自流平低膨胀釉浆组合物
技术领域
本发明涉及的是一种硅酸盐材料制备领域的技术，具体是一种自流平低膨胀釉浆组合物。
背景技术
瓷绝缘子是电力设施中的绝缘和输送电导体承载关键设备，瓷绝缘子表面长期堆积大气污秽情况下，往往发生污秽放电危害，影响电力输送安全。传统瓷绝缘子釉表面虽然表象光滑，但是实际存在不易目测的釉面波纹，这些波纹是釉面积污的主要原因。同时瓷绝缘子表面釉应有压缩釉性能，以极大提高瓷绝缘子的机电强度，因此，需要表面釉的膨胀率小于瓷材料本体的膨胀率，釉及瓷的膨胀率差距越大对于提高瓷绝缘子机电强度和抗长期老化性能越有利。然而目前釉的流动度与膨胀率无法兼顾，不易制得流动性好同时膨胀率低的瓷釉材料。
例如申请号为CN201911052494.7的中国发明专利申请，虽然采用有机改性膨润土提高釉面质量以及通过纳米氮化硼等改善釉料流动性，但是两者的加工成本均较高。
为了解决现有技术存在的上述问题，本发明由此而来。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足，提出了一种自流平低膨胀釉浆组合物，通过添加氧化硼以及低离子半径金属氧化物以替代部分黏土，降低氧化铝含量，兼顾了釉料的流动性和膨胀率。
本发明按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；
低离子半径金属氧化物包括氧化镁、氧化锂和氧化钠中至少一种。
优选地，低离子半径金属氧化物中氧化镁、氧化锂和氧化钠的重量比例为1～3:1～3:0.5～1。
优选地，釉浆的流动度不小于70mm，可自行在施釉表面流平和坯件表面基层渗透分布。
优选地，釉浆与坯件烧结，烧结温度为1250℃～1300℃，得到瓷釉，瓷釉膨胀率≤0.20％。
技术效果
与现有技术相比，本发明添加大量低膨胀率、高流动性的原材料，特别是氧化镁，以取代部分氧化铝，从而提高了釉浆流动度，实现釉浆自流平，避免烧结后釉面产生波纹，提高了釉面光洁度；烧结后釉面憎水，不易积存污秽，提高绝缘子自洁性和耐污染能力。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细描述。实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件进行。
实施例1
本实施例涉及一种自流平低膨胀釉浆组合物，按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；
低离子半径金属氧化物包括重量比例1:3:1的氧化镁、氧化锂和氧化钠。
经测试，釉浆的流动度达70mm，在1250℃下与坯件烧结得到瓷绝缘子，瓷绝缘子中瓷釉膨胀率为0.20％。
实施例2
本实施例涉及一种自流平低膨胀釉浆组合物，按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；
低离子半径金属氧化物包括重量比例1:1:1的氧化镁、氧化锂和氧化钠。
经测试，釉浆的流动度达72mm，在1265℃下与坯件烧结得到瓷绝缘子，瓷绝缘子中瓷釉膨胀率为0.18％。
实施例3
本实施例涉及一种自流平低膨胀釉浆组合物，按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；
低离子半径金属氧化物包括重量比例3:1:0.7的氧化镁、氧化锂和氧化钠。
经测试，釉浆的流动度达75mm，在1285℃下与坯件烧结得到瓷绝缘子，瓷绝缘子中瓷釉膨胀率为0.19％。
需要强调的是：以上仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
