具有逃气结构的铜箔

具有逃气结构的铜箔

　　技术领域

　　本实用新型涉及一种具有逃气结构的铜箔，尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔。

　　背景技术

　　铜箔与陶瓷形成复合式基板的方式为直接铜接合技术(简称DCB，Direct CopperBonding或简称DBC，Direct Bonding Copper)，主要是将含有氧化铜层的铜箔贴合于具氧化物表层的陶瓷基板表面，在1065～1083℃温度下于真空炉中共晶烧结，铜箔将直接键合于陶瓷基板表面。早期为使用干式制程，系将铜箔至于真空炉中，使铜箔在氧元素气氛下表面生成氧化铜，接着将含有氧化铜层的铜箔贴合于具氧化物表层的陶瓷基板表面，在1065～1083℃温度下于真空炉中共晶烧结，铜箔将直接键合于陶瓷基板表面，此种作法铜箔两面都会形成氧化铜，不利铜箔单面与陶瓷基板共晶键合。现阶段，氧化铜层的铜箔为湿式制程，利用药水让铜箔能单面形成氧化铜层。

　　然而，不论是何种氧化铜层的形成方式，氧化铜层内都会形成有许多细小的空隙在共晶烧结时会因共晶液相的流动能力较差，使空隙中的气体无法排出，造成复合式基板制成后，铜箔与陶瓷之间夹杂许多气隙，除了会使热传导能力下降外，也会使结合强度降低。

　　实用新型内容

　　本实用新型的目的在于：提供一种具有逃气结构的铜箔，解决现有技术中存在的上述技术问题。

　　为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

　　一种具有逃气结构的铜箔，尤指使用于复合式基板中与陶瓷共晶键合的铜箔，其特征在于：该铜箔具有基层以及形成于基层表面的氧化铜膜层，并在氧化铜膜层上凹设置有复数个逃气空间。

　　本实用新型的主要优点乃在于，利用铜箔表面的氧化铜膜层上所凹设的逃气空间，让铜箔与陶瓷基板共晶键合时，增加共晶液相的流动能力，降低复合式基板制成时，铜箔与陶瓷之间所夹杂的气隙数量，大幅提升复合式基板的热传导能力以及结合强度。

　　附图说明

　　图1是本实用新型的剖面图。

　　图2是本实用新型的局部剖面图。

　　图3是本实用新型与陶瓷基板共晶键合的剖面图。

　　图4是本实用新型于基层表面设置遮蔽区的剖面图。

　　图5是本实用新型基层表面形成氧化铜膜层的剖面图。

　　附图标记说明：1-铜箔；11-基层；12-氧化铜膜层；13-逃气空间；2-陶瓷基板；3-遮蔽区。

　　具体实施方式

　　请参阅图1至图3所示，由图中可清楚，本实用新型的该铜箔1具有基层11以及形成于基层11表面的氧化铜膜层12，且氧化铜膜层12上凹设置有复数个逃气空间13，当复合式基板于制作时，系将铜箔1的氧化铜膜层12与陶瓷基板2表面贴合，并将铜箔1加热至共晶温度，使铜箔1与其表面的氧化铜膜12层产生共晶反应，进而键合铜箔1与陶瓷基板2制成复合式基板，由于逃气空间13的设置，增加了氧化铜膜层12共晶液相的流动能力，降低气隙的产生，让复合式基板于制成时，大幅减少铜箔1与陶瓷基板2之间所夹杂的气隙数量，提升复合式基板的热传导能力以及结合强度。

　　进一步解释逃气空间13的形成方式，请参阅图4与图5所示，由图中可清楚看出，铜箔1在制造时，系先于基层11表面设置复数个遮蔽区3，使基层11表面生成氧化铜膜层12，该氧化铜膜层12可以干式制程或湿式制程备制，在干式制程中，基层11受到遮蔽区3遮蔽的部位不会与氧元素接触，因此氧化铜膜层12长出后会形成有相对于遮蔽区3的逃气空间13；在湿式制程中，同样的，基层11受到遮蔽区3遮蔽的部位不会与药水接触，而让氧化铜膜层12长出后会形成有相对于遮蔽区3的逃气空间13，再者，该湿式制程可使用碱性药水(棕化)或酸性药水(黑化)；当氧化铜膜层12长出后，再将遮蔽区3去除即可。