裁切一块与熔窑鼠洞形状相适应的核心砖,所述核心砖的尺寸略小于所述熔窑鼠洞的尺寸,确保熔窑鼠洞与核心砖之间可以形成填充间隙。

  这样做是因为,首先,如果核心砖与熔窑鼠洞尺寸相当,后续在将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内时,操作难度加大,所述核心砖不易悬挂吊入所述熔窑鼠洞内。其次,如果核心砖与熔窑鼠洞尺寸相当,熔窑鼠洞与核心砖之间虽然不会形成较大的缝隙,但是不会密闭封实,熔窑内的火焰和高温气氛仍然可以从熔窑鼠洞与核心砖之间的微小缝隙中流出,高温火焰及烟气会在熔窑鼠洞与核心砖之间的微小缝隙处继续侵蚀,最终会导致核心砖塌陷,修补处又会形成鼠洞。

  在裁切好核心砖后,采用悬挂部件将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内,所述核心砖与所述熔窑鼠洞之间形成填充间隙。优选地,所述核心砖的顶部设置有用于悬挂的吊环,悬挂部件通过所述吊环把所述核心砖吊起。具体地,在将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内时,细微调整核心砖的位置,尽量保证核心砖四周的填充间隙均匀。在将所述核心砖置于合适位置后,将悬挂部件固定,使核心砖处于静止状态。

  在将所述核心砖悬挂吊入所述熔窑鼠洞内之后,采用骨架料对所述填充间隙进行填充。所述骨架料的尺寸与所述填充间隙的宽度相当,所述骨架料放置于所述填充间隙时,恰好可以卡持在填充间隙相对的两个侧壁之间。在填充骨架料时,尽量确保填充间隙内的骨架料均匀、充实,不致使填充间隙内出现较大的窟窿。所述骨架料的形状不做限定,可以是条状、块状、颗粒状等。具体地,所述骨架料包括耐火绳、耐火球、耐火弧砖等。

  在填充完骨架料后,采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充,并将热补料捣实、规整。对于填充间隙内骨架料没有填充到的空间,也采用热补料填充,然后用热补料将熔窑鼠洞与核心砖之间的填充间隙抹平。所述热补料可以为粉末状、也可以为泥状,优选为泥状,泥状的热补料可塑性高,方便填实骨架料之间的缝隙。

  维持核心砖的悬吊状态,确保核心砖不会松动,在一段时间后,热补料在受热条件下会发生固化粘结,观察热补料粘结情况,若热补料粘结完整且修补部位不再发红,方可将核心砖上的悬挂部件拆除。此时,核心砖、骨架料、热补料及熔窑壁会粘结在一起,达到修补目的。

  在本发明中,针对较大的熔窑鼠洞,先采用核心砖对熔窑鼠洞进行粗填充,填堵熔窑鼠洞的主要空间,然后再用骨架料对核心砖与所述熔窑鼠洞之间的填充间隙进行细填充,填堵填充间隙的主要空间,最后用热补料对骨架料之间的缝隙进一步填充、封实。这样的修补方法,相对于现有技术中的直接用热补料填充,可以避免大量热补料掉入窑内,污染玻璃液,影响玻璃产品质量。采用本发明的修补方法修补较大的熔窑鼠洞时,热补料不会污染熔窑,保证了熔窑内玻璃液的品质,同时提高了修补质量。

  所述核心砖为高温耐火材料,所述核心砖可以是硅砖、硅锆砖、莫来石等。所述核心砖优选为零膨胀硅砖,所述零膨胀硅砖在1000℃温度下的线膨胀系数α≤0.2%/℃。零膨胀硅砖在高温下线膨胀系数小,在悬吊进入熔窑鼠洞后,可以保证所述核心砖与所述熔窑鼠洞之间形成填充间隙。

  进一步地,所述零膨胀硅砖的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥99%,Al2O3≤0.3%,Fe2O3≤0.1%。所述零膨胀硅砖的理化指标如表1所示。

  表1

  

  在一实施例中,所述骨架料为耐火绳,优选地,所述耐火绳为多晶硅绳,所述多晶硅绳的组分以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥98.5%,Al2O3≤0.5%,CaO≤0.3%,MgO≤0.4%,Na2O≤0.3%。采用多晶硅绳作为骨架料,因多晶硅绳具有一定的柔韧性,方便填充核心砖与所述熔窑鼠洞之间的填充间隙。同时多晶硅绳表面粗糙,可以很好的挂住热补料,不致热补料掉落至熔窑内。

  在一实施例中,所述热补料包括硅质热补料,所述硅质热补料呈泥状。泥状的热补料可塑性高,方便填实骨架料之间的缝隙。

  进一步地,在本实施例中,在所述采用热补料对所述骨架料之间的缝隙进行填充的步骤之前,所述熔窑鼠洞的修补方法还包括:

  S41、将硅质粉末物料与工业磷酸混合搅拌,配制所述硅质热补料。

  优选地,所述硅质粉末物料与工业磷酸的质量比为4~3:1,其中,工业磷酸的质量浓度为85%。如硅质粉末物料的孔隙率小,硅质粉末物料的添加量可以少一些,如硅质粉末物料的孔隙率大,硅质粉末物料的添加量可以多一些。工业磷酸本身并无粘结性,当它与耐火材料(如硅质粉末物料)接触后,由于二者间迅速发生反应生成磷酸盐,才使它表现出良好的粘结性。在高温下,磷酸盐与熔窑壁和核心砖粘结发生粘结,从而实现修补。

  所述硅质粉末物料以氧化物为基准,按照质量百分比计,包括:SiO2≥95%。所述硅质粉末物料的物化指标见表2。

  表2

  

  以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

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