在光刻与其他应用中使用极端紫外线辐射的材料、元件及方法
相关申请
本申请要求2017年8月8日提交的名称为“Materials，Components，and Methodsfor Extreme Ultraviolet Radiation in Lithography and other Components”的临时美国申请号62/542,734的优先权，其在此并入本文。本申请涉及2013年1月18日提交的美国专利申请号13/745,618和2016年6月30日提交的美国专利申请号15/198,291，这两个专利申请均以引用的方式并入本文，如同其全部内容一样。
发明领域
本发明的领域是光学材料、EUV材料以及尤其是用于许多传统光学材料强烈吸收的波长范围的反射材料的设计和制造。
技术背景
光学光刻系统通常用于如设备等的制造。这种系统的分辨能力与曝光波长成正比。因此，较短的波长可以改善制造中的分辨率。极紫外光刻(EUVL)使用极紫外(EUV)波长(约120纳米至0.1纳米)的电磁辐射。因此，这些波长的光子具有约10电子伏特(eV)至12.4keV(分别对应于124nm和0.1nm)的能量。极紫外波长可以由诸如等离子体和同步加速器光源的装置人工产生。将EUV波长用于光刻具有减小诸如半导体芯片以及聚合物电子器件，太阳能电池，生物技术，医疗技术之类的应用中的特征尺寸的潜在优势。
诸如镜子，透镜，滤光器，反射器，检测器或收集器等的无源光学元件通常用于较大的光系统中。例如，光刻系统是微加工工艺，其使用光来图案化薄膜或硅晶圆的部分。它使用光将几何图案从光掩模转移到光敏化学光刻胶上，或简单地抵抗晶圆上的光敏化学光刻胶。该系统具有可以产生目标波长光的光源，并且该光在到达晶圆平面之前，通过具有许多光学元件的光路传送。实际上，光路在光源和硅晶片之间具有十几个反射镜并不罕见。目前，许多光刻系统在193nm的目标波长下工作，但是为了支持更好的分辨率和更细小的加工工艺，甚至会使用更短的波长。EUV紫外光刻使用13.5nm的光。然而，大多数天然材料在这些短波长处具有高吸收性，导致通过非常低效且有损耗的光路，将光传递到晶圆。因此，需要新的材料或改进的材料，它们在13.5nm处具有高响应性和谐振性，使其反射率光谱轮廓具有振幅又高、光谱频率也宽的特点。
在光刻中，镜子，透镜，滤光器，薄膜和检测器组成的系统用于计量，透射，反射和其他部件。在单个系统中，组件的频谱和角度带宽是给定的，并且必须最小化一个组件到下一个组件的不匹配，或避免系统透射的最大化。通过系统透射或从组件到组件反射的辐射称为带内辐射。由于光刻系统具有旨在产生特定目标频率的光源，因此重要的是光路中的每个光学元件也要针对该波长进行调谐和优化。如果不是这样，整个系统的效率会十分低下，功率会遭到浪费，并且通过带外辐射、热量生成和对大量光源的需求的方式损坏光学器件。在许多光学元件之间实现优化是非常困难的，因为每个元件仅在非常窄的频带中具有峰值反射率。以使所有光学元件在该窄峰值带中完美地反射的方式构造所有光学元件的可能性非常低。几个光学元件之间的峰值带的这种不匹配是光学路径中的总体浪费和低效率的主要原因。
用于光刻元件的反射材料或镀膜的选择通常受到严格限制。传统材料组合由钼-硅(Mo-Si)多层组成，理论上可产生高达67％的反射率。每个镀膜都具有反射光谱曲线和反射角度曲线。反射光谱曲线将反射率指定为辐射波长的函数。反射角度曲线指定反射率作为辐射入射角的函数(从0到90度，其中第一个通常是掠入射，后者是垂直入射)。频谱宽度，或通常表征为半峰全宽(“FWHM”)。当反射率为其值的50％时，FWHM带宽是光谱范围。Mo-Si层用于EUV光刻系统中的反射镜，收集器和光掩模。其他传统的多层组合包括钨和碳化硼、钨和碳，同被视为最先进的技术。由于最大化峰值反射率是主要考虑因素，因此通常选择组合材料以产生最高的绝对光谱反射率。然而，如果将峰值反射率最大化与窄光谱带宽相结合，则在连续的组件序列中称为带内辐射的穿透辐射会受到组件之间的匹配峰值光谱波长和反射镀膜的带宽的限制。在反射率响应或曲线中，重要的不仅是峰值反射率，还有光谱带宽、平均光谱反射率和总带内辐射，或反射率曲线和x轴之间的积分面积。
在光刻系统中传输到晶圆的能量也受到反射镀膜的带宽、其总反射光谱范围和每个部件传输的能量的限制。带外辐射被组件吸收继而导致组件的不良升温。
因此，需要改善UV，DUV或EUV波长中较短波长的反射镀膜的带宽。
发明内容
本公开一般涉及与紫外(UV)，深紫外(DUV)，远紫外(EUV)和软X射线辐射一起使用的材料，装置，设备和方法，例如在光刻(EUVL)或其他应用中。更具体但非排他地说，本公开涉及用于UV，EUV和软X射线应用的材料和部件，以及在使用EUV辐射的设备，装置和系统中制造和使用这些材料和部件的方法。
在某些实例中，本公开涉及可以在曝光系统中使用的元件，其中该系统或子系统包括用于透射具有某一波长的光的光源。
在另一实例中，本发明涉及一种可用于包含有光掩模，镜子或透镜，基板元件的曝光系统的元件。系统或子系统可包括光源以透射具有某一波长的光。元件可包括具有多个结构特征的材料或一种或多种材料组合。
在另一个实例中，涉及了用于光学元件和光刻相关装置及组件的镀膜。
本发明公开了一种与光学元件一起使用的新型材料，其中光学元件被构造成在UV、DUV或EUV带宽(0.1nm至250nm)目标波长下运作的。新材料的应用增加了光学元件的光谱或角度带宽，使其超过了目标带宽下现有反射器的光谱或角度带宽。
通过精确匹配峰值波长和/或增加光谱带宽，可以避免带宽失配。增加光谱带宽有几个优点。它允许更多的能量通过整个光刻系统传送并传送到晶圆。它增加了每条光谱曲线的平均光谱反射率，因此降低了从一个元件到下一个元件的带宽不匹配的可能性。增加带宽意味着增加带内光谱辐射，并且减少光学部件因带外辐射而需要的冷却。
增加角度带宽允许在部件上具有较大入射角的光透过系统。越大的入射角的允许系统设计出更高数值的孔径。
本发明涉及材料的构成和组合，其增加光谱和角度带宽，并且反射率或透射曲线中的峰值性能远超现有技术反射器观察到的值。作为参考，现有技术的反射器是熔融石英或硅衬底上的钼硅(Mo-Si)镀膜。从模拟和实验来看，带宽是半峰全宽(FWHM)。对于Mo-Si，光谱的半峰全宽为0.63nm，角度带宽为+/-10.8度(从垂直入射角度，90度)。峰值反射率为73％，在峰值反射率保持在70％以上的有效角度范围是与垂直入射角度相差+/-6度的范围，也称为物体侧的主光线角度(CRAO)。从部件间传输的能量或带内辐射可以与反射率(透射)响应曲线的归一化积分成比例地计算，此后称为积分能量。平均反射率是给定波长组的平均光谱或角反射率。角度带宽可能会在掠射角附近或在法线角附近增加。
图1示出了作为关于(a)Mo-Si多层叠层的波长(90度)和(b)角度(13.5nm)函数的反射率响应100。其FWHM光谱带宽为0.63nm。角度带宽为+/-10.8度。CRAO为+/-6度。传输的带内能量与12.70(arb单位)成正比。平均光谱反射率为25％。峰值光谱反射率为73％。
本发明公开了特定金属，合金，化合物，混合物，有机材料及其组合用于调节或增加反射率(透射)响应曲线的光谱和角度带宽。本发明涉及可以沉积在基材上的单层薄膜或镀膜，多层薄膜组合(一维镀膜)，或甚至二维和三维镀膜，例如具有二维或三维特征或周期的镀膜。镀膜可以是多孔镀膜，或那些具有高内表面积、自支撑并具有纳米级特征的薄膜。基板包括Si或SiO2，或蓝宝石，或玻璃。
具体地，本发明涉及金属(M)，碳(C)和氢族元素(H)的组合，其中H可以是任何轻元素，例如元素周期表中的氦，氢，氖或其他气体或元素气体等，用于制造MxCyHz组合的材料，其中x，y，z指质量，体积，比率或化学计量比率，并且x>0，y≥0，z>0，并且x和y和z可以是任何数字。例如，在硅衬底上的MxCyHz的多层镀膜(交替层)和Si可用于形成高反射，更宽带宽的反射镜。X，y或z可以是任何数，整数或非整数，并且包括非化学计量组合。
使用这种材料的制造的有典型光学元件和部件，包括镜子，滤光器，透镜，检测器，反射器，薄膜，基板，刻面，覆盖层，覆盖层，保护层，内扩散层，阻挡层，膜，收集器。这些组件可用于光刻系统，印刷，扫描，望远镜，检查工具，光源，激光器，成像工具。
金属(M)的实例包括钼，铌，钌，锆，锝，铂，钯，金，镍以及元素周期表第4,5和6行中的所有金属。
H族元素的实例包括氦，氢，氖或其他元素气体。这些可以在M沉积期间与M和C结合，并且被捕获在镀膜内。氦气是一种精选气体，因为它具有惰性非反应性，并且重量轻，透明度高。
在一个实例中，金属在He环境中的共沉积可导致He在该环境中的掺入。类似地，金属M和碳源的共蒸发也可以形成混合或混杂的材料。
在一些情况下，M的存在不是必需的，可以使用纯碳或烃。特别是二维或三维材料，即具有多个二维或三维结构特征的材料。在这种情况下，x＝0。对于1D多层膜也是这种情况，其使用无金属组合材料或介电组合材料也是层状材料的一种，例如Si-
HyCz。
在其他情况下，可能会不需要H或C，在这种情况下，y或z可以是，但不能同时是零，并且x将不为零。例如，在MoC的例子中，x＝1，y＝0，z＝1，并且在Mo2C中，x＝2，y＝0，z＝1。
在一个实例中，x，y，z>1，y>z>x。在另一个实例中，y和z>x。这里不考虑x＝0，y＝0，z＝0的情况。必须存在至少一个非零数量。类似地，x≠0，y＝0，z＝0的情况也不被认为是本发明的一部分，因为已经存在许多纯金属/电介质多层。本发明具体涉及：如文中所定义的H和C，部分或全部用于材料组合的情况。
碳(C)和由(H)定义的元素，其中H是氢，包括烃，碳化物，氢化物，卡宾，以及氢和碳的任何有机金属复合物，或任何金属(M)原子通过配合基与碳(C)或(H)的连接。类似地，用于储氢的任何材料或用于储氢的催化剂也是合适的候选物。组合的材料也可以是M，C和H的金属有机骨架膜。重要的是在复合物中不存在氧。
C的存在使得材料对高温更稳健，并且更不易受氧污染，并且可以是保护层、覆盖层或多层的一部分。
我们对掺杂材料，烃污染物和氢气泡进行了重要区分。本发明不涉及任何这些情况。掺杂是指将杂质注入另一种材料中，通常数量级比纯材料小。掺杂对反射率带宽或响应幅度的影响最小。烃污染是指烃沉积在随机或不希望的位置(异相)的镜面镀膜上。这导致多余的吸收或散射，并因此导致反射率降低。在污染中，烃没有以正确的比例或位置与金属适当地结合。它是无意和随机的，并且是偶然存在而不是想要出现在一个预计的精确的位置。这不是受控沉积的一部分。氢气泡是指氢气积聚在的不良的泡中。这也降低了反射率，因为它没有与金属适当地结合，并且导致异相反射或散射。类似地，也不考虑使用环境气体来制备玻璃基板的情况，因为这种情况不会影响镀膜的反射/透射性能或带宽。
这里，用于在光刻工具中使用的元件不包括使用来自等离子体源的碎片轰击元件的操作活动，也不用环境气体进行原位清洁。这些不是制造过程的一部分，而是在其开发之后。
可以使用几种方法将金属与氦、氢和/或碳结合。一些实例包括氢化金属，金属氢配合物，共蒸发，共溅射，共沉积，气相沉积，热退火和真空室中的其他沉积方法。烃的实例有，烷烃，烯烃和炔烃，癸烷，戊烷，并五苯。其他合适的分子组合包括富勒烯，即C60。例如，金属可以在环境气体，缓冲气体或其他气体中沉积，以形成富含氢的，氢化的或富氢金属。混合气体或环境气体的实例包括He/Ar，He/N2，He/H2，Ne/HeH2/Ar，或N2/H2，Ne/Ar，Ne/N2，Ne/He，Ne/H2。
金属有机配合物包括例如茂金属，或苯/甲苯基化合物，或环戊二烯基环，或原子或分子通过配合基连接的其他配合物。碳的实例包括类金刚石碳，石墨烯，石墨，双键碳，单键碳。
MoC和Mo2C可用于提高温度稳定性，尤其是在多维结构中，并且会减少氧化，会降低反射率。这种情况可以在构建的反射或透射镀膜中考虑，并不在覆盖层或保护层中并不必要。本发明不包括MoC/Si或Mo2C/Si多层的特殊情况。
附图的简要说明
结合以下附图的详细描述，可以更全面地理解本公开，其中：
图1示出了多层Mo-Si的结构中，(a)波长与(b)角度函数的反射率响应。FWHM光谱带宽为0.63nm。
图2示出了多层MxHyCz-Si结构中，(a)波长与(b)角度函数的反射率响应。FWHM光谱带宽为0.76nm。
图3示出了沉积在SiO2衬底上的单层镀膜的反射率响应。反射率响应为13.5nm，并且测量为从掠射(0度)到垂直(90度)入射的角度的函数。在一个实例中，沉积金属镀膜(M)，其角度带宽(FWHM)为25度。在第二个例子中，沉积具有相似厚度的MxHyCz镀膜，其角度带宽(FWHM)为51.3度。
图4显示了一种已知的多层布拉格(Bragg)反射镀膜的结构。该结构由一叠替代材料，材料1和基板上的材料2(多层)以及保护层或覆盖层组成。
图5显示了多层布拉格反射镀膜的结构。该架构由基板上的一叠替代材料(多层)以及保护层或覆盖层组成。该叠层材料由MxHyCz和硅的双层对组成，或者M和Si-MxHyCz组成。
图6示出了具有MxHyCz材料的3D架构，其形成镀膜的直接部分。
发明细节描述
下面提供了本发明中使用的定义列表：
光刻中使用的光学元件包括光掩模，镜子，检测器，反射器，光谱纯度滤光片，滤光片，薄膜，衍射光栅，偏振器，收集器。每个元件通常会包含基底，例如：熔融石英，硅，玻璃，铬，接着是反射或透射镀膜和任选的保护层。这些元件中的每一个都使用基于一组纯元素的类似材料作为其材料的基础，例如，钼，硅，铌，钌，锝，锆，锶。
“金属”是指周期表中的元素是金属的，并且由于在价电子层中具有比中性金属元素更多或更少的电子而可以是中性的、带负电的或带正电的。可用于本发明的金属包括碱金属，碱土金属，过渡金属和后过渡金属。碱土金属包括Be，Mg，Ca，Sr和Ba。过渡金属包括Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Y，Zr，Nb，Mo，Mg，Tc，Ru，Rh，Pd，Ag，Cd，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt，Au，Hg，Al和Ac。后过渡金属包括Al，Ga，In，Tl，Ge，Sn，Pb，Sb，Bi和Po。稀土金属包括Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu。碱金属包括Li，Na，K，Rb和Cs。本领域技术人员可理解，上述金属可各自采用几种不同的氧化态，所有这些都可用于本发明。
A.多层镀膜实施方案
图4中示出了反射镀膜的典型实例。该结构包含基板，局部熔融的二氧化硅，玻璃，铬，硅，石英，1D多层布拉格反射镀膜，例如，Mo-Si，Nb-Si，W-Si，Ru-Si或本发明中描述的其他材料，或在美国专利申请号15/198,291中找到的，该专利申请通过引用结合到本文中。多层由许多层组成。多层由每组材料形成双层对的多层交替材料组成。视情况，在叠层或双层叠层的顶部可为覆盖层，或者是通常由钌或其他贵金属制成的镀膜保护层。
图4示出了已知的多层反射光学元件400，其具有基板402和多层叠层411，多层叠层411由许多双层对409构成。每个双层对具有材料1 405的第一层和材料2407的第二层。众所周知且常见的是，其中一层可以是Si，另一层是Mo。
在另一个实例中，多层镀膜可以由3D结构代替，或者具有多个结构特征或一种或多种材料组合，例如美国专利申请号13/745,618中所述的那些，其通过引入作为参考，如同完整阐述一样。在这个实例下，3D架构可以由单个金属或其他材料制成。
在另一个实例中，例如，如在薄膜中使用的那样，镀膜可以在膜上，或者在没有基底的情况下悬浮。镀膜可以由单一材料或薄膜或多孔结构组成。材料可以是Mo或Si或金属硅化物。
本发明公开了一种实例，其用MxHyCz组合材料代替多层反射镀膜中的一个或多个层，薄膜中使用的透射材料，或3D结构中的材料。
MxHyCz组合材料在使用受控沉积技术制造镀膜期间制造，其中在受控位置和比例下有意且谨慎地将其分布在镀膜中以均匀地影响材料在受控位置的光学性质。这与镀膜的操作使用不同，例如，镜子放置在等离子体源的前面并从源处或真空室中的碎片接收碳氢化合物，并且这些碳氢化合物或颗粒缺陷或离子随机地定位在镀膜中，成为元件操作使用的负面影响。
具体来说，在包含多层架构的实例中，MxHyCz组合材料可以代替例如双层对的一个或多个层，或者交替层的一个或多个层，或者架构的一个或多个层。净效果是改进了的，如图2所示的反射光谱和/或角度曲线200。对于MxCyHz-Si的多层叠层，反射率响应是(a)波长和(b)角度的函数。FWHM光谱带宽为0.76nm，角度带宽为+/-10.8度，CRAO+/-8度，传输的带内能量与16.14(arb单位)成正比，平均光谱反射率为31％，峰值光谱反射率为76％。与现有技术的Mo-Si相比，反射率曲线的改进包括：增加了FWHM，增加了光谱带宽或增加了带宽辐射中的角度带宽，更少的带宽失配或改善的曲线峰值幅度。例如，在典型的多层反射镀膜中，例如，Mo-Si，MxHyCz组合材料可以代替Mo、Si或同时代替两者。MoHyCz-Si。图5以多层(501,502)架构500示出了本发明。
图3示出了沉积在SiO2衬底上的单层镀膜的反射率响应300。这是在13.5nm的反射率响应，并且测为从掠射(0度)到垂直(90度)入射的角度的函数。在一个实例中，沉积金属镀膜(M)，其角度带宽(FWHM)为25度。在第二个例子中，沉积具有相似厚度的MxHyCz镀膜，其角度带宽(FWHM)为51.3度。这些多层镀膜的沉积技术有溅射、离子束沉积、PECVD、原子层沉积、离子辅助沉积、电子束沉积、化学气相沉积、热蒸发、离子注入、分子束外延。在溅射或离子束沉积或电子束沉积的情况下，带电粒子可用于轰击目标，因此可以平滑地，有时均匀地沉积这些层，并且完全控制MxHyCz的量、位置和分布。在一个实例中，沉积MxHyCz组合材料过程里，可以使用氩，氮，氦，氢，氪或氖离子。类似地，也可以使用含有气体形式的这些元素中的两种或更多种组合的混合气体。
该过程包括在腔室内装载交替材料的两个目标，用上述两种或更多种离子的组合轰击每个目标，并且可选地将两种材料中的每一种的薄层沉积到基底上。
类似的过程用于离子束沉积，其中一个或多个离子的第二束或混合离子，离子辅助沉积束，可以被引导到基板附近，在基底增加靶材料羽流的相互作用，随之形成薄膜。
该方法的另一个实例包括在沉积室中共溅射或共蒸发混合材料。例如，在环境或混合气体存在下，可以在相同的真空沉积系统中，溅射或蒸发烃的同时溅射过渡金属。
用于薄膜的沉积技术也可包括原子层沉积、气相沉积、电沉积或离子注入。在这种情况下，可以共形地沉积金属，然后用烃蒸气，气体，环境气体或混合气体进行后处理。
图6示出了具有沉积到3D结构605中的光学元件600。在这种情况下，可以共形地沉积金属，然后用烃蒸气，气体，环境或混合气体进行后处理。光学元件600可以具有可选的覆盖层603，并且在一些情况下可能具有衬底607。在其他情况下，例如，如果光学元件被构造为膜结构的一部分，则可以不需要衬底。图6也可以由本文所述的有机金属配合物形成。
B.3D结构实例
以下结构可在光学元件上用于透射镀膜、薄膜或作为薄膜的一部分，它也可以用在镜子或掩模上的反射镀膜中。
2D或3D结构由自组装有机合成模板、聚合物、有机无机杂化物或金属有机络合物形成。这种配合物含有金属(M)，碳和氢原子，例如例如茂金属、苯/甲苯基化合物、环戊二烯基环，或其他配合物，其中原子或分子通过配合基连接。碳的实例包括类金刚石碳，石墨烯，石墨，双键碳，单键碳。
美国专利No.9,322,964中描述了用于本发明的实用的三维反射光子晶体。该材料包括了可以在需要在一个或多个电磁波长范围内操作的实例中应用的特征。在一个实例中，结构特征的尺寸与在极紫外应用中使用的波长的量级大致相同。例如，结构特征可具有约13.5nm的尺寸。在一些实例中，结构特征尺寸的量级可以在10到20nm。在一些实例中，该材料可具有0.001nm至10nm范围内的结构特征。在一些实例中，该材料可具有10nm至250nm范围内的结构特征。这些特征可称为纳米级特征。纳米级特征可以是一维的，二维的或三维的。该结构特征可以大部分减少材料的电磁吸收。例如，在一些应用中，纳米级特征可以与该应用中使用的辐射的波长近似相关。该材料可包括亚波长特征。
纳米级特征可包括例如周期性或半周期性，准周期性或非周期性结构，重复或重复元素。周期性结构可以是一维，二维或三维结构。该结构可以是分层结构的一部分，或者是基板上的一部分。基底可以是平面的。周期性结构的实例包括纳米颗粒的2D或3D阵列，螺旋形结构，球体，圆柱体，片段，瑞士卷结构。纳米级特征可以是任意尺寸、任何形状的，例如但不限于：层，膜，球，块，棱锥，环，多孔结构，圆柱体，连接状，贝壳状，自由形状，手性结构，半球，段或以上任何组合。
该材料可包括如梯度结构。例如，在任何维度中的分层结构，其中材料内的一些层会从之前一层增加或减少：长度，深度，厚度，周期或重复单元。在一个实例中，如果以这样的方式布置层以产生渐变折射率，则针对更宽范围的波长或角度产生定制的光学响应。该结构可以是分层结构的一部分，或者是基板上的一部分。
该材料还可包括聚合物。该材料还可包含聚合物的微米或纳米结构特征。聚合物也可以是牺牲材料、软模板或支架结构。聚合物可以在二维或三维中自组装。
聚合物结构可以使用MxHyCz组合材料与有机金属配合物络合，然后形成2D或3D结构。
C.示例
图5示出了本发明为依据的布拉格反射器500。图5示出了两个实例。在一个实例501中，多层叠层511沉积在基板502上。在示例501中，每个双层对509都具有Si层和MxCyHz材料层。会形成覆盖层515以保护顶部双层对。在示例2 502中，每个双层对509具有Mo层和MxCyHz材料层。可以形成覆盖层515以保护顶部双层对。在另外一示例中(未示出)的双层对可以有以MxCyHz材料构成的第一层，和与第一层MxCyHz材料的比例不同的第二层。
图6示出了自组装到给定的3D结构，具有由MxCyHz材料形成的单层镀膜的3D结构镀膜。
D.涂料的用途
本发明包括在与光刻，成像和印刷系统和设备有关的设备中的镀膜的使用，以及其中的组件和元件。这包括光源，扫描仪工具，检查工具，计量和制造工具。
虽然以上详细描述已经示出，描述和指出了适用于各种实例的新颖特征，但是应当理解的是，各种省略，替换，以及在形式和装置细节或描述算法的变化可以由在不脱离本公开的精神的情况下做出。因此，前面的描述中的任何内容都不旨在暗示任何特定的特征，特性，步骤，模块或块是必需的或必不可少的。如将认识到的，本文描述的过程可以在不提供本文阐述的所有特征和所有效益的形式内体现，因为一些特征可以与其他特征分开使用或实践。保护范围由所附权利要求限定，而不是由前面的描述限定。
