一种晶体切割粘接装置
技术领域
本实用新型属于半导体材料制备设备领域，具体涉及一种晶体切割粘接装置。
背景技术
多线切割是半导体材料主流切割方式，多线切割具有切割效率高，切割出晶片几何参数好，适于批量生产等优点。多线切割原理是通过镀铜金属线携带砂浆按照一定速度对半导体材料进行切割。切割方向分为正向切割和倒向切割：正向切割指晶棒正向固定在工作台上，导轮在工作台上面，切割过程中，随着工作台的上升，对晶体进行多线切割；倒向切割指晶体倒向固定在工作台上，导轮下工作台下方，切割过程中，随着工作台的下降，对晶体进行切割。
但是现有的晶体切割粘结装置在用于多线正向切割大尺寸砷化镓晶体过程中，容易造成晶片底部出现破损，破损率达20％-30％左右，晶体切割工序破损率高严重影响了产品的正常生产。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种晶体切割粘接装置。
为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：一种晶体切割粘接装置，所述晶体切割粘接装置包括镜面对称的A组件和B组件，所述A组件包括扇环部、过渡部和底座，所述扇环部与所述过渡部连接，所述过渡部与所述底座连接，所述底座的底面为平面，所述扇环部、过渡部和底座一体成型，所述过渡部位于所述底座的上方，所述扇环部位于所述过渡部的上方，所述扇环部为扇环柱体，所述扇环柱体的上底面和下底面为扇环，所述扇环柱体的中心轴为所述扇环柱体的上底面和下底面的扇环圆心所在的直线，所述扇环柱体的中心轴与底座的底面平行，所述扇环部的圆心角的角度为75-90度。
上述的晶体切割粘接装置用于大尺寸晶体的粘接，在切割过程中起到支撑晶棒和晶片的作用，降低了晶棒切割过程中晶片破损率。
优选地，所述底座的形状为长方体。
优选地，所述扇环部的扇环的外径与内径的差值为10mm-15mm。
优选地，所述底座的宽度为40mm-45mm，40mm-45mm的宽度边与所述扇环部的扇环柱体上底面平行。
更优选地，所述扇环部的扇环柱体的半径大于所述底座的宽度。
优选地，所述底座的高度为4mm-6mm。
优选地，所述过渡部的宽度为30mm-35mm，30mm-35mm的宽度边与所述扇环部的扇环柱体上底面平行。
优选地，所述过渡部的最大高度为5mm-7mm。
优选地，所述扇环部的扇环柱体的底面内环的高度比扇环部的扇环柱体的底面内环半径小10mm。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供了一种晶体切割粘接装置，本实用新型的晶体切割粘接装置用于大尺寸晶体的粘接，在切割过程中起到支撑晶棒和晶片的作用，降低了晶棒切割过程中晶片破损率。
附图说明
图1为本实用新型实施例的一种晶体切割粘接装置的示意图。
图2为本实用新型实施例的一种晶体切割粘接装置的A组件的示意图。
图3为本实用新型实施例的一种晶体切割粘接装置的A组件的三视图，其中(a)主视图，(b)为左视图，(c)为俯视图。
图4为本实用新型实施例的一种晶体切割粘接装置的使用时的示意图。
图5为本实用新型对比例的一种晶体切割粘接装置的示意图。
图6为本实用新型对比例的一种晶体切割粘接装置的使用时的示意图。
其中，1、A组件，2、B组件，3、扇环部，4、过渡部，5、底座，6、晶棒，7、晶体切割粘接装置。
具体实施方式
为更好的说明本实用新型的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
实施例1
作为本实用新型实施例的一种晶体切割粘接装置，如图1、图2、图3所示，所述晶体切割粘接装置包括镜面对称的A组件1和B组件2，所述A组件1包括扇环部3、过渡部4和底座5，所述扇环部3与所述过渡部4连接，所述过渡部4与所述底座5连接，所述底座5的形状为长方体，所述扇环部3、过渡部4和底座5一体成型，所述过渡部4位于所述底座5的上方，所述扇环部3位于所述过渡部4的上方，所述扇环部3为扇环柱体，所述扇环柱体的上底面(见图2)和下底面为扇环，所述扇环柱体的中心轴为所述扇环柱体的上底面和下底面的扇环圆心所在的直线，所述扇环柱体的中心轴与底座的底面平行，所述扇环部的圆心角的角度为75-90度，所述扇环部3的扇环的外径与内径的差值为10mm-15mm，所述底座5的宽度为40mm-45mm，40mm-45mm的宽度边与所述扇环部3的扇环柱体上底面平行，所述底座的高度为4mm-6mm，所述过渡部4的宽度为30mm-35mm，30mm-35mm的宽度边与所述扇环部的扇环柱体上底面平行，所述过渡部4的最大高度为5mm-7mm，所述扇环部的扇环柱体的底面内环的高度比扇环部的扇环柱体的底面内环半径小10mm。
本实施例的晶体切割粘接装置的使用方法为：将晶体切割粘接装置的组件A和组件B粘接，粘接后如图1所示，在晶体切割粘接装置的内圆弧面(如图3c)处涂环氧树脂胶，涂胶均匀，把晶棒按照粘接要求粘接在晶体切割粘接装置上面，静置三小时，如图4所示，进行切割，所述过渡部作为切割停止区域。
对比例1
本对比例的晶体切割粘接装置的示意图如图5所示。
使用对比例1的晶体切割粘接装置粘接晶棒，如图6所示，切割工序晶片成品率在70％-75％，使用实施例1的晶体切割粘接装置后，切割工序晶片成品率达到95％以上。实施例1的晶体切割粘接装置提高了大尺寸晶片生产效率，降低了生产成本。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
