光刻胶剥离液及剥离装置
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种光刻胶剥离液及剥离装置。
背景技术
目前，光刻胶(photo resist，PR)主要采用对特定光刻胶有溶解能力的光刻胶剥离液进行剥离。一般而言，一基板上95％以上的光刻胶能够在剥离腔室中被除去，但仍有少量的光刻胶以溶解态的形式吸附在所述基板表面或以蒸汽的形式弥散在腔室中。上述吸附在所述基板表面或以蒸汽的形式弥散在腔室中的光刻胶在后续的水洗过程中会快速被稀释，进而析出回粘到所述基板表面，最终会影响TFT器件的品质。
因此，亟需提供一种光刻胶剥离液及剥离装置，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题，提供一种光刻胶剥离液及剥离装置。所述光刻胶剥离液包括化合物A，利用所述化合物A的疏水基和亲水基的特性，能实现溶解所述基板上残留的光刻胶并保障所述光刻胶剥离液能被水洗除去的目的；所述剥离装置通过设置采用本发明所述光刻胶剥离液的过渡单元以及排气装置，能实现剥离水洗的双重效果并能防止药液遇冷回流到基板上。
为了实现上述目的，本发明所述光刻胶剥离液及剥离装置采取以下技术方案。
本发明提供一种光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离药液包括分子量在1000以下的化合物A，所述化合物A的分子结构包括至少一疏水基以及至少一与所述疏水基连接的亲水基；其中，所述亲水基为中性或弱碱性基团，所述疏水基为取代或未取代的直链或支链烷基、环烷基或芳香基。
进一步，所述疏水基选自8-20个碳原子的直链或支链烷烃、8-16个碳原子的环状烷基或8-16个碳原子的苯基中的一种或多种。
进一步，所述亲水基选自氨基、酰胺基、羟基、醚氧基、磺酸基或羧基中的一种或多种。
进一步，所述光刻胶剥离液呈中性或弱碱性。
本发明还提供一种剥离装置，用于去除基板上的光刻胶，所述剥离装置包括剥离单元和水洗单元，所述基板依次进入所述剥离单元和所述水洗单元中进行一次剥离过程和水洗过程，在所述剥离单元和所述水洗单元之间设置一过渡单元，所述过渡单元为对所述基板进行二次剥离过程的场所，并且所述过渡单元内设置有用于二次剥离过程的第二剥离液，所述第二剥离液为任一项所述的光刻胶剥离液。
进一步，所述剥离单元和/或所述过渡单元包括一排气装置，所述排气装置包括：一排气罩，所述排气罩一端部具有一排气口以及环设在所述排气口外围的内凹槽；其中所述排气口用于将所述剥离单元和/或所述过渡单元的药液蒸汽导入所述排气罩内，所述内凹槽用于收集由进入所述排气罩内的药液蒸汽冷凝形成的药液；以及，一导流管道，与所述内凹槽相连通，用于将所述内凹槽内的药液导出。
进一步，所述剥离单元包括用于对所述基板进行一次剥离过程的：第一剥离液，所述第一剥离液与第二剥离液相同。
进一步，所述过渡单元包括：一过渡腔室，用于容纳所述基板并允许所述基板进出；一第二药液槽，用于盛放所述第二剥离液；一入口风刀，用以去除进入所述过渡腔室内的所述基板上的经所述第一剥离过程残留的药液；一喷淋装置，与所述第二药液槽连接，用以向容纳于所述过渡腔室的所述基板喷洒所述第二剥离液；以及，第二出口风刀、用于去除所述基板上残留的所述第二剥离液。
进一步，所述过渡单元还包括入口液刀，所述入口液刀与所述第二药液槽连接，用于向容纳于所述过渡腔室的所述基板喷洒所述第二剥离液。
进一步，所述过渡单元还包括一pH调节装置，所述pH调节装置与所述第二药液槽连接，用于调节所述第二剥离液的pH值。
本发明还提供一种基于任一项所述剥离装置的光刻胶剥离方法，所述光刻胶剥离方法包括以下步骤：
S1、一次剥离过程，所述剥离单元对所述基板进行的光刻胶剥离的过程；
S2、二次剥离过程，用第二剥离液去除所述基板上经所述一次剥离过程后残留的光刻胶的过程；以及，
S3、水洗过程，对所述经过所述二次剥离过程的所述基板进行清洗的过程。
本发明所述光刻胶剥离液及剥离装置具有以下有益效果：
本发明所述光刻胶剥离液包括化合物A，利用化合物A的疏水基能溶解残留的光刻胶，利用化合物亲水基的溶解性能保障其能够被水洗除去，进而实现剥离水洗的双重效果；本发明所述剥离装置通过设置过渡单元并采用本发明所述的光刻胶剥离液能实现对光刻胶的二次剥离过程，能快速溶解在基板表面或以蒸汽形式弥漫在腔室内的残留光刻胶，保障TFT器件品质；本发明所述剥离装置通过排气装置能进一步去除以蒸汽形式弥漫在腔室内的残留光刻胶蒸汽，防止光刻胶遇冷回流影响TFT器件的品质。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明所述剥离装置的示意图。
图2是所述排气装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明提供一种光刻胶剥离液，所述光刻胶剥离液包括一种分子量在1000以下的化合物A，所述化合物A的分子结构包括至少一疏水基以及至少一与所述疏水基连接的亲水基；其中，所述亲水基为中性或弱碱性基团，所述疏水基为取代或未取代的直链或支链烷基、环烷基或芳香基。
具体地，所述疏水基选自8-20个碳原子的直链或支链烷烃、8-16个碳原子的环烷基或8-16个碳原子的苯基中的一种或多种。
具体地，所述亲水基选自氨基、酰胺基、羟基、醚氧基、磺酸基或羧基中的一种或多种。
具体地，所述光刻胶剥离液呈中性或弱碱性。
在具体实施时，所述化合物A选自以下化合物中的一种或多种：
H(CH2)18SO3Na、(OH)3C(CH2)12C(OH)3、
其中，在所述化合物
本发明所述光刻胶剥离液，通过选用化合物A，利用化合物A的疏水基能溶解残留的光刻胶，利用化合物A的亲水基的溶解性能保障所述光刻胶剥离液能够被水洗除去。因而，在利用本发明所述光刻胶剥离液对基板进行光刻胶去除的过程中，本发明所述光刻胶剥离液能实现对所述基板的剥离和水洗的双重功效。
本发明还提供一种剥离装置，所述剥离装置用于去除基板上的光刻胶。图1是本发明所述剥离装置的示意图。如图1所示，所述剥离装置包括剥离单元100、过渡单元200以及水洗单元300。所述剥离单元100为对所述基板进行一次剥离过程的场所，所述过渡单元200为对所述基板进行二次剥离过程的场所，所述水洗单元300为对所述基板进行清洗过程的场所。也就是说，所述基板能依次进入所述剥离单元100、所述过渡单元200以及所述水洗单元300中，进行一次剥离过程、二次剥离过程及水洗过程。
其中，所述过渡单元200内设置有用于对所述基板进行二次剥离过程的第二剥离液，所述第二剥离液为本发明所述的光刻胶剥离液。通过设置所述过渡单元200，能实现去除所述基板上经所述一次剥离过程后的残留的光刻胶以及便于后续水洗过程去除所述第二剥离液的双重效果。
进而，本发明所述剥离装置能实现对基板的一次剥离过程、二次剥离过程和清洗过程，最终能实现对所述基板的剥离和清洗的双重功效。
所述剥离单元100为对所述基板进行一次剥离过程的场所。如图1所示，所述剥离单元包括剥离腔室110、第一药液槽120以及第一出口风刀130。
如图1所示，所述剥离腔室110用于容纳所述基板并允许所述基板进出所述剥离腔室110。也就是说，所述基板能进入所述剥离腔室110内、并在所述剥离腔室110内进行一次剥离过程后能被传送出所述剥离腔室110。在具体实施时，所述剥离腔室110具有允许所述基板进出的进口和出口。
如图1所示，所述第一药液槽120用于盛放用于一次剥离过程的第一剥离液，其中所述第一剥离液能与所述基板上的光刻胶反应，使所述光刻胶被剥离下来。
在具体实施时，所述第一药液槽120通过喷淋管或喷淋装置与所述剥离腔室110连接。或者说，所述第一剥离液通过一喷淋管或一喷淋装置喷洒于容纳于所述剥离腔室110的所述基板上。
其中，所述第一剥离液能选用本领域常用的光刻胶剥离液。也就是说，所述第一剥离液的选用属于本领域的常规技术手段，本发明对此并不做任何限定，只要能达到剥离所述基板上的光刻胶的效果即可。
具体地，所述第一剥离液还能选用本发明所述光刻胶剥离液。也就是说，所述第一剥离液能选用包括本发明所述化合物A的溶液。在具体实施时，所述第一剥离液中所述化合物A的浓度范围在0.001mol/L—10mol/L范围内，以便于保障更好的剥离效果。
如图1所示，所述第一出口风刀130安装于所述剥离腔室110的出口处，用于去除所述基板经所述一次剥离过程后残留的第一剥离液。详细地说，所述第一出口风刀130的气流吹向即将传送出所述剥离腔室110的基板，以去除所述基板经第一剥离过程后残留的第一剥离液，以防止所述第一剥离液会影响后续的二次剥离过程。
在具体实施时，所述剥离装置能根据实际需求一次设置多个所述剥离单元100以保障所述基板的光刻胶剥离效果。
所述过渡单元200为对所述基板进行二次剥离过程的场所。如图1所示，所述过渡单元200包括过渡腔室210、入口风刀220、第二药液槽230、入口液刀240、喷淋装置250、第二出口风刀260以及pH调节装置270。
其中所述过渡腔室210用于容纳所述基板并允许所述基板进出。具体地，所述基板在所述过渡腔室210内进行二次剥离过程。
在具体实施时，所述过渡腔室210包括用于允许所述基板通过的进口和出口，并且所述过渡腔室210的进口与所述剥离腔室110的出口对应设置，以便于所述基板由所述剥离腔室110的穿出后能直接进入所述过渡腔室210内，以便于所述基板的运送。
如图1所示，所述入口风刀220设置在所述过渡腔室210的进口处，用于去除进入所述过渡腔室210内的基板经一次剥离过程后残留的药剂或药液。也就是说，所述基板在由剥离腔室110进入所述过渡腔室210后，所述入口风刀220作用于所述基板，以进一步去除经一次剥离过程后所述基板上残留的第一剥离液，从而避免一次剥离过程的第一剥离液会影响二次剥离过程。
如图1所示，所述第二药液槽230用于盛放第二剥离液。在基板进入所述过渡腔室210后，所述第二剥离液被喷洒向所述基板进行二次剥离过程，以使所述第二剥离液能够溶解所述基板上经一次剥离过程后残留的光刻胶。
其中所述第二剥离液为本发明所述光刻胶剥离液。也就是说，所述第二剥离液为包括本发明所述化合物A的溶液。
在所述二次剥离过程中，所述化合物A的疏水基能溶解光刻胶，所述化合物A的亲水基的溶解性能保障所述第二剥离液能够被水洗除去。也就是说，所述过渡单元200通过采用本发明所述的光刻胶剥离液能实现对所述基板上的经一次剥离过程后残留的光刻胶的进一步溶解和去除，同时能保障所述二次剥离液能很好地被后续的水洗过程除去，从而能较好保证TFT器件品质。
具体地，所述第二剥离液呈中性或弱碱性。一般而言，所述第一剥离液遇水呈碱性，通过调控所述第二剥离液的pH，能防止所述第二剥离液与所述第一剥离液发生酸碱中和的热效应，会损伤TFT基板。
在具体实施时，所述第二剥离液中所述化合物A质量含量为95％以上或者将所述第二剥离液中所述化合物A的摩尔浓度维持在0.001mol/L—10mol/L范围内。在具体实施时，所述第二剥离液能采用助溶剂对所述化合物A进行溶解，所述助溶剂包括但不限于以下化合物，例如NMF、DMSO或H2O。
如图1所示，所述入口液刀240和所述喷淋装置250设置在所述过渡腔室210内，并分别与所述第二药液槽230流体连接，用于向位于所述过渡腔室210内的基板喷洒所述第二剥离液。也就是说，所述入口液刀240和所述喷淋装置250在基板进入所述过渡腔室210后，能将所述第二剥离液输送到剥离腔室210内并喷洒向所述基板。
其中，所述入口液刀240设置在所述过渡腔室210的进口处，并且所述入口液刀240相对所述入口风刀220更靠近所述过渡腔室210的出口。所述喷淋装置250设置在所述入口液刀240的靠近所述过渡腔室210的出口的一侧。在具体实施时，所述入口液刀240和所述喷淋装置250分别与所述第二药液槽230管道连接。
如图1所示，所述第二出口风刀260设置在所述过渡腔室210的出口处，用于去除所述基板经所述二次剥离过程后残留的第二剥离液。
如图1所示，所述pH调节装置270与所述第二药液槽230连接，用于检测并调节所述第二剥离液的pH。通过设置所述pH调节装置270，能将所述第二剥离液的pH维持在合适范围内，以防止所述第二剥离液碱性增强会损伤TFT基板。在本实施例中，通过设置所述pH调节装置270能将所述第二剥离液维持在中性或弱碱性。
在本实施例中，所述pH调节装置270包括pH检测器和自动补酸仪。
如图1所示，所述水洗单元300为对所述基板进行水洗过程的场所。在本实施例中，所述水洗单元300设置在所述过渡单元200的与所述剥离单元100相对的一侧。所述水洗单元300包括进行水洗过程的水洗腔室310和用于盛放水洗液的第三药液槽320。其中所述第三药液槽320与所述水洗腔室310流体连接。其中所述水洗液的选用属于本领域的常规技术手段，本发明对此并不做任何限定，只要能达到水洗的效果即可。
具体地，所述剥离单元100和/或所述过渡单元200包括一排气装置30,通过设置所述排气装置30能去除所述剥离单元100和/或所述过渡单元200内残留的第一剥离液蒸汽或第二剥离液蒸汽。
如图1所示，在本实施例中，所述剥离单元100和所述过渡单元200分别包括第一排气装置140和第二排气装置280。
其中，所述第一排气装置140设置于所述剥离腔室110靠近其第一出口风刀130处。所述第二排气装置280设置在所述过渡腔室210的靠近所述第二出口风刀260处。
图2是所述排气装置的结构示意图。如图2所示，所述排气装置包括一排气罩31和一导流管道34。
如图2所示，所述排气罩31的一端部具有一排气口32以及环设在所述排气口32外围的内凹槽33。其中所述排气口32用于所述排气罩31与所述剥离腔室110或所述过渡腔室210的连通，用于将所述剥离腔室110或所述过渡腔室210内的第一剥离液蒸汽或第二剥离液蒸汽导入所述排气罩内31内。所述内凹槽33用于收集由进入所述排气罩31内的蒸汽冷凝形成的药液。
请继续参考图2，所述导流管道34与所述内凹槽33相连通，用于将所述内凹槽33的所述药液导出。
通过设置所述具有内凹槽33的排气装置30，能防止所述第一剥离液蒸汽或第二剥离液蒸汽冷凝并回滴到所述基板上，能进一步保障TFT器件的品质。
请续见图2，在本实施例中，所述排气罩31的一端面上形成有一排气口32和环设在所述排气口32外围的阻隔部35，其中所述阻隔部35与所述排气罩31的所述端面和侧壁形成内凹槽33，所述导流管道34与所述内凹槽33相连通。
本发明还提供一种基于以上所述剥离装置的光刻胶剥离方法，所述光刻胶剥离方法包括以下步骤：
S1、一次剥离过程，所述剥离单元100对所述基板进行的光刻胶剥离的过程；
S2、二次剥离过程，用第二剥离液去除所述基板上经所述一次剥离过程后残留的光刻胶；以及，
S3、水洗过程，对所述经过所述二次剥离过程的所述基板进行清洗的过程。
具体地，所述剥离单元100内设置有第一剥离液，所述剥离单元100通过所述第一剥离液对所述基板进行一次剥离。
本发明所述光刻胶剥离方法通过对所述基板依次进行一次剥离过程、二次剥离过程及水洗过程，能实现对所述基板的剥离和水洗的双重作用。特别是在二次剥离过程中，通过采用本发明所述光刻胶剥离药液，能进一步去除基板经一次剥离过程后残留的光刻胶及预水洗的效果，并能保障后续的水洗过程能去除所述第二剥离液。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的光刻胶剥离液及剥离装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
