衬底处理装置及衬底搬送方法
技术领域
本发明涉及一种对衬底进行处理的衬底处理装置及该衬底的搬送方法。衬底例如可以列举半导体衬底、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用衬底、光掩模用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底及太阳电池用衬底等。FPD例如可以列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示装置等。
背景技术
以往的衬底处理装置具备装载块及处理块(例如参照日本专利特开2014-022570号公报)。装载块具备：载具载置台，供载置能够收纳多个衬底的载具；及衬底搬送机械手，在载置在载具载置台上的载具与处理块之间搬送衬底。处理块对衬底涂布例如抗蚀剂液。
另外，衬底处理装置具备存放装置(载具缓冲装置)(例如参照日本专利特开2011-187796号公报)。存放装置以在水平方向上延长到载具载置台侧的方式配置。存放装置具备用于保管载具的保管架及载具搬送机构。
发明内容
[发明要解决的问题]
然而，在具有这种构成的以往的衬底处理装置的情况下，存在如下问题。即，衬底处理装置的利用装载块进行的衬底搬送工序具备输送工序及移回工序。输送工序是从载置在载具载置台上的载具取出衬底，并将所取出的衬底搬送到处理块的工序。另外，移回工序是从处理块接收由处理块处理后的衬底，并将所接收到的衬底移回到载置在所述载具载置台上的载具的工序。就输送工序来说，移回工序可能会导致处理量降低。另外，就移回工序来说，输送工序可能会导致处理量降低。
本发明是鉴于这种情况完成的，目的在于提供一种能够提高处理量的衬底处理装置及衬底搬送方法。
[解决问题的技术手段]
本发明为了达成这种目的，采用如下构成。即，本发明的对衬底进行处理的衬底处理装置包含以下要素：第1装载块，设有第1载具载置台，该第1载具载置台是用于载置能够收纳多个衬底的载具；单一的处理块，与所述第1装载块连结，且在上下方向上配置着多个处理层；及第2装载块，与所述单一的处理块连结，且设有用于载置所述载具的第2载具载置台；所述第1装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底搬送到所述多个处理层中的任一个，所述多个处理层分别对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底处理装置，第1装载块从载置在第1载具载置台上的载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到多个处理层中的任一个。另外，第2装载块将从处理层输送来的衬底移回到载置在第2载具载置台上的载具。由此，第1装载块能够更迅速地将多个衬底搬送到配置在上下方向的多个处理层。另外，同时，第2装载块能够将从配置在上下方向的多个处理层输送来的多个衬底更迅速地搬送到载具。结果，能够提高衬底处理装置的处理量。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第1装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第3处理层，所述第3处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第3处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
各处理层将衬底从作为衬底的输送源的装载块输送到其相反侧的装载块。衬底搬送所使用的衬底载置部设于处理层与装载块之间。在将衬底移回到作为衬底的输送源的装载块的情况下，必须将输送用衬底载置部与移回用衬底载置部这两种衬底载置部设于一装载块的附近。因此，能够载置在输送用衬底载置部与移回用衬底载置部各自的衬底W的片数也受到限制。然而，通过从作为衬底的输送源的装载块向其相反侧的装载块输送衬底，能确保能够载置在衬底载置部的衬底的片数。另外，由于2个装载块交替地搬送，所以2个装载块能够大致均等地分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第1装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第2处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层与第2处理层依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块将经所述第2处理层处理且被搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第3处理层，所述第3处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第3处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层、第2处理层及第3处理层依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块进而构成为针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，所述第2装载块将由所述第1处理层处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述第2装载块从所述外部装置搬入由所述外部装置进行了特定的处理的衬底，并将所搬入的衬底输送到所述多个处理层中的第2处理层。
在利用第1处理层、第2处理层及外部装置依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第1装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第2处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层与第2处理层依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块将经所述第2处理层处理且被搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第3处理层，所述第3处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第3处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层、第2处理层及第3处理层依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够均等地分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块进而构成为针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，所述第2装载块将由所述第2处理层处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述第2装载块从所述外部装置搬入由所述外部装置进行了特定的处理的衬底，并将所搬入的衬底输送到所述多个处理层中的第3处理层。
在利用第1处理层、第2处理层、第3处理层及外部装置依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第1装载块从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第3处理层，所述第3处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第3处理层处理后的衬底移回到载置在所述第2载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层、第2处理层及第3处理层依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块进而构成为针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，所述第2装载块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第1处理层处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述第2装载块从所述外部装置搬入由所述外部装置进行了特定的处理的衬底，并将所搬入的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将由所述第2处理层处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层、第2处理层及外部装置依序对衬底进行特定的处理的构成中，2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述第2装载块进而构成为针对外部装置进行衬底的搬入及搬出，所述第2装载块从载置在所述第2载具载置台上的所述载具取出衬底，并将该衬底搬送到所述多个处理层中的第1处理层，所述第1处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将搬送来的衬底搬送到所述多个处理层中的第2处理层，所述第2处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第2装载块，所述第2装载块将由所述第2处理层处理后的衬底搬出到所述外部装置，所述第2装载块从所述外部装置搬入由所述外部装置进行了特定的处理的衬底，并将所搬入的衬底搬送到所述多个处理层中的第3处理层，所述第3处理层对搬送来的衬底进行特定的处理，并将该衬底搬送到所述第1装载块，所述第1装载块将由所述第3处理层处理后的衬底移回到载置在所述第1载具载置台上的所述载具。
在利用第1处理层、第2处理层、第3处理层及外部装置依序对衬底进行特定的处理的构成中，由于2个装载块交替地搬送，所以2个装载块能够分担用于针对载具放入取出衬底的衬底搬送及层间的衬底搬送。另外，通过从作为衬底的输送源的装载块向其相反侧的装载块输送衬底，能确保能够载置在衬底载置部的衬底的片数。
另外，优选所述衬底处理装置还具备载具搬送机构，该载具搬送机构在所述第1载具载置台与所述第2载具载置台之间搬送所述载具。例如，在从载置在第1载具载置台上的载具取出了所有衬底的情况下，载具搬送机构将衬底移回到该载具，所以能够将载置在第1载具载置台上的载具搬送到第2载具载置台。
另外，在所述衬底处理装置中，优选所述载具搬送机构搭载在所述单一的处理块之上。以往，载具搬送机构相对于装载块配置在水平方向。根据本发明，载具搬送机构设于第1处理块及第2处理块之上。因此，能够削减相对于装载块配置在水平方向的以往的载具搬送机构的设置面积。即，能够削减衬底处理装置的占据面积。
另外，本发明的衬底处理装置的衬底搬送方法包含以下工序：衬底处理装置具备：第1装载块，设有第1载具载置台，该第1载具载置台用于载置能够收纳多个衬底的载具；及单一的处理块，与所述第1装载块连结，在上下方向上配置着多个处理层。所述工序是指：利用所述第1装载块，从载置在所述第1载具载置台上的所述载具取出衬底，并将所取出的衬底搬送到所述多个处理层中的任一个；利用所述多个处理层的每一个，对输送来的衬底进行特定的处理，将该衬底搬送到与所述单一的处理块连结的第2装载块；及利用所述第2装载块，将由所述处理层处理后的衬底移回到载置在设于所述第2装载块的第2载具载置台上的所述载具。
根据本发明的衬底搬送方法，第1装载块从载置在第1载具载置台上的载具取出衬底，并将所取出的衬底输送到多个处理层中的任一个。另外，第2装载块将从处理层输送来的衬底移回到载置在第2载具载置台上的载具。由此，第1装载块能够更迅速地将多个衬底搬送到配置在上下方向的多个处理层。另外，同时，第2装载块能够将从配置在上下方向的多个处理层输送来的多个衬底更迅速地搬送到载具。结果，能够提高衬底处理装置的处理量。
[发明的效果]
根据本发明的衬底处理装置及衬底搬送方法，能够提高处理量。
附图说明
为了说明发明而图示了目前认为优选的几个方式，但要理解发明并不限定于图示那样的构成及方案。
图1是实施例1的衬底处理装置的纵剖视图。
图2是实施例1的衬底处理装置的横剖视图。
图3是实施例1的衬底处理装置的右侧视图。
图4是表示实施例1的衬底处理装置的左侧面的一部分的图。
图5是表示载具搬送机构的图。
图6是表示载具缓冲装置的俯视图。
图7是用于说明以往的衬底处理装置的动作的图。
图8是用于说明实施例1的衬底处理装置的动作的图。
图9是实施例2的衬底处理装置的右侧视图，且是用于说明其动作的图。
图10是用于说明实施例2的变化例的衬底处理装置的动作的图。
图11是实施例3的衬底处理装置的右侧视图，且是用于说明其动作的图。
图12A～图12C是用于说明实施例3的变化例的衬底处理装置的动作的图。
图13是实施例4的衬底处理装置的纵剖视图。
图14是实施例4的衬底处理装置的横剖视图。
图15是实施例4的衬底处理装置的右侧视图，且是用于说明其动作的图。
图16是表示实施例4的衬底处理装置的左侧面的一部分的图。
图17A、图17B是用于说明实施例4的变化例的衬底处理装置的动作的图。
图18是实施例5的衬底处理装置的右侧视图，且是用于说明其动作的图。
图19是用于说明实施例5的衬底处理装置的动作的图。
图20A、图20B是表示清洗装置的图。
图21是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图22A～图22C是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图23A～图23C是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图24A～图24C是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图25A、图25B是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。
图26是表示变化例的第1装载块的横剖视图。
图27是表示变化例的第2装载块的横剖视图。
图28是表示变化例的衬底处理装置的横剖视图。
具体实施方式
[实施例1]
以下，参照附图说明本发明的实施例1。在以下说明中，将形成着电路图案等各种图案的衬底的面称为正面，将其相反侧的面称为背面。另外，将朝向下方的衬底的面称为下表面，将朝向上方的衬底的面称为上表面。
图1是实施例1的衬底处理装置1的纵剖视图。图2是衬底处理装置1的横剖视图。图3是衬底处理装置1的右侧视图。图4是表示衬底处理装置1的左侧面的一部分的图。
参照图1、图2。衬底处理装置1具备第1装载块(以下适当称为“第1ID块”)2、单一的处理块3、及第2装载块(以下适当称为“第2ID块”)4、以及载具缓冲装置8。第1ID块2、处理块3及第2ID块4呈直线状配置成一列。
(第1装载块2的构成)
第1ID块2具备2个开启机构9、10(参照图2、图6)及2个衬底搬送机构(机械手)TM1、TM2。设于第1ID块2的2个开启机构(载具载置部)9、10分别供载置载具C。
载具C能够收纳水平姿势的多片(例如25片)衬底W。载具C例如使用了FOUP(FOUP：Front Open Unified Pod，前开式晶圆盒)，但也可以为除FOUP以外的容器(例如SMIF(Standard Mechanical Inter Face，标准机械接口)盒)。载具C例如具备载具主体及盖部，该载具主体形成着用于供放入取出衬底W的开口部，该盖部用于盖住载具主体的开口部。
各开启机构9、10具备：载置台13，供载置载具C；开口部14，用于供衬底W通过；挡板部件(未图示)，进行开口部14的开闭，并且对载具主体进行盖部的装卸；及挡板部件驱动机构(未图示)，驱动挡板部件。挡板部件驱动机构具备电动马达。此外，挡板部件在从载具主体卸除盖部后，例如朝下方向移动或者沿着开口部14在水平方向(Y方向)上移动。
载置台13设于处理块3的顶部平台上。如图1所示，载置台13设于比处理块3高的位置、即处理块3的上方。载置台13也可以设于处理块3上、即与处理块3的上表面相接地设置。此外，载置台13相当于本发明的第1载具载置台。
2个衬底搬送机构TM1、TM2分别具备2个手部21、进退驱动部23及升降旋转驱动部25。2个手部21分别保持衬底W。另外，2个手部21分别能够移动地安装在进退驱动部23上。进退驱动部23能够使2个手部21两者同时进入载具C内。另外，进退驱动部23能够使2个手部21分别进退。因此，进退驱动部23能够使2个手部21中的一个进入载具C内。
升降旋转驱动部25通过使进退驱动部23升降及旋转，而使2个手部21升降及旋转。即，升降旋转驱动部25能够使进退驱动部23在上下方向(Z方向)上移动，并且能够使进退驱动部23绕垂直轴AX1旋转。进退驱动部23及升降旋转驱动部25分别具备电动马达。此外，2个衬底搬送机构TM1、TM2分别以无法在水平方向(特别是Y方向)上移动的方式固定在第1ID块2的底部。
在第1ID块2与下述6个处理层3A～3F之间，设有6个衬底载置部PS1A～PS6A。6个衬底载置部PS1A～PS6A及下述例如6个衬底载置部PS1B～PS6B等衬底载置部构成为能够供载置1片或多片衬底W。第1衬底搬送机构TM1能够在载置在开启机构9上的载具C及6个衬底载置部PS1A～PS6A之间搬送衬底W。第2衬底搬送机构TM2能够在载置在开启机构10上的载具C及6个衬底载置部PS1A～PS6A之间搬送衬底W。此外，第1衬底搬送机构TM1无法对载置在开启机构10上的载具C进行衬底W的取出及收纳。另外，第2衬底搬送机构TM2无法对载置在开启机构9上的载具C进行衬底W的取出及收纳。
(处理块3的构成)
处理块3与第1ID块2及第2ID块4连结。即，处理块3配置在2个ID块2、4之间。处理块3对衬底W进行涂布处理。
处理块3具备6个处理层3A～3F。6个处理层3A～3F以在上下方向(Z方向)上积层的方式配置。6个处理层3A～3F分别具备第3衬底搬送机构TM3、搬送空间27、液体处理部28及热处理部29。6个处理层3A～3F构成为相同。
第3衬底搬送机构TM3用于在各处理层3A～3F中搬送衬底W。第3衬底搬送机构TM3具备2个手部31、进退驱动部32、旋转驱动部33、第1移动机构34及第2移动机构35。
2个手部31分别保持衬底W。2个手部31分别能够移动地安装在进退驱动部32上。进退驱动部32使2个手部31个别地进退。旋转驱动部33使进退驱动部32绕垂直轴AX2旋转。由此，能够改变2个手部31的朝向。第1移动机构34使旋转驱动部33在图1的前后方向(X方向)上移动。由此，能够使进退驱动部32在X方向上移动。第2移动机构35使第1移动机构34在上下方向(Z方向)上移动。由此，能够使进退驱动部32在Z方向上移动。
此外，进退驱动部32、旋转驱动部33、第1移动机构34及第2移动机构35分别具备电动马达。
如图2所示，第3衬底搬送机构TM3设于搬送空间27中。搬送空间27构成为在水平方向(X方向)上呈直线状延伸。液体处理部28与热处理部29以隔着搬送空间27的方式配置。
图3是表示处理块3的液体处理部28的配置的右侧视图。6个处理层3A～3F分别具备4个液体处理部28。这4个液体处理部28以水平方向上为4列且上下方向上为1层的4列×1层的方式配置。4个液体处理部28中的第1ID块2侧的2个液体处理部28为涂布单元BARC。另外，第2ID块4侧的2个液体处理部28为涂布单元RESIST。涂布单元BARC在衬底W上形成抗反射膜。涂布单元RESIST在衬底W上形成光致抗蚀剂等抗蚀剂膜。
如图2所示，液体处理部28具备保持旋转部37、喷嘴38及喷嘴移动机构39。保持旋转部37例如通过真空吸附来保持衬底W的下表面，使所保持的衬底W绕垂直轴(Z方向)旋转。旋转是利用例如电动马达进行的。喷嘴38向衬底W供给涂布液(例如抗反射膜形成用的液体或光致抗蚀剂液)。喷嘴移动机构39使喷嘴38移动到任意位置。喷嘴移动机构39具备例如电动马达。
图4是表示处理块3的热处理部29的配置的左侧面的一部分的图。各处理层3A～3F具备多个热处理部29。热处理部29进行热处理，且具备供载置衬底W的平板41(参照图2)。平板41的加热是利用例如加热器进行，平板41的冷却是利用例如水冷式的机构进行。
在6个处理层3A～3F中，热处理部29构成为能够以5列×3层的方式配置。在图4中，6个处理层3A～3F分别具备14个热处理部29。即，6个处理层3A～3F分别具备3个密接强化处理部PAHP、2个冷却部CP及9个加热冷却部PHP。此外，例如在处理块3中，除液体处理部28及热处理部29以外的处理单元的个数及种类能适当变更。例如，处理单元也可以是对衬底W的周缘部进行曝光处理的边缘曝光部EEW。
密接强化处理部PAHP通过将六甲基二硅氮烷(HMDS)等密接强化剂涂布在衬底W上并加热，而提高衬底W与抗反射膜的密接性。密接强化处理部PAHP还具有在加热后将衬底W冷却的功能。冷却部CP将衬底W冷却。加热冷却部PHP依序相继进行加热处理与冷却处理。
(第2装载块4的构成)
第2ID块4与处理块3连结。第2ID块4具备2个开启机构45、46(参照图6)及2个衬底搬送机构TM4、TM5。设于第2ID块4的2个开启机构45、46分别配置着能够收纳多个衬底W的载具C。
各开启机构45、46与开启机构9同样地具备：载置台47，供载置载具C；开口部48，用于供衬底W通过；挡板部件(未图示)，使开口部48开闭并且对载具主体进行盖部的装卸；及挡板部件驱动机构，驱动挡板部件。挡板部件驱动机构具备电动马达。此外，挡板部件在从载具主体卸除盖部后，例如朝下方向移动或者沿着开口部48在水平方向(Y方向)上移动。
载置台47设于处理块3的顶部平台上。在图1中，载置台47设于比处理块3高的位置、即处理块3的上方。载置台47也可以设于涂布块3上、即与处理块3相接地设置。此外，载置台47相当于本发明的第2载具载置台。
各衬底搬送机构TM4、TM5具备2个手部21、进退驱动部23及升降旋转驱动部25。各衬底搬送机构TM4、TM5构成为与衬底搬送机构TM1(TM2)相同。
在6个处理层3A～3F与第2ID块4之间，设有6个衬底载置部PS1B～PS6B。第4衬底搬送机构TM4能够在载置在开启机构45上的载具C及6个衬底载置部PS1B～PS6B之间搬送衬底W。第5衬底搬送机构TM5能够在载置在开启机构46上的载具C及6个衬底载置部PS1B～PS6B之间搬送衬底W。此外，第4衬底搬送机构TM4无法针对载置在开启机构46上的载具C进行衬底W的取出及收纳。另外，第5衬底搬送机构TM5无法针对载置在开启机构45上的载具C进行衬底W的取出及收纳。
(载具缓冲装置8)
衬底处理装置1例如在第1ID块2、处理块3及第2ID块4上、或它们的上方具备载具缓冲装置8。载具缓冲装置8具备载具搬送机构51及载具保管架53(参照图6)。
参照图5。图5是表示载具搬送机构51的图。载具搬送机构51具备2个多关节臂61、62。在第1多关节臂61的一端设有固持部63，在第2多关节臂62的一端设有固持部64。另外，第1多关节臂61的另一端以能够在上下方向上移动的方式支撑在支柱状的升降驱动部65上，第2多关节臂62的另一端以能够在上下方向上移动的方式支撑在升降驱动部65上。
2个固持部63、64分别例如以固持设于载具C的上表面的突起部的方式构成。2个固持部63、64分别具备电动马达。
2个多关节臂61、62分别具备1个或2个以上的电动马达。第1多关节臂61构成为能够使第1固持部63绕垂直轴AX3旋转驱动360度。第2多关节臂62构成为与第1多关节臂61相同。例如，也可以是第1多关节臂61负责图6的上侧(开启机构10、46侧)的载具C的搬送，第2多关节臂62负责图6的下侧(开启机构9、45侧)的载具C的搬送。
升降驱动部65构成为能够使2个多关节臂61、62个别地升降。升降驱动部65具备电动马达。升降驱动部65也可以针对1个多关节臂具备例如皮带及多个带轮。
前后驱动部67具备支撑升降驱动部65的支撑部67A、在前后方向(X方向)上较长地延伸的纵向部67B、及电动马达(未图示)。例如，纵向部67B也可以是轨道(导轨)，支撑部67A也可以是台车。在该情况下，也可以构成为利用电动马达使台车(支撑部67A)沿着轨道(纵向部67B)移动。
另外，例如也可以将电动马达、多个带轮、皮带及导轨内置于纵向部67B，且将支撑部67A固定在皮带上。在该情况下，也可以通过利用电动马达使滑轮旋转，使挂在多个滑轮上的皮带移动，而使支撑部67A沿着导轨移动。
参照图6。载具保管架53具备输入口71、输出口72、未处理衬底载具架73、空载具架74及处理过的衬底载具架75。输入口71是用于从外部搬送机构OHT(OverheadHoistTransport，高架提升传输小车)接收收纳着未处理的衬底W的载具C的架。外部搬送机构OHT在工厂内搬送载具C。所谓未处理是指未进行利用处理块3的处理。如图1、图6所示，输入口71设于ID块2上、即ID块2的顶部平台上。在ID块2的上方，设有外部搬送机构OHT的轨道77。外部搬送机构OHT将载具C搬送到2个输入口71中的任一个。
另外，在图6中，未处理衬底载具架73及处理过的衬底载具架75以沿着纵向部67B的方式设于衬底处理装置1的长度方向上。未处理衬底载具架73供载置如下载具C，即，载置在输入口71，且收纳着无法向2个载置台13中的任一个搬送的未处理的衬底W。空载具架74供载置如下载具C，即，衬底W已被全部取出到载置台13上，且无法向2个载置台47中的任一个搬送。空载具架74设于第2ID块4上、即第2ID块4的顶部平台上。处理过的衬底载具架75供载置如下载具C，即，收纳着处理过的衬底W，且无法向2个输出口72中的任一个搬送。所谓处理过是指利用处理块3进行了处理。
输出口72是用于将收纳着处理过的衬底W的载具C交付给外部搬送机构OHT的架。如图1、图6所示，输出口72设于ID块2上、即ID块2的顶部平台上。载具搬送机构51能够使载具C在各载置台13、47及各架71～75之间自由地移动。
另外，如图1、图6所示，载置台13及开口部14(开启机构9、10)设于处理块3侧，载置台47及开口部48(开启机构45、46)设于处理块3侧。即，载置台13及载置台47以相向的方式设置。由此，载置台13及载置台47朝向载具搬送机构51设置，所以载具搬送机构51容易搬送载具C。另外，例如，在像以往那样，隔着第1ID块2在处理块3的相反侧(参照图6的箭头AR2)设有载置台的情况下，载置台13突出。但是，由于载置台13及载置台47以相向的方式设置，所以能够抑制载置台13突出。因此，能够减小衬底处理装置1的占据面积。
此外，载具搬送机构51具备2组多关节臂及固持部，但也可以具备1组或3组以上的多关节臂及固持部。另外，升降驱动部65也可以构成为相对于支撑部67A绕垂直轴旋转驱动。另外，轨道77也可以通过除第1ID块2的上方以外的位置。在该情况下，在轨道通过装置1的上方的位置设有输入口71及输出口72。载具保管架53的个数及种类能适当变更。
另外，如图2所示，衬底处理装置1具备1个或多个控制部79、及操作部80。控制部79具备例如中央运算处理装置(CPU)。控制部79控制衬底处理装置1的各构成。操作部80具备显示部(例如液晶显示器)、存储部及输入部。存储部例如具备ROM(Read-Only Memory，只读存储器)、RAM(Random-Access Memory，随机存取存储器)及硬盘中的至少1个。输入部具备键盘、鼠标、触摸板及各种按钮中的至少1个。存储部中存储着衬底处理的各种条件及衬底处理装置1的控制所需的动作程序等。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明衬底处理装置1的动作。此外，在衬底处理装置1中进行的多个处理工序为一例，由操作者选择所需的工序。参照图1。外部搬送机构OHT向设于第1ID块2上的输入口71搬送载具C。载具搬送机构51将载具C从输入口71搬送到例如开启机构9的载置台13。开启机构9的挡板部一边将载具C的盖部卸除并保持盖部，一边使开口部14打开。
(步骤S01)第1ID块2
第1ID块2从载置在2个开启机构9、10中任一个的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到6个处理层3A～3F中的任一个。例如，第1衬底搬送机构TM1从载置在开启机构9的载置台13上的载具C取出衬底W。第1衬底搬送机构TM1将所取出的衬底W搬送到例如衬底载置部PS1A。另外，第1衬底搬送机构TM1将所取出的衬底W大致均等地搬送到例如处理层3A～3F。此外，第2衬底搬送机构TM2从载置在开启机构10的载置台13上的载具C取出衬底W。
此外，在从载具C取出了所有衬底W时，开启机构9一边将盖安装在该载具C上，一边利用挡板部关闭开口部14。之后，载具搬送机构51将取出衬底W后变空的载具C置换为收纳着未处理的衬底W的其它载具C。然后，将变空的载具C搬送到例如开启机构45的载置台47。当无法将变空的载具C搬送到开启机构45、46中的任一个时，载具搬送机构51将变空的载具C搬送到空载具架74。
(步骤S02)处理块3
处理块3的各处理层3A～3F对输送来的衬底W进行涂布处理，且将进行了涂布处理的衬底W输送到第2ID块4。具体地进行说明。
例如，在处理块3的处理层3A中，第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1A接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照图3或图4所示的密接强化处理部PAHP、冷却部CP、涂布单元BARC的顺序搬送。之后，第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W按照加热冷却部PHP、冷却部CP、涂布单元RESIST、加热冷却部PHP的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元RESIST形成了抗蚀剂膜的衬底W搬送到衬底载置部PS1B。此外，处理层3B～3F与处理层3A同样，对输送来的衬底W进行涂布处理。此外，也可以省略利用密接强化处理部PAHP的工序。
(步骤S03)第2ID块4
第2ID块4将由处理层3A～3F中的任一个处理后的衬底W移回到载置在2个开启机构45、46中任一个的载置台47上的载具C。具体地进行说明。载置台47的载具C通过开启机构45成为开口部48打开的状态。第4衬底搬送机构TM4从衬底载置部PS1B接收衬底W，并将所接收到的衬底W移回到载置在开启机构45的载置台47上的载具C。此外，衬底W移回到进行涂布处理之前所被收纳的载具C。即，衬底W移回到原本的载具C。另外，在将衬底W移回到载置在开启机构46的载置台47上的载具C的情况下，使用第5衬底搬送机构TM5。
在处理过的衬底W全部被收纳到载具C之后，开启机构45一边将盖部安装在载具C，一边关闭开口部48。载具搬送机构51将收纳着处理过的衬底W的载具C从开启机构45的载置台47搬送到输出口72。之后，外部搬送机构OHT从输出口72向下一目的地搬送载具C。
说明本实施例的效果。图7是用于说明以往的衬底处理装置的动作的图。图8是用于说明处理块3具有单一的处理层的情况下的动作的图。在图7中，以往的衬底处理装置101的利用ID块102的衬底搬送工序具备输送工序及移回工序。输送工序是从载置在载具载置台113上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理块103的工序。另外，移回工序是从处理块103接收由处理块103处理过的衬底W，并将所接收到的衬底W移回到载置在所述载具载置台113上的载具C的工序。
根据本实施例，第1ID块2从载置在载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到6个处理层3A～3F(参照图1)中的任一个(输送工序)。另外，第2ID块4将从6个处理层3A～3F的每一个输送来的衬底W移回到载置在载置台47上的载具C(移回工序)。即，如图8所示，2个ID块2、4分担用于针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送(输送工序与移回工序)。由此，第1ID块2能够向配置在上下方向的6个处理层3A～3F(参照图1)更迅速地搬送较多的衬底W。另外，同时，第2ID块4能够将从配置在上下方向的6个处理层3A～3F输送来的多个衬底W更迅速地搬送到载具C。结果，能够提高衬底处理装置1的处理量。
另外，如图1所示，衬底处理装置1具备在载置台13与载置台47之间搬送载具C的载具搬送机构51。例如，在从载置在载置台13上的载具C取出了所有衬底W的情况下，载具搬送机构51为了将衬底W移回到该载具C，能够将载置在载置台13上的载具C搬送到载置台47。
另外，载具搬送机构51搭载在单一的处理块3之上。以往，载具搬送机构相对于第1ID块2配置在水平方向。根据本发明，载具搬送机构51搭载在单一的处理块3之上。因此，能够削减相对于第1ID块2配置在水平方向的以往的载具搬送机构的设置面积。即，能够削减衬底处理装置1的占据面积。
另外，衬底处理装置1具备搭载在第1ID块2、处理块3及第2ID块4之上的载具保管架53。载具搬送机构51在载置台13、载置台47及载具保管架53之间搬送载具C。以往，载具保管架53相对于第1ID块2设于水平方向。根据本发明，载具保管架53例如搭载在处理块3之上。因此，能够削减相对于第1ID块2设于水平方向的以往的载具保管架的设置面积。即，能够削减衬底处理装置1的占据面积。
[实施例2]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例2。此外，省略与实施例1重复的说明。
在实施例1中，6个处理层3A～3F分别在针对衬底W形成抗反射膜之后，形成了抗蚀剂膜。即，6个处理层3A～3F进行了相互相同的涂布处理。与此相对，在实施例2中，也可以是一个处理层对衬底W进行第1涂布处理，另一个处理层对进行了第1涂布处理的衬底W进行第2涂布处理。
图9是表示实施例2的处理块3的液体处理部28的配置的右侧视图。在处理块3中，下侧的3个处理层3A～3C进行形成抗反射膜的第1涂布处理，上侧的3个处理层3D～3F进行形成抗蚀剂膜的第2涂布处理。
此外，在图9中，在第2ID块4与3个处理层3D～3F之间，设有输送用衬底载置部PS4B～PS6B及移回用衬底载置部PS4D～PS6D。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。参照图9。
(步骤S11)第1ID块2
第1ID块2从载置在2个开启机构9、10中任一个的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到3个处理层3A～3C中的任一个。例如，第1衬底搬送机构TM1从载置在开启机构9的载置台13上的载具C取出衬底W。第1衬底搬送机构TM1将所取出的衬底W搬送到衬底载置部PS1A。另外，第1衬底搬送机构TM1将所取出的衬底W大致均等地搬送到例如处理层3A～3C。
此外，当利用第1衬底搬送机构TM1从开启机构9的载具C取出所有衬底W时，载具搬送机构51将变空的载具C搬送到例如开启机构45的载置台47(参照图9所示的载置台13的载具C与载置台47的载具C之间的虚线)。
(步骤S12)处理块3的处理层3A～3C(第1涂布处理)
处理块3的各处理层3A～3C对输送来的衬底W进行第1涂布处理(例如形成抗反射膜)，且将进行了第1涂布处理的衬底W输送到第2ID块4。具体地进行说明。
例如，在处理块3的处理层3A中，图1所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1A接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照密接强化处理部PAHP、冷却部CP、涂布单元BARC的顺序搬送。在涂布单元BARC中，在衬底W上形成抗反射膜。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W搬送到衬底载置部PS1B。此外，处理层3B、3C与处理层3A同样，对输送来的衬底W进行第1涂布处理。
(步骤S13)第2ID块4
第2ID块4将由处理层3A处理后的衬底W从处理层3A输送到进行第2涂布处理的处理层3D。即，2个衬底搬送机构TM4、TM5中的一个从图9所示的衬底载置部PS1B向衬底载置部PS4B搬送衬底W。此外，由处理层3B进行了第1涂布处理的衬底W被输送到处理层3E。由处理层3C进行了第1涂布处理的衬底W被输送到处理层3F。
(步骤S14)处理块3的处理层3D～3F(第2涂布处理)
处理块3的各处理层3D～3F对输送来的衬底W进行第2涂布处理(例如形成抗蚀剂膜)，且将进行了第2涂布处理的衬底W移回到第2ID块4。具体地进行说明。
在处理块3的处理层3D中，图1所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS4B接收衬底W。如图4、图9所示，第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照加热冷却部PHP、冷却部CP、涂布单元RESIST及加热冷却部PHP的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元RESIST形成了抗蚀剂膜的衬底W输送到衬底载置部PS4D。此外，处理层3E、3F与处理层3D同样，对输送来的衬底W进行第2涂布处理。
(步骤S15)第2ID块4
第2ID块4将由处理层3D～3F中的任一个处理后的衬底W移回到载置在2个开启机构45、46中任一个的载置台47上的载具C。具体地进行说明。载置台47的载具C通过开启机构45成为开口部48打开的状态。第4衬底搬送机构TM4从衬底载置部PS4D接收衬底W，并将所接收到的衬底W移回到载置在开启机构45的载置台47上的载具C。此外，衬底W移回到进行涂布处理之前所被收纳的载具C。另外，在将衬底W移回到载置在开启机构46的载置台47上的载具C的情况下，使用第5衬底搬送机构TM5。
＜其它动作例＞
此外，图9所示的处理块3也能够像图10所示那样动作。在图10中，在第1ID块2与3个处理层3A～3C之间设有输送用衬底载置部PS1A～PS3A及移回用衬底载置部PS1C～PS3C。
第1ID块2从载置在2个开启机构9、10中任一个的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到3个处理层3A～3C中的任一个。处理块3的各处理层3A～3C对输送来的衬底W进行第1涂布处理(例如形成抗反射膜)，且将进行了第1涂布处理的衬底W移回第1ID块2。例如，在处理层3A中，第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1A接收衬底W，进行第1涂布处理之后，将进行了第1涂布处理的衬底W输送到衬底载置部PS1C。
第1ID块2将由处理层3A处理后的衬底W从处理层3A输送到进行第2涂布处理的处理层3D。处理块3的各处理层3D～3F对输送来的衬底W进行第2涂布处理(例如形成抗蚀剂膜)，且将进行了第2涂布处理的衬底W输送到第2ID块4。第2ID块4将由处理层3D～3F中的任一个处理后的衬底W移回到载置在2个开启机构45、46中任一个的载置台47上的载具C。
根据本实施例，例如在利用处理层3A与处理层3D依序对衬底W进行互不相同的涂布处理的构成中，2个ID块2、4能够分担针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送及层间的衬底搬送。
[实施例3]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例3。此外，省略与实施例1、2重复的说明。
在实施例1中，6个处理层3A～3F分别在针对衬底W形成抗反射膜之后，形成了抗蚀剂膜。即，6个处理层3A～3F进行了相互相同的涂布处理。与此相对，在实施例2中，也可以是一个处理层对衬底W进行第1涂布处理，另一个处理层对进行了第1涂布处理的衬底W进行第2涂布处理。另外，另一个处理层也可以对进行了第2涂布处理的衬底W进行第3涂布处理。
图11是表示实施例3的处理块3的液体处理部28的配置的右侧视图。在处理块3中，下侧的2个处理层3A、3B进行形成抗反射膜的第1涂布处理，中间的2个处理层3C、3D进行形成抗蚀剂膜的第2涂布处理。然后，上侧的2个处理层3E、3F进行形成抗蚀剂保护膜的第3涂布处理。用于形成抗蚀剂保护膜的涂布单元例如具备保持旋转部37、喷嘴38及喷嘴移动机构39(参照图2)。抗蚀剂保护膜例如为具有拨水性的膜。此外，第1涂布处理、第2涂布处理及第3涂布处理也可以形成如下所述的膜。即，第1涂布处理形成下层膜(SOC：Spin OnCarbon，旋涂式碳)，第2涂布处理形成中间膜(SOG：Spin On Glass，旋涂式玻璃)，第3涂布形成抗蚀剂膜。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。参照图11。
(步骤S21)第1ID块2
第1ID块2从载置在2个开启机构9、10(参照图6)中任一个的载置台13上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到2个处理层3A、3B中的任一个。例如，第1衬底搬送机构TM1从载置在开启机构9的载置台13上的载具C取出衬底W。第1衬底搬送机构TM1将所取出的衬底W搬送到衬底载置部PS1A。
(步骤S22)处理块3的处理层3A、3B(第1涂布处理)
处理块3的各处理层3A、3B对输送来的衬底W进行第1涂布处理(例如形成抗反射膜)，且将进行了第1涂布处理的衬底W输送到第2ID块4。例如，在处理块3的处理层3A中，图1所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1A接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照密接强化处理部PAHP、冷却部CP、涂布单元BARC的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W搬送到衬底载置部PS1B。
(步骤S23)第2ID块4
第2ID块4将由处理层3A处理后的衬底W从处理层3A输送到进行第2涂布处理的处理层3C。即，2个衬底搬送机构TM4、TM5中的一个从图11所示的衬底载置部PS1B向衬底载置部PS3B搬送衬底W。此外，由处理层3B进行了第1涂布处理的衬底W被输送到处理层3D。
(步骤S24)处理块3的处理层3C、3D(第2涂布处理)
处理块3的各处理层3C、3D对搬送来的衬底W进行第2涂布处理(例如形成抗蚀剂膜)，且将进行了第2涂布处理的衬底W搬送到第1ID块2。例如，在处理块3的处理层3C中，图1所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS3B接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照加热冷却部PHP、冷却部CP、涂布单元RESIST及加热冷却部PHP的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将由涂布单元RESIST形成了抗蚀剂膜的衬底W搬送到衬底载置部PS3A。
(步骤S25)第1ID块2
第1ID块2将由处理层3C处理后的衬底W从处理层3C输送到进行第3涂布处理的处理层3E。即，2个衬底搬送机构TM1、TM2中的一个从图11所示的衬底载置部PS3A向衬底载置部PS5A搬送衬底W。此外，由处理层3D进行了第2涂布处理的衬底W被输送到处理层3F。
(步骤S26)处理块3的处理层3E、3F(第3涂布处理)
处理块3的各处理层3E、3F对搬送来的衬底W进行第3涂布处理(例如形成抗蚀剂保护膜)，将进行了第3涂布处理的衬底W搬送到第2ID块4。例如，在处理块3的处理层3E中，图1所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS5A接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W按照形成抗蚀剂保护膜的涂布单元、加热冷却部PHP的顺序搬送。第3衬底搬送机构TM3将形成了抗蚀剂保护膜的衬底W搬送到衬底载置部PS5B。此外，也可以将由加热冷却部PHP处理后的衬底W搬送到边缘曝光部EEW，将由边缘曝光部EEW处理后的衬底W搬送到衬底载置部PS5B。
(步骤S27)第2ID块4
第2ID块4将由处理层3E、3F中的任一个处理后的衬底W移回到载置在2个开启机构45、46(参照图6)中任一个的载置台47上的载具C。具体地进行说明。第4衬底搬送机构TM4从衬底载置部PS5B接收衬底W，并将所接收到的衬底W移回到载置在开启机构45的载置台47上的载具C。
根据本实施例，各处理层3A～3F从作为衬底W的输送源的ID块向其相反侧的ID块(例如从第1ID块2向第2ID块4)输送衬底W。衬底搬送所使用的衬底载置部PS1A～PS6A设于处理层3A～3F与第1ID块2之间。另外，衬底载置部PS1B～PS6B设于处理层3A～3F与第2ID块4之间。在将衬底W移回到作为衬底W的输送源的ID块的情况下(例如将从第1ID块2输送来的衬底W移回到第1ID块2的情况下)，必须将输送用衬底载置部与移回用衬底载置部这两种衬底载置部设于一ID块的附近(例如参照图10所示的衬底载置部PS2A、PS2C)。因此，能够载置在输送用衬底载置部与移回用衬底载置部各自的衬底W的片数也受到限制。然而，通过从作为衬底W的输送源的ID块向其相反侧的ID块输送衬底，能确保能够载置在衬底载置部的衬底W的片数。另外，由于2个ID块2、4交替地搬送，所以2个ID块2、4能够大致均等地分担层间的衬底搬送。
接下来，参照图12A～图12C来说明其它动作例。此外，在图12A～图12C中，处理块3具备3个处理层3A、3C、3E。此外，如上所述，处理层3A例如针对衬底W形成抗反射膜，处理层3C例如针对衬底W形成抗蚀剂膜。另外，处理层3E例如针对衬底W形成抗蚀剂保护膜。
＜其它动作例1＞
参照图12A。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。搬送到处理层3A的衬底W依序被搬送到第2ID块4、处理层3C、第2ID块4、处理层3E及第2ID块4。然后，第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，3个处理层3A、3C、3E分别进行预先设定的涂布处理。
＜其它动作例2＞
参照图12B。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。搬送到处理层3A的衬底W依序被搬送到第1ID块2、处理层3C、第1ID块2、处理层3E及第2ID块4。第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，3个处理层3A、3C、3E分别进行预先设定的涂布处理。
根据其它动作例1、2，例如在利用处理层3A、3C、3E依序对衬底W进行互不相同的涂布处理的构成中，2个ID块2、4能够分担用于针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送、及层间的衬底搬送。
＜其它动作例3＞
参照图12C。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。搬送到处理层3A的衬底W依序被搬送到第1ID块2、处理层3C、第2ID块4、处理层3E及第2ID块4。第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，3个处理层3A、3C、3E分别进行预先设定的涂布处理。
在该动作例的情况下，第1ID块2在2个处理层3A、3C之间搬送衬底W，第2ID块4在2个处理层3C、3D之间搬送衬底W。根据本动作例，例如在利用处理层3A、3C、3E依序对衬底W进行互不相同的涂布处理的构成中，2个ID块2、4能够均等地分担用于针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送、及层间的衬底搬送。特别是，能够利用2个ID块2、4均等地分担2个处理层间的衬底搬送。因此，能够更简单地进行衬底搬送。
[实施例4]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例4。此外，省略与实施例1～3重复的说明。
在实施例1中，第2ID块4与处理块3连结，且设有载置台47(开启机构45、46)。在这一点上，在本实施例中，第2ID块4进而构成为针对曝光装置EXP进行衬底W的搬入及搬出。
图13是实施例4的衬底处理装置1的纵剖视图。图14是衬底处理装置1的横剖视图。图15是衬底处理装置1的右侧视图。图16是表示衬底处理装置1的左侧面的一部分的图。
如图13所示，第2ID块4构成为针对曝光装置EXP进行衬底W的搬入及搬出。第2ID块4也作为接口块发挥功能。第2ID块4具备3个衬底搬送机构TM4～TM6、多个曝光前清洗单元161、多个曝光后清洗单元162、加热冷却部PHP(PEB)、3个载置兼冷却部P-CP及载置部PS9。
第4衬底搬送机构TM4及第5衬底搬送机构TM5以在与前后方向(X方向)正交的Y方向上排列的方式配置。第6衬底搬送机构TM6配置在2个衬底搬送机构TM4、TM5的后方(图14的右侧)。曝光前清洗单元161与曝光后清洗单元162以隔着2个衬底搬送机构TM4、TM5对向的方式设置。3个清洗单元161与2个清洗单元162设于第4衬底搬送机构TM4侧及第5衬底搬送机构TM5侧的两侧(参照图14、15)。
曝光前清洗单元161将曝光处理前的衬底W进行清洗并使其干燥。曝光后清洗单元162将曝光处理后的衬底W进行清洗并使其干燥。各清洗单元161、162具备：保持旋转部，保持衬底W；及喷嘴，向衬底W喷出例如清洗液及冲洗液。另外，各清洗单元161、162也可以使用毛刷等对衬底W的背面及端部(斜面部)进行抛光处理。此外，衬底W的背面是指例如形成着电路图案的面的相反侧的面。
如图14所示，IF块6的加热冷却部PHP以隔着第6衬底搬送机构TM6对向的方式设置。在第4衬底搬送机构TM4侧(参照图14、图15)侧，6个加热冷却部PHP配置在上下方向。另外，在第5衬底搬送机构TM5侧(参照图14)，6个加热冷却部PHP也配置在上下方向。
在3个衬底搬送机构TM4～TM6之间，设有3个载置兼冷却部P-CP及载置部PS9(参照图13、图14)。3个装载兼冷却部P-CP及衬底装载部PS9配置在上下方向。
第4衬底搬送机构TM4能够在8个衬底载置部PS1B～PS7B、PS9、3个载置兼冷却部P-CP、清洗单元161、162、加热冷却部PHP及载置在开启机构45的载具C之间搬送衬底W。
第5衬底搬送机构TM5能够在8个衬底载置部PS1B～PS7B、PS9、3个载置兼冷却部P-CP、清洗单元161、162、加热冷却部PHP及载置在开启机构46的载具C之间搬送衬底W。
第6衬底搬送机构TM6能够在衬底载置部PS9、3个载置兼冷却部P-CP及外部的曝光装置EXP之间搬送衬底W。3个衬底搬送机构TM4～TM6分别构成为例如与第1衬底搬送机构TM1大致相同，所以省略其说明。
在第1ID块2与7个处理层3A～3G之间，配置着7个衬底载置部PS1A～PS7A。另外，在7个处理层3A～3G与第2ID块4之间，配置着7个衬底载置部PS1B～PS7B。
(处理块3的构成)
参照图15。处理块3具备7个处理层3A～3G。7个处理层3A～3G以在上下方向(Z方向)上积层的方式配置。下侧的2个处理层3A、3B具备用于针对衬底W形成抗反射膜的涂布单元BARC。中间的2个处理层3C、3D具备用于针对衬底W形成抗蚀剂膜的涂布单元RESIST。
另外，上侧的3个处理层3E～3G(3E、3F、3G)具备4个显影单元DEV作为液体处理部28。显影单元DEV对曝光后的衬底W进行显影处理。4个显影单元DEV以4列×1层的方式配置。图14所示的喷嘴38供给显影液。
另外，如图16的处理层3G所示，3个处理层3E～3G的热处理部29构成为能够以5列×3层的方式配置。3个处理层3E～3G分别具备1个冷却部CP及12个加热冷却部PHP。此外，除液体处理部28及热处理部29以外的单元的个数及种类能适当变更。另外，图16是以7个处理层3A～3G为代表示出3个处理层3A、3C、3G的热处理部29的配置。2个处理层3B、3D分别以与处理层3A及处理层3C相同的方式配置着热处理部29。另外，处理层3E、3F分别以与处理层3G相同的方式配置着热处理部29。
＜衬底处理装置1的动作＞
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。参照图15。
(步骤S31)第2ID块4
第2ID块4从载置在2个开启机构45、46中的任一个载置台47上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到2个处理层3A、3B中的任一个。具体地进行说明。在第2ID块4中，例如第4衬底搬送机构TM4从载置在开启机构45的载置台47上的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到衬底载置部PS1B。
(步骤S32)处理块3的处理层3A、3B(第1涂布处理)
处理层3A、3B分别对搬送来的衬底W进行第1涂布处理(例如形成抗反射膜)，且将进行了第1涂布处理的衬底W搬送到第1ID块2。例如，在处理块3的处理层3A中，图13、图14所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1B接收衬底W，并将所接收到的衬底W至少搬送到涂布单元BARC。之后，第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元BARC形成了抗反射膜的衬底W搬送到衬底载置部PS1A。
(步骤S33)第1ID块2
第1ID块2进行第1涂布处理，且将搬送来的衬底W搬送到处理层3C。即，2个衬底搬送机构TM1、TM2中的一个从图15所示的衬底载置部PS1A向衬底载置部PS3A搬送衬底W。此外，由处理层3B进行了第1涂布处理的衬底W被输送到处理层3D(即从衬底载置部PS2A输送到PS4A)。
(步骤S34)处理块3的处理层3C、3D(第2涂布处理)
各处理层3C、3D对搬送来的衬底W进行第2涂布处理(例如形成抗蚀剂膜)，且将进行了第2涂布处理的衬底W搬送到第2ID块4。例如，在处理块3的处理层3C中，图13、图14所示的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS3A接收衬底W。第3衬底搬送机构TM3将所接收到的衬底W至少搬送到涂布单元RESIST。第3衬底搬送机构TM3将利用涂布单元RESIST形成了抗蚀剂膜的衬底W搬送到衬底载置部PS3B。
(步骤S35)第2ID块4(利用曝光装置进行的曝光处理)
第2ID块4将由2个处理层3C、3D中的一个处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。另外，第2ID块4从曝光装置EXP搬入由曝光装置EXP进行了曝光处理的衬底W。第2ID块4将所搬入的衬底W搬送到3个处理层3E～3G。具体地进行说明。
在第2ID块4中，2个衬底搬送机构TM4、TM5中的一个从衬底载置部PS3B接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照曝光前清洗单元161、载置兼冷却部P-CP的顺序搬送。第6衬底搬送机构TM6从载置兼冷却部P-CP向曝光装置EXP搬送衬底W。曝光装置EXP将搬送来的衬底W进行曝光。
第6衬底搬送机构TM6将由曝光装置EXP进行了曝光的衬底W从曝光机EXP搬送到衬底载置部PS9。2个衬底搬送机构TM4、TM5中的一个从衬底载置部PS9接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照曝光后清洗单元162、第2ID块4的加热冷却部PHP、及例如衬底载置部PS5B的顺序搬送。此外，在加热冷却部PHP中，进行曝光后烘烤(PEB)处理。
(步骤S36)处理块3的处理层3E～3G(显影处理)
处理块3的3个处理层3E～3G中的任一个对搬送来的衬底W进行显影处理，且将进行了显影处理的衬底W搬送到第1ID块2。例如在处理层3E中，第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS5B接收衬底W，并将所接收到的衬底W按照冷却部CP、显影单元DEV、加热冷却部PHP、衬底载置部PS5A的顺序搬送。此外，在3个处理层3E～3G中，也可以省略显影单元DEV之后的加热冷却部PHP的处理。
(步骤S37)第1ID块2
第1ID块2将由处理层3E～3G中的任一个进行了显影处理的衬底W移回到载置在2个开启机构9、10中任一个的载置台13上的载具C。具体地进行说明。例如，第1衬底搬送机构TM1从衬底载置部PS5A接收衬底W，并将所接收到的衬底W移回到载置在开启机构9的载置台13上的载具C。
根据本实施例，各处理层3A～3G从作为衬底W的输送源的ID块向其相反侧的ID块(例如从第1ID块2向第2ID块4)输送衬底W。衬底搬送所使用的衬底载置部PS1A～PS7A设于处理层3A～3G与第1ID块2之间。另外，衬底载置部PS1B～PS7B设于处理层3A～3G与第2ID块4之间。在将衬底W移回到作为衬底W的输送源的ID块的情况下(例如将从第1ID块2输送来的衬底W移回到第1ID块2的情况下)，必须将输送用衬底载置部与移回用衬底载置部这两种衬底载置部设于一ID块的附近。因此，能够载置在输送用衬底载置部与移回用衬底载置部各自的衬底W的片数也受到限制。然而，通过从作为衬底W的输送源的ID块向其相反侧的ID块输送衬底，能确保能够载置在衬底载置部的衬底W的片数。另外，由于2个ID块2、4交替地搬送，所以2个ID块2、4能够大致均等地分担层间的衬底搬送。
接下来，参照图17A、图17B来说明其它动作例。此外，在图17A、图17B中，处理块3具备3个处理层3A、3C、3E。此外，如上所述，处理层3A例如针对衬底W形成抗反射膜，处理层3C例如针对衬底W形成抗蚀剂膜。另外，处理层3E例如对衬底W进行显影处理。
＜其它动作例1＞
参照图17A。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。被搬送到处理层3A且由处理层3A进行了处理的衬底W依序被搬送到第1ID块2、处理层3C(第2涂布处理)、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3E(显影处理)及第2ID块4。然后，第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。
＜其它动作例2＞
参照图17B。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。被搬送到处理层3A且由处理层3A进行了处理的衬底W依序被搬送到第2ID块4、处理层3C(第2涂布处理)、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3E(显影处理)及第2ID块4。然后，第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。
根据其它动作例1、2，例如在利用处理层3A、3C、3E及曝光装置EXP依序对衬底W进行互不相同的涂布处理等的构成中，2个ID块2、4能够分担用于针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送及层间侧衬底搬送。
[实施例5]
接下来，参照附图来说明本发明的实施例5。此外，省略与实施例1～4重复的说明。
在实施例4中，处理块3具备形成抗反射膜的2个处理层3A、3B、形成抗蚀剂膜的2个处理层3C、3D、及进行显影处理的3个处理层3E～3G。即，实施例4的处理块3具备3种处理层。在这一点上，在本实施例中，也可以具备两种处理层。
图18是表示实施例5的处理块3的液体处理部28的配置的右侧视图。处理块3具备6个处理层3A～3F。下侧的3个处理层3A～3C在形成抗反射膜之后，形成抗蚀剂膜。另外，上侧的3个处理层进行显影处理。
接下来，说明本实施例的衬底处理装置1的动作。参照图18。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到例如处理层3A。被搬送到处理层3A且由处理层3A处理后的衬底W依序被搬送到第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第2ID块4。然后，第2ID块4将由处理层3D处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，由处理层3B处理后的衬底W在曝光后，例如由处理层3E进行显影处理。另外，由处理层3C处理后的衬底W在曝光后，例如由处理层3F进行显影处理。
＜其它动作例＞
参照图19。第2ID块4从载置台47的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。被搬送到处理层3A且由处理层3A处理后的衬底W依序被搬送到第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第1ID块2。然后，第1ID块2将由处理层3E处理后的衬底W收纳在载置台13的载具C上。
根据本实施例，例如在利用处理层3A、3D及曝光装置EXP依序对衬底W进行互不相同的涂布处理等的构成中，2个ID块2、4能够分担用于针对载具C放入取出衬底W的衬底搬送及层间的衬底搬送。
本发明并不限于所述实施方式，能以如下方式变化实施。
(1)在所述实施例1中，如图3所示，6个处理层3A～3F分别具备4个液体处理部28，4个液体处理部28由2个涂布单元BARC及2个涂布单元RESIST构成。在这一点上，例如4个液体处理部28也可以全部由涂布单元BARC构成。另外，4个液体处理部28也可以全部由涂布单元RESIST构成。4个液体处理部28也可以全部由形成抗蚀剂保护膜的涂布单元构成。
(2)在所述实施例1中，如图3所示，处理块3的各处理层3A～3F对衬底W进行了涂布处理，但各处理层3A～3F也可以对衬底W进行显影处理。另外，各处理层3A～3F也可以对衬底W进行清洗处理。此外，在进行衬底W的背面的清洗处理的情况下，也可以构成为衬底W通过图2的虚线所示的设于2个ID块2、4上的翻转单元R1～R4中的任一个来翻转。例如，当正面朝上时，将衬底W翻转为正面朝下。另外，也可以在ID块2与各处理层3A～3F之间的衬底载置部PS6A～PS6F中的至少一个设置翻转单元。
作为用于清洗的处理液，例如也可以使用APM(氨过氧化氢水混合溶液)、纯水(DIW)、碳酸水、氢水、氨水(NH4OH)、SC1(Standard Clean 1，标准清洗液1)、SC2(StandardClean2，标准清洗液2)、柠檬酸水溶液、FOM(氢氟酸/臭氧的混合药液)、FPM(氢氟酸/过氧化氢水/纯水的混合药液)、氢氟酸(HF)、HCl、IPA(异丙醇)、TMAH(氢氧化四甲基铵)及三甲基-2-羟基四乙基氢氧化铵水溶液(CHOLINE)。
(3)在所述实施例2中，如图9所示，处理块3的下侧的3个处理层3A～3C进行形成抗反射膜的第1涂布处理，上侧的3个处理层3D～3F进行形成抗蚀剂膜的第2涂布处理。也可以是下侧的3个处理层3A～3C进行背面清洗处理(第1清洗处理)，上侧的3个处理层3D～3F进行正面清洗处理(第2清洗处理)。
进行正面清洗处理的清洗单元81例如如图20A所示，具备保持旋转部82、液体供给部83及喷雾清洗机构120。保持旋转部82具备：旋转夹头86A，将衬底W的下表面进行例如真空吸附来保持衬底W；及驱动部88，使旋转夹头86A绕垂直轴AX4旋转。液体供给部83具备喷出处理液的喷嘴90、及与喷嘴90连通连接的配管92。喷雾清洗机构120具备喷雾喷嘴(二流体喷嘴)121、及与喷雾喷嘴121连通连接的液体供给管123。
对喷嘴121通过液体供给管123供给处理液，并且供给氮气(惰性气体)。保持旋转部82使所保持的衬底W旋转。从喷嘴90向旋转的衬底W的上表面喷出处理液。从喷嘴121向旋转的衬底W的上表面喷射雾状的处理液。由此，清洗衬底W的上表面、即衬底W的正面。图20A所示的清洗单元81也可以代替旋转夹头86A而具备图20B所示的旋转夹头86B。
另外，进行背面清洗处理的清洗单元81例如如图20B所示，具备保持旋转部82、液体供给部83及毛刷清洗机构84。旋转夹头86B通过多个保持销85与衬底W的端部接触而保持衬底W。毛刷清洗机构84具备：毛刷清洗工具94；臂部96，将毛刷清洗工具94以能够旋转的方式支撑在一端；及驱动部98，支撑臂部96的另一端，使臂部96绕垂直轴AX5旋转。另外，该驱动部98能够使臂部96升降。2个驱动部88、98分别具备电动马达。图20B所示的清洗单元81例如一边从喷嘴90向旋转的衬底W的上表面喷出处理液，一边使毛刷清洗工具94与衬底W的上表面接触。由此，清洗衬底W的上表面、即衬底W的背面。
另外，在图9中，也可以是下侧的3个处理层3A～3C进行斜面清洗处理(第1清洗处理)，上侧的3个处理层3D～3F进行背面清洗处理(第2清洗处理)。此外，所谓斜面清洗是指利用外缘部清洗喷嘴对衬底W的上表面的外缘部供给处理液而清洗衬底W的外缘部。
(4)在所述实施例3中，如图11所示，处理块3的下侧的2个处理层3A、3B进行形成抗反射膜的第1涂布处理，中间的2个处理层3C、3D进行形成抗蚀剂膜的第2涂布处理，进而，上侧的2个处理层3E、3F进行形成抗蚀剂保护膜的第3涂布处理。与此相对，也可以是下侧的处理层3A、3B进行第1清洗处理，中间的处理层3C、3D进行第2清洗处理，上侧的处理层3E、3F进行第3清洗处理。
(5)在所述实施例3中，如图11所示，第2ID块4将搬送来的衬底W搬送到例如处理层3C(A工序)。处理层3C对搬送来的衬底W进行特定的处理，并将该衬底搬送到第1ID块2(B工序)。第1ID块2将搬送来的衬底W搬送到处理层3E(C工序)。处理层3E对搬送来的衬底W进行特定的处理，并将该衬底W搬送到第2ID块4(D工序)。然后，第2ID块4将由处理层3E处理后的衬底W移回到载置在载置台47上的载具C。
也可以是第2ID块4不将由处理层3E处理后的衬底W移回到载具C，而由衬底处理装置1(或其控制部79)以如图21所示的方式动作。即，衬底处理装置1还具备进行互不相同的处理的2个处理层3G、3H。像从所述A工序到D工序那样，2个处理层3G、3H也可以一边分别进行特定的处理，一边在2个ID块2、4之间往复1次。此外，衬底处理装置1除具备2个处理层3G、3H以外，还可以具备进行互不相同的处理的2个处理层。此时，2个处理层也可以一边分别进行特定的处理，一边在2个ID块2、4之间进一步往复1次。然后，也能以如下方式动作：将由最后工序的处理层处理后的衬底W移回到载置在载置台47上的载具C。
说明图21所示的衬底处理装置1的动作。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到2个处理层3A、3B中的任一个(例如处理层3A)。处理层3A对搬送来的衬底W进行第1处理，且将该衬底W搬送到第2ID块4。第2ID块4将搬送来的衬底W搬送到处理层3C。处理层3C对搬送来的衬底W进行第2处理，且将该衬底W搬送到第1ID块2。第1ID块2将搬送来的衬底W搬送到处理层3E。处理层3E对搬送来的衬底W进行第3处理，且将该衬底W搬送到第2ID块4。
此处，第2ID块4不将衬底W移回到载置台47的载具C，而将衬底W搬送到处理层3G。处理层3G对搬送来的衬底W进行第4处理，且将该衬底W搬送到第1ID块2。第1ID块2将搬送来的衬底W搬送到处理层3H。处理层3H对搬送来的衬底W进行第5处理，且将该衬底W搬送到第2ID块4。第2ID块4将由最后工序的处理层3H处理后的衬底W移回到载置台47的载具C。
图21所示的处理块3是利用5个处理层3A、3C、3E、3F、3H进行第1～第5的5种处理，但也可以利用7个处理层进行7种处理。另外，在图21中，在衬底W被搬送到处理层3B的情况下，由处理层3B进行了第1处理的衬底W经第2ID块4搬送到处理层3D。之后，由处理层3D进行了第2处理的衬底W经第1ID块2搬送到处理层3F。之后，如上所述，由处理层3F进行了第3处理的衬底W按照处理层3G及处理层3H的顺序被搬送。
(6)在所述实施例1～3中，第1ID块2从载置在载置台13上的载具C取出衬底W，第2ID块4将由处理块3处理后的衬底W移回到载置在载置台47上的载具C。在这一点上，衬底W也可以被朝向反方向搬送。即，第2ID块4从载置在载置台47上的载具C取出衬底W，第1ID块2将由处理块3处理后的衬底W移回到载置在载置台13上的载具C。
(7)在所述实施例4中，例如如图15所示，第1涂布处理是利用2个处理层3A、3B进行的，但第1涂布处理也可以利用1个处理层进行，还可以利用3个以上的处理层进行。另外，第2涂布处理是利用2个处理层3C、3D进行的，但第2涂布处理也可以利用1个处理层进行，还可以利用3个以上的处理层进行。另外，显影处理是在3个处理层3E～3G中进行的，但也可以在1个或2个处理层中进行，还可以在4个以上的处理层中进行。
(8)在所述实施例4中，处理块3例如具备进行互不相同的3种处理的3个处理层3A、3C、3E。在这一点上，处理块3例如也可以具备进行互不相同的4种处理的4个处理层。
图22A～图22C、图23A～图23C是用于说明变化例的衬底处理装置的构成及动作的图。此外，在图22A～图23C及下述图24A～图25B中，适当省略重复的说明。在图22A～图23C及下述图24A～图25B中，处理块3具备进行互不相同的4种处理的4个处理层3A～3D。此外，例如第1处理是利用单一的处理层3A进行的，也可以利用多个处理层进行。
在图22A所示的处理块3中，处理层3A例如进行第1涂布处理，处理层3B例如进行第2涂布处理。另外，处理层3C例如进行第3涂布处理，处理层4D例如进行显影处理。
在图22A中，第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W搬送到处理层3A。处理层3A对搬送来的衬底W进行第1涂布处理，且将该衬底W搬送到第2ID块4。第2ID块4将搬送来的衬底W搬送到处理层3B。处理层3B对搬送来的衬底W进行第2涂布处理，且将该衬底W搬送(移回)到第2ID块4。第2ID块4将搬送来的衬底W搬送到处理层3C。处理层3C对搬送来的衬底W进行第3涂布处理，将该衬底W搬送(移回)到第2ID块4。
之后，第2ID块4将由处理层3C处理后的衬底W搬出到曝光装置EXP。第2ID块4从曝光装置EXP搬入由曝光装置EXP进行了曝光处理的衬底W，并将所搬入的衬底W搬送到处理层3D。处理层3D对搬送来的衬底W进行显影处理，将该衬底W搬送到第2ID块4。第2ID块4将搬送来的衬底W移回到载置台47的载具C。
此外，图22A的4个处理层3A～3D例如也可以进行如下处理。处理层3A进行第1涂布处理，处理层3B进行第2涂布处理。处理层3C进行曝光后清洗及曝光后烘烤，处理层3D进行显影处理。在该情况下，也可以像图22A的虚线所示的箭头AR1那样，在处理层3B与处理层3C之间利用曝光装置EXP进行曝光处理。另外，在箭头AR1的位置进行曝光处理的情况下，由处理层3C处理后的衬底W经第2ID块4搬送到处理层3D。
说明图22B的衬底处理装置1的动作。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W。经取出的衬底W按照处理层3A、第2ID块4、处理层3B、第1ID块2、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第2ID块4的顺序被搬送。之后，第2ID块4将由处理层3D处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，各处理层3A～3D分别进行第1～第4特定的处理。
说明图22C的衬底处理装置1的动作。第1ID块2从载置台13的载具C取出衬底W。经取出的衬底W按照处理层3A、第2ID块4、处理层3B、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3C、第1ID块2、处理层3D及第2ID块4的顺序被搬送。之后，第2ID块4将由处理层3D处理后的衬底W收纳在载置台47的载具C上。此外，各处理层3A～3D分别进行第1～第4特定的处理。
在图23A中，从第1ID块2的载置部13的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第1ID块2、处理层3B、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3C、第1ID块2、处理层3D及第2ID块4的顺序被搬送。
在图23B中，从第1ID块2的载置部13的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第1ID块2、处理层3B、第2ID块4、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第2ID块4的顺序被搬送。另外，也可以像图23B所示的箭头AR1那样，在处理层3B与处理层3C之间利用曝光装置EXP进行曝光处理。
在图23C中，从第1ID块2的载置部13的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第1ID块2、处理层3B、第1ID块2、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第2ID块4的顺序被搬送。
接下来，说明图24A～图25B所示的衬底处理装置1的动作。在图24A～图25B所示的衬底处理装置1中，第2ID块4从载置台47的载具C取出衬底W，并将所取出的衬底W输送到处理层3A。第1ID块2将由处理层3D处理后的衬底W移回(收纳)到载置台13的载具C上。各处理层3A～3D分别进行第1～第4特定的处理。
在图24A中，从第2ID块4的载置部47的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第1ID块2、处理层3B、第2ID块4、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第1ID块2的顺序被搬送。另外，也可以像图24A的虚线所示的箭头AR1那样，在处理层3B与处理层3C之间利用曝光装置EXP进行曝光处理。
在图24B中，从第2ID块4的载置部47的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第1ID块2、处理层3B、第1ID块2、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第1ID块2的顺序被搬送。
在图24C中，从第2ID块4的载置部47的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第2ID块4、处理层3B、第2ID块4、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第1ID块2的顺序被搬送。另外，也可以像图24C的虚线所示的箭头AR1那样，在处理层3B与处理层3C之间利用曝光装置EXP进行曝光处理。
在图25A中，从第2ID块4的载置部47的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第2ID块4、处理层3B、第1ID块2、处理层3C、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3D及第1ID块2的顺序被搬送。
在图25B中，从第2ID块4的载置部47的载具C取出的衬底W按照处理层3A、第2ID块4、处理层3B、第2ID块4、曝光装置EXP、第2ID块4、处理层3C、第1ID块2、处理层3D及第1ID块2的顺序被搬送。
(9)在所述实施例4、5中，如图13所示，第1ID块2的第1衬底搬送机构TM1在7个衬底载置部PS1A～PS7A及开启机构9的载具C之间搬送衬底W。另外，第2衬底搬送机构TM2在7个衬底载置部PS1A～PS7A及开启机构10的载具C之间搬送衬底W。
关于2个衬底搬送机构TM1、TM2的作用，例如，第2衬底搬送机构TM2也可以在4个衬底载置部PS1A～PS4A之间搬送衬底W。在该情况下，第1衬底搬送机构TM1也可以在3个衬底载置部PS5A～PS7A及开启机构9的载具C之间搬送衬底。该作用在第1衬底搬送机构TM1与第2衬底搬送机构TM2之间也可以是相反的。另外，例如，如图26所示，也可以是第1衬底搬送机构TM1构成为能够在开启机构9、10排列的Y方向上移动，第2衬底搬送机构TM2配置在第1衬底搬送机构TM1与处理块3之间。
(10)在所述实施例4、5中，如图13所示，第2ID块4的第4衬底搬送机构TM4在8个衬底载置部PS1A～PS7A、PS9、曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元162、加热冷却部PHP、3个载置兼冷却部P-CP、及载置在开启机构45的载具C之间搬送衬底W。另外，第5衬底搬送机构TM5在8个衬底载置部PS1A～PS7A、PS9、曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元162、加热冷却部PHP、3个载置兼冷却部P-CP、及载置在开启机构46的载具C之间搬送衬底W。
例如，第5衬底搬送机构TM5也可以在6个衬底载置部PS3B～PS7B、PS9、曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元162、加热冷却部PHP、及3个载置兼冷却部P-CP之间搬送衬底W。在该情况下，第4衬底搬送机构TM4也可以在2个衬底载置部PS1B、PS2B及开启机构45的载具C之间搬送衬底W。该作用在第4衬底搬送机构TM4与第5衬底搬送机构TM5之间也可以是相反的。
(11)在所述各实施例及各变化例中，例如图15所示的处理块3从下侧起依序配置着进行第1涂布处理的2个处理层3A、3B、进行第2涂布处理的2个处理层3C、3D及进行显影处理的3个处理层3E～3G。处理层的上下方向的配置并不限定于此。例如也可以将进行显影处理的3个处理层3E～3G设于比进行第1涂布处理的2个处理层3A、3B更靠下侧。
(12)在所述各实施例及各变化例中，图15所示的下侧的2个处理层3A、3B也可以分别针对衬底W进行抗反射膜的形成及抗蚀膜的形成。另外，中间的2个处理层3C、3D也可以分别针对衬底W进行抗蚀剂保护膜的形成及背面清洗。上侧的3个处理层3E～3G也可以针对衬底W进行显影处理。
(13)在所述实施例4、5中，第2ID块4作为接口块发挥功能。如图27所示，第2ID块4也可以具备ID块主体200及接口块(以下适当称为“IF块”)201。在该情况下，ID块主体200具备2个开启机构45、46及2个衬底搬送机构TM4、TM5。IF块201除具备曝光前清洗单元161、曝光后清洗单元162、加热冷却部PHP及第6衬底搬送机构TM6以外，还具备2个衬底搬送机构TM7、TM8。此外，在ID块主体200与IF块201之间设有衬底载置部PS8。衬底载置部PS8被区分为衬底W的输送用与移回用。
(14)在所述各实施例及各变化例中，第1ID块2具备2个衬底搬送机构TM1、TM2。如图28所示，第1ID块2也可以具备单一的衬底搬送机构TM1。在该情况下，也可以将多个(例如4个)载置台13沿Y方向排列地设于第1ID块2的壁部206上。为了对载置在这些载置台13上的载具C进行衬底W的取出及收纳，衬底搬送机构TM1也可以构成为通过电动马达的驱动在Y方向上移动。
另外，单一的衬底搬送机构TM1也可以像实施例1那样，以不在水平方向(特别是Y方向)上移动的方式固定在第1ID块2的底部。另外，第1ID块2也可以具备3个以上的衬底搬送机构。
(15)在所述各实施例及各变化例中，第2ID块4具备2个衬底搬送机构TM4、TM5。如图28所示，第2ID块4也可以具备单一的衬底搬送机构TM4。在该情况下，也可以将多个(例如4个)载置台47沿Y方向排列地设于第2ID块4的壁部208上。为了对载置在这些载置台47上的载具C进行衬底W的取出及收纳，衬底搬送机构TM4也可以构成为通过电动马达的驱动在Y方向上移动。
另外，单一的衬底搬送机构TM4也可以像实施例1那样，以不在水平方向(特别是Y方向)上移动的方式固定在第2ID块4的底部。另外，第2ID块4也可以具备3个以上的衬底搬送机构。
(16)在所述各实施例及各变化例中，处理块3的处理层为6～7层，但只要是多个处理层即可。
(17)在所述各实施例及各变化例中，处理块3具备在上下方向上积层的多个处理层(例如6个处理层3A～3F)。在图1中，各处理层3A～3F的第3衬底搬送机构TM3能够只利用处理块3在第1ID块2与第2ID块4之间搬送衬底W。单一的处理块3例如具备能够在2个ID块2、4之间搬送衬底W的至少1个处理层。例如，在图1中，处理层3A的第3衬底搬送机构TM3从衬底载置部PS1A接收衬底W，且将所接收到的衬底W搬送到液体处理部28及热处理部29(参照图2)之后，将衬底W搬送到衬底载置部PS1B。
本发明能够不脱离其思想或本质而以其它具体的方式实施，因此，作为表示发明范围的内容，应当参照所附加的权利要求书而非以上说明。
[符号的说明]
1 衬底处理装置
2 第1装载块(第1ID块)
3 处理块
3A～3H处理层
4 第2装载块(第2ID块)
8 载具缓冲装置
9、10、45、46开启机构
13、47 载置台
28液体处理部
29热处理部
BARC涂布单元
RESIST涂布单元
DEV 显影单元
51载具搬送机构
79控制部
81清洗单元
