光罩、触控模组及其制备方法、电子设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种光罩、触控模组及其制备方法、电子设备。
背景技术
在显示技术领域，ITO(氧化铟锡)作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，包括ITO层的基板以其高导电性和高透明性广泛应用与各种显示装置中。
现有基板中的制备通常采用成膜-遮挡-曝光-显影-刻蚀-去膜等工艺制备，在基底上形成多层膜层，并在多层膜层上设置光罩，接着使用曝光机的平行紫外光进行曝光以光刻干膜形成所需图形，并用显影液清除多余的图形，然后利用蚀刻液蚀刻掉没有干膜保护的线路，最后去除多余膜层以得到完整的ITO线路，但是由于用于遮挡紫外线的光罩使用的是紫外线透过率均匀的遮光层，在显影时干膜会出现断差，蚀刻时会从断差处侧面蚀刻，造成侧蚀现象，影响导电性能和视觉效果，并且为了提高显示屏传感器的导电性，ITO(氧化铟锡)的方阻由100Ω变更为70Ω，而ITO方阻的减小使得ITO层更厚，再加上垂直线路的断差使得ITO线路更为明显，影响视觉效果，并且断差容易造成线路断路不良，影响导电性。
发明内容
基于此，有必要针对现有ITO线路视觉效果较差、产品良率较低的问题，提供一种光罩、触控模组及其制备方法、电子设备。
一种光罩，包括阻光区、透光区以及部分透光区，其中：
所述部分透光区突出于所述阻光区边缘，以允许部分紫外线透过，所述部分透光区包括第一部分透光区以及第二部分透光区，所述第一部分透光区位于所述阻光区的边缘，且所述第一部分透光区的紫外线透过率处处相等，所述第二部分透光区位于所述第一部分透光区远离所述阻光区的一侧，且具有渐变紫外线透过率。
上述技术方案至少具有以下技术效果：透光区对应的干膜在干膜显影时全部被显影，显影时几乎全部洗掉，并且阻光区对应的干膜未被曝光显影几乎全部保留。通过在阻光区的边缘设置部分透光区，以允许部分紫外线透过，使得在曝光时仅有一部分紫外线透过部分透光区进行曝光，从而使得与部分透光区相对的干膜所获取的曝光能量较小，仅有表层的干膜在干膜显影时被显影。第一部分透光区靠近阻光区并且第一部分透光区的紫外线透过率处处相等，与第一部分透光区相对的干膜在显影时仅有表层部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成平滑的过渡，不会出现断差；具有渐变紫外线透过率的第二部分透光区远离阻光区，与第二部分透光区相对的干膜在显影时不同厚度的部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成开口以便于进行后续蚀刻，使得后续的ITO薄膜蚀刻步骤中开口处对应的ITO薄膜完全被蚀刻，减少残留造成的短路的风险，平滑过渡干膜残余蚀刻时形成平滑过渡的ITO线路，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象，提高视觉效果，并且减少断路的风险，提升产品良率。
在其中一个实施例中，所述部分透光区的紫外线透过率为10％-90％。
上述技术方案通过限定部分透光区的紫外线透过率为10％-90％，以使得第一部分透光区的紫外线透过率为10％-90％范围内的任一固定值，第二部分透光区的紫外线透过率为10％-90％范围内的任一阈值，从而与部分透光区相对的干膜所获取的曝光能量较小。
在其中一个实施例中，所述第一部分透光区的紫外线透过率范围为10％-20％。
上述技术方案通过限定第一部分透光区的紫外线透过率范围为10％-20％，以进一步减小ITO线路在与第一部分透光区正对的部分坡度。
在其中一个实施例中，所述第二部分透光区的最大紫外线透过率相比所述第一部分透光区的紫外线透过率高60％-80％。
上述技术方案通过限定第二部分透光区的最大紫外线透过率相比第一部分透光区的紫外线透过率高60％-80％，以使得第一部分透光区的允许透光的紫外光较小，曝光能量较弱，从而使得ITO线路在与第一部分透光区正对的部分坡度较缓。
在其中一个实施例中，所述第二部分透光区的紫外线透过率自所述第一部分透光区的边缘向外逐渐变大。
上述技术方案通过限定第一部分透光区的紫外线透过率的渐变方式为自第二部分透光区的边缘向外逐渐变大，以使得沿着第一部分透光区的边缘向外的方向，透过第二部分透光区的曝光能量逐渐增强，从而避免与第二部分透光区相对的干膜在显影液的侵蚀下形成断差，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象。
在其中一个实施例中，沿自所述阻光区边缘向外的方向，部分透光区的宽度为1um-100um。
上述技术方案通过限定沿自阻光区边缘向外的方向，部分透光区的宽度为1um-100um，以在改善侧蚀现象的同时提高视觉效果。
在其中一个实施例中，沿自所述阻光区边缘向外的方向，第一部分透光区的宽度和第二部分透光区的宽度相同。
上述技术方案通过限定沿自阻光区边缘向外的方向，第一部分透光区的宽度和第二部分透光区的宽度相同，以便于光罩部分透光区的设置，当然，透光区的设置方式并不局限于第一部分透光区的宽度和第二部分透光区的宽度相同。
另外，本发明还提供了一种触控模组的制造方法，包括以下步骤：
S501,在基底上依次沉积ITO薄膜以及干膜；
S502,利用如上任一实施例所述的光罩对所述干膜进行曝光、显影；
S503,对未被干膜保护的ITO薄膜进行蚀刻；
S504,剥除干膜。
上述技术方案至少具有以下技术效果：通过S501在基底上依次进行ITO薄膜以及干膜的沉积，干膜用于保护待形成ITO线路的部分ITO薄膜；通过S502利用如上任一实施例所述的光罩对干膜进行曝光、显影，此时光罩的透光区对应的干膜全部被显影几乎全部洗掉，光罩的阻光区对应的干膜几乎全部保留，固定紫外线透过率的第一部分透光区靠近阻光区，与第一部分透光区相对的干膜仅有表层部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成平滑的过渡，具有渐变紫外线透过率的第二部分透光区远离阻光区，与第二部分透光区相对的干膜不同厚度的部分被洗掉，以形成开口；通过S503在开口处添加刻蚀液以对未被干膜保护的ITO薄膜进行蚀刻，在刻蚀液的作用下开口处对应的ITO薄膜完全被蚀刻，平滑过渡干膜残余蚀刻时形成平滑过渡的ITO线路，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象；通过S504剥除ITO线路上的干膜，以形成所需的触控模组，此时触控模组上的ITO线路具有平滑坡度，提高视觉效果，并且减少断路的风险，提升产品良率。因此，通过上述触控模组的制造方法能够较为方便快捷地获得视觉效果较好且产品良率较高的触控模组。
另外，本发明还提供了一种如上任一实施例所述的光罩曝光后制备的触控模组，包括：基底以及设置在所述基底上的多个ITO线路，所述ITO线路具有第一表面、第二表面、第三表面以及第四表面，其中：
所述第一表面和所述第二表面相对设置且平行于所述基底，所述第一表面位于所述第二表面远离所述基底的一侧，且沿垂直于所述基底的方向所述第一表面在所述第二表面上的投影完全落入所述第二表面；
所述第三表面和所述第四表面分别连接所述第一表面和所述第二表面，且所述第三表面以及所述第四表面沿垂直于所述基底的方向在所述第一表面上的投影除与所述第一表面的相交位置外均完全落入所述第一表面的外侧。
上述技术方案至少具有以下技术效果：利用如上任一实施例所述的光罩在基底上曝光制备的ITO线路，由于沿垂直于基底的方向第一表面在第二表面上的投影完全落入第二表面，以使得ITO线路不易出现断路，并且由于第三表面以及第四表面沿垂直于基底的方向在第一表面上的投影除与第一表面的相交位置外均完全落入第一表面的外侧，以使得ITO线路具有平滑坡度，提高视觉效果，因此，该触控模组的视觉效果较好，产品良率较高。
在其中一个实施例中，所述第三表面和所述第四表面关于所述第一表面对称，且包括斜面和垂直面，所述垂直面与所述第二表面相垂直，所述斜面连接所述垂直面和所述第一表面，且所述斜面与所述第一表面之间呈钝角。
上述技术方案通过限定第三表面和第四表面的组成，以使得ITO线路为梯方形结构，从而能够在保证产品良率的基础上提高视觉效果。
在其中一个实施例中，沿垂直于所述基底的方向，所述ITO线路的截面形状为梯形。
上述技术方案通过限定ITO线路的截面形状，以使得ITO线路为梯形结构，从而能够在保证产品良率的基础上提高视觉效果。
另外，本发明还提供了一种电子设备，包括如上任一实施例所述的触控模组。
上述技术方案至少具有以下技术效果：由于上述触控模组的视觉效果较好，产品良率较高，因此，具有该触控模组的电子设备的视觉效果较好，产品良率较高。
附图说明
图1为现有技术中光罩的结构示意图；
图2为现有技术中触控模组的制备工艺流程图；
图3为本发明一实施例中光罩的结构示意图；
图4为本发明一实施例中触控模组的制备工艺流程图；
图5为本发明一实施例中触控模组的制造方法流程图；
图6为本发明一实施例中触控模组的结构示意图；
图7为本发明另一实施例中触控模组的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1所示，现有技术提供的光罩01包括阻光区011和透光区012，阻光区011紫外线能够完全遮挡紫外线，透光区012完全透过紫外线，如图2所示，现有技术提供的利用光罩01进行触控模组制备工艺中，提供一种基底02上依次设置有ITO薄膜03、干膜04的半成品，使用曝光机的平行紫外光进行曝光，阻光区011正对的部分未被曝光，透光区012正对的部分完全曝光，以光刻干膜04形成所需图形，并用显影液清除多余的图形，在显影时未曝光的干膜041和显影部分042之间会出现断差，显影液会从断差处侧面侵蚀，造成侧蚀现象，使得显影部分042为梯形的结构，利用蚀刻液蚀刻时与显影部分042正对的ITO薄膜03部分进行刻蚀，在蚀刻时需要保留的ITO线路031和过孔032之间形成断差，蚀刻时会从断差处侧面蚀刻，造成侧蚀现象，使得过孔032为梯形的结构，最后去除多余膜层以得到完整的ITO线路031，ITO线路031为倒梯形的结构，影响导电性能和视觉效果，并且影响视觉效果。为了解决上述问题，本发明通过在阻光区的边缘设置第一部分透光区和第二部分透光区以减弱边缘位置曝光能量，在干膜显影时候可形成平滑的干膜坡度，ITO薄膜蚀刻时也会形成平滑坡度的ITO线路，而改善侧蚀现象并提高视觉效果和产品良率。
如图3以及图4所示，本发明提供了一种光罩100，用于ITO线路310制备过程中的曝光工艺，该光罩100包括阻光区110、透光区120以及部分透光区130，阻光区110具有遮光图案，以用于完全阻挡曝光时的紫外线透过，透光区120具有透光开口，以用于使得曝光时的紫外线完全透过，其中：
部分透光区130突出于阻光区110边缘，并且向着阻光区110的外侧延伸一定的距离，部分透光区130能够阻挡一部分的紫外线，仅允许剩余部分紫外线透过该部分透光区130，部分透光区130包括第一部分透光区131以及第二部分透光区132，第一部分透光区131位于阻光区110的边缘，并且第一部分透光区131的紫外线透过率处处相等，也即是第一部分透光区131具有固定紫外线透过率，第二部分透光区132位于第一部分透光区131远离阻光区110的一侧，并且第二部分透光区132具有渐变紫外线透过率，在具体设置时，阻光区110的每一侧边缘均具有第一部分透光区131和第二部分透光区132，并且沿着自阻光区110边缘向外的方向第一部分透光区131和第二部分透光区132依次排列，第二部分透光区132的紫外线透过率可以基于第一部分透光区131的紫外线透过率逐渐变大或是变小，第二部分透光区132的紫外线透过率还可以选择一个大于第一部分透光区131的紫外线透过率的起点逐渐变大，第二部分透光区132的紫外线透过率也可以选择一个小于第一部分透光区131的紫外线透过率的起点逐渐变小，当然，第一部分透光区131以及第二部分透光区132的具体紫外线透过率根据光罩100和触控模组的实际情况进行确定。
上述光罩100中，透光区120对应的干膜400在显影时全部被显影，显影时几乎全部洗掉，并且阻光区110对应的干膜400未被曝光显影几乎全部保留。通过在阻光区110的边缘设置部分透光区130，以允许部分紫外线透过，使得在曝光时仅有一部分紫外线透过部分透光区130进行曝光，从而使得与部分透光区130相对的干膜400所获取的曝光能量较小，仅有表层的干膜400在显影时被显影。
固定紫外线透过率的第一部分透光区131靠近阻光区110，与第一部分透光区131相对的干膜400在显影时仅有表层部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成平滑的过渡，不会出现断差；具有渐变紫外线透过率的第二部分透光区132远离阻光区110，与第二部分透光区132相对的干膜400在显影时不同厚度的部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成开口420以便于进行后续蚀刻，从而能够形成通过开口420间隔的干膜残余410，该干膜残余410用于保护ITO线路310，具有平滑的坡度，使得后续的蚀刻步骤中开口420处对应的ITO薄膜300完全被蚀刻，减少残留造成的短路的风险，平滑过渡干膜残余410蚀刻时形成平滑过渡的ITO线路310，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象，提高视觉效果，并且减少断路的风险，提升产品良率。
为了进一步减弱曝光能量，一种优选实施方式，部分透光区130的紫外线透过率可以为10％-90％。
上述光罩100中，通过限定部分透光区130的紫外线透过率为10％-90％，以使得第一部分透光区131的紫外线透过率为10％-90％范围内的任一固定值，第二部分透光区132的紫外线透过率为10％-90％范围内的任一阈值，从而与部分透光区130相对的干膜400所获取的曝光能量较小。具体设置时，第一部分透光区131的紫外线透过率可以为10％、20％、30％，第二部分透光区132的紫外线透过率可以为30％-70％、30％-40％、40％-60％、50％-55％，当然，第一部分透光区131和第二部分透光区132的具体紫外线透过率根据光罩100和触控模组的实际情况进行确定。
例如，第一部分透光区131的紫外线透过率为10％，此时10％的紫外线均能够透过，只有90％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光减弱了90％，第二部分透光区132的紫外线透过率为10％-70％，此时10％-70％的紫外线均能够透过，至少有30％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光至少减弱了30％。
再例如，第一部分透光区131的紫外线透过率为20％，此时20％的紫外线均能够透过，只有80％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光减弱了80％，第二部分透光区132的紫外线透过率为20％-80％，此时20％-80％的紫外线均能够透过，至少有20％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光至少减弱了20％。
再例如，第一部分透光区131的紫外线透过率为30％，此时30％的紫外线均能够透过，只有70％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光减弱了70％，第二部分透光区132的紫外线透过率为30％-90％，此时30％-90％的紫外线均能够透过，至少有10％紫外线被遮挡，曝光能量相对于透光区120的完全透光至少减弱了90％，而上述三种实施方式中，曝光能量的梯度减弱，能够使得显影时候形成平滑的干膜残余410的坡度，ITO薄膜300蚀刻时形成平滑坡度，而改善侧蚀现象并提高视觉效果。
为了更进一步减小干膜残余410的坡度和ITO线路310的坡度，更具体地，第一部分透光区131的紫外线透过率可以为10％-20％的任一值。
上述光罩100中，通过限定第一部分透光区131的紫外线透过率可以为10％-20％的任一值，以进一步减小ITO线路310的坡度。在具体设置时，第一部分透光区131的紫外线透过率可以为10％、11％、12％、13％、14％、15％、16％、17％、18％、19％、20％，当然第一部分透光区131的紫外线透过率的选择范围还可以为10％-15％、15％-20％或20％-25％，而第一部分透光区131的具体紫外线透过率根据光罩100和触控模组的实际情况进行确定，通过调整第一部分透光区131的紫外线透过率可以调整ITO线路310的坡度，进而能够进一步提高视觉效果。
为了进一步减小干膜残余410的坡度和ITO线路310的坡度，具体地，第二部分透光区132的最大紫外线透过率相比第一部分透光区131的紫外线透过率高60％-80％。
上述光罩100中，通过限定第二部分透光区132的最大紫外线透过率相比第一部分透光区131的紫外线透过率高60％-80％，以使得第一部分透光区131的允许透光的紫外光较小，曝光能量较弱，从而使得ITO线路310在与第一部分透光区131正对的部分坡度较缓。在具体设置时，第二部分透光区132的最大紫外线透过率相比第一部分透光区131的紫外线透过率可以高60％、65％、70％、75％、80％等。例如，第一部分透光区131的紫外线透过率可以为10％，第二部分透光区132的紫外线透过率可以为10％-90％，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为70％-90％，此时，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为70％、75％、80％、85％、90％；第一部分透光区131的紫外线透过率还可以为15％，第二部分透光区132的紫外线透过率也可以为15％-80％，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为75％-90％，此时，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为75％、80％、85％、90％；第一部分透光区131的紫外线透过率可以为20％，第二部分透光区132的紫外线透过率可以为20％-90％，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为80％-90％，此时，第二部分透光区132的最大紫外线透过率可以为80％、85％、90％，而第一部分透光区131和第二部分透光区132的具体紫外线透过率根据光罩100和触控模组的实际情况进行确定。
为了进一步改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象，一种优选实施方式，第二部分透光区132的紫外线透过率自第一部分透光区131的边缘向外可以逐渐变大。
上述光罩100中，通过限定第一部分透光区131的紫外线透过率的渐变方式为自第二部分透光区132的边缘向外逐渐变大，以使得沿着第一部分透光区131的边缘向外的方向，透过第二部分透光区132的曝光能量逐渐减弱。在具体设置时，第二部分透光区132的紫外线透过率可以为10％-70％、20％-80％、30％-90％，并且自第一部分透光区131的边缘向外第二部分透光区132的紫外线透过率依次增大，从而使得透过第二部分透光区132的曝光能量依次增大，形成厚度依次减小的未曝光干膜400以抵消显影液的侵蚀，从而避免与第二部分透光区132相对的干膜400在显影液的侵蚀下形成断差，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象的发生。
为了在改善侧蚀现象的同时提高视觉效果，一种优选实施方式，沿自阻光区110边缘向外的方向，部分透光区130的宽度可以为1um-100um。
上述光罩100中，通过限定沿自阻光区110边缘向外的方向，部分透光区130的宽度为1um-100um，以在改善侧蚀现象的同时提高视觉效果。在具体设置时，沿自阻光区110边缘向外的方向，部分透光区130的宽度可以为1um、10um、20um、30um、40um、50um、60um、70um、80um、90um、100um，在部分透光区130的宽度为60um时，第一部分透光区131的宽度可以为10um，第二部分透光区132的宽度为50um，第一部分透光区131的宽度还可以为20um，第二部分透光区132的宽度为40um，第一部分透光区131的宽度也可以为35um，第二部分透光区132的宽度为25um，而部分透光区130的宽度、第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度的具体数值根据光罩100和触控模组的实际情况进行确定，通过调整部分透光区130的宽度、第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度可以调整ITO线路310的坡度和线宽、相邻ITO线路310之间的间距，进而能够进一步提高视觉效果。
为了光罩100的设置，具体地，沿自阻光区110边缘向外的方向，第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度相同。
上述光罩100中，通过限定沿自阻光区110边缘向外的方向，第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度相同，以便于光罩100的设置，在具体设置时，例如，沿自阻光区110边缘向外的方向，第一部分透光区131的宽度可以为10um，第二部分透光区132的宽度为10um，再例如，第一部分透光区131的宽度还可以为30um，第二部分透光区132的宽度为30um，再例如，第一部分透光区131的宽度也可以为50um，第二部分透光区132的宽度为50um，当然，透光区120的设置方式并不局限于第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度相同，沿自阻光区110边缘向外的方向第一部分透光区131的宽度和第二部分透光区132的宽度可以不相同，例如，沿自阻光区110边缘向外的方向第一部分透光区131的宽度大于第二部分透光区132的宽度，沿自阻光区110边缘向外的方向，第一部分透光区131的宽度可以为10um，第二部分透光区132的宽度为20um，再例如，沿自阻光区110边缘向外的方向第一部分透光区131的宽度小于第二部分透光区132的宽度，沿自阻光区110边缘向外的方向，第一部分透光区131的宽度可以为20um，第二部分透光区132的宽度为10um。
另外，如图5所示，本发明还提供了一种触控模组的制造方法，包括以下步骤：
S501,在基底200上依次沉积ITO薄膜300以及干膜400，在具体设置时，基底200可以为具备高透明、低双折射率、低吸水、高刚性、高耐热、抗紫外线、水蒸汽气密性好等特点的环烯烃聚合物薄膜(COP薄膜)，还可以为其他满足要求的基材，ITO薄膜300以及干膜400的沉积可以为现有技术中的磁控溅射沉积、真空蒸发沉积、溶胶-凝胶和化学气相沉积法等工艺，在此不再赘述；
S502,利用如上任一实施例的光罩100对干膜400进行曝光、显影，在具体设置时，在沉积有ITO薄膜300以及干膜400的基底200上方设置光罩100，使用曝光机的平行紫外光进行曝光，并用显影液清除多余的干膜400，形成平滑过渡的干膜残余410，相邻干膜残余410之间的开口420用于刻蚀ITO薄膜300；
S503,对未被干膜400保护的ITO薄膜300进行蚀刻，在具体设置时，加入刻蚀液，利用蚀刻液蚀刻掉没有干膜残余410保护的ITO薄膜300，以形成平滑过渡的ITO线路310和过孔320；
S504,剥除干膜400，在具体设置时，剥除ITO线路310上的干膜残余410，以形成所需触控模组。
上述触控模组的制造方法中，通过S501在基底200上依次进行ITO薄膜300以及干膜400的沉积，干膜400用于保护待形成ITO线路310的部分ITO薄膜300；通过S502利用如上任一实施例的光罩100对干膜400进行曝光、显影，此时光罩100的透光区120对应的干膜400全部被显影几乎全部洗掉，光罩100的阻光区110对应的干膜400几乎全部保留，固定紫外线透过率的第一部分透光区131靠近阻光区110，与第一部分透光区131相对的干膜400仅有表层部分被洗掉，在显影液的侵蚀下形成平滑的过渡，具有渐变紫外线透过率的第二部分透光区132远离阻光区110，与第二部分透光区132相对的干膜400不同厚度的部分被洗掉，以形成开口420；通过S503在开口420处添加刻蚀液以对未被干膜残余410保护的ITO薄膜300进行蚀刻，在刻蚀液的作用下开口420处对应的ITO薄膜300完全被蚀刻，平滑过渡的干膜残余410蚀刻时形成平滑过渡的ITO线路310，从而改善侧蚀现象以及刻蚀过度的现象；通过S504剥除平滑过渡的干膜残余410，以形成所需的触控模组，此时触控模组上的ITO线路310具有平滑坡度，提高视觉效果，并且减少断路的风险，提升产品良率。因此，通过上述触控模组的制造方法能够较为方便快捷地获得视觉效果较好且产品良率较高的触控模组。
另外，如图6以及图7所示，本发明还提供了一种如上任一实施例的光罩100曝光后制备的触控模组，包括：基底200以及设置在基底200上的多个ITO线路310，在具体设置时，基底200可以为具备环烯烃聚合物薄膜(COP薄膜)，还可以为其他满足要求的基材，ITO线路310可以通过沉积-曝光-显影-刻蚀-薄膜等工艺形成，多个ITO线路310之间具有一定的间距并阵列分布。而ITO线路310具有第一表面311、第二表面312、第三表面313以及第四表面314，其中：
第一表面311和第二表面312相对设置，并且第一表面311和第二表面312与基底200相平行，第一表面311位于第二表面312远离基底200的一侧，并且沿垂直于基底200的方向第一表面311在第二表面312上的投影完全落入第二表面312，以使得ITO线路310靠近基底200一侧的面积大于ITO线路310远离基底200一侧；
第三表面313和第四表面314分别连接第一表面311和第二表面312，且第三表面313以及第四表面314沿垂直于基底的方向在第一表面311上的投影除与第一表面311的相交位置外均完全落入第一表面311的外侧，以使得第三表面313和第四表面314在靠近基底200时逐渐向第一表面311的外侧扩展。
上述触控模组中，利用如上任一实施例的光罩100在基底200上曝光制备的ITO线路310，由于沿垂直于基底200的方向第一表面311在第二表面312上的投影完全落入第二表面312，以使得ITO线路310靠近基底的一侧面积较大，不易出现断路，稳定性较好，并且由于第三表面313以及第四表面314沿垂直于基底200的方向在第一表面311上的投影除与第一表面311的相交位置外均完全落入第一表面311的外侧，以使得ITO线路310具有平滑坡度，提高视觉效果，因此，该触控模组的视觉效果较好，产品良率较高。
为了保证触控模组能够在保证产品良率的基础上提高视觉效果，如图7所示，一种优选实施方式，第三表面313和第四表面314关于第一表面312对称，并且第三表面313包括斜面315和垂直面316，垂直面316与第二表面312相垂直，斜面315连接垂直面和第一表面，并且斜面315与第一表面311之间呈钝角。
上述触控模组中，通过限定第三表面313和第四表面314，以使得ITO线路310为梯方形结构，从而能够在保证产品良率的基础上提高视觉效果。在具体设置时，第三表面313和第四表面314关于第一表面312对称，以使得ITO线路310为对称结构，当然，ITO线路310沿垂直于基底200的截面形状可以为梯形，以使得ITO线路310为梯形结构，此时，该梯形可以为等腰梯形、直角梯形等结构形式，当然，ITO线路310沿垂直于基底200的截面形状并不局限于梯形，还可以为其他结构形式，例如，第三表面可以为弧形面，该弧形面向着ITO线路310的外侧突出，而ITO线路310的具体结构形式根据触控模组的实际情况以及应用场景进行确定。
另外，本发明还提供了一种电子设备，包括如上任一实施例的触控模组。该电子设备可以为笔记本电脑、手机、车载电脑或是ipad等。
上述电子设备中，由于触控模组的视觉效果较好，产品良率较高，因此，具有该触控模组的电子设备的视觉效果较好，产品良率较高。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
