全息显示器和全息图像形成方法
技术领域
本公开涉及全息图像的形成，并且更具体地，涉及一种全息显示器和一种由全息显示器执行的形成全息图像的方法。
背景技术
三维(3D)全息图像(全息图)的形成在许多应用领域中具有巨大潜力，例如电信、医学、娱乐、军事装备等。然而，使用该技术的大面积实现方式存在许多问题。
由于在电可寻址空间光调制器(EASLM)上显示的数字全息图再现所需的高质量光学系统，当前可用的全息显示器有很大的尺寸。这增加了全息图像的尺寸，并使全息图像几乎不可能集成到可穿戴智能设备(手表、电话、平板电脑等)中。
当前的全息显示器无法提供足够的小像素(＜1μm)密度来确保在有效的相干和非相干空间光调制器(SLM)上显示的全息图的足够宽的视场，例如，激光背光和液晶显示器(LCD)、数字微镜设备(DMD)、硅基液晶(LCoS)有机发光二极管(OLED)显示器(有机发光二极管、有机LED)、μ发光二极管(μ-LED)等。
此外，当使用当前广泛使用的非相干SLM(基于智能手机、智能手表、电视机等)播放具有良好3D对象深度的全息图时，光可寻址空间光调制器(OASLM)技术用于将不相干的光分布转换为相位分布(相位全息图)，然后将相位分布重建为相干光源。
由于获得所需视场所需要的高分辨率，数字全息图操作需要处理器上非常高的操作负载以及许多资源(功率、时间、存储容量、存储速度等)，并且全息图像、分辨率和视场越大，操作负载就越大。
在根据相关技术的基于LCD技术的当前可用的大中型(至少1英寸)尺寸的显示设备中，像素尺寸通常为40μm至300μm。在这种显示器中，需要特殊的相干光源(激光)来背光照明。这种解决方案几乎不适用于数字全息，这是由于其分辨率低且视场狭窄以及全息图操作所需的高操作负载(引起独立设备的独立操作时间的减少和电池寿命的减少)，并且需要使用相干背光用于带宽和全息图的记录和再现。
当前可用的微型显示器(小于1英寸)中的像素尺寸通常为3μm至40μm。为了在这些显示器中重建全息图，需要特殊的相干光源(光纤输出的激光或LED)。与大中型显示器不同，这些显示器缺乏可扩展性。微型显示器通常基于LCD、LCoS或DMD技术，并且由于屏幕尺寸小、分辨率不足、全息图操作所需的高操作负载(引起独立设备的更短的自主操作时间和更短的电池寿命)、更大的存储容量和更宽的带宽、以及需要使用相干背光进行全息图记录和回放而适合应用于数字全息。
当前可用显示器的主要问题是视场(FoV)小。视角与2·arcsin(λ/2)成比例，其中λ是光的波长，p是SLM像素尺寸。在像素尺寸为3μm至250μm的当前显示器的情况下，视角约为5°±0.06°。为了提供30°的视角，需要约1μm或更小的像素尺寸，这在当前技术水平上对于消费者而言是不可用的。为了实现具有宽视角的全息显示设备，像素尺寸应减小几倍，并且要处理、存储和发送的数据量应增加几倍。
此外，全息显示器通常可以在3D模式下操作，并且不可以切换到二维(2D)模式。
在US 8400695 B2中公开的小型全息显示器包括在OASLM上记录数字全息图的OLED阵列(OLED微显示器)，其中OLED微显示器和OASLM形成相邻的层。根据在OLED微显示器上的光强度调制，在OASLM上对相位全息图进行编码，然后在用背光照射OASLM时重建全息图。因此，OASLM由OLED阵列控制。该显示器的缺点是显示全息图所需的大量计算机生成的全息图(CGH)数据及其复杂的设计。此外，相关领域中的设备可能不会在2D和3D模式之间切换。
在US 8982438 B2中公开了相关领域中的另一设备。该设备包括：记录光源，发射记录光束；EASLM，被配置为根据与在空间上划分为多个部分的3D图像相对应的全息图信息来顺序调制从记录光源发射的记录光束；OASLM，被配置为通过使用调制的记录光束来切换3D图像的多个划分部分中的每一个以及与对应部分相对应的图像来形成全息图；扫描光学单元，被配置为减小和再现由EASLM顺序调制的记录光束形成的全息图并将全息图发送到与该部分相对应的OASLM区域；以及再现光源，被配置为照射OASLM的表面。该设备的缺点是需要增加设备尺寸(厚度)的扫描/投影系统。此外，该设备无法进行2D/3D模式切换，并且需要大量CGH数据才能显示全息图。
发明内容
技术问题
示例实施例提供了一种紧凑型全息显示器。
示例实施例提供了一种由全息显示器执行的形成全息图像的方法。
问题的解决方案
根据实施例，全息显示器可以包括：
电可寻址空间光调制器(EASLM)；
衍射光学元件(DOE)掩模阵列，布置在EASLM上；以及
控制器，被配置为操作全息显示器以形成全息图像，
其中，控制器还被配置为寻址EASLM，以通过打开对应的EASLM像素来对形成全息图像体素集合所需的DOE掩模阵列背光照明。
EASLM可以是非相干EASLM。
全息显示器还可以包括光可寻址空间光调制器(OASLM)和背光单元，并且EASLM、DOE掩模阵列和OASLM可以被集成到单个单元中。
OASLM可以包括光敏层和液晶层，并且控制器还可以被配置为操作OASLM和背光单元，使得在DOE掩模阵列之后形成的光强度分布可以在OASLM的光敏层中形成电荷分布，并在OASLM的液晶层中引起相位调制，以形成相位全息图。
背光单元可以被配置为通过对在OASLM的液晶层上形成的相位全息图背光照明来形成全息图像。
EASLM可以是相干EASLM。
DOE掩模阵列可以包括堆叠为多层的DOE掩模的多个阵列。
全息显示器还可以包括自适应多透镜阵列，并且控制器还可以被配置为操作自适应多透镜阵列。
全息显示器可以被配置为在三维(3D)和二维(2D)模式之间切换。
全息显示器还可以被配置为形成彩色全息图。
全息显示器还可以包括能够对全息图像体素进行光谱滤光以及空间和/或角度滤光的场光学系统和/或滤波器。
DOE掩模阵列可以被预先计算并制造为具有永久结构并提供特定特征。
DOE掩模阵列可以是可寻址的，并且控制器还可以配置为对DOE掩模阵列寻址。
DOE掩模阵列可以包括子透镜、正透镜或透射透镜。
根据实施例，一种由全息显示器执行的形成全息图像的方法可以包括：
接收控制器输入的全息图像数据；
生成控制信号，以通过打开/关闭对应的EASLM像素，用背光照射DOE掩模，该DOE掩模必须基于输入的数据形成全息图像体素集合；以及
根据控制器的控制信号通过EASLM和DOE掩模阵列形成全息图像。
本公开的有益效果
根据示例实施例，提供了一种紧凑型全息显示器。例如，根据示例实施例，可以提供能够一种调制规模(the scale)的全息显示器，该刻度的像素尺寸为1μm或更小并且最多为读取光波长的一半。相干光源和非相干光源可以用于背光照明。示例实施例可以基于许多显示器，例如有机发光二极管(OLED)显示器、μ-发光二极管(μ-LED)显示器、硅基液晶(LCoS)、液晶显示器(LCD)、数字微镜设备(DMD)等。示例性全息显示器可以具有高分辨率和宽视场，并且可以减小计算和处理再现全息图所需的计算负载。与本领域的全息显示技术相比，该全息显示器可以减小数字全息图数据传输所需的存储容量和带宽，并且可以增加独立操作的自主操作时间和电池寿命。
附图说明
图1示出了根据示例实施例的形成三维(3D)体素的原理；
图2示出了根据示例实施例的通过各自具有不同特性的衍射光学元件(DOE)掩模阵列形成在不同距离处的3D体素集合的原理；
图3示出了形成具有八个深度级别的单色3D全息图的示例；
图4A和图4B示出了根据示例实施例的在3D模式下的全息显示器的操作；
图4C示出了根据示例实施例的在二维(2D)模式下的全息显示器的操作；
图5示出了根据示例实施例的被配置为形成全息显示器的彩色全息图像的DOE掩模的布置的示例；
图6示出了将多个控制器操作的DOE掩模阵列堆叠为多层的实施例；
图7示出了根据实施例的集成全息显示器结构的实施例；
图8是示出了根据图7的实施例的全息显示器的操作算法的流程图；
图9示出了根据示例实施例的全息显示器的另一实施例；以及
图10示出了根据示例实施例的全息显示器的另一实施例。
具体实施方式
在不脱离本公开的精神和范围的情况下，基于本领域技术人员和技术领域提供的信息，示例实施例不限于本公开中描述的那些，并且对于本领域普通技术人员而言将是显而易见的。除非另有说明，否则以单数形式提及的元件不排除复数。
图1示出了根据示例实施例的形成三维(3D)体素的原理。
每个低分辨率空间光调制器(SLM)像素(显示器像素)都与布置在SLM像素(参见图1)上的对应高分辨率衍射光学元件(DOE)掩模(通常具有DOE的区域)一起操作，以产生单个全息体素。当SLM像素被打开时，来自SLM像素的光照射对应的DOE掩模以在给定距离处形成全息体素。
图2示出了根据示例实施例的通过各自具有不同特性的DOE掩模阵列形成在不同距离处的3D体素集合的原理。
当使用布置在SLM上的高分辨率DOE掩模阵列时，视场(FoV)会增加并且可以在不使用大量计算资源的情况下在空间中重建3D体素集合(整个全息图)(参见图2)。在不同距离处形成的全息体素会生成显示的3D全息图。
DOE可以由各种类型和技术来配置，例如薄光栅、体光栅、基于液晶(LC)的可切换、光和/或电子可寻址(相位)波带板等。
由于DOE掩模的分辨率大于SLM的分辨率，所以全息图形成方法可以增加编码的全息图的视场和分辨率。为了形成DOE掩模，使用其中像素尺寸比照射DOE掩模的电可寻址空间光调制器(EASLM)像素的尺寸小几倍的预先计算和制造的数字或模拟全息图。例如，当前可用的EASLM(微型显示器，显示器)的一般像素大小可以是3μm至250μm，并且全息图分辨率可以是例如0.3μm(1/2λ，其中λ是例如0.6μm)。因此，全息图(DOE掩模)的分辨率可以高于(3/0.3)2＝100。
根据示例性实施例，由于已经计算了DOE掩模，因此可以增加数字全息图处理速度，这是因为不需要每次都重新计算DOE掩模。
DOE掩模可以被预先计算并提供由参考(读取、重建)光的波长和波表面确定的预定特性，并且也可以被制造为提供要重建的对象(全息图)的特性，例如对象类型(点、几何圆等)、到对象的距离、对象的深度等。
根据实施例，DOE掩模可以是振幅类型或相位类型。
根据另一实施例，可以使用可寻址的基于LC的DOE代替预先计算和制造的DOE掩模。在这种情况下，响应于关于具有DOE掩模的有源层的适当控制信号，有源层可以呈现或不呈现DOE特性，并且可以是透明的且弱散射的。
根据示例实施例，可以提供具有减小的厚度、增加的全息图分辨率和视场的全息显示器。
根据示例实施例，可以减少用于全息图形成/处理/存储/传输的数据量。
根据示例实施例，可以提供一种使用DOE掩模的高分辨率布置的全息显示器，该DOE掩膜是基本3D对象的基本全息图，其波长大小的元件被组织为一组，以对不同距离处的全息图的三维体素(3D体素)进行编码和重建。基本3D对象的基本全息图是指基本3D对象(体素、几何圆(圆形、正方形等)或图标或其他类似3D对象(包括距离屏幕指定距离的二维(2D)对象))可以通过对应的全息图进行编码，即全息图不仅应理解为显示的3D图像，还应理解为对应的编码和制造的结果-DOE掩模。
图3示出了具有八个深度级别的单色3D全息图的形成的实施例。
参考图3，全息图形成设备(全息显示器)可以包括低分辨率SLM、DOE掩模阵列和辅助元件(场透镜、滤波器等)。DOE掩模阵列可以包括DOE掩模集合，该DOE掩模集合包括具有不同特性的八个DOE掩模，并且每个DOE掩模可以被预先制造且可以被制造为允许在与八个深度级别之一相对应的特定距离处形成体素。
在图3所示的实施例和以下实施例中，低分辨率SLM是EASLM(控制器可寻址的)。然而，可以替代地形成具有静态不可寻址的SLM的“静态”全息显示器(例如，博物馆的“全息画面”)。此外，由相干背光照射的低分辨率静态振幅光调制器等可以用作SLM。
为了形成全息图，可以将2D图像亮度图和2D深度图用作输入数据。2D亮度图表示x和y坐标表征的每个图像像素的亮度。
在本实施例中，输入的3D图像的每个像素对应于与八个深度级别相对应的八个EASLM像素集合以及用于显示器的2D模式操作的像素(体素，例如光扩散器，作为与DOE掩模中的区域相对应的像素)。因此，在黑白显示器的情况下，与输入图像像素相对应的EASLM像素的数量应当为n+1。这里，n是全息显示器的深度级别的数量。在彩色红、绿和蓝(RGB)全息显示器的情况下，DOE掩模阵列是静态的，并且当彩色RGB全息显示器可能无法在颜色顺序模式下(在顺序地显示全息图像颜色的情况下)操作时，对应于输入3D图像像素的EASLM像素的数量为3*(n+1)。
可以将上述输入亮度和深度图提供给全息显示控制器的输入。控制器基于深度图数据确定是否应当通过低分辨率SLM像素(图3中的EASLM)照射每个DOE掩模集合中包含的八个DOE掩模以在给定距离处形成所需的体素，以及控制器基于亮度图指定与指定的DOE掩模相对应的低分辨率SLM像素的亮度以形成所需的体素。因此，可以通过开启具有特定亮度的低分辨率SLM像素并使用具有不同特性的对应DOE掩模对光进行调制来形成配置全息图像的体素集合。
图4A和图4B是示出了根据示例实施例的在3D模式下的全息显示器的操作。图4C示出了根据示例实施例的在2D模式下的全息显示器的操作。
在3D模式下，全息图像的体素可以相对于观看者形成在全息显示屏的后面(图4A)或前面(图4B)。例如，可以使用具有子(发散)透镜的DOE掩模(参见图4A)，并相对于观看者在屏幕后面形成“虚拟”全息体素，并且在正(会聚)透镜(参见图4B)中，可以相对于观看者在屏幕前面形成“真实”全息体素。因此，根据示例实施例，全息图给人的印象是成像主体在屏幕的后面或前面。
同时，根据示例实施例，全息显示器可以在2D模式下操作以在平面模式下形成平面2D图像。为了实现这个目的，可以使用DOE掩模的透明(或发散)区域，例如透明透镜(没有DOE或编码的光扩散器)，并且穿过透明(或发散)DOE掩模区域集合的EASLM像素的光可以为观看者形成平面2D图像。
在这种情况下，根据示例实施例，全息显示控制器可以通过打开/关闭每个EASLM像素和对应的DOE掩模来操作低分辨率SLM并在2D和3D模式之间切换。
根据实施例，全息显示器可以形成彩色3D全息图像(参见图5)。
图5示出了包括形成三种不同颜色和三种深度级别的体素的DOE掩模集合的DOE掩模布置的实施例。在实施例中，可以将一个DOE掩模集合的GD1、GD2和GD3元件设计为在不同深度产生绿色体素。可以将一个DOE掩模集合的BD1、BD2和BD3元件设计为在不同深度产生蓝色体素。可以将一个DOE掩模集合的RD1、RD2和RD3元件设计为在不同深度产生红色体素。DOE掩模元件的名称中的数字“1、2和3”指示深度级别。在这种情况下，得到的彩色全息图像的分辨率比单色图像的分辨率低Nc倍。这里，Nc是形成的体素的颜色数。
上述各种元件的联合效果可以用于通过寻址低分辨率EASLM的控制器根据RGB颜色模型形成其他颜色的体素，并且EASLM像素通过具有与输入3D图像的强度图中的R、G和B强度成比例的强度的对应DOE掩模而打开。此外，可以对控制器进行编程以使其与其他颜色模型(YUW、CMYK等)一起操作，以执行到RGB颜色模型的转换。
在类似的方法中，DOE掩模、EASLM光波长和控制器可以被配置为使用除RGB以外的基本颜色模型操作，例如YUV或其他。
图6示出了具有堆叠为多层的多个DOE掩模阵列的实施例，其中每个层可以是可寻址的(使用LC技术的有源层)或静态的，即DOE掩模可以具有永久性结构。
为了增加全息图像的分辨率，可以将DOE掩模阵列堆叠为多层(参见图6)。由于通过修改EASLM光学特性(光的偏振、波长等)或通过控制器的输入信号激活对应的DOE掩模层而形成的体素的数量增加，因此可以增加显示器分辨率。
同时，堆叠为多层的每个DOE掩模阵列可以用于形成一种特定颜色的体素，即在保持再现图像的分辨率的同时，DOE掩模阵列的几层可以用于形成彩色全息图像。
在这种情况下，每个下一层可以相对于相邻层在水平或垂直方向上移位与一个DOE掩模的尺寸成比例并与DOE层的数量成反比例的间距，以增加所显示的全息图的分辨率。此外，可以光和/或电子地寻址每个层。
图7示出了根据实施例的集成全息显示器结构的实施例。
根据图7所示的实施例，本公开可以找到包括非相干SLM、DOE掩模阵列和光可寻址空间光调制器(OASLM)的小型全息显示器的应用。图7所示的全息显示器包括：低分辨率非相干EASLM、DOE振幅掩模阵列、OASLM和背光单元。在本实施例中，OASLM可以包括朝向背光单元按照铟锡氧化物(ITO)、光敏层、二向色镜层、液晶(LC)层、ITO和基板的顺序布置的几个层。
ITO是各种比例的铟、锡和氧的三元组合物。在本实施例中，ITO可以是作为电极蒸镀的透明且薄的(纳米级)涂层。
响应于根据显示的3D图像的数据的控制器信号，低分辨率EASLM可以将应当构建显示的全息图(3D图像)的体素集合的DOE阵列掩模集合强调标记为与显示的3D图像的3D点的强度级别成比例的强度。在这种情况下，可以在DOE掩模阵列之后的光敏层上形成光强度分布，可以在光敏层中引起电荷分布，并且可以在OASLM的LC层中引起相位调制。接下来，由背光单元的相干光重建在LC层上形成的相位全息图(需要控制器信号在记录/读取模式下操作OASLM)，该相位全息图通过角度滤波器(主动或被动)以滤出有害的衍射级，通过光谱滤波器(主动或被动)以过滤EASLM光，并通过场透镜(可选)以形成重建全息图(3D图像)的眼睛观察区域。LC层是电荷分布受控相位SLM，由于光敏层上的电荷分布，其可以与区域中的电荷成比例地改变液晶分子的取向。液晶分子的取向确定通过LC区域的光的延迟(相变)。在这种方法中，当在相位全息图上发生衍射并且目标波的波面(在这种情况下，对应于显示的体素集合)被重建时，在全息图的重建期间，进行相位调制(相位全息图的形成)和光学相位调制。
鉴于以上描述，使用一般非相干显示器的操作需要在光敏层上的OASLM，其中应当在DOE掩模之后提供光强度分布以在光敏层中引起电荷分布，并且需要在OASLM LC层中进行相位调制，以表示相位全息图要由相干背光重建。因此，当使用非相干SLM和OASLM时，DOE掩模应当为振幅类型。
图8是示出了根据图7所示的实施例的全息显示器的操作算法的流程图。
在操作S1中，将来自2D/3D相机或其他图像源的2D或3D图像数据或预先计算的2D或3D图像数据应用于全息显示控制器。根据显示器的操作模式，数据可以是以下形式。数据可以是2D亮度图(用于2D模式)或2D亮度图和2D深度图(用于3D模式)的形式。
在操作S2中，控制器基于表示3D(或2D)图像数据的2D亮度图和2D深度图数据，使用指定并对应体素的亮度/强度的低分辨率EASLM像素来生成关于低分辨率EASLM和指定的高分辨率DOE掩模阵列(当使用可寻址的高分辨率DOE掩模阵列集合来进一步增加再现全息图的分辨率，如图6所示)的控制信号，从而形成所有体素。在3D模式下，形成显示器全息图的至少一个体素的至少一个高分辨率DOE掩模可以对应于由控制器打开的单个EASLM像素。
DOE掩模阵列与OASLM集成后的强度分布可以被转移到OASLM光敏层并引起电荷分布。此时(操作S3)，控制器可以将在光敏层中形成的强度分布写入到OASLM LC层上的相位分布的控制信号发送到OASLM，并且根据由低分辨率EASLM照射的有源DOE掩模元件的高分辨率全息图，光敏层中的电荷分布可能引起PASLM LC层中的折射率调制。
在操作S4中，背光单元生成用于反射型OASLM的背光(照射)，并且在操作S5中，当前显示的全息图(写在OASLM中)的衍射光重建全息图。
需要一个场光学系统(一个或多个透镜集合)在显示器中的指定距离处形成全息图观看区域。滤波器可以执行空间/角度/光谱滤波以改善显示的3D全息图的质量，并且可以是被动的或主动的(可寻址的)。
场光学系统、滤波器(使用有源元件时)和背光单元也响应于来自控制器的控制信号而操作。
非相干EASLM、DOE掩模阵列和反射型OASLM的集成结构可以减小全息显示器的尺寸(厚度)。由于尺寸减小，显示器可以应用于诸如智能电话、平板电脑、可穿戴电子设备等的移动电子设备。本公开中的非相干显示器和微显示器的适用性可用于当前可用的显示器：有机发光二极管(OLED)显示器、μ发光二极管(μ-LED)显示器、液晶显示器(LCD)等。
根据实施例，图7所示的全息显示器中使用的EASLM可以是自发光的(非相干LED/μ-LED、OLED等)或非自发光的。当使用非自发光ELASM(例如：LCD)时，应当使用附加的非相干背光(LED、灯等)。
在另一实施例中(参见图9)，使用相干SLM(在本实施例中为EASLM)代替非相干SLM。因此，不需要使用反射型OASLM，并且可以省略OASLM(参见图9)或者可以将其切换到传输模式(未示出)。相干EASLM可以是自发光类型(例如，激光二极管阵列)或非自发光类型。在自发光型EASLM的情况下，应当使用附加的相干光(例如，激光阵列)。
当在没有OASLM的情况下使用相干SLM时，DOE掩模可以是振幅或相位类型，并且在提高DOE效率方面相位类型是更优选的。
在图10所示的全息显示器的另一实施例中，自适应多透镜阵列(MLA)可以与可寻址空间光调制器(ASLM)和DOE掩模阵列一起使用。
在本实施例中，可以相对于(x，y)坐标中的每个体素在由DOE掩模指定的离散距离zi处形成体素。用于形成体素的可能离散距离的数量可以由DOE掩模的数量来确定。
根据图10所示的实施例的自适应(主动)MLA可以改变其相对于EASLM和DOE掩模阵列的空间位置。因此，可以通过改变每个MLA透镜的焦距来平滑地改变(x，y)体素的(zi)位置。由此，可以增加形成的全息图像的分辨率和深度范围。根据实施例，所显示的全息图的质量和深度可以得到改善。
因此，根据本公开，可以通过使用DOE掩模阵列来增加所显示的全息图的分辨率、全息图的视角以及数字全息图的处理速度。掩模阵列是预先开发和制造的具有波长尺寸的关键功能的光栅集合，其可以增加所显示的全息图的衍射角和视角，减少数值计算(处理器负载、存储容量、数据传输速率)，并延长电池寿命。
此外，由于包括非相干SLM、DOE掩模阵列和OASLM的集成结构，根据本公开的全息显示器可以具有紧凑的设计，并且可以使用非相干显示器和微显示器(LED、OLED、LCD+LED等)。附加的自适应透镜光栅可以用于增加所显示的全息图的深度分辨率。
由于紧凑的设计，根据本公开的全息显示器可以找到在移动和可穿戴电子设备中显示信息并生成全息用户界面的应用。
由于在全息图形成期间减少的计算负载，因此本公开可以延长包括全息显示器的移动电子设备的电池寿命，并减少对处理器、控制器等的冷却要求。
仅需要将2D图作为用于3D全息图形成的输入数据可以减少所需的数据传输带宽。
尽管已经详细描述了示例实施例并且在附图中示出了示例实施例，但这些实施例仅是示例性的，且不意图限制更广泛的公开，并且应当理解，本公开不应限于所示出的特定配置和本文所述的那些，因为各种其他修改对于本领域技术人员而言是显而易见的。
尽管没有特别提及，但是关于存储数据、程序等的描述显然意味着可以使用计算机可读存储介质。计算机可读存储介质的示例包括只读存储器、随机存取存储器、寄存器、高速缓存存储器、半导体存储装置、诸如内部硬盘驱动器和可拆卸磁盘驱动器之类的磁介质、诸如CD-ROM和数字通用磁盘(DVD)之类的光学介质以及任何其他通用存储介质。
在本公开的各个部分中公开的各种从属权利要求和实现实施例中描述的特征可以组合以实现有益的效果，即使组合的能力未被明确公开。
