用于制造阻尼装置的方法、光刻设备、投影系统和器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月15日提交的欧洲申请17207548.3的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及用于制造阻尼装置的方法、这种阻尼装置在光刻设备或投影系统中的用途、以及这样的光刻设备在器件制造方法中的用途。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常将期望的图案施加到衬底的目标部分上)的机器。可以在例如制造集成电路(IC)时使用光刻设备。在这种情况下，可以使用图案形成装置(也被称为“掩模”或“掩模版”)来生成将要形成在IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或几个管芯、或者管芯的一部分)上。通常通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。常规的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次曝光在目标部分上来辐照每个目标部分；和所谓的扫描器，其中，利用辐射束沿给定方向(“扫描”方向)上对图案进行扫描，同时沿平行或反向平行于该方向的方向同步地扫描衬底，由此辐照每个目标部分。另外，可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转印到衬底上。
在光刻设备中，阻尼装置用于相对于框架来支撑和隔离诸如光学元件之类的元件。当前，将阻尼材料提供给阻尼装置，尤其是被动阻尼装置需要复杂的制造过程以确保阻尼装置部分和阻尼材料之间可靠的力传递。
发明内容
期望提供一种改进的阻尼装置，特别是一种阻尼器制造过程，该阻尼器相对容易并且确保装置部分和阻尼材料之间可靠的力传递。
根据本发明的实施例，提供一种用于制造阻尼装置的方法，该阻尼装置包括第一部分和第二部分，该方法包括以下步骤：
a)在第一部分和第二部分之间的空间中提供阻尼材料，以使阻尼材料在该空间中处于压缩状态；和
b)将所述阻尼装置加热至预定温度，以便将阻尼材料粘附到第一部分和第二部分。
根据本发明的另一个实施例，提供一种投影系统，该投影系统被配置为将被图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中，该投影系统包括光学元件，该光学元件由一个或一个阻尼装置支撑，该阻尼装置是使用根据本发明的方法制造的。
根据本发明的另一个实施例，提供一种的光刻设备，该光刻设备包括一个或更多个阻尼装置，该阻尼装置是使用根据本发明的方法制造的。
根据本发明的另外的实施例，提供一种器件制造方法，在该方法中使用根据本发明的光刻设备。
附图说明
现在将仅以示例的方式参考随附的示意图来描述本发明的实施例，其中，对应的附图标记指示对应的部分，并且在附图中：
-图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；
-图2示意性地描绘了根据本发明的实施例的投影系统；
-图3示意性地描绘了根据本发明的实施例的阻尼装置的剖视图；
-图4示意性地描绘了根据本发明的另一个实施例的阻尼装置的剖视图；
-图5示意性地描绘了根据本发明的另一个实施例的弹簧阻尼装置的剖视图；并且
-图6示意性地描绘了根据本发明的实施例的制备方法的框图。
具体实施方式
图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：
-照射系统(IL)，所述照射系统被配置为调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造为支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数将图案形成装置精确地定位；
-衬底台(例如晶片台)WTa或WTb，所述衬底台被构造为保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数将图案形成装置精确地定位；以及
-投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件或者它们的任何组合，以用于引导、成形和/或控制辐射。
支撑结构MT支撑图案形成装置MA(即，承担图案形成装置MA的重量)。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及其他条件(例如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，其可以根据需要而是固定的或者是可移动的。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS处于期望的位置。本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用都可以被视为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
本文中使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为是指能够用于在辐射束的横截面中赋予所述辐射束图案以在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应该注意的是，被赋予至辐射束的图案可能不确切地对应于衬底W的目标部分中的期望的图案，例如，在该图案包括相移特征或者所谓的辅助特征的情况下。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于正在目标部分中产生的器件中的特定功能层，例如集成电路。
图案形成装置MA可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括二元型、交替相移型、衰减相移型掩模以及各种混合型掩模类型。可编程反射镜阵列的示例是采用小反射镜的矩阵布置，每个反射镜都可以独立地倾斜，以便在不同方向上反射入射的辐射束。已倾斜的反射镜将图案赋予由反射镜矩阵反射的辐射束。
本文中使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有等于或约为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有处于5-20nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束之类的粒子束。
本文中使用的术语“投影系统”应该被广义解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任意组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。本文中使用的任何术语“投影透镜”可以被认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所描绘的，该设备是透射型的(例如采用透射型掩模)。可替代地，该设备可以是反射型的(例如采用如上所述的类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射型掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并列地使用额外的台，或者可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，一个或更多个其他台正被用于曝光。图1的示例中的两个衬底台WTa和WTb是对这种情况的说明。虽然可以以单独的方式来使用本文所公开的发明，但是特别地，本发明可以在单平台设备或多平台设备的曝光前测量阶段中提供额外的功能。
光刻设备还可以是如下类型：其中，衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统PS和衬底W之间的空间。浸没液体还可以被施加到光刻设备中的其他空间，例如图案形成装置MA和投影系统PS之间的空间。在本领域中公知的是，浸没技术用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底W的结构必须浸没在液体中，而仅意味着在曝光期间液体位于投影系统PS和衬底W之间。
参照图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源SO和光刻设备可以是分立的实体，例如当辐射源SO是准分子激光器时。在这种情况下，不将辐射源SO视为构成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD将辐射束从辐射源SO传送到照射器IL。在其他情况下，辐射源可以是光刻设备的组成部分，例如当辐射源是汞灯时。可以将辐射源SO和照射器IL以及必要时设置的束传递系统BD一起称作辐射系统。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将照射器IL用于调节辐射束，以便在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射到被保持在支撑结构MT(例如掩模台)上的图案形成装置MA(例如掩模)上，并且通过图案形成装置MA形成图案。在穿过图案形成装置MA之后，辐射束B传递通过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，可以精确地移动衬底台WTa/WTb，例如以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，例如，在从掩模库的机械获取之后或者在扫描期间，可以使用第一定位器PM和另一个位置传感器(在图1中未明确地描绘)来将图案形成装置MA相对于辐射束B的路径精确地定位。通常，可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WTa/WTb的移动。在步进器(与扫描器相反)的情况下，支撑结构MT可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管图中所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个管芯设置在掩模MA上的情况下，掩模对准标记M1、M2可以位于多个管芯之间。
所描绘的设备至少可以被用于扫描模式中。在扫描模式中，在将赋予至辐射束的图案投影到目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WTa/WTb(即，单次动态曝光)。可以由投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WTa/WTb相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。
除了扫描模式之外，可以将所描绘的设备用于以下模式中的至少一种模式中：
1.在步进模式中，在将赋予辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上时，使支撑结构MT和衬底台WTa/WTb保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WTa/WTb在X和/或Y方向上移位，以便能够曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在另一种模式中，在将被赋予至辐射束的图案投影到目标部分C上时，使支撑结构MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WTa/WTb。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WTa/WTb的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用到利用可编程图案形成装置(例如上文提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
还可以采用对上文所描述的使用模式的组合和/或变型，或者完全不同的使用模式。
光刻设备LA是所谓的双平台类型，它具有两个衬底台WTa和WTb以及两个站——曝光站和测量站，可以在这两个站之间交换衬底台。当一个衬底台上的一个衬底正在曝光站处被曝光时，另一个衬底可以在测量站处被加载到另一个衬底台上，从而可以执行各种准备步骤。准备步骤可以包括使用水平传感器LS绘制衬底的表面并使用对准传感器AS测量衬底上的对准标记的位置。这使得该设备的生产量的实质增加。如果位置传感器IF在衬底台处于测量站和处于曝光站时不能测量衬底台的位置，则可以提供第二位置传感器，以便能够在两个站处追踪衬底台的位置。
该设备还包括光刻设备控制单元LACU，该控制单元LACU控制所描述的各个致动器和传感器的所有移动和测量。控制单元LACU还包括信号处理和数据处理能力以实施与设备的操作相关的期望的计算。在实践中，控制单元LACU将被实现为具有许多子单元的系统，每个子单元处置所述设备内的子系统或部件的实时数据获取、处理及控制。例如，一个处理子系统可以专用于衬底定位器PW的伺服控制。分立的单元甚至可以处置粗致动器和精致动器或者不同的轴线。另一个单元可以专用于位置传感器IF的读出。对设备的总体控制可以由中央处理单元控制，该中央处理单元与这些子系统处理单元、与操作者和与光刻制造过程中所涉及的其他设备通信。
图2示意性地描绘了图1的光刻设备的投影系统PS。投影系统PS是如将在下文中描述的根据本发明的实施例的投影系统。在图2中，示出了投影系统PS的两个视图，即视图(a)和视图(b)。视图(a)是仰视图，并且视图(b)是侧视图。这两个视图都带有类似于图1的指示X、Y和Z方向的坐标系。
使用根据本发明的实施例的三个阻尼装置从框架RF(参见图1)支撑投影系统PS，该框架RF是例如基底框架、量测框架或任何其他框架。技术人员将明白，可以设想使用任何数量的弹簧阻尼装置1，并且图中所示的三个阻尼装置1仅是示例。
从图2可以清楚地看到，三个阻尼装置1沿着投影系统PS的圆周均匀分布。当每个阻尼装置1能够以至少两个自由度支撑投影系统PS时，这样的分布允许以六个自由度支撑投影系统PS。
图3描绘了根据本发明的实施例的阻尼装置1的剖视图。阻尼装置1包括第一部分3a和第二部分3b。在该实施例中，第一部分3a可以是将阻尼装置1连接到图1和图2的投影系统PS的连接部分。在该实施例中，第二部分3b可以是将阻尼装置1连接到框架(例如图1所示的框架RF)的连接部分。
左侧叶片LB连接到第一部分3a，右侧叶片RB连接到第二部分3b。在阻尼装置1的组装期间，左侧叶片LB和右侧叶片RB将相对于彼此定位，使得左侧叶片LB和右侧叶片RB在它们的相对侧处界定空间S。空间S填充有阻尼材料D。首先，阻尼材料D在被引入到空间S中时处于未压缩状态。然后，可以通过如下方式使阻尼材料D变为压缩状态：移动第一部分3a和第二部分3b并且因此使左侧叶片LB和右侧叶片RB朝向彼此移动，从而使左侧叶片LB和右侧叶片RB之间的空间S的体积减小到使得阻尼材料D变为压缩状态的程度。
在实施例中，阻尼材料D是黏弹性材料，优选地是热塑性弹性体。
当第一部分3a和第二部分3b之间的移动引起阻尼材料D变形时，阻尼材料D的阻尼功能得以实现，其中，阻尼材料D将对应的能量至少部分地耗散成热量。在实施例中，阻尼装置1被布置为与弹簧装置平行以便与弹簧装置协作。
图4描绘了根据本发明的另一个实施例的阻尼装置1的剖视图。阻尼装置1包括第一部分3a和第二部分3b。在该实施例中，第一部分3a可以是将阻尼装置1连接到图1和图2的投影系统PS的连接部分。在该实施例中，第二部分3b可以是将阻尼装置1连接到框架(例如图1所示的框架RF)的连接部分。
中心叶片CB连接到第一部分3a，左侧叶片LB和右侧叶片RB连接到第二部分3b。左侧叶片LB和中心叶片CB在它们的相对侧界定第一空间S1。中心叶片CB和右侧叶片RB在它们的相对侧界定第二空间S2。空间S1、S2分别填充有阻尼材料D1、D2。首先，阻尼材料D1、D2在分别被引入到空间S1、S2中时可能处于未压缩状态。然后，可以通过如下方式使阻尼材料D1、D2变为压缩状态：使左侧叶片LB和右侧叶片RB朝着中心叶片移动，例如，通过将左侧叶片LB和右侧叶片RB夹紧到第二部分3b上，从而将空间S1、S2的体积减小至使得阻尼材料D1、D2变为压缩状态的程度。
在实施例中，阻尼材料D1、D2是黏弹性材料，优选地是热塑性弹性体。
当第一部分3a和第二部分3b之间的移动引起阻尼材料D1、D2变形时，阻尼材料D1、D2的阻尼功能得以实现，其中，阻尼材料D1、D2将对应的能量至少部分地耗散成热量。在实施例中，阻尼装置1被布置为与弹簧装置平行以便与弹簧装置协作。
图5描绘了根据本发明的另一个实施例的阻尼装置1的剖视图。在该实施例中，阻尼装置1是弹簧阻尼装置1，该弹簧阻尼装置1包括：弹簧3，所述弹簧3具有连接部分3a，用以将弹簧阻尼装置1连接到投影系统PS；连接部分3b，所述连接部分3b用于将弹簧阻尼装置1连接到框架(例如图1所示的框架RF)；以及连接部分3c，所述连接部分3c将连接部分3a连接到连接部分3b，其中，弹簧部分3c是弹性的并且能够在变形时储存机械能。因此，弹簧部分3c将连接部分3a和连接部分3b推动至相对于彼此的平衡位置。
弹簧3还包括左侧第一叶片L1B、右侧第一叶片R1B、左侧第二叶片L2B和右侧第二叶片R2B。该弹簧还包括左侧第三叶片L3B、右侧第三叶片R3B、左侧第四叶片L4B和右侧第四叶片R4B。
左侧第一叶片L1B和右侧第一叶片R1B以及左侧第二叶片L2B和右侧第二叶片R2B经由一个或更多个螺栓5连接到连接部分3a，该螺栓5与左侧第二叶片L2B中对应的一个或更多个螺纹孔H2配合，从而允许将所述叶片和连接部分3a夹紧在一起以形成弹簧3的第一部分。
左侧第三叶片L3B和右侧第三叶片R3B以及左侧第四叶片L4B和右侧第四叶片R4B经由一个或更多个螺栓6连接到连接部分3b，该螺栓6与左侧第四叶片L4B中对应的一个或更多个螺纹孔H4配合，从而允许将该叶片和连接部分3b夹紧在一起以形成弹簧3的第二部分。
叶片和弹簧的布置使得在图5的剖面中，当从左向右行进时，以如下顺序遇到以下元件和空间：
1)左侧第四叶片L4B；
2)第一空间S1，所述第一空间S1的一侧由左侧第四叶片L4B界定并且相反侧由左侧第二叶片L2B界定；
3)左侧第二叶片L2B；
4)第二空间S2，所述第二空间S2的一侧由左侧第二叶片L2B界定并且相反侧由左侧第三叶片L3B界定；
5)左侧第三叶片L3B；
6)第三空间S3，所述第三空间S3的一侧由左侧第三叶片L3B界定并且相反侧由左侧第一叶片L1B界定；
7)左侧第一叶片L1B；
8)第四空间S4，所述第四空间S4的一侧由左侧第一叶片L1B界定并且相反侧由连接部分3b界定；
9)连接部分3b；
10)第五空间S5，所述第五空间S5的一侧由连接部分3b界定并且相反侧由右侧第一叶片R1B界定；
11)右侧第一叶片R1B；
12)第六空间S6，所述第六空间S6的一侧由右侧第一叶片R1B界定并且相反侧由右侧第三叶片R3B界定；
13)右侧第三叶片R3B；
14)第七空间S7，所述第七空间S7的一侧由右侧第三叶片R3B界定并且相反侧由右侧第二叶片R2B界定；
15)右侧第二叶片R2B；
16)第八空间S8，所述第八空间S8的一侧由右侧第二叶片R2B界定并且相反侧由右侧第四叶片R4B界定；以及
17)右侧第四叶片R4B。
空间S1至S8分别填充有相应的阻尼材料D1至D8。首先，阻尼材料D1至D8在被引入到空间S1至S8中时可以处于未压缩状态。选择阻尼材料D1至D8的体积，使得当叶片被相应的螺栓5和6夹紧到对应的连接部分时，空间S1至S8的体积减小到使得阻尼材料D1至D8变为压缩状态的程度。
在实施例中，阻尼材料D1至D8是黏弹性材料，优选地是热塑性弹性体。
叶片可拆卸地安装到弹簧的连接部分的优点是：相对容易地将阻尼材料D1至D8引入到对应的空间S1至S8中，但是另外，在将阻尼材料D1至D8引入到对应的空间S1至S8中之后，通过拆卸叶片并且进行另一次尝试，可以更容易地校正阻尼材料的任何错位。
尽管所描述的实施例在组装期间利用了空间S1至S8的体积减小以使阻尼材料D1至D8处于压缩状态，但是阻尼材料D1至D8的体积最初也可以匹配空间S1至S8的体积，但随后通过阻尼材料D1至D8的膨胀使阻尼材料D1至D8变为压缩状态。这可以例如通过如下方式来实现：降低阻尼材料D1至D8的温度，使得阻尼材料D1至D8的体积匹配或者小于空间S1至S8的体积，并且在将阻尼材料D1至D8引入到所述空间中之后，使阻尼材料恢复至室温，从而促使阻尼材料D1至D8膨胀，结果使得阻尼材料D1至D8变为压缩状态。
另一种可能性是将阻尼材料D1至D8在压缩状态下引入到相应的空间S1至S8中，例如当叶片首先被夹紧到对应的连接部分上并且然后将阻尼材料D1至D8引入到空间S1至S8中时。
当连接部分3a、3b之间的相对运动引起阻尼材料D1至D8变形时，实现了阻尼材料D1至D8的阻尼功能，其中，阻尼材料D1至D8将对应的能量至少部分地耗散成热量。对于图5的实施例，这意味着叶片需要被牢固地连接到对应的连接部分，并且阻尼材料D1至D8还要被连接到对应的叶片或者弹簧的界定所述阻尼材料所处的空间的其他部分。
图6描绘了用于制造阻尼装置的方法的框图，该阻尼装置例如是根据图3至图5的实施例的阻尼装置1，用于例如通过支撑如图1和图2所示的投影系统而应用在图1的光刻设备中。装置1包括第一部分和第二部分，由于存在被配置为在第一部分和第二部分之间起作用的弹簧，所以在一些实施例中，第一部分和第二部分能够相对于彼此移动。这种方法包括第一步骤A。在第一步骤A中，在第一部分和第二部分之间的空间中提供阻尼材料，使得阻尼材料在该空间中处于压缩状态。
然后，在步骤B中，将阻尼装置加热至预定温度，以便将阻尼材料粘附到第一部分和第二部分。例如，可以通过降低阻尼材料的杨氏模量来更好地适应第一部分和第二部分的表面(即，增加阻尼材料与第一部分和第二部分之间的接触面)来实现粘附。
虽然预定温度优选地低于阻尼材料的熔化温度，但是高到足以使阻尼材料将自身调整到弹簧的第一部分和第二部分的表面。优选地，将装置维持为预定温度达预定时间段。
在步骤C中，在被加热至预定温度之后，允许该阻尼装置冷却，以获得等于室温的温度。虽然可以通过简单地移除热源而使冷却是被动的，但是冷却也可以是主动的，例如通过使装置经受具有室温或更低温度的气流。
该方法优选地在步骤C之后，在弹簧的第一部分和第二部分之间的阻尼材料仍然处于压缩状态。对于使用所描述的元件的图4和图5的实施例而言，这是容易实现的。然而，对于图3的实施例而言，可能需要附加的元件(例如弹簧元件)来将第一部分3a和第二部分3b朝向彼此推动。
尽管所描述的实施例参照了将阻尼装置加热至预定温度，但是在这里明确指出的是，在一些实施例中，依赖于所使用的阻尼材料，可以省略阻尼装置的加热步骤，或者使预定温度接近环境温度。在实施例中，预定温度为20度或更高，优选地是25度或更高，更优选地是35度或更高，并且最优选地是45度或更高。在实施例中，预定温度是100度或更低，优选地是80度或更低，更优选地是60度或更低，并且最优选地是55度或更低。所提及的温度以摄氏度为单位。加热所述阻尼装置可以具有使得在压缩状态下将阻尼材料粘附到第一部分和第二部分的过程加速的优点。因此，仅当有足够的时间进行所述过程时才省略加热步骤。
虽然在本文中可以具体地参照了光刻设备在IC制造中的使用，但是应该理解的是，本文所描述的光刻设备可以具有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将明白，在这些可替代的应用中，本文中使用的任何术语“晶片”或“管芯”都可以分别被认为与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中参照的衬底可以在曝光之前或之后被处理，例如在轨道或涂覆显影系统(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检查工具中。在适用的情况下，可以将本文所公开的内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个已处理层的衬底。
尽管上文可以具体地参照了本发明的实施例在光学光刻术的背景中的使用，但是应当明白的是，本发明可以用于其他应用(例如压印光刻术)中，并且在背景允许的情况下不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定产生在衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌印制到被提供至衬底的抗蚀剂层中，然后通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合来使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在其中留下图案。
尽管上文已经描述了本发明的具体实施例，但是应当明白，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。例如，本发明可以采取计算机程序的形式(该计算机程序包含描述上述方法的一个或更多个机器可读指令序列)，或者采取存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
以上的描述意图是示例性的，而不是限制性的。因此，本领域技术人员将明白，在不背离下面阐述的权利要求的范围的情况下，可以对本发明进行修改。
