半导体工艺用组合物及半导体工艺
技术领域
本发明涉及一种适用于半导体工艺的组合物和使用该组合物的半导体工艺。
背景技术
通过各种工艺在由硅(Si)或砷化镓(GaAs)等作为基本材料制成的晶片上形成图案来制造半导体。这种半导体制造工艺分为多阶段，并且在其过程中使用各种有机物或无机物。具体地，半导体工艺包括晶片制造工艺、氧化工艺、曝光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺、研磨工艺、清洁工艺等阶段。
具体地，在晶片制造工艺中，将以硅石或硅酸盐形式存在的硅加工成多晶硅，然后使用物理纯化方法加工成单晶硅。使这种单晶硅生长以制造圆柱形态的锭(ingot)，将其薄切割和研磨，以制造圆盘形态的晶片。
氧化工艺是氧化晶片以在表面上形成氧化硅膜的工艺。形成在晶片表面的氧化膜在扩散工艺中用作保护膜，保护和稳定表面，并且发挥确保表面的电绝缘性的功能。
曝光工艺是通过使用具有电路图案的掩模(mask)在晶片表面上形成电路图案的工艺。将光致抗蚀剂(Photoresist)薄薄地涂覆在晶片表面上形成感光膜，使用曝光设备照射光线在晶片上形成电路。感光膜还可以在蚀刻工艺、离子注入工艺等中用作保护膜。除了使用光之外，还可以使用电子束或X光线来执行这种曝光工艺。
蚀刻工艺是在曝光工艺中选择性地除去形成有感光膜图案的晶片表面的工艺。蚀刻工艺分为湿法(wet)工艺和干法(dry)工艺，湿法工艺是使用蚀刻液进行蚀刻的工艺，干法工艺是使用等离子体、溅射和离子束等进行蚀刻的工艺。
离子注入工艺是将掺杂(dopant)离子注入晶片中以形成半导体状态的工艺。虽然晶片在纯态下不导电，但是通过离子注入工艺注入离子时，就会有导电性质。
沉积工艺是在晶片上沉积具有电性特性的物质的工艺。作为沉积方法，可以使用化学气相沉积(Chemical%20Vapor%20Deposition,CVD)或物理气相沉积(Physical%20VaporDeposition,PVD)等方法。
研磨工艺是研磨粗糙的晶片表面以形成镜面平坦化区域的工艺。使用化学和/或机械方法进行研磨工艺，并且还可以将其称为CMP(Chemical%20Mechanical%20Polishing)工艺。在CMP工艺期间，同时适用化学作用和物理作用以研磨晶片表面。
清洁工艺是指去除晶片中的杂质的任何过程。通过清洁工艺从晶片表面去除不必要的有机物或无机物，从而便于后续处理。
可根据需要以适当的顺序来设计像这样的各种半导体工艺，以制造具有各种功能的高品质半导体。另外，在这些半导体工艺中会使用各种组合物，并且根据这些组合物工艺效率、最终物质属性等会有所差异，因此设计适合各种目的的组合物是重要的课题之一。
发明要解决的课题
本发明的一实施方案提供一种半导体工艺用组合物，其适用于半导体工艺，从而可提供表现出优异的表面物质属性的晶片。
另外，本发明的另一实施方案提供一种使用上述半导体工艺用组合物来执行的半导体工艺。
发明内容
在本发明的一实施方案中，提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的硅化合物的第二成分。
[化学式1]
在上述化学式1中，A是从C1-C30脂肪族部分(moiety)、C6-C30芳香族部分、硼(B)部分、胺部分中选择，R1乃至R3各自独立地从氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C2-C30炔基、取代或未取代的C6-C30脂肪族环基、取代或未取代的C4-C30杂脂肪族环基、取代或未取代的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的C4-C30杂芳香族环基、取代或未取代的胺基、以及卤素基中选择，
R1乃至R3中的至少一个是C1-C30烷氧基或卤素基，
n是2至6的整数。
在本发明的另一实施方案中，提供一种半导体工艺，包括：使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁有机物或无机物的清洁工艺；使用上述半导体工艺用组合物选择性地除去有机物或无机物的除去工艺；或所有这些。
发明效果
上述半导体工艺用组合物作为适当配合特定成分的组合物，适用于符合制造目的的半导体工艺，可发挥优异的功能，由此制备的半导体可以表现出改善的品质。
具体实施方式
参照下文描述的实施例，可以明确本发明的优点和特征、以及实现它们的方法。但是，本发明并不限定于以下所揭示的实施例，而是能够以各种不同的形式实施，这些实施例只是为了使本发明揭示完整，并且为了向本领域技术人员完整地指出本发明的范围，本发明仅由权利要求范围来限定。
在本说明书中，术语“部分(moiety)”是指包括至少一部分相应化学结构或相应元素的整个结构。
另外，应该理解，关于本说明书中记载的表示构成成分的量、反应条件等的所有数字及表现，在没有特别记载的所有情况下，均由术语“约”修饰。
另外，在没有特别记载的情况下，本说明书中的“取代的”意味着用选自由重氢、卤素基(-F、-CI、-Br、-I)、羟基(hydroxyl group)、氰基(cyano group)、硝基(nitro group)、氨基(amino group)、脒基(amidino group)、肼基(hydrazine group)、腙基(hydrazonegroup)、酯基(ester group)、酮基(ketone group)、羧基(carboxyl group)、取代或未取代的烷基(alkyl group)、取代或未取代的烯基(alkenyl group)、取代或未取代的炔基(alkynyl group)、取代或未取代的烷氧基(alkoxy group)、取代或未取代的脂环族有机基(alicyclic organic group)、取代或未取代的杂环基(heterocyclic group)、取代或未取代的芳基(aryl group)、取代或未取代的杂芳基(heteroaryl group)构成的群的一种以上的取代基来取代，并且意味着以上列举的取代基可以彼此连接以形成环。
在本说明书中，第一，第二等术语是用来说明各种构成要素的，这些构成要素不应限定于上述术语。这些术语仅用于区分一个构成要素与另一个构成要素。
在一实施例中，提供一种半导体工艺用组合物，其包含：包含无机酸或有机酸的第一成分；以及包含由以下化学式1表示的硅化合物的第二成分。
[化学式1]
在上述化学式1中，A是从C1-C30脂肪族部分(moiety)、C6-C30芳香族部分、硼(B)部分、胺部分中选择，
R1乃至R3各自独立地从氢、取代或未取代的C1-C30烷基(alkyl group)、取代或未取代的C1-C30烷氧基(alkoxy group)、取代或未取代的C2-C30烯基(alkenyl group)、取代或未取代的C2-C30炔基(alkynyl group)、取代或未取代的C6-C30脂肪族环基、取代或未取代的C4-C30杂脂肪族环基、取代或未取代的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的C4-C30杂芳香族环基、取代或未取代的胺基(amine group)、以及卤素基(halogen group)中选择，
R1乃至R3中的至少一个是C1-C30烷氧基或卤素基，n是2至6的整数。
上述半导体工艺用组合物包含上述第一成分及上述第二成分，从而可确保对特定材质成分的蚀刻、去除、或清洁功能，其结果，可将其适用于合适的半导体工艺，以制造改善品质的半导体。
上述化学式1的A是压载(ballast)结构的核(core)。上述“压载(ballast)”结构是指两个以上的官能团可以被取代的化学结构。
在上述化学式1中，当上述A是C1-C30脂肪族部分(moiety)时，上述A可以从取代或未取代的C1-C30烷基(alkyl group)、取代或未取代的C3-C30环烷基(cycloalkyl group)、取代或未取代的C2-C30杂环烷基(heterocycloalkyl group)、取代或未取代的C2-C30烯基(alkenyl group)、取代或未取代的C3-C30环烯基(cycloalkenyl group)、取代或未取代的C2-C30杂环烯基(heterocycloalkenyl group)、取代或未取代的C2-C30炔基(alkynylgroup)中选择。
也就是说，在上述化学式1中，n是2至6的整数，因此当上述A是C1-C30脂肪族部分(moiety)时，上述化学式1的硅化合物是选自C1-C30烷烃(alkane)、C3-C30环烷烃(cycloalkane)、C2-C30杂环烷烃(hetero cycloalkane)、C2-C30烯烃(alkene)、C3-C30环烷烃(cycloalkane)、C2-C30杂环烷烃(hetero cycloalkane)、C2-C30炔烃(alkyne)的一个化合物，可以是至少2-6个氢被以下化学式2的官能团所取代的化合物。
[化学式2]
在上述化学式2中，*表示与A的键合位置，上述R1乃至R3如以上化学式1中所定义的一样。
另外，在上述环烷基、上述环烯基、上述杂环烷基及上述杂环烯基的情况下，应该理解为稠环(fused ring)形态、螺环(spiro ring)形态、桥环(bridged ring)形态等多环(polycyclic ring)形态都包含在内的概念。
在上述化学式1中，当上述A是C6-C30芳香族部分(moiety)时，上述A可以从取代或未取代的C6-C30芳香族环基、取代或未取代的C4-C30杂芳香族环基中选择。
也就是说，在上述化学式1中，n是2至6的整数，因此当上述A是C6-C30芳香族部分时，上述化学式1的硅化合物是C6-C30芳香族化合物或C4-C30杂芳香族化合物，可以是至少2-6个氢被以上化学式2的官能团所取代的化合物。
另外，在上述芳香族环基及上述杂芳香族环基的情况下，应该理解为稠环(fusedring)形态等多环(polycyclic ring)形态都包含在内的概念。
在上述化学式1中，当上述A是硼(B)部分时，上述n可以是2乃至3的整数。也就是说，上述化学式1的硅化合物可以是硼与两个或三个上述化学式2的官能团键合的化合物。
在上述化学式1中，上述A是胺部分，上述n可以是2乃至3的整数。也就是说，上述化学式1的硅化合物可以是胺化合物的末端与两个或三个上述化学式2的官能团键合的化合物。
在一实施例中，上述化学式1的A是可以是选自以下式1-1乃至1-5中的一个。也就是说，上述化学式1化合物可以是以上化学式2的官能团键合到由下式1-1乃至1-5表示的化学结构中用*表示的位置中的至少两个以上的位置的构造。
在上述式1-5中，R5和R6可以各自独立地从取代或未取代的C1-C30亚烷基(alkylenegroup)、取代或未取代的C3-C30环亚烷基(cycloalkylene group)、取代或未取代的C2-C30杂环亚烷基(heterocycloalkylene group)、取代或未取代的C2-C30亚烯基(alkenylenegroup)、取代或未取代的C3-C30亚环烯基(cycloalkenylene group)、取代或未取代的C2-C30杂环亚烯基(heterocycloalkenylene group)、取代或未取代的C2-C30亚炔基(alkynylenegroup)中选择。
另外，在上述式1-5中，R4可以从氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C2-C30杂环烯基、取代或未取代的C2-C30炔基中选择。
另外，在上述式1-5中，x和y各自独立地可以是1乃至20的整数，例如，1乃至10的整数，例如，1乃至5的整数。
此时，上述A的用*表示的位置中，选自氢、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C3-C30环烷基、取代或未取代的C2-C30杂环烷基、取代或未取代的C2-C30烯基、取代或未取代的C3-C30环烯基、取代或未取代的C2-C30杂环烯基、取代或未取代的C2-C30炔基及胺基的一个可以位于没有与以上化学式2的官能团键合的位置中。
在一个实施例中，在上述化学式1中，A在与以上化学式2的官能团键合时不将-O-键作为媒介。也就是说，在上述化学式1中，A在与Si连接的部分没有-O-结构。因此，上述化学式1的硅化合物可以在组合物内维持散装(bulk)结构，其结果，上述半导体工艺用组合物可以表现出优异的反应性。
在一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是上述式1-3的结构，R1乃至R3分别从C1-C5烷氧基中选择，并且n是2或3。
在其他实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是上述式1-2的结构，R1乃至R3分别从C1-C5烷氧基中选择，并且n是2或3。
在另一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是上述式1-1的结构，R1乃至R3分别从C1-C5烷氧基中选择，并且n是2或3。
在另一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是上述式1-1的结构，R1乃至R3分别从卤素基中选择，并且n是2或3。
在另一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是式1-1的结构，R1及R2从C1-C5烷氧基中选择，R3是C1-C10烷基，并且n是2或3。
在另一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是式1-5的结构，n是2，R1乃至R3分别从C1-C5烷氧基中选择，R4是氢，R5和R6分别从C1-C5亚烷基中选择。
在另一个实施例中，上述硅化合物可以是如下化合物，在上述化学式1中，A是式1-4的结构，R1及R2从C1-C5烷氧基中选择，并且n是2或3。
上述半导体工艺用组合物还可包含上述第一成分和上述第二成分的反应产物。
具体地，将上述半导体工艺用组合物应用于半导体工艺时，可以分别依次使用上述第一成分和上述第二成分，或者可以优先混合上述第一成分和上述第二成分后再使用。
当上述第一成分和上述第二成分分别依次应用于半导体工艺时，在半导体工艺期间形成两种成分的反应产物并包含在上述半导体工艺用组合物中。另一方面，当上述第一成分和上述第二成分优先混合后再应用于半导体工艺时，在应用于半导体工艺之前，两种成分的反应产物可能已经在上述半导体工艺用组合物中形成，或者将上述半导体工艺用组合物应用于半导体工艺之后，可以在特定的温度条件下形成反应产物。
一方面，当上述半导体工艺用组合物应用于半导体工艺时，根据上述半导体工艺的具体工艺条件，可以是上述第一成分之间进行反应，或者是上述第二成分之间进行反应。在这种情况下，上述半导体工艺用组合物还可以包含上述第一成分之间的反应产物、或者上述第二成分之间的反应产物。
根据用途，上述半导体工艺用组合物还可以包含溶剂。具体地，上述溶剂可包含水或极性有机溶剂。此时，与使用非极性有机溶剂的情况相比，上述半导体工艺用组合物具有更好的清洁或去除效果的优点。
在一个实施例中，上述极性有机溶剂包含选自由醇(alcohol)、乙二醇(glycol)、内酯(lactone)、内酰胺(lactam)、亚砜(sulfoxide)、砜(sulfone)、酰胺(amide)、脲(urea)、咪唑烷酮(imidazolidinone)、腈(nitrile)及吡咯烷酮(pyrrolidone)构成的群的一种以上。
上述半导体工艺用组合物中的上述溶剂的含量可以在除溶剂以外的成分的总含量和溶剂的含量之和为100wt％的范围内确定。
上述第一成分作为上述半导体工艺用组合物中发挥氧化作用的酸成分，可包含无机酸、有机酸，或两者都包含在内。
在一个实施例中，上述半导体工艺用组合物中的上述第一成分的含量可以是约50wt％乃至约99wt％，例如，约50wt％乃至约90wt％，例如，约70wt％乃至约90重量％，例如，约75重量％乃至约90重量％，例如，约75重量％乃至约85重量％。在这种情况下，上述半导体工艺用组合物可作为蚀刻及去除用途来使用。
在另一个实施例中，上述半导体工艺用组合物中的上述第一成分的含量可以是约0.5wt％乃至约30wt％，例如，约0.5wt％乃至约10wt％，例如，约0.5wt％乃至约5wt％。在这种情况下，上述半导体工艺用组合物可作为清洁用途来使用。
具体地，上述无机酸可包括选自由硫酸、硝酸、磷酸、硅酸、硼酸、盐酸、氢氟酸及高氯酸构成的群的一种以上。此外，上述有机酸可包括选自由乙酸(acetic acid)、甲酸(formic acid)、葡萄糖酸(gluconic acid)、乳酸(lactic acid)、草酸(oxalic acid)和氢碳酸(hydro-carbonic acid)构成的群的一种以上。
在一个实施例中，上述第一成分可包含选自由硫酸、磷酸和氢氟酸构成的群的一种以上。当上述第一成分包含硫酸时，可提高有机物去除功能，包含氢氟酸时，可提高清洁功能，包含磷酸时，可提高金属氮化膜去除功能。
上述第二成分用于在上述半导体工艺期间形成对特定成分的保护膜，或帮助蚀刻或去除特定成分。
上述半导体工艺用组合物中的上述第二成分的含量可以大于约0.001wt％，小于约2wt％，例如，约0.01wt％乃至约1wt％。
根据用途和目的，上述半导体工艺用组合物还可包含各种添加剂。具体地，上述添加剂可包括选自由表面活性剂及防腐蚀剂构成的群的一种以上，但不限于此。
更具体地，上述半导体工艺用组合物可包含过氧化氢、过硫酸盐、环胺化合物、氟化铵化合物、过渡金属盐、钾化合物、氟化脲(urea fluoride)等作为添加剂。
上述半导体工艺用组合物根据如上所述的组成具有适用于半导体工艺的合适的物性。具体地，就上述半导体工艺用组合物而言，对金属膜或金属氧化膜的活性可以满足特定条件。
更具体地，就上述半导体工艺用组合物而言，对金属氧化膜的金属氮化膜的蚀刻选择比可以是100以上，例如，可以是100乃至700，例如，可以是200乃至700，例如，可以是300乃至700。因此，上述半导体工艺用组合物在半导体工艺期间能够以各种方式灵活用于需要这种选择性活性的地方。
另外，就上述半导体工艺用组合物而言，对金属膜的金属氮化膜的蚀刻选择比可以是200以上，例如，可以是200乃至700，例如，可以是300乃至700。
如稍后所描述的，上述“蚀刻选择比”是指在约150℃乃至约200℃的温度条件下利用上述半导体工艺用组合物分别对金属膜、金属氧化膜、金属氮化膜进行蚀刻工艺时的蚀刻速度的相互比。
上述金属膜及上述金属氧化膜分别可包含选自由锗(Ge)、硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)和钽(Ta)构成的群的一种以上的金属。
在另一个实施方案中，提供一种利用上述半导体工艺用组合物的半导体工艺。
具体地，上述半导体工艺，包括：使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁有机物或无机物的清洁工艺；使用上述半导体工艺用组合物选择性地除去有机物或无机物的除去工艺；或所有这些。
也就是说，上述半导体工艺可包括使用上述半导体工艺用组合物的清洁工艺、使用上述半导体工艺用组合物的除去工艺、或者所有这些。
在上述清洁工艺或上述除去工艺中，上述半导体工艺用组合物可用于选择性地清洁或除去特定的有机物或特定的无机物。由于上述半导体工艺用组合物对特定的有机物或特定的无机物具有特定的反应性，因此可以用它选择性地清洁/除去。
具体地，上述清洁工艺或上述除去工艺可以分别是选择性地清洁或除去金属、包含上述金属的有机物、或者除了上述金属氧化物之外的成分的工艺。
此时，上述金属可以包括选自由锗(Ge)、硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)和钽(Ta)构成的群的一种以上。
上述半导体工艺用组合物对由上述金属制成的膜、由含有上述金属的有机物制成的膜、或者由上述金属氧化物制成的膜形成保护膜，因此，可以除去或清洁除此之外的周边其他成分。
例如，使用上述半导体工艺用组合物选择性除去的无机物可包括金属氮化膜或金属氮化膜的变性物质。另外，使用上述半导体工艺用组合物选择性除去的有机物可包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂等。
在一个实施例中，上述半导体工艺可以是半导体的制造工艺。上述半导体制造工艺通常包括氧化工艺、曝光工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、沉积工艺、研磨工艺、清洁工艺、灰化(ashing)工艺等。
此时，使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁上述有机物或无机物的步骤可以在选自离子注入工艺、蚀刻工艺、灰化工艺的至少一个工艺期间执行。
也就是说，在制造半导体的过程中，可以在每个离子注入工艺、蚀刻工艺和灰化工艺之前、之后和/或期间，使用上述半导体工艺用组合物来执行清洁有机物或无机物的工艺。
上述离子注入工艺是将掺杂(dopant)离子注入晶片中以形成半导体状态的工艺，上述蚀刻工艺是在曝光工艺中选择性地除去形成有感光膜图案的晶片表面的工艺，上述灰化工艺是在去除光致抗蚀剂时将变性的抗蚀剂材料碳化后去除的工艺。
在各工艺中，需要清洁不必要的成分并且不损伤由上述金属、包含金属的有机物或金属氧化物等构成的部分时，可以使用上述半导体工艺用组合物进行清洁工艺。
此外，使用上述半导体工艺用组合物选择性地除去上述有机物或无机物的步骤可以在选自曝光工艺、沉积工艺或蚀刻工艺的至少一个工艺期间执行。
也就是说，在制造半导体的过程中，可以在每个曝光工艺、沉积工艺和蚀刻工艺之前、之后和/或期间，使用上述半导体工艺用组合物来执行除去有机物或无机物的工艺。
上述曝光工艺是通过使用具有电路图案的掩模(mask)在晶片表面上形成电路图案的工艺，上述沉积工艺是在晶片上沉积具有电性特性的物质的工艺。
在各工艺中，需要除去不必要的成分并且不损伤由上述金属、包含金属的有机物或金属氧化物等构成的部分时，可以使用上述半导体工艺用组合物进行除去工艺。
使用上述半导体工艺用组合物选择性地清洁或除去上述有机物或无机物的步骤可以在约20℃乃至约300℃，例如，约20℃乃至约70℃，例如，约150℃乃至180℃的温度下进行。这样的工艺温度可根据上述半导体工艺用组合物的第一成分及第二成分的的沸点等适当设定。
【实施例】
在下文中，将描述本发明的具体实施方案。然而，下面所描述的实施例仅仅是为了具体例示或说明本发明，本发明不应限定于此。
〈实施例及比较例〉
将上述第一成分、第二成分、溶剂及添加剂以下表1所示的种类及含量(wt％)添加到设有磁棒(magnetic bar)的各实验用烧杯中，并且在常温下以500rpm的速度搅拌4小时，以制备半导体工艺用组合物。
【表1】
〈第一成分〉
A-1：氢氟酸
A-2：硫酸
A-3：乙酸
A-4：草酸
A-5：磷酸
〈第二成分〉
各第二成分是具有如下表2所示的A、R1、R2、R3和n的各化学式1的化合物。
〈添加剂〉
C-1：氟化铵
〈溶剂〉
D-1：水
D-2：二甲基亚砜
D-3：NMP
【表2】
〈评价〉
实验例1：清洁性的评价
利用上述实施例1乃至17及比较例1乃至5中制备的各半导体工艺用组合物评价清洁性。
具体地，在硅晶片上形成厚度为
将如上所述的用紫外线照射的薄膜浸入四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影溶液中80秒，以进行显影。随后，用蒸馏水洗涤，用氮气干燥，并在150℃的加热烘箱中加热10分钟以形成图案。随后，依次进行离子注入工艺、蚀刻工艺和灰化工艺，准备样品。
将上述实施例1乃至17及比较例1乃至5各自的半导体工艺用组合物保持恒定在60℃之后，将准备的样品浸渍2分钟。随后，取出样品并用水冲洗1分钟，并用氮气彻底干燥后，使用扫描电子显微镜(SEM)确认清洁效果。
此时，评价标准如下，其结果如下表3所示。
〈评价标准〉
◎：除去99％以上
○：除去90％以上，但小于99％
△：除去80％以上，但小于90％
×：除去不足80％
实验例2：腐蚀性的评价
利用上述实施例1乃至17及比较例1乃至5的各半导体工艺用组合物评价腐蚀性。
将上述实施例1乃至17及比较例1乃至5各自的半导体工艺用组合物保持恒定在60℃之后，将如上述实验例1中制备的样品浸渍10分钟。随后，取出样品并用水冲洗1分钟，并用氮气彻底干燥后，使用扫描电子显微镜(SEM)确认腐蚀效果。对于各薄膜的品质，通过将膜厚度的变化程度除以时间算出蚀刻速度，其结果如下表3所示。
【表3】
实验例3：蚀刻性的评价
利用上述实施例18乃至24及比较例6乃至8的各半导体工艺用组合物评价氮化膜蚀刻性。
准备利用化学气相沉积(CVD)法在硅晶片上形成厚度为
随后，在以500rpm速度进行搅拌的石英材质的搅拌槽中，将每个样品浸漬到维持在160℃的上述实施例18-24及比较例6-8的各半导体工艺用组合物中，并进行10分钟的蚀刻工艺，在完成蚀刻后，用超纯水清洗，并使用干燥设备进行干燥。
随后，使用扫描电子显微镜(SEM)和椭圆偏振仪(Ellipsometer)测量蚀刻后的每个样品的厚度，并利用这个测量蚀刻工艺前后的对薄膜厚度变化的蚀刻速度。其结果如下表4所示。
计算氮化硅膜、氧化硅膜及单晶硅样品的蚀刻速度比，由此确认蚀刻选择比，其结果如下表4所示。
【表4】
如上所述，可以看出，与上述比较例1乃至8的半导体工艺用组合物相比，上述实施例1乃至24的半导体工艺用组合物在保护金属或金属氧化膜方面具有良好的效果。另外，可以看出在除去及蚀刻金属氮化膜方面具有优异的效果。
