一种石英晶片清洗装置
技术领域
本实用新型涉及一种石英晶片清洗装置。
背景技术
石英晶片在切割过程中会出现破坏层，表面破坏层的存在不仅大大增加了晶体振动能量的损耗，同时也带来了表面应力弛豫效应。因此需要对破坏层进行腐蚀，并进行打磨，从而改善质量。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种石英晶片清洗装置。
为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：
一种石英晶片清洗装置，包括腐蚀槽，控制器，定位架，筛槽，上料机构，烘干机构，其特征在于：所述的控制器安装在定位座上，所述的筛槽安装在腐蚀槽内，所述的上料机构在腐蚀槽的一侧，所述的上料机构与筛槽连接，所述的烘干机构在筛槽的上方，所述的腐蚀槽一侧设有槽口一和槽口二，所述的上料机构包括连接柱一，连接柱二，横杆，液压缸一，液压杆一，液压缸二，液压杆二，连接轨，配合轨，所述的连接柱一安装在槽口一内，所述的连接柱二安装在槽口二内，所述的连接柱一一端与筛槽连接，所述的连接柱一另一端与横杆连接，所述的连接柱二一端与筛槽连接，所述的连接柱二另一端与横杆连接，所述的液压缸一和液压缸二安装在定位座上，所述的液压杆一一端与液压缸一连接，所述的液压杆一另一端与横杆连接，所述的液压杆二一端与液压缸二连接，所述的液压杆二另一端与横杆连接，所述的腐蚀槽外侧安装有配合轨，所述的横杆内侧安装有连接轨，所述的配合轨与连接轨配合，所述的烘干机构包括输送管，气泵，空气加热器，烘干端，所述的气泵，空气加热器安装在输送管上，所述的烘干端在输送管的一端。
作为一种优选，所述的筛槽上设有筛孔。
作为一种优选，所述的烘干端为半圆形，所述的烘干端上阵列有多个出气孔。
作为一种优选，所述的槽口一和槽口二的上方设有定位杆一，所述的定位杆一下方设有上限位传感器。
作为一种优选，所述的槽口一和槽口二的下方设有定位杆二，所述的定位杆二上方设有下限位传感器。
由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型通过石英晶片清洗装置的设置，实现了石英晶片的腐蚀和烘干，方便取出进行打磨，提高了效率，同时也提高石英晶片的质量。
同时下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
附图说明
图1为本实用新型一种石英晶片排片装置的正视图。
图2为本实用新型一种石英晶片排片装置的右视图。
图3为本实用新型一种石英晶片排片装置的后视图。
图4为本实用新型一种石英晶片排片装置的俯视图。
图5为本实用新型一种石英晶片排片装置的轴视图。
图6为本实用新型一种石英晶片排片装置的右剖视图。
图7为本实用新型一种石英晶片排片装置的局部视图。
图中：1、腐蚀槽，11、槽口一，12、槽口二，13、配合轨，2、控制器，3、定位架，4、筛槽，41、筛孔，5、上料机构，51、连接柱一，52、连接柱二，53、横杆，531、连接轨，54、液压缸一，55、液压杆一，56、液压缸二，57、液压杆二，6、烘干机构，61、输送管，62、气泵，63、空气加热器，64、烘干端，641、出气孔，7、定位座，8、定位杆一，81、上限位传感器，9、定位杆二，91、下限位传感器。
具体实施方式
实施例：
如图1-7所示，一种石英晶片清洗装置，包括腐蚀槽1，控制器2，定位架3，筛槽4，上料机构5，烘干机构6，其特征在于：所述的控制器2安装在定位座7上，所述的筛槽4安装在腐蚀槽1内，所述的上料机构5在腐蚀槽1的一侧，所述的上料机构5与筛槽4连接，所述的烘干机构6在筛槽4的上方，所述的腐蚀槽1一侧设有槽口一11和槽口二12，所述的上料机构5包括连接柱一51，连接柱二52，横杆53，液压缸一54，液压杆一55，液压缸二56，液压杆二57，连接轨531，配合轨13，所述的连接柱一51安装在槽口一11内，所述的连接柱二52安装在槽口二12内，所述的连接柱一51一端与筛槽4连接，所述的连接柱一51另一端与横杆53连接，所述的连接柱二52一端与筛槽4连接，所述的连接柱二52另一端与横杆56连接，所述的液压缸一54和液压缸二56安装在定位座7上，所述的液压杆一55一端与液压缸一54连接，所述的液压杆一55另一端与横杆53连接，所述的液压杆二57一端与液压缸二56连接，所述的液压杆二57另一端与横杆53连接，所述的腐蚀槽1外侧安装有配合轨13，所述的横杆53内侧安装有连接轨531，所述的配合轨13与连接轨531配合，所述的烘干机构6包括输送管61，气泵62，空气加热器63，烘干端64，所述的气泵62，空气加热器63安装在输送管61上，所述的烘干端64在输送管61的一端。
进一步的，所述的筛槽4上设有筛孔41，通过筛孔41的设置，方便了腐蚀液的排出和石英晶片的淋干。
进一步的，所述的烘干端64为半圆形，所述的烘干端64上阵列有多个出气孔641，通过将烘干端64设置为半圆形，可以增加出气孔641，从而增加烘干面积，提高了烘干效率。
进一步的，所述的槽口一11和槽口二12的上方设有定位杆一8，所述的定位杆一8下方设有上限位传感器81，通过上限位传感器81的设置，实现了横杆53行程的上行位置度的限制。
进一步的，所述的槽口一11和槽口二12的下方设有定位杆二9，所述的定位杆二9上方设有下限位传感器91，通过下限位传感器91的设置，实现了横杆53行程的下行位置度的限制。
本实用新型中，将石英晶片放置在筛槽4内，腐蚀槽1内的腐蚀液将石英晶片的破坏层进行腐蚀，当腐蚀达到额定时长后，通过液压缸一54推动液压杆一55带动横杆53上行，通过液压缸二56推动液压杆二57带动横杆53上行，带动连接柱一51和连接柱二52上行，从而带动筛槽4上行，将腐蚀好的石英晶片从腐蚀液中提出，随后通过气泵62，空气加热器63的作业，是空气变成高压高温的空气，并通过烘干端64排出高温空气，高温空气对筛槽4内的石英晶片进行烘干，烘干作业完成后将石英晶片从筛槽4中取出，随着再进行重复腐蚀和烘干作业，为下一道打磨工艺做好准备。
由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型通过石英晶片清洗装置的设置，实现了石英晶片的腐蚀和烘干，方便取出进行打磨，提高了效率，同时也提高石英晶片的质量。
本实用新型不局限于上述最佳实施方式，任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化，凡是与本实用新型具有相同或者相近似的技术方案，均属于本实用新型的保护范围。
