调节装置及晶圆曝光设备
技术领域
本实用新型涉及半导体领域，特别是涉及一种调节装置及晶圆曝光设备。
背景技术
光刻是半导体器件生产制造中的重要工艺，一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影等工序。光刻胶涂覆后，晶圆边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离(Peeling)而影响其它部分的图形，所以需要去除。传统的采用激光沿晶圆边缘依次曝光一圈来去除边缘的光刻胶，花费时间长，效率低。
实用新型内容
基于此，针对晶圆边缘曝光效率低的问题，本实用新型提供一种调节装置及晶圆曝光设备。
本实用新型提供一种调节装置，用于晶圆的边缘曝光，调节装置包括：遮光圆盘，所述遮光圆盘的直径小于晶圆的直径；调节模块，包括环形边缘部，位于所述遮光圆盘的外围；驱动装置，用于驱动所述环形边缘部运动，以调节所述环形边缘部与所述遮光圆盘的中心的间距。
上述调节装置提高了晶圆边缘曝光速度，大大降低了晶圆边缘曝光时间，提高了晶圆边缘曝光效率，从而降低了生产成本。调节装置能调节大小，使得晶圆边缘曝光设备能曝光不同尺寸的晶圆，还能调控晶圆边缘曝光的宽度，扩展了晶圆曝光设备的应用范围。
在其中一个实施例中，所述调节模块还包括连杆，所述连杆一端与所述环形边缘部相连接，另一端与所述驱动装置相连接。
在其中一个实施例中，所述调节模块包括若干个所述环形边缘部及若干个所述连杆，所述连杆与所述环形边缘部一一对应连接；所述驱动装置包括：主动齿轮，位于所述遮光圆盘上；被动齿轮，位于所述遮光圆盘上，所述被动齿轮的中心与所述遮光圆盘的中心相重合；所述被动齿轮与所述主动齿轮咬合；所述被动齿轮上设有若干个弧形滑槽，若干个所述弧形滑槽以所述被动齿轮的中心为中心呈辐射状分布；所述调节模块还包括若干个凸柱，所述凸柱与所述连杆及所述弧形滑槽一一对应设置，且所述凸柱的底部固定于所述连杆的上表面，所述凸柱的顶部至少延伸至所述弧形滑槽内。
在其中一个实施例中，相邻的所述环形边缘部位于不同的水平面上，且相邻的所述环形边缘部具有部分上下重叠的区域。
在其中一个实施例中，所述遮光圆盘包括若干个扇形叶片，各所述扇形叶片的侧壁均设有长条状凹槽；所述连杆位于所述长条状凹槽内。
在其中一个实施例中，所述环形边缘部与所述遮光圆盘的外边缘具有间距；所述调节装置还包括环形边缘凸起部，所述环形边缘凸起部位于所述遮光圆盘的外围，且所述环形边缘部与所述环形边缘凸起部具有部分上下重叠的区域。
在其中一个实施例中，所述环形边缘部具有至少大于3mm的宽度。
本实用新型还提供一种晶圆边缘曝光设备，包括：光源模块；所述调节装置，位于所述光源模块的下方，以用于调节晶圆边缘区域的曝光。
上述晶圆边缘曝光设备提高了晶圆边缘曝光速度，大大降低了晶圆边缘曝光时间，提高了晶圆边缘曝光效率，从而降低了生产成本。
在其中一个实施例中，所述光源模块包括光源和位于所述光源下方的透镜。
在其中一个实施例中，所述透镜为凸透镜。
在其中一个实施例中，所述光源包括环形光源，所述透镜包括环形透镜。
在其中一个实施例中，所述环形光源，所述环形透镜，所述调节装置和所述晶圆的中心在同一直线上。
在其中一个实施例中，所述光源发出的光经过所述透镜照射到所述晶圆上的光照区域至少覆盖所述晶圆的边缘区域。
附图说明
图1～图2为本实用新型的调节装置所呈现的俯视图。
图3为本实用新型的调节装置沿AA’方向的截面图。
图4为本实用新型的调节装置沿BB’方向的截面图。
图5为本实用新型的晶圆边缘曝光设备所呈现的主视图。
图6为本实用新型的晶圆边缘曝光设备中光源模块所呈现的俯视图。
图7为本实用新型的调节装置所呈现的俯视图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的首选实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
一个实施例，如图1～图2所示，提供一种调节装置20，用于晶圆30的边缘曝光，调节装置20包括：遮光圆盘201，遮光圆盘201的直径小于晶圆30的直径；调节模块202，包括环形边缘部2021，位于遮光圆盘201的外围；驱动装置，用于驱动环形边缘部2021运动，以调节环形边缘部2021与遮光圆盘201 的中心的间距。
在本实施例中，通过预习设定调节装置的遮挡范围，使得晶圆30经过一次曝光就可以得到预设的晶圆30边缘区域曝光，进而提高了晶圆30边缘曝光速度，大大降低了晶圆30边缘曝光时间，提高了晶圆30边缘曝光效率，从而降低了生产成本。调节装置20能调节大小，使得晶圆30边缘曝光设备能曝光不同尺寸的晶圆30，还能调控晶圆30边缘曝光的宽度，扩展了晶圆30曝光设备的应用范围。
在本实施例中，调节装置20的半径可在100mm～150mm范围内调整，例如，调节装置20的半径可以调整成120mm、130mm、140mm、148mm、149mm。调节装置20的大小调整的精度可以是1um。
在本实施例中，环形边缘部2021具有一定宽度，所述宽度至少大于3mm，以使得晶圆30边缘曝光区域调节范围至少有3mm。
在一个实施例中，调节模块202还包括连杆2022，连杆2022一端与环形边缘部2021相连接，另一端与驱动装置相连接。
在一个实施例中，调节模块202包括若干个环形边缘部及若干个连杆2022，连杆2022与环形边缘部一一对应连接；驱动装置包括：主动齿轮204，位于遮光圆盘201上；被动齿轮203，位于遮光圆盘201上，被动齿轮203的中心与遮光圆盘201的中心相重合；被动齿轮203与主动齿轮204咬合；被动齿轮203 上设有若干个弧形滑槽2031，若干个弧形滑槽2031以被动齿轮203的中心为中心呈辐射状分布；调节模块202还包括若干个凸柱2023，凸柱2023与连杆2022 及弧形滑槽2031一一对应设置，且凸柱2023的底部固定于连杆的上表面，凸柱的顶部至少延伸至弧形滑槽2031内，如图3所示。
在本实施例中，被动齿轮203的直径介于5cm～10cm之间，例如，被动齿轮203的直径可以是5cm、7cm、8cm、10cm。遮光圆盘201的半径介于10cm～15cm 之间，例如，遮光圆盘201的半径可以是10cm、12cm、15cm。遮光圆盘201 的材质包括聚乙烯或金属。若干调节模块202的数量至少是2个，例如，若干调节模块202的数量可以是4个、5个、6个、7个、8个、9个，优选的，在本实施例中，若干调节模块202的数量是6个。若干调节模块202的材质包括聚乙烯或金属。被动齿轮203的材质包括聚乙烯或金属。遮光圆盘201和被动齿轮203固定于支撑柱上，被动齿轮203与支撑柱之间具有轴承。
在一个实施例中，相邻的环形边缘部位于不同的水平面上，且相邻的环形边缘部2021具有部分上下重叠的区域。
在一个实施例中，遮光圆盘201包括若干个扇形叶片，各扇形叶片的侧壁均设有长条状凹槽2012；连杆2022位于长条状凹槽2012内，如图4所示。
在一个实施例中，环形边缘部与遮光圆盘201的外边缘具有间距；调节装置20还包括环形边缘凸起部2011，环形边缘凸起部2011位于遮光圆盘201的外围，且环形边缘部与环形边缘凸起部2011具有部分上下重叠的区域。
一个实施例，如图5所示，提供一种晶圆30边缘曝光设备，包括：光源模块10；调节装置20，位于光源模块10的下方，以调节光源模块10对晶圆30 边缘区域进行曝光。
在本实施例中，上述晶圆30边缘曝光设备提高了晶圆30边缘曝光速度，大大降低了晶圆30边缘曝光时间，提高了晶圆30边缘曝光效率，从而降低了生产成本。
在一个实施例中，光源模块10包括光源101和位于光源101下方的透镜102。
在本实施例中，光源101经过透镜102照射到晶圆30上的光照区域至少覆盖晶圆30的边缘区域。
在本实施例中，曝光能量介于5000mj/cm2～20000mj/cm2之间，例如，曝光能量可以是8000mj/cm2、12000mj/cm2、18000mj/cm2。光源101和透镜102可以都固定在同一个支撑柱上。
在一个实施例中，光源101包括环形光源101，透镜102包括环形透镜102，如图6所示。优选的，所述透镜102为凸透镜，所述凸透镜能够将光源101的出射光转换成平行光，所述平行光经过调节装置20照射在晶圆30的边缘部分，以有利于晶圆30边缘曝光位置的精确控制以及曝光的均匀性。
在本实施例中，环形光源101，环形透镜102，调节装置20和晶圆30的中心在同一直线上。
在本实施例中，环形光源101的宽度介于5cm～10cm之间，例如，环形光源101的宽度可以是6cm、7cm、8cm、9cm。环形的透镜102的宽度介于10cm～20cm之间，环形的透镜102的宽度可以是11cm、13cm、17cm、18cm。
一个实施例，如图7所示，提供一种晶圆30边缘曝光方法，包括：提供晶圆30边缘曝光设备；将晶圆30置于晶圆30边缘曝光设备下方；采用晶圆30 边缘曝光设备对晶圆30进行边缘曝光。
在本实施例中，上述晶圆30边缘曝光方法提高了晶圆30边缘曝光速度，大大降低了晶圆30边缘曝光时间，提高了晶圆30边缘曝光效率，从而降低了生产成本。
在本实施例中，晶圆30与调节装置20的垂直距离介于1mm～50mm之间，例如，晶圆30与调节装置20的垂直距离可以是1mm、2mm、3mm、20mm、 30mm、40mm、50mm。
在本实施例中，晶圆30在进入晶圆30边缘曝光设备之前，晶圆30边缘曝光设备中的调节装置20预先调节到所述晶圆30边缘设定的曝光大小，以节约工艺时间。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
