光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法。
背景技术
在集成电路制造工艺中，光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是其中最复杂的技术之一。相对于其他的单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义，光刻技术的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率。
在光刻工艺开始之前，晶圆版图会先通过特定的设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光(例如为248纳米的紫外光)，将掩膜版上的图形复制到生产所用的物理晶圆上。
但是，随着集成电路设计的高速发展，半导体器件的尺寸不断缩小，在将图形转移到物理晶圆上的过程中会发生失真现象，在物理晶圆上所形成的图形相较于掩模版图形会出现变形和偏差。出现失真现象的原因主要是光学邻近效应(optical proximity effect，OPE)。
为了解决上述问题，通常采用光学邻近修正(optical proximity correction，OPC)方法，对光刻过程中的误差进行修正，OPC方法即为对掩膜版进行光刻前预处理，实现预先修正，使得修正补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应，因此，采用由OPC后的晶圆版图所制成的掩膜版，经过光刻后，在物理晶圆上能够得到预期的目标图形。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种光学临近修正前的预处理方法、光学临近修正方法，提高光学邻近修正的精准度。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种光学临近修正前的预处理方法，包括：提供含有至少一个原始图形的晶圆版图，所述原始图形由多条边围成，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角；确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种；对所述待处理图形进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，所述第一弧线段的一个端部位于所述图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。
可选的，所述第一距离大于或等于所述第二距离的1.2倍，且小于或等于所述第二距离的2.5倍。
可选的，所述第四距离大于或等于所述第三距离的1.2倍，且小于或等于所述第三距离的2.5倍。
可选的，所述原始图形包括相对的凸角转角和凹角转角，所述转角圆化处理还包括：将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段，所述第三弧线段的两个端部分别位所述两条第二边上，且所述两个端部至所述凸角转角的距离相等。
可选的，将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段的步骤中，所述第三弧线段的两个端部至所述凸角转角的距离均为第五距离；所述第二距离为所述第五距离的0.9倍至1.1倍。
可选的，将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段的步骤包括：在所述图形断裂区域对应的第二边上确定第一拟合点、在另一条第二边上确定第二拟合点，所述第一拟合点至所述凹角转角的距离为所述第一距离，所述第二拟合点至所述凹角转角的距离为所述第二距离；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第一拟合点和第二拟合点的所述第一弧线段。
可选的，将所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段的步骤包括：在所述图形桥接区域对应的第一边上确定第三拟合点、在所述第二边上确定第四拟合点，所述第三拟合点至所述凸角转角的距离为所述第三距离，所述第四拟合点至所述凸角转角的距离为所述第四距离；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第三拟合点和第四拟合点的所述第二弧线段。
可选的，将所述凸角转角处的相邻两条第二边中的一部分替换为第三弧线段的步骤包括：在相邻两条所述第二边构成的凸角转角处，分别在所述两条第二边上确定第五拟合点和第六拟合点，所述第五拟合点和第六拟合点至所述凸角转角的距离相等；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第五拟合点和第六拟合点的所述第三弧线段。
可选的，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形的步骤中，在相邻所述第二边围成的凹角转角处，所述图形断裂区域对应第二边的边长大于另一条第二边的边长。
可选的，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形的步骤中，在相邻所述第一边和第二边围成的凸角转角处，所述原始图形线端的一侧具有另一原始图形，所述另一原始图形的延伸方向与所述原始图形的第一边相平行。
可选的，所述待处理图形的形状包括L型、匚型、H型或|型。
相应的，本发明实施例还提供一种光学临近修正方法，包括：采用前述光学临近修正前的预处理方法，获取预处理后的晶圆版图；对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，其中，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角(convex corner)、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角(concave corner)，所述弱点包括图形桥接(bridge)和图形断裂(pinch)中的一种或两种，随后对所述待处理图形进行转角圆化(corner rounded)处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：将凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，第一弧线段的一个端部位于图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。其中，当原始图形具有图形断裂弱点时，通过使第一距离大于第二距离，增大了图形断裂区域的图形的有效宽度(effective width)，因此，后续对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正获得后OPC版图(post OPC layout)，基于所述后OPC版图在掩膜版上形成掩膜版图形并将掩膜版图形转移至物理晶圆上后，物理晶圆上的图形出现图形断裂问题的概率较低；同理，当原始图形具有图形桥接弱点时，通过使第三距离小于所述第四距离，使得修正目标图形中的线端(line end)更远离相邻线(line)图形，从而使得物理晶圆上图形的线端和线(line end to line)出现图形桥接问题的概率较低；综上，采用本发明实施例所述的预处理方式，显著降低了转角圆化处理后的图形失真程度，使得预处理后的晶圆版图图形与其对应的物理晶圆上的图形更加接近，因此，采用所述预处理后的晶圆版图进行OPC处理后，能够更加准确地预见物理晶圆上的图形，从而更好地控制光学邻近修正过程，有利于提高OPC的精准度。
附图说明
图1是一种光学临近修正前的预处理方法的示意图；
图2是图1中修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图；
图3为本发明一实施例的光学临近修正前的预处理方法的流程示意图；
图4至图5是本发明一实施例的光学临近修正前的预处理方法各步骤对应的示意图；
图6是图4至图5所示实施例中修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图；
图7是本发明另一实施例中局部修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图；
图8是本发明又一实施例的光学临近修正前的预处理方法中原始图形和修正目标图形的轮廓线示意图；
图9是图8中局部修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图。
具体实施方式
晶圆版图经OPC后形成后OPC版图，基于后OPC版图生成相应的掩膜图形后，通过光刻工艺将掩膜版图形转移为物理晶圆上的图形。传统的基于模型的OPC方法中，面对设计日趋复杂的晶圆版图，不可避免的会产生一些OPC修正弱点(hotspot)，导致后OPC版图的模拟图形与物理晶圆上的图形不符合。直角转角圆形化(right-angled corner rounded)是一种常见的光学临近效应所引起的弱点，且基于传统的OPC方法，OPC后图形难以获得直角的轮廓。
面对不同的OPC修正弱点，通常会根据弱点图形的特点对原始OPC脚本进行优化，确保弱点图形的OPC结果得到改善的同时，其它图形的OPC结果也保持不变。OPC脚本优化的方法很多，目前常用的一种方法是对弱点图形进行目标调整，即对晶圆版图中具有弱点的原始图形进行转角圆化处理，将所述转角圆化处理后的原始图形作为修正目标图形，并对转角圆化处理的晶圆版图进行OPC处理，以提高后OPC版图的模拟图形与物理晶圆上的图形对匹配度。
参考图1，示出了一种光学临近修正前的预处理方法的示意图，其中，图1中阴影部分对应的图形为晶圆版图中的原始图形，实线围成的图形轮廓为预处理后的修正目标图形的轮廓示意图。
具体地，所述预处理方法包括：提供晶圆版图10(如图1中虚线框所示)，包括至少一个原始图形20，所述原始图形20由多条边21围成，所述原始图形20具有多个直角转角(未标示)，所述直角转角由相邻两条边21构成；对所述原始图形20进行转角圆化处理，将直角转角转化为圆角，所述转角圆化处理后的原始图形作为修正目标图形30，其中，在至所述直角转角预设距离(cdist)的位置处，所述修正目标图形30的轮廓和所述原始图形20的轮廓相重合，且同一直角转角对应的相邻两条边21上的预设距离相等。
相应的，对预处理后的晶圆版图进行OPC处理获得后OPC版图后，基于所述后OPC版图生成相应的掩膜图形，并通过光刻工艺将掩膜图形转移为物理晶圆上的图形。在理想状态下，通过使同一直角转角对应的相邻两条边21上的预设距离相等，能够使物理晶圆上的图形的尺寸均一性较好。
如图2所示，图2是图1中修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图。但是，由于原始图形20的周边图形环境的影响或者各边21的长度影响，在光刻制程中容易出现应力效应，从而导致物理晶圆上的图形50容易出现图形断裂的问题(如图2中箭头P所示)，该位置的图形宽度象变小甚至出现图形断裂的现，且靠近凹角转角的位置处，出现图形断裂问题的概率更高，而通过传统的OPC方法难以体现应力效应，从而容易出现后OPC版图的模拟图形与物理晶圆上的图形不符合的情况。其中，相邻两条边21的夹角为270°
的顶点为所述凹角转角。
此外，当原始图形20的线端(如图1中箭头L所示)一侧具有另一原始图形，且所述另一原始图形的延伸方向与所述原始图形20的线端对应的边21相平行时，在应力的作用下，所述另一原始图形相对应的物理晶圆图形中与所述线端相对的区域容易形成朝向所述线端的凸起，所述凸起容易和所述原始图形20的线端相接触，从而引起图形桥接问题，且线端和相邻线图形的距离越近，该图形桥接问题出现的概率越高。其中，线端指的是图形的端部。
为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种光学临近修正前的预处理方法。参考图3，图3为本发明一实施例的光学临近修正前的预处理方法的流程示意图，所述光学临近修正前的预处理方法包括以下基本步骤：
步骤S1：提供含有至少一个原始图形的晶圆版图，所述原始图形由多条边围成，所述原始图形的线端所在的边为第一边，剩余多个边为第二边，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角；
步骤S2：确定具有弱点的原始图形作为待处理图形，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种；
步骤S3：对所述待处理图形进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括以下情况中的一种或两种：将所述凹角转角处的相邻两条第二边的一部分替换为第一弧线段，所述第一弧线段的一个端部位于所述图形断裂区域对应的第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离，所述第一弧线段的另一个端部位于另一条第二边上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离；将所述图形桥接区域对应的所述凸角转角处的相邻所述第一边和第二边的一部分替换为第二弧线段，所述第二弧线段的两个端部分别位于所述第一边和第二边上，位于所述第一边上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离，位于所述第二边上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离，所述第三距离小于所述第四距离。
所述预处理方法能够降低物理晶圆上的图形出现图形断裂问题、以及图形线端和线出现图形桥接问题的概率，显著降低了转角圆化处理后的图形失真程度，使得预处理后的晶圆版图图形与其对应的物理晶圆上的图形更加接近，因此，采用所述预处理后的晶圆版图进行OPC处理后，能够更加准确地预见物理晶圆上的图形，从而更好地控制光学邻近修正过程，有利于提高OPC的精准度。
为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图4至图5是本发明一实施例的光学临近修正前的预处理方法各步骤对应的示意图。
参考图4，图4为本发明实施例提供的晶圆版图中部分原始图形的示意图，执行步骤S1，提供含有至少一个原始图形(未标示)的晶圆版图100(如图4中虚线框所示)，所述原始图形由多条边210围成，所述原始图形的线端所在的边210为第一边211，剩余多个边210为第二边212，所述原始图形中两个邻边夹角为90°的顶点为凸角转角(如图4中虚线圈A所示)、两个邻边夹角为270°的顶点为凹角转角(如图4中虚线圈B所示)。
图4示出了本实施例晶圆版图100中部分原始图形的示例。所述晶圆版图100为根据需在晶圆上形成的图形器件结构设计出的版图。
所述晶圆版图100至少包括一个原始图形，所述原始图形的形状根据集成电路设计而定。本实施例中，示出了所述原始图形为匚型的示例，但所述原始图形的形状不仅限于这一种。
所述原始图形具有轮廓，即所述原始图形由多条边210围成。其中，所述原始图形的线端所在的边210为第一边211，剩余多个边210为第二边212；所述原始图形的线端指的是所述原始图形的端部。
本实施例中，通过对所述晶圆版图100中原始图形的轮廓进行检测，可以获得所述凸角转角和凹角转角对应的位置。
继续参考图4，执行步骤S2，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形200，所述弱点包括图形桥接和图形断裂中的一种或两种。
通过确定具有弱点的原始图形作为待处理图形200，从而为后续的转角圆化处理做好工艺准备。
本实施例中，通过所述晶圆版图100中原始图形的尺寸以及图形布局，即可确定具有弱点的原始图形作为待处理图形200。其中，由于原始图形的周边图形环境的影响或者各边210的长度影响，在光刻制程中容易出现应力效应，从而导致物理晶圆上的图形与后OPC版图的模拟图形不匹配。
本实施例中，仅示意出所述待处理图形200具有图形断裂弱点的情况。
具体地，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形200的步骤中，在相邻所述第二边212围成的凹角转角处，图形断裂区域(如图4中虚线框h所示)对应第二边212的边长大于另一条第二边212的边长。图形断裂问题通常出现在凹角转角附近的图形区域内，在凹角转角处，相邻两条第二边212的边长不相等时，该原始图形出现图形不对称的情况，因此，在光刻制程中容易出现应力效应，且边长较大的第二边212所在的图形区域受到应力效应的影响较大。
需要说明的是，确定具有弱点的原始图形的方法不仅限于上述情况。在其他实施例中，也可以根据工程师的经验和晶圆版图的设计规则，确定具有弱点的原始图形。
根据弱点的类型，所述待处理图形200的形状包括L型、匚型、H型或|型。本实施例中，以所述待处理图形200的形状为L型为例进行说明。
参考图5，图5为本发明实施例的经转角圆化处理后获得的修正目标图形轮廓和原始图形的示意图，其中，图5中阴影部分对应的图形为原始图形，实线围成的图形轮廓为转角圆化处理后的修正目标图形轮廓的示意图，执行步骤S3，对所述待处理图形200进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括：将所述凹角转角(如图4中虚线圈B所示)处的相邻两条第二边212(如图4所示)的一部分替换为第一弧线段L1，所述第一弧线段L1的一个端部位于所述图形断裂区域(如图4中虚线框h所示)对应的第二边212上，所述端部至所述凹角转角的距离为第一距离cdist1，所述第一弧线段L1的另一个端部位于另一条第二边212上，所述端部至所述凹角转角的距离为第二距离cdist2，所述第一距离cdist1大于所述第二距离cdist2。
当原始图形具有图形断裂弱点时，通过使所述第一距离cdist1大于所述第二距离cdist2，增大了修正目标图形中位于图形断裂区域的有效宽度，因此，后续对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正获得后OPC版图，基于所述后OPC版图在掩膜版上形成掩膜版图形并将掩膜版图形转移至物理晶圆上后，物理晶圆上的图形在该位置出现图形断裂问题的概率较低。
结合参考图6，示出了本实施例中修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图，图6所示图形与图5中点划线框中的图形相对应。如图6所示，通过所述转角圆化处理，与待处理图形200中图形断裂区域(如图4中虚线框h所示)对应的物理晶圆上图形的位置处(如图6中虚线框H所示)，所述物理晶圆上图形的图形断裂问题得到了显著改善。
本实施例中，通过所述转角圆化处理，能够创建一个自适应曲线目标，通过调节所述第一距离cdist1与所述第二距离cdist2的比值，使凹角转角处变圆滑，并使得在凹角转角处具有可调节的曲率，以改善所述凹角转角处的图形断裂弱点。
而且，与先增大待处理图形中断裂区域的宽度再进行转角圆化处理、且使得第一距离等于第二距离的方案相比，本实施例能够避免出现图形拱起问题(jog error)，从而显著改善图形失真的问题，并使得后续OPC处理可以快速收敛，大大减少了运算量，相应提高了效率。
需要说明的是，所述第一距离cdist1与所述第二距离cdist2的比值不宜过小，也不宜过大。如果所述比值过小，则增大修正目标图形中位于图形断裂区域的有效宽度的效果不明显，从而导致降低物理晶圆上的图形在该位置出现图形断裂问题的概率的效果不明显；如果所述比值过大，则容易导致物理晶圆上的图形在该位置出现宽度过大的问题，从而导致物理晶圆上的图形尺寸难以满足设计需求，而且，还容易导致所述第一弧线段L1的曲率难以满足需求，从而影响后OPC版图的模拟图形与物理晶圆上图形的匹配度，此外，所述第一距离cdist1还会受到图形断裂区域对应的第二边212的边长限制，所述第二距离cdist2也会受到另一条第二边212的边长限制。为此，本实施例中，综合上述因素，所述第一距离cdist1大于或等于所述第二距离cdist2的1.2倍，且小于或等于所述第二距离cdist2的2.5倍。
其中，所述第一距离cdist1和第二距离cdist2的具体数值可根据实际情况而定，以保证物理晶圆上的图形和后OPC版图模拟图形之间获得最大化吻合度。
具体地，将所述凹角转角处的相邻两条第二边212的一部分替换为第一弧线段L1的步骤包括：在所述图形断裂区域对应的第二边212上确定第一拟合点S1、在另一条第二边212上确定第二拟合点S2，所述第一拟合点S1至所述凹角转角的距离为所述第一距离cdist1，所述第二拟合点S2至所述凹角转角的距离为所述第二距离cdist2；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第一拟合点S1和第二拟合点S2的所述第一弧线段L1。
本实施例中，根据实际情况，合理调节第一拟合点S1在图形断裂区域对应的第二边212上的位置、以及第二拟合点S2另一条第二边212上的位置，以显著改善所述凹角转角处的图形断裂弱点。
采用多项式内插法获得所述第一弧线段L1，基于高阶样条函数使凹角转角处变圆滑，使修正目标图形轮廓能够更接近物理晶圆上的图形轮廓，而且，通过选用采用多项式内插法，易于实现OPC收敛，相应提高了效率。其中，多项式内插法为常用的曲线拟合方式，在此不再赘述。
继续参考图5，本实施例中，所述原始图形还包括与所述凹角转角相对的凸角转角(如图4中虚线圈A所示)，所述转角圆化处理还包括：将所述凸角转角处的相邻两条第二边212中的一部分替换为第三弧线段L2，所述第三弧线段L2的两个端部分别位所述两条第二边212上，且所述两个端部至所述凸角转角的距离相等。
与所述凹角转角相对的凸角转角周边出现图形断裂问题的概率较低，因此，通过使所述第三弧线段L2的两个端部至所述凸角转角的距离相等，使得物理晶圆上的图形形貌和宽度能够满足设计需求，并提高物理晶圆上图形的宽度均一性。
本实施例中，所述第三弧线段L2的两个端部至所述凸角转角的距离均为第五距离cdist3，所述第二距离cdist 2与所述第五距离cdist3的比值过小或者过大，均容易降低物理晶圆上图形的宽度均一性、增大物理晶圆上图形出现失真的概率。为此，本实施例中，所述第二距离cdist2为所述第五距离cdist3的0.9倍至1.1倍。具体地，所述第二距离cdist2可以和所述第五距离cdist3相等。
本实施例中，将所述凸角转角处的相邻两条第二边212中的一部分替换为第三弧线段L2的步骤包括：在相邻两条第二边212构成的凸角转角处，分别在所述两条第二边212上确定第五拟合点S3和第六拟合点S4，所述第五拟合点S3和第六拟合点S4至所述凸角转角的距离相等；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第五拟合点S3和第六拟合点S4的所述第三弧线段L2。
对获得第三弧线段L2的步骤的具体描述，可参考前述内容的相应描述，在此不再赘述。
在其他实施例中，当所述原始图形的弱点为图形断裂的情况下，所述待处理图形的形状还可以为L型或H型；其中，当所述待处理图形的形状为L型时，所述待处理图形的凹角转角数量为一个，当所述待处理图形的形状为H型时，所述待处理图形的凹角转角数量为四个。相应的，可根据实际情况，对易发生图形断裂的区域对应的凹角转角进行所述转角圆化处理。
结合参考图7，图7是本发明另一实施例中局部修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图。在该实施例中，所述待处理图形的形状为H型，通过所述转角圆化处理，与待处理图形中图形断裂区域对应的物理晶圆上图形的位置处，所述物理晶圆上图形的宽度W较大，所述物理晶圆上图形的图形断裂问题也得到了显著改善。
图8是本发明又一实施例的光学临近修正前的预处理方法中原始图形和修正目标图形的轮廓线示意图，图8中阴影部分对应的图形为晶圆版图中原始图形的局部图形，实线为局部修正目标图形的轮廓示意图。其中，为了便于图示，图8仅示意了第二弧线段的轮廓示意图。
本实施例与前述实施例的相同之处，在此不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：待处理图形400的弱点包括图形桥接问题。
相应的，参考图8，确定具有弱点的原始图形作为待处理图形400的步骤中，在相邻第一边411和第二边412围成的凸角转角(未标示)处，所述原始图形线端的一侧具有另一原始图形，即所述图形桥接区域(如图8中虚线框b所示区域)对应第一边411的一侧具有另一原始图形450，所述另一原始图形450的延伸方向(如图8中X方向所示)与所述第一边411相平行。
原始图形的线端所在的边为所述第一边411，当原始图形的线端(即第一边411)一侧具有另一原始图形450，且所述另一原始图形450的延伸方向与所述第一边411相平行时，在应力的作用下，所述另一原始图形450相对应的物理晶圆上的图形中，与所述第一边411相对的区域容易形成朝向所述第一边411的凸起，所述凸起容易和所述第一边411相接触，从而引起图形桥接的问题。
本实施例中，所述待处理图形400的形状包括L型、匚型、H型或|型。其中，为了便于图示，仅示意出图形桥接区域对应的局部图形。
为此，继续参考图8，对所述待处理图形400进行转角圆化处理，所述转角圆化处理包括：将所述图形桥接区域对应的凸角转角处的相邻所述第一边411和第二边412的一部分替换为第二弧线段L3，所述第二弧线段L3的两个端部分别位于所述第一边411和第二边412上，位于所述第一边411上的一端至所述凸角转角的距离为第三距离cdist4，位于所述第二边412上的一端至所述凸角转角的距离为第四距离cdist5，所述第三距离cdist4小于所述第四距离cdist5。
当原始图形具有图形桥接弱点时，通过使第三距离cdist4小于所述第四距离cdist5，使得修正目标图形(未标示)中的线端和更远离相邻线图形(即另一原始图形450)，因此，后续对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正获得后OPC版图，基于所述后OPC版图在掩膜版上形成掩膜版图形并将掩膜版图形转移至物理晶圆上后，物理晶圆上的图形线端和线出现图形桥接问题的概率较低。同样的，采用本实施例所述的预处理方式，显著降低了转角圆化处理后的图形失真程度，能够更加准确地预见物理晶圆上的图形，从而更好地控制光学邻近修正过程，有利于提高OPC的精准度。
结合参考图9，示出了本实施例中局部修正目标图形对应的物理晶圆上图形的电镜图。如图9所示，通过所述转角圆化处理，与待处理图形400中图形桥接区域(如图8中虚线框b所示)对应的物理晶圆上图形的位置处(如图9中虚线框B所示)，所述物理晶圆上图形的图形桥接问题得到了显著改善。
继续参考图8，需要说明的是，所述第四距离cdist5(如图8所示)与所述第三距离cdist4的比值不宜过小，也不宜过大。如果所述比值过小，则增大修正目标图形中的线端和相邻线图形之间距离的效果不明显，从而难以显著降低物理晶圆上的图形在该位置出现图形桥接问题的概率；如果所述比值过大，则容易导致物理晶圆上的图形在线端位置处出现宽度过小的问题，而且，还容易导致所述第二弧线段L3的曲率难以满足需求，从而影响后OPC版图的模拟图形与物理晶圆上图形的匹配度，容易导致物理晶圆上的图形在线端位置处出现图形变形的情况，此外，所述第三距离cdist4还会受到第一边411的边长限制，所述第四距离cdist5也会受到第二边412的边长限制。为此，本实施例中，综合上述因素，所述第四距离cdist5大于或等于所述第三距离cdist4的1.2倍，且小于或等于所述第三距离cdist4的2.5倍。
其中，所述第三距离cdist4和第四距离cdist5的具体数值可根据实际情况而定，以保证物理晶圆上的图形和后OPC版图模拟图形之间获得最大化吻合度。
具体地，将所述凸角转角处的相邻所述第一边411和第二边412的一部分替换为第二弧线段L3的步骤包括：在所述第一边411上确定第三拟合点S5、在所述第二边412上确定第四拟合点S6，所述第三拟合点S5至所述凸角转角的距离为所述第三距离cdist4，所述第四拟合点S6至所述凸角转角的距离为所述第四距离cdist5；采用多项式内插法进行曲线拟合，获得连接所述第三拟合点S5和第四拟合点S6的所述第二弧线段L3。
对获得第二弧线段L3的步骤的具体描述，可参考前述实施例中获得第一弧线段的步骤的相应描述，在此不再赘述。
相应的，本发明实施例还提供一种光学邻近修正方法。
所述光学邻近修正方法包括：采用前述光学临近修正前的预处理方法，获取预处理后的晶圆版图；对所述预处理后的晶圆版图进行光学邻近修正。
由前述分析可知，采用前述预处理方式，显著降低了转角圆化处理后的图形失真程度，使得预处理后的晶圆版图图形与其对应的物理晶圆上的图形更加接近，因此，采用所述预处理后的晶圆版图进行OPC处理后，能够更加准确地预见物理晶圆上的图形，从而获得理想的器件图形。
其中，OPC方法为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。
对本实施例所述预处理方法的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
