壳体及其制备方法、电子设备
技术领域
本申请属于壳体制造技术领域，具体涉及壳体及其制备方法、电子设备。
背景技术
随着电子设备的不断发展，由于电子设备的便携性以及丰富多样的操作性，现已备受广大用户的喜赖。但同时用户对电子设备的期望值与要求也越来越高。例如，目前电子设备的壳体仅进行最基本的冲压工艺或切割工艺，将壳体最基本的形状加工出来，但对于壳体的外观形貌与机械性能并没有进行深入的研究，因此壳体的外观性能与机械性能均较差。
发明内容
鉴于此，本申请第一方面提供了一种壳体的制备方法，所述制备方法包括：
提供金属陶瓷基体；
对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻，以使蚀刻后的所述金属陶瓷基体包括层叠相连接的支撑层与纹理层；以及
在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层。
本申请第一方面提供的制备方法，通过在蚀刻后的金属陶瓷基体上形成外观保护层，即在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层，首先，外观保护层的设置可使得壳体表面具有各种各样的颜色，使得壳体表面即拥有纹理效果，又具有陶瓷手感，而且还不会丧失壳体本身的质感，提高了壳体的外观性能。其次，由于蚀刻后会导致金属陶瓷基体的厚度减薄，因此外观保护层的设置还可提高壳体表面的硬度、耐磨性、以及化学稳定性等等，提高了壳体的机械性能。
本申请第二方面提供了一种壳体，所述壳体包括：
金属陶瓷基体，所述金属陶瓷基体包括层叠相连接的支撑层与纹理层；
外观保护层，所述外观保护层设于所述纹理层背离所述支撑层的一侧。
本申请第二方面提供的壳体，通过在纹理层背离支撑层的一侧增设外观保护层，首先，外观保护层的设置可使得壳体表面具有各种各样的颜色，使得壳体表面即拥有纹理效果，又具有陶瓷手感，而且还不会丧失壳体本身的质感，提高了壳体的外观性能。其次，由于蚀刻后会导致金属陶瓷基体的厚度减薄，因此外观保护层的设置还可提高壳体表面的硬度、耐磨性、以及化学稳定性等等，提高了壳体的机械性能。
本申请第三方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括显示屏，主板，以及如本申请第二方面提供的壳体，所述显示屏设于所述壳体上，所述主板设于所述壳体内，且所述显示屏电连所述主板。
本申请第三方面提供的电子设备，通过采用本申请第二方面提供的壳体，可使得电子设备即具有优异的外观性能，又具有优异的机械性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请第一实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图2为本申请第二实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图3为本申请第三实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图4为本申请第四实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图5为本申请第五实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图6为本申请第六实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图7为本申请第七实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图8为本申请第八实施方式提供的制备方法的工艺流程图。
图9为本申请第九实施方式提供的壳体的示意图。
图10为本申请第十实施方式提供的壳体的示意图。
图11为本申请第十一实施方式提供的壳体的示意图。
图12为本申请第十二实施方式提供的电子设备的示意图。
标号说明：
壳体-1，电子设备-2，显示屏-3，主板-4，金属陶瓷基体-10，支撑层-11，纹理层-12，通孔-13，第一端-14，第二端-15，外观保护层-20，外观保护部-21，第一子外观保护部-22，第二子外观保护部-23。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
请参考图1，图1为本申请第一实施方式提供的制备方法的工艺流程图。本实施方式提供了一种壳体的制备方法，所述制备方法包括S100，S200，S300。其中，S100，S200，S300的详细介绍如下。
S100，提供金属陶瓷基体。
金属陶瓷基体具有高强度、高光泽、高断裂韧性以及优异的隔热性能以及耐高温性能等属性，作为手机、平板等电子结构件被广泛的应用于后盖、中框等领域，受到了消费者的普遍欢迎。可选地，所述金属陶瓷基体包括氧化铝、氧化锆、以及氮化锆中的任意一种或多种的组合。
S200，对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻，以使蚀刻后的所述金属陶瓷基体包括层叠相连接的支撑层与纹理层。
本申请首先在金属陶瓷基体的表面进行蚀刻，蚀刻即为通过各种蚀刻方法将金属陶瓷基体表面的部分材料去除，从而在金属陶瓷基体表面形成凹槽或凹坑，使得金属陶瓷基体表面形成各种各样的纹理结构，最终使得蚀刻后的所述金属陶瓷基体包括层叠相连接的支撑层与纹理层，纹理层即蚀刻的层结构，而支撑层即为未蚀刻的层结构。
S300，在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层。
然而当金属陶瓷基体蚀刻后，会降低蚀刻区域的金属陶瓷基体的厚度，从而使壳体的硬度、强度等机械性能下降。并且金属陶瓷基体的外观颜色通常较为单调，无法满足用户的需求。所以，本申请通过在蚀刻后的金属陶瓷基体上形成外观保护层，即在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层，首先，外观保护层的设置可使得壳体表面具有各种各样的颜色，使得壳体表面即拥有纹理效果，又具有陶瓷手感，而且还不会丧失壳体本身的质感，提高了壳体的外观性能。其次，由于蚀刻后会导致金属陶瓷基体的厚度减薄，因此外观保护层的设置还可提高壳体表面的硬度、耐磨性、以及化学稳定性等等，提高了壳体的机械性能。本申请提供的制备方法，工艺简单，可同时提高壳体的外观性能以及机械性能。
请一并参考图2，图2为本申请第二实施方式提供的制备方法的工艺流程图。本实施方式中，S100“提供金属陶瓷基体”包括S110，S120，S130，S140。其中，S110，S120，S130，S140的详细介绍如下。
S110，提供原料，所述原料包括金属陶瓷粉末与粘结剂，所述金属陶瓷粉末的质量分数为70-99％，所述粘结剂的质量分数为1-30％。
S120，将所述原料进行排胶处理。
S130，将排胶后的所述原料进行烧结，在烧结的过程中，烧结温度为1200-2000℃，烧结时间为0.5-10h。
S140，将烧结后的所述原料进行切割与打磨。
本申请可先提供一定质量的金属陶瓷粉末与粘结剂，其中金属陶瓷粉末为金属陶瓷基体的主要成分，而粘结剂主要用于将金属陶瓷粉末粘结在一起。所述金属陶瓷粉末包括氧化铝、氧化锆、以及氮化锆中的任意一种或多种的组合，所述粘结剂包括石蜡、聚乙二醇、硬脂酸、邻苯二甲酸二辛脂、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲醛中的任意一种或多种的组合。可选地，所述金属陶瓷粉末的纯度大于或等于99.99％。
再将原料进行排胶处理，以将原料当中的有机物排除干净，以保证产品的形状、尺寸和质量的要求。可选地，排胶的温度为400-800℃，排胶的时间为0.5-4h。随后将有机物已排出干净的原料进行烧结，烧结出金属陶瓷基体的大致形状。可选地，烧结温度为1400-1800℃，烧结时间为1-8h。进一步可选地，烧结温度为1500-1700℃，烧结时间为3-6h。最后再将烧结后的原料进行切割和打磨，以得到金属陶瓷基体。
请一并参考图3，图3为本申请第三实施方式提供的制备方法的工艺流程图。本实施方式中，S200“对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻”包括S210。其中，S210的详细介绍如下。
S210，采用激光雕刻法或湿蚀刻法对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻。
本申请可采用干蚀刻法或湿蚀刻法来对金属陶瓷基体的表面进行蚀刻。其中，湿蚀刻法为采用溶液来腐蚀金属陶瓷基体的局部表面，从而使金属陶瓷基体的表面形成各种各样的纹理。可选地，可选用氢氟酸溶液来对金属陶瓷基体的表面进行蚀刻。另外，当采用干蚀刻法时，可采用激光雕刻法来对金属陶瓷基体的表面进行蚀刻。激光雕刻法即利用激光器发出的高能激光束，当激光束辐照到金属陶瓷基体表面时，会使其局部瞬间融化甚至气化，熔融物在膨胀诱导反冲力的作用下喷出，实现材料逐层去除，最终在金属陶瓷基体表面形成各种纹理结构。具体的激光雕刻方法请参考下文。
请一并参考图4，图4为本申请第四实施方式提供的制备方法的工艺流程图。当采用激光雕刻法时，S200“对所述金属陶瓷基体的表面进行蚀刻”包括S220，S230。其中，S220，S230的详细介绍如下。
S220，对所述金属陶瓷基体进行预清洗。
S230，对预清洗后的所述金属陶瓷基体进行激光雕刻，在激光雕刻的过程中，激光直径为0.02-0.1mm，激光功率为30-100w，搭接率为60-80％。
当采用激光雕刻法时，可先对金属陶瓷基体进行预清洗，以清除金属陶瓷基体表面的油污以及杂质。可选地，将金属陶瓷基体放入含有草酸的溶液中进行超声清洗，且超声清洗的时间为1-5min。随后再对预清洗后的所述金属陶瓷基体进行激光雕刻，以在金属陶瓷基体表面雕刻出预设的纹理图案。可选地，激光器选择二氧化碳激光器，激光直径为0.02-0.1mm，激光功率为30-100w，搭接率为60-80％，纹理间隔为30-500μm。
请一并参考图5，图5为本申请第五实施方式提供的制备方法的工艺流程图。在S230“对预清洗后的所述金属陶瓷基体进行激光雕刻”之后，还包括S240。其中，S240的详细介绍如下。
S240，将激光雕刻后的所述金属陶瓷基体进行退火处理，在退火处理的过程中，退火温度为800-1000℃，保温时间为50-70min。
从上述内容可知，当激光雕刻后，由于在金属陶瓷基体的至少部分表面会形成纹理结构，因此形成纹理结构对应的金属陶瓷基体的厚度就会减薄，进而导致该部分的金属陶瓷基体的强度，硬度等机械性能的下降。因此，本申请将激光雕刻后的所述金属陶瓷基体进行退火处理，其中，退火可消除金属陶瓷基体在激光雕刻时产生的各种缺陷，以及残余应力，提高金属陶瓷基体的硬度与强度，使激光雕刻后金属陶瓷基体的机械性能提高。可选地，在退火处理的过程中，将炉内温度从室温以3-5℃/min的升温速率升至800-1000℃，退火温度为800-1000℃，保温时间为50-70min。
请一并参考图6，图6为本申请第六实施方式提供的制备方法的工艺流程图。S300“在所述纹理层背离所述支撑层的一侧形成外观保护层”包括S310，S320，S330，S340。其中，S310，S320，S330，S340的详细介绍如下。
S310，将蚀刻后的所述金属陶瓷基体置入磁控溅射炉中并进行预热与抽真空。
S320，依次采用辉光清洗法和第一离子束清洗法对预热后的所述金属陶瓷基体进行清洗。
S330，采用第二离子束清洗法对靶材进行清洗。
S340，采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部，每组所述外观保护部包括层叠设置的第一子外观保护部与第二子外观保护部，且所述第一子外观保护部相较于所述第二子外观保护部靠近所述纹理层设置。
本申请可采用磁控溅射法来形成外观保护层，其中磁控溅射法形成的外观保护层更为致密，可使壳体更具有陶瓷手感，并且不丧失不丧失陶瓷本身的质感。首先，可先将蚀刻后的金属陶瓷基体放入磁控溅射炉中，先将蚀刻后的所述金属陶瓷基体进行预热，以将陶瓷样品表面杂质气体释放，并通过抽真空排出，避免在镀膜过程中释放而影响镀膜层的纯度，影响膜层结合力及耐磨性，可选地，预热温度为80-100℃，预热时间为10-20min。随后进行抽真空操作。可选地，抽真空的时间为30-40min，以将炉内真空度小于或等于2-5*10-3Pa。真空环境越高，镀膜层的纯度越高，对膜层的增透效果越明显，且色相上发黄的效果更弱。其次，依次采用辉光清洗法和第一离子束清洗法对预热后的所述金属陶瓷基体进行清洗，以将金属陶瓷基体表面的细小杂质去除。再采用第二离子束清洗法对靶材进行清洗，以将靶材表面的杂质去除。最终采用磁控溅射法形成交替层叠的外观保护层。可选地，第一子外观保护部包括二氧化硅或氧化钛等等。第二子外观保护部包括氧化钛或二氧化硅等等。
请一并参考图7，图7为本申请第七实施方式提供的制备方法的工艺流程图。S340“采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部”包括S341，S342。其中，S341，S342的详细介绍如下。
S341，在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积第一子外观保护部。
S342，在所述第一子外观保护部背离所述支撑层的一侧沉积第二子外观保护部。
本申请为了形成交替层叠的外观保护层，可先沉积第一子外观保护部，随后在第一子外观保护部的表面沉积第二子外观保护部。再在第二子外观保护部的表面沉积第一子外观保护部，按照上述规律依次进行沉积，最后形成交替层叠的外挂保护层。
请一并参考图8，图8为本申请第八实施方式提供的制备方法的工艺流程图。所述纹理层与所述支撑层上开设有通孔，所述纹理层包括相对的第一端与第二端，所述通孔靠近所述第一端设置，S340“采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积多组层叠设置的外观保护部”包括S343。其中，S343的详细介绍如下。
S343，从所述第一端到所述第二端的方向沉积所述外观保护部，且在沉积的过程中逐渐增加沉积时间。
所述纹理层与所述支撑层上开设有通孔，其中通孔可用于后续装设摄像头模组。本申请可从所述第一端到所述第二端的方向沉积所述外观保护部，且在沉积的过程中逐渐增加沉积时间。由于外观保护层的厚度与沉积时间呈正比，沉积时间越长，形成的外观保护层越厚。因此本申请首先可形成膜厚逐渐变化的外观保护层，以形成渐变的颜色，或者形成七彩的颜色。另外，本申请靠近通孔的第一端膜厚较小，远离通过的第一端膜厚较厚，并且通常摄像头模组会突出通孔一部分高度，这样就可就可使得电子设备的背面变得更加平整。
除了上述提供的壳体的制备方法，本申请还提供了一种壳体。本申请实施方式提供的壳体的制备方法及壳体都可以达到本申请的技术效果，二者可以一起使用，当然也可以单独使用，本申请对此没有特别的限制。例如，作为一种实施方式，可以使用上文提供的壳体的制备饭方法来制备下文提到的壳体。
请参考图9，图9为本申请第九实施方式提供的壳体的示意图。本实施方式提供了一种壳体1，所述壳体1包括金属陶瓷基体10与外观保护层20。其中，所述金属陶瓷基体10包括层叠相连接的支撑层11与纹理层12。所述外观保护层20设于所述纹理层12背离所述支撑层11的一侧。
本申请提供的壳体1，通过在纹理层12背离支撑层11的一侧增设外观保护层20，首先，外观保护层20的设置可使得壳体1表面具有各种各样的颜色，使得壳体1表面即拥有纹理效果，又具有陶瓷手感，而且还不会丧失壳体1本身的质感，提高了壳体1的外观性能。其次，由于蚀刻后会导致金属陶瓷基体10的厚度减薄，因此外观保护层20的设置还可提高壳体1表面的硬度、耐磨性、以及化学稳定性等等，提高了壳体1的机械性能。
请一并参考图10，图10为本申请第十实施方式提供的壳体的示意图。本实施方式中，所述外观保护层20包括多组层叠设置的外观保护部21，每组所述外观保护部21包括层叠设置的第一子外观保护部22与第二子外观保护部23，且所述第一子外观保护部22相较于所述第二子外观保护部23靠近所述纹理层12设置。本申请可设置多组层叠设置的第一子外观保护部22与第二子外观保护部23，从而进一步提高壳体1的外观的颜色效果以及机械性能。
请一并参考图11，图11为本申请第十一实施方式提供的壳体的示意图。本实施方式中，所述金属陶瓷基体10上设有通孔13，所述金属陶瓷基体10包括相对设置的第一端14与第二端15，且所述通孔13靠近所述第一端14设置，从所述第一端14到所述第二端15的方向上所述外观保护层20的厚度逐渐增加。
所述纹理层12与所述支撑层11上开设有通孔13，其中通孔13可用于后续装设摄像头模组。本申请可使从第一端14到第二端15的方向上使外观保护层20的厚度逐渐增加。因此本申请首先可形成膜厚逐渐变化的外观保护层20，以形成渐变的颜色，或者形成七彩的颜色。另外，本申请靠近通孔13的第一端14膜厚较小，远离通过的第一端14膜厚较厚，并且通常摄像头模组会突出通孔13一部分高度，这样就可就可使得电子设备2的背面变得更加平整。
请参考图12，图12为本申请第十二实施方式提供的电子设备的示意图。本实施方式提供了一种电子设备2，所述电子设备2包括显示屏3，主板4，以及如本申请上述的壳体1，所述显示屏3设于所述壳体1上，所述主板4设于所述壳体1内，且所述显示屏3电连所述主板4。
本申请提供的电子设备2，通过采用本申请第二方面提供的壳体1，可使得电子设备2即具有优异的外观性能，又具有优异的机械性能。
下面将通过多个实施例来进一步对本发明实施方式进行说明。
实施例1：
提供原料，原料包括9kg氧化铝金属陶瓷粉末与1kg聚乙二醇粘结剂，将氧化铝粉末与聚乙二醇充分混合均匀。
将混合后的原料放到排胶箱中进行排胶，排胶的温度为600℃，排胶的时间为2h。排胶后检查原料无扭曲变形、无开裂、无异色等问题。
将排胶后的原料放入烧结炉中，在氮气中进行烧结。烧结温度为1500℃，烧结时间为5h。
将烧结后的原料进行CNC加工与打磨抛光，得到金属陶瓷基体。
将金属陶瓷基体放置于超声波清洗机的清洗槽内，超声波清洗机的清洗槽内注入有草酸与超纯水所组成的清洗液，启动超声波清洗机进行超声波清洗，超声波清洗时间为3min。随后进行纯浸泡喷淋、烘干，待金属陶瓷基体表面清洁完毕后待用。
将预清洗后的金属陶瓷基体放入激光雕刻器的工作台上，并对金属陶瓷基体进行激光雕刻，以在金属陶瓷基体上行雕刻出预设图案。在激光雕刻的过程中，激光器选择二氧化碳激光器，激光直径为0.06mm，激光功率为65w，搭接率为70％，雕刻深度为260μm，纹理间隔为260μm。
将激光雕刻后的金属陶瓷基体放入到加热炉中进行退火处理。在退火处理的过程中，将炉内温度从室温以4℃/min的升温速率升至900℃。退火温度为900℃，保温时间为60min。随后将炉内温度逐渐降至室温，再将退火后的金属陶瓷基体依次进行超声清洗和烘干，得到初始壳体。
将初始壳体依次用去油洗液、有机溶剂、超声波去离子水进行清洗，清洗结束后人工擦拭然后迅速干燥吹干。
将清洗后的初始壳体置入磁控溅射炉中并进行预热。其中预热温度为90℃，预热时间为15min。随后对炉内进行抽真空操作，抽真空的时间为35min，以将炉内真空度小于或等于3.5*10-3Pa。
通入氩气，开启脉冲偏压电源，采用辉光清洗法对预热后的初始壳体进行进行清洗。
通入少量氩气，开启金属靶材，关闭靶材屏蔽罩，采用第二离子束清洗法对金属靶材进行清洗。
关闭磁控靶材，开启弧靶电源，关闭屏蔽罩，开启吸极电源，采用第一离子束清洗法对初始壳体进行清洗，清洗时间为5-10min。
开启磁控溅射靶材，打开磁控靶材屏蔽罩，通入氧气，采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积外观保护层。当沉积结束后，将炉内温度冷却至室温，取出膜片，使炉体恢复真空。
实施例2：
提供原料，原料包括9kg氧化铝金属陶瓷粉末与1kg聚乙二醇粘结剂，将氧化铝粉末与聚乙二醇充分混合均匀。
将混合后的原料放到排胶箱中进行排胶，排胶的温度为400℃，排胶的时间为4h。排胶后检查原料无扭曲变形、无开裂、无异色等问题。
将排胶后的原料放入烧结炉中，在氧气中进行烧结。烧结温度为1200℃，烧结时间为10h。
将烧结后的原料进行CNC加工与打磨抛光，得到金属陶瓷基体。
将金属陶瓷基体放置于超声波清洗机的清洗槽内，超声波清洗机的清洗槽内注入有草酸与超纯水所组成的清洗液，启动超声波清洗机进行超声波清洗，超声波清洗时间为5min。随后进行纯浸泡喷淋、烘干，待金属陶瓷基体表面清洁完毕后待用。
将预清洗后的金属陶瓷基体放入激光雕刻器的工作台上，并对金属陶瓷基体进行激光雕刻，以在金属陶瓷基体上行雕刻出预设图案。在激光雕刻的过程中，激光器选择二氧化碳激光器，激光直径为0.02mm，激光功率为30w，搭接率为60％，雕刻深度为30μm，纹理间隔为30-μm。
将激光雕刻后的金属陶瓷基体放入到加热炉中进行退火处理。在退火处理的过程中，将炉内温度从室温以3℃/min的升温速率升至800℃。退火温度为800℃，保温时间为70min。随后将炉内温度逐渐降至室温，再将退火后的金属陶瓷基体依次进行超声清洗和烘干，得到初始壳体。
将初始壳体依次用去油洗液、有机溶剂、超声波去离子水进行清洗，清洗结束后人工擦拭然后迅速干燥吹干。
将清洗后的初始壳体置入磁控溅射炉中并进行预热。其中预热温度为80℃，预热时间为20min。随后对炉内进行抽真空操作，抽真空的时间为40min，以将炉内真空度小于或等于2*10-3Pa。
通入氩气，开启脉冲偏压电源，采用辉光清洗法对预热后的初始壳体进行进行清洗。
通入少量氩气，开启金属靶材，关闭靶材屏蔽罩，采用第二离子束清洗法对金属靶材进行清洗。
关闭磁控靶材，开启弧靶电源，关闭屏蔽罩，开启吸极电源，采用第一离子束清洗法对初始壳体进行清洗，清洗时间为5-10min。
开启磁控溅射靶材，打开磁控靶材屏蔽罩，通入氧气，采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积外观保护层。当沉积结束后，将炉内温度冷却至室温，取出膜片，使炉体恢复真空。
实施例3：
提供原料，原料包括9kg氧化铝金属陶瓷粉末与1kg聚乙二醇粘结剂，将氧化铝粉末与聚乙二醇充分混合均匀。
将混合后的原料放到排胶箱中进行排胶，排胶的温度为800℃，排胶的时间为0.5h。排胶后检查原料无扭曲变形、无开裂、无异色等问题。
将排胶后的原料放入烧结炉中，在氢气中进行烧结。烧结温度为2000℃，烧结时间为0.5h。
将烧结后的原料进行CNC加工与打磨抛光，得到金属陶瓷基体。
将金属陶瓷基体放置于超声波清洗机的清洗槽内，超声波清洗机的清洗槽内注入有草酸与超纯水所组成的清洗液，启动超声波清洗机进行超声波清洗，超声波清洗时间为1min。随后进行纯浸泡喷淋、烘干，待金属陶瓷基体表面清洁完毕后待用。
将预清洗后的金属陶瓷基体放入激光雕刻器的工作台上，并对金属陶瓷基体进行激光雕刻，以在金属陶瓷基体上行雕刻出预设图案。在激光雕刻的过程中，激光器选择二氧化碳激光器，激光直径为0.1mm，激光功率为100w，搭接率为80％，雕刻深度为500μm，纹理间隔为500μm。
将激光雕刻后的金属陶瓷基体放入到加热炉中进行退火处理。在退火处理的过程中，将炉内温度从室温以5℃/min的升温速率升至1000℃。退火温度为1000℃，保温时间为50min。随后将炉内温度逐渐降至室温，再将退火后的金属陶瓷基体依次进行超声清洗和烘干，得到初始壳体。
将初始壳体依次用去油洗液、有机溶剂、超声波去离子水进行清洗，清洗结束后人工擦拭然后迅速干燥吹干。
将清洗后的初始壳体置入磁控溅射炉中并进行预热。其中预热温度为100℃，预热时间为10min。随后对炉内进行抽真空操作，抽真空的时间为30min，以将炉内真空度小于或等于5*10-3Pa。
通入氩气，开启脉冲偏压电源，采用辉光清洗法对预热后的初始壳体进行进行清洗。
通入少量氩气，开启金属靶材，关闭靶材屏蔽罩，采用第二离子束清洗法对金属靶材进行清洗。
关闭磁控靶材，开启弧靶电源，关闭屏蔽罩，开启吸极电源，采用第一离子束清洗法对初始壳体进行清洗，清洗时间为5-10min。
开启磁控溅射靶材，打开磁控靶材屏蔽罩，通入氧气，采用磁控溅射法在所述纹理层背离所述支撑层的一侧沉积外观保护层。当沉积结束后，将炉内温度冷却至室温，取出膜片，使炉体恢复真空。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
