LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘
技术领域
本实用新型涉及MOCVD设备技术领域，具体为一种LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘。
背景技术
MOCVD是金属有机化合物化学气相沉积的英文缩写，MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术，它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V和Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料，通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区，这一工艺是LED照明设备生产过程中的必经工艺(类似于硅太阳能电池生产过程中的PECVD工艺)。
碳化硅涂层石墨基座是MOCVD设备的基本耗材，目前碳化硅涂层技术完全由国外垄断，碳化硅涂层石墨基座在能量转换的过程中温度会增加，温度达到一定程度后会出现翘曲形变或热膨胀现象，且石墨盘高速旋转，使石墨盘的侧壁会与容器侧壁有较大面积的接触，导致接触的位置受热过大，而造成III-V族氮化物外延生长与衬底中心的质量有较大的差异，故而提出一种LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘来解决上述所提出的问题。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，具备增加石墨盘的稳定性的优点，解决了碳化硅涂层石墨基座在能量转换的过程中温度会增加，温度达到一定程度后会出现翘曲形变或热膨胀现象，且石墨盘高速旋转，使石墨盘的侧壁会与容器侧壁有较大面积的接触，导致接触的位置受热过大，而造成III-V族氮化物外延生长与衬底中心的质量有较大的差异的问题。
(二)技术方案
为实现上述增加石墨盘的稳定性的目的，本实用新型提供如下技术方案：LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，包括活动架，所述活动架的内壁固定连接有层板，所述层板的顶部固定连接有隔板，所述隔板顶部的左右两侧均螺纹连接有固定螺丝，所述隔板的内侧固定连接有托架，所述托架的内部固定连接有定位螺母，所述托架的顶部固定连接有立柱，所述立柱的顶部螺纹连接有定位螺丝，所述定位螺丝的外部套接有垫片，所述立柱的外部套接有石墨盘，所述隔板的内腔底壁等距离开设有气孔，所述活动架的外部设置有外壳，所述外壳的左侧固定连接有支撑臂，两个所述支撑臂相对的一侧分别和连接杆的两端固定连接，所述连接杆的外部活动连接有活动臂，所述活动臂远离连接杆的一端固定连接有翻盖，所述翻盖的顶部固定连接有握柄，所述翻盖的右侧固定连接有限位块。
优选的，所述活动架和层板为一个整体，所述层板呈圆环状，且层板的顶部等距离开设有螺纹孔。
优选的，所述隔板包括固定环和托板，固定环和托板为一个整体，固定环的顶部等距离开设有定位孔。
优选的，所述托架呈环状，且托架的顶部开设有放置槽，托架和隔板为一个整体。
优选的，所述立柱的顶部开设有螺纹孔，所述定位螺丝的一端贯穿立柱和定位螺母并延伸至托架的底端，所述立柱的高度大于石墨盘的厚度。
优选的，所述支撑臂和活动架之间的夹角呈一百二十度，所述石墨盘的顶部开设有两个圆形固定孔。
(三)有益效果
与现有技术相比，本实用新型提供了一种LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，具备以下有益效果：
该LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，通过拧紧固定螺丝将隔板和层板固定在一起，然后将石墨盘穿过立柱放置在托架上，拧紧定位螺母使石墨板固定在托架上，活动架在旋转的时候可以带动石墨盘旋转工作，盖上翻盖使限位块压住石墨盘，防止石墨盘受热形变而出现移动，同时可以避免石墨盘的外部和托架的内壁接触，防止在加热时出现受热不均的情况。
附图说明
图1为本实用新型结构主视图；
图2为本实用新型结构俯视图。
图中：1活动架、2层板、3隔板、4固定螺丝、5托架、6定位螺母、7立柱、8定位螺丝、9垫片、10石墨盘、11气孔、12支撑臂、13连接杆、14活动臂、15翻盖、16握柄、17限位块、18外壳。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，包括活动架1，活动架1和层板2为一个整体，活动架1的内壁固定连接有层板2，层板2呈圆环状，且层板2的顶部等距离开设有螺纹孔，层板2的顶部固定连接有隔板3，隔板3包括固定环和托板，固定环和托板为一个整体，固定环的顶部等距离开设有定位孔，隔板3顶部的左右两侧均螺纹连接有固定螺丝4，隔板3的内侧固定连接有托架5，托架5呈环状，且托架5的顶部开设有放置槽，托架5和隔板3为一个整体，托架5的内部固定连接有定位螺母6，托架5的顶部固定连接有立柱7，立柱7的高度大于石墨盘10的厚度，立柱7的顶部开设有螺纹孔，立柱7的顶部螺纹连接有定位螺丝8，定位螺丝8的一端贯穿立柱7和定位螺母6并延伸至托架5的底端，定位螺丝8的外部套接有垫片9，立柱7的外部套接有石墨盘10，石墨盘10的顶部开设有两个圆形固定孔，隔板3的内腔底壁等距离开设有气孔11，活动架1的外部设置有外壳18，外壳18的左侧固定连接有支撑臂12，支撑臂12和活动架1之间的夹角呈一百二十度，两个支撑臂12相对的一侧分别和连接杆13的两端固定连接，连接杆13的外部活动连接有活动臂14，活动臂14远离连接杆13的一端固定连接有翻盖15，翻盖15的顶部固定连接有握柄16，翻盖15的右侧固定连接有限位块17，限位块17的底部和石墨盘10的顶部相接触，从而增加石墨盘10的稳定性的目的。
综上所述，该LED芯片MOCVD工艺用碳化硅涂层石墨盘，通过拧紧固定螺丝4将隔板3和层板2固定在一起，然后将石墨盘10穿过立柱7放置在托架5上，拧紧定位螺母6使石墨板10固定在托架5上，活动架1在旋转的时候可以带动石墨盘10旋转工作，盖上翻盖15使限位块17压住石墨盘10，防止石墨盘10受热形变而出现移动，同时可以避免石墨盘10的外部和托架5的内壁接触，防止在加热时出现受热不均的情况，解决了碳化硅涂层石墨基座在能量转换的过程中温度会增加，温度达到一定程度后会出现翘曲形变或热膨胀现象，且石墨板10高速旋转，使石墨板10的侧壁会与容器侧壁有较大面积的接触，导致接触的位置受热过大，而造成III-V族氮化物外延生长与衬底中心的质量有较大的差异的问题。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
