微型发光二极管显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，尤其涉及一种微型发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
随着光电科技的进步，许多光电组件的体积逐渐往小型化发展。近几年来由于发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)制作尺寸上的突破，目前将发光二极管以阵列排列制作的微型发光二极管(micro-LED)显示器在市场上逐渐受到重视。
进一步而言，在将微型发光二极管转移至显示基板的过程中，因晶圆的工艺因素使得微型发光二极管厚度不均匀，基于每一次转移程序中因大面积抓取，可能导致相邻的任两转移区内的微型发光二极管的光场分布产生差异而具有亮度差。据此，在显示基板运作时，观看者可能会察觉到相邻的任两转移区的拼接处之间存在明显的边界，因而存在的显示质量不佳的问题。
发明内容
本发明是针对一种微型发光二极管显示装置及其制造方法，其具有良好的显示质量。
根据本发明的实施例，一种微型发光二极管显示装置的制造方法，至少包括以下步骤。通过转移头拾取多个微型发光二极管。将多个微型发光二极管转移并接合至显示基板上，其中显示基板具有并邻的两个转移区。转移步骤包括(a)将转移头移至两个转移区的其一的上方，并将多个微型发光二极管的一部分转移至两个转移区的其一；(b)移动所述转移头，将转移头旋转180度对应至两个转移区的另一的上方；以及(c)将多个微型发光二极管的另一部分转移至两个转移区的另一，位于两个转移区的其一内的微型发光二极管与位于两个转移区的另一的微型发光二极管错位设置。
在本发明的一实施例中，上述的多个微型发光二极管包括多个第一色光微型发光二极管、多个第二色光微型发光二极管或多个第三色光微型发光二极管，且重复步骤(a)至步骤(c)，以使两个转移区的其一内具有至少一第一色光微型发光二极管、至少一第二色光微型发光二极管以及至少一第三色光微型发光二极管，并使两个转移区的另一内具有至少一第一色光微型发光二极管、至少一第二色光微型发光二极管以及至少一第三色光微型发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的位于两个转移区的其一内的第一色光微型发光二极管、第二色光微型发光二极管与第三色光微型发光二极管沿第一方向排列成一直线，且位于两个转移区的另一内的第一色光微型发光二极管、第二色光微型发光二极管与第三色光微型发光二极管沿第一方向排列成另一直线，在第一方向上，位于两个转移区的其一内的第一色光微型发光二极管不重叠于位于两个转移区的另一内的第一色光微型发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的转移头具有并列的第一边缘与第二边缘，在步骤(a)与步骤(c)中，第一边缘重叠于两个转移区的其一与两个转移区的另一之间的交界。
在本发明的一实施例中，上述的在步骤(b)中，转移头的旋转是在将转移头移至两个转移区的另一的上方之前或之后完成。
在本发明的一实施例中，上述的转移头的面积等于任一转移区的面积。
在本发明的一实施例中，上述的转移头用以拾取MxN个所述微型发光二极管，且M≥2N。
根据本发明的实施例，一种微型发光二极管显示装置。显示基板具有并邻的第一转移区与第二转移区。第一转移区与第二转移区内皆包括多个像素区。第一转移区内的至少一像素区包括沿第一方向排列成一直线的第一微型发光组件。第二转移区内的至少一像素区包括沿第一方向排列成另一直线的第二微型发光组件，在第一方向上，第一微型发光组件与第二微型发光组件错位配置，第一微型发光组件与第二微型发光组件具有相同色光。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示装置更包括共用电极线。共用电极线配置于显示面板上，并沿第一方向延伸穿过第一转移区与第二转移区。
在本发明的一实施例中，上述的第一微型发光组件与第二微型发光组件皆包括第一型电极与第二型电极，且第一微型发光组件的第一型电极与所述第二微型发光组件的第一型电极接合于共用电极线。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示装置更包括多个像素电极，配置于第一转移区与第二转移区内，其中每一像素电极包括上电极与下电极，在垂直于第一方向的第二方向上，上电极与下电极位于共用电极线的两侧。
在本发明的一实施例中，上述的第一微型发光组件的两端分别接合于共用电极线与第一转移区内的像素电极中的上电极，且第二微型发光组件的两端分别接合于共用电极线与第二转移区内的像素电极中的下电极。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管显示装置还包括配置于显示面板上的第一共用电极线、第二共用电极线以及多个像素电极，其中第一共用电极线平行于第二共用电极线，且第一共用电极线与第二共用电极线沿第一方向延伸穿过第一转移区与第二转移区，像素电极阵列设置于所第一转移区与第二转移区，其中每一像素电极位于第一共用电极线与第二共用电极线之间，且每一像素电极包括向第一共用电极线延伸的上电极与向第二共用电极线延伸的下电极。
在本发明的一实施例中，上述的第一微型发光组件的两端分别接合于第二共用电极线与第一转移区内的像素电极中的下电极，且第二微型发光组件的两端分别连接第一共用电极线与第二转移区内的像素电极中的上电极。
在本发明的一实施例中，上述的第一共用电极线与第二共用电极线沿垂直于第一方向的第二方向排列。
在本发明的一实施例中，上述的显示面板还包括第三转移区与第四转移区，在垂直于第一方向的第二方向上分别并邻于第一转移区与第二转移区，且第三转移区与第四转移区的交界在第一方向上偏移于第一转移区与第二转移区的交界。
在本发明的一实施例中，上述的第三转移区包括第三微型发光组件，且第三微型发光组件在第二方向上对准第二微型发光组件。
在本发明的一实施例中，上述的第二微型发光组件的数量与第三微型发光组件的数量为多个，且至少一第三微型发光组件在第二方向上对准至少一第二微型发光组件。
在本发明的一实施例中，上述的第二转移区与第三转移区皆包括多个像素区，且第二转移区内的至少一像素区在第二方向上对准第三转移区内的至少一像素区。
基于上述，本发明在转移步骤中，当转移头由一转移区转移至另一转移区时，将转移头旋转180度可以较准确的将所需的微型发光二极管转移到预定位置上而形成相互错位，以减少转移头两端微型发光二极管因晶圆工艺因素导致厚度差异而产生明显边界并弥补相邻转移区之间的亮度差，因此在显示基板运作时，可以具有良好的显示质量。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出本发明一实施例的微型发光二极管显示装置的制造方法的步骤流程图；
图2A至图2F示出本发明一实施例的微型发光二极管显示装置的制造方法的局部示意图；
图3示出本发明另一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图；
图4示出本发明又一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图；
图5示出本发明再一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图；
图6示出本发明又另一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1示出本发明一实施例的微型发光二极管显示装置的制造方法的步骤流程图。图2A至图2F示出本发明一实施例的微型发光二极管显示装置的制造方法的局部示意图。
在本实施例中，微型发光二极管显示装置100的制造方法可以包括以下步骤。应说明的是，如图2F所示，为求清楚说明，下述每一实施例中皆仅描述微型发光二极管显示装置100中的局部放大部分。
请同时参照图1与图2A，首先，进行步骤S100，通过转移头10拾取多个微型发光二极管，图2A示意地示出出十六个微型发光二极管1101。
在本实施例中，每一微型发光二极管1101可以包括第一型电极111与第二型电极112，其中第一型电极111与第二型电极112的电性可以互不相同。举例而言，在一实施例中，第一型电极111与第二型电极112可以是p型电极与n型电极的组合。然而，本发明不限于此，在另一实施例中，第一型电极111与第二型电极112可以是n型电极与p型电极的组合。
在一实施例中，多个微型发光二极管1101可以是阵列排列于转移头10的吸附面上。举例而言，多个微型发光二极管1101可以是以矩形阵列排列于转移头10的吸附面上，以使后续当转移头10旋转180度时可以使相邻转移区的边界上的微型发光二极管具有相近的厚度而改善晶圆上厚度均匀度不佳的问题，其中矩形阵列排列较佳是MxN颗排列，更佳是M≥2N，M与N为正整数，但本发明不限于此，多个微型发光二极管的阵列大小可以视实际设计上的需求而定。
在一实施例中，转移头10的吸附面可以是转移头10朝下的那一面，因此多个微型发光二极管1101可以被转移头10所覆盖，在此，图2A是采用透视方法示出。
在一实施例中，每一微型发光二极管1101中的第一型电极111于转移头10上可以皆位于下方，而第二型电极112于转移头10上可以皆位于上方，但本发明不限于此。
在一实施例中，可以是通过转移头10的真空、磁吸力或静电力拾取成长基板的多个微型发光二极管进行转移，其中成长基板例如是磊晶(epitaxial)基板。然而，本发明不限于此，转移头10也可以通过其他适宜的方式拾取多个微型发光二极管并进行转移。
在一些实施例中，微型发光二极管1101例如是第一色光微型发光二极管、第二色光微型发光二极管或第三色光微型发光二极管。举例而言，第一色光微型发光二极管可以为红色微型发光二极管，第二色光微型发光二极管可以为绿色微型发光二极管，且第三色光微型发光二极管可以为蓝色微型发光二极管。然而，本发明不限于此，第一色光微型发光二极管、第二色光微型发光二极管以及第三色光微型发光二极管可以视实际设计上的需求去选择相应色光组合，以达到后续所需的子像素配置。
请同时参照图1、图2A至图2B，进行步骤S200，将多个微型发光二极管1101转移并接合至显示基板120上，其中显示基板120具有并邻的两个转移区。举例而言，例如是将多个微型发光二极管1101转移并接合至显示基板120上并邻的第一转移区S1与第二转移区S2，其中第一转移区S1与第二转移区S2例如是在第一方向D1上并邻，但本发明不限于此。在一实施例中，显示基板120例如是薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)阵列基板，但本发明不限于此。
显示面板120上可以包括共用电极线130与多个像素电极140。在本实施例中，共用电极线130可以是沿第一方向D1延伸穿过第一转移区S1与第二转移区S2，多个像素电极140可以配置于第一转移区S1与第二转移区S2内。此外，第一转移区S1与第二转移区S2内的每一像素电极140可以包括上电极141与下电极142，且在第二方向D2上，上电极141与下电极142可以是位于共用电极线130的两侧，其中第二方向D2垂直于第一方向D1。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，像素电极与共用电极线之间基于设计上的需求也可以具有其他的配置方式。
在本实施例中，转移步骤可以至少包括如下过程。首先，进行步骤S300，将转移头10移至两个转移区的其一的上方，并将多个微型发光二极管1101的一部分转移至两个转移区的其一。举例而言，可以是将转移头10移至第一转移区S1的上方，并将微型发光二极管1101的一部分(微型发光二极管110a1)转移至第一转移区S1，如将图2B中转移头10的虚线部分微型发光二极管110a1转移至第一转移区S1的实线部分微型发光二极管110a1。
请同时参照图1、图2B至图2C，进行步骤S400，移动转移头10，将转移头旋转180度对应至两个转移区的另一的上方。举例而言，可以是将转移头10旋转180度对应至第二转移区S2的上方，其中旋转例如是顺时针或逆时针方向旋转。然后，进行步骤S500，将多个微型发光二极管1101的另一部分转移至两个转移区的另一，位于两个转移区的其一内的微型发光二极管与位于两个转移区的另一的微型发光二极管错位配置。举例而言，可以是将微型发光二极管1101的另一部分(微型发光二极管110b1)转移至第二转移区S2，位于第一转移区S1内的微型发光二极管110a1错位于位于第二转移区S2的微型发光二极管110b1。
因此，本实施例在转移步骤中，当转移头10由一转移区(第一转移区S1)转移至另一转移区(第二转移区S2)时，将转移头10旋转180度可以较准确的将所需的微型发光二极管(微型发光二极管110a1与微型发光二极管110b1)转移到预定位置上而形成相互错位，以减少转移头两端微型发光二极管因晶圆工艺因素导致厚度差异而产生明显边界并可以弥补相邻转移区(第一转移区S1与第二转移区S2)之间的亮度差，因此在显示基板120运作时，可以具有良好的显示质量。进一步而言，相邻的微型发光二极管的差异度最小，当转移头10拾取晶圆上数个微型发光二极管后，可知转移头10的左端点和右端点上的微型发光二极管，厚度差异最大，因此通过将转移头10旋转180度翻转能使相邻两个转移区边界上的微型发光二极管有较相近的厚度，光电特性也会较相近，因此可以具有良好的显示质量。
在本实施例中，前述错位例如是第一转移区S1内的微型发光二极管110a1的两端(如第一型电极111与第二型电极112)可以是分别接合于第一转移区S1内的共用电极线130与像素电极140中的上电极141，而第二转移区S2内的微型发光二极管110b1的两端(如第一型电极111与第二型电极112)可以是分别接合于第二转移区S2内的共用电极线130与像素电极140中的下电极142。换句话说，微型发光二极管110a1的第一型电极111与微型发光二极管110b1的第一型电极111可以接合于共用电极线130。然而，本发明不限于此，在本发明中，只要第一转移区S1内微型发光二极管与第二转移区S2内微型发光二极管中的一者接合于像素电极140中的上电极141，而另一者接合于像素电极140中的下电极142皆属于本发明所指称的错位配置。
此外，在前述过程中所配置的微型发光二极管110a1与微型发光二极管110b1例如是第一色光微型发光二极管，因此在第一方向D1上，位于两个转移区的其一内的第一色光微型发光二极管可以不重叠于位于两个转移区的另一内的第一色光微型发光二极管，在此态样下也属于本发明所指称的错位。
在一实施例中，转移头10可以是具有并列的第一边缘10e1与第二边缘10e2，其中例如是于第一方向D1上并列。换句话说，转移头10可以具有相对的第一边缘10e1与第二边缘10e2。进一步而言，在步骤S300与步骤S500中，第一边缘10e1可以重叠于两个转移区的其一与两个转移区的另一之间的交界。举例而言，可以是第一边缘10e1可以是重叠于第一转移区S1与第二转移区S2之间的交界B。换句话说，第一边缘10e1于转移头10旋转的之前或之后重叠于同一个位置上。
在一实施例中，转移头10的旋转可以是在将转移头10移至两个转移区的另一的上方之前或之后完成。进一步而言，可以是先将转移头10进行旋转，再将转移头10由第一转移区S1移至第二转移区S2上方，或者，先将转移头10由第一转移区S1移至第二转移区S2上方，再将转移头10进行旋转。
请同时参照图1、图2C至图2F，在本实施例中，显示面板120还可以具有在第二方向D2上分别并邻于第一转移区S1与第二转移区S2的第三转移区S3与第四转移区S4。此外，前述共用电极线130与多个像素电极140可以视为一组，而可以还包括另一组配置于显示面板120上的共用电极线130与多个像素电极140。进一步而言，另一组共用电极线130与多个像素电极140中的共用电极线130可以是沿第一方向D1延伸穿过第三转移区S3与第四转移区S4，而另一组共用电极线130与多个像素电极140中的多个像素电极140配置于第三转移区S3与第四转移区S4内。
接着，可以重复步骤S300至步骤S500，以进一步将其他的微型发光二极管110c1与微型发光二极管110d1依序配置于第三转移区S3(如图2D所示)与第四转移区S4(如图2E所示)上。然后，可以将转移头10从第四转移区S4上移开(未示出)。据此，经由上述过程已将多个微型发光二极管1101(微型发光二极管110a1、微型发光二极管110b1、微型发光二极管110c1与微型发光二极管110d1)分别配置于显示面板120的第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4内。换句话说，多个微型发光二极管1101(微型发光二极管110a1、微型发光二极管110b1、微型发光二极管110c1与微型发光二极管110d1)可以分别于第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4内以各别形成子像素区SP。
在一实施例中，转移头10的面积可以等于任一转移区的面积。举例而言，可以是转移头10的吸附面的面积等于第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4任一中的面积。然而，本发明不限于此，转移头10的面积可以视实际需求进行调整。
应说明的是，本发明不限于图2A至图2E中转移区与微型发光二极管的数量、转移次数、转移顺序与转移方向，只要位于两个转移区的其一内的微型发光二极管错位于位于两个转移区的另一的微型发光二极管皆属于本发明的保护范围。举例而言，在未示出的实施例中，也可以是重复步骤S300至步骤S500，以将微型发光二极管的其一配置于第一转移区S1内，而将微型发光二极管的另一配置于第三转移区S3且形成相互错位。
请参照图2F，在前述过程中所配置的微型发光二极管110a1、微型发光二极管110b1、微型发光二极管110c1与微型发光二极管110d1例如是第一色光微型发光二极管110a1、第一色光微型发光二极管110b1、第一色光微型发光二极管110c1与第一色光微型发光二极管110d1，因此可以继续重复步骤S100至步骤S500，将多个第二色光微型发光二极管110a2、第二色光微型发光二极管110b2、第二色光微型发光二极管110c2与第二色光微型发光二极管110d2依序分别配置于显示面板120的第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4中。
接着，继续重复步骤S100至步骤S500，将多个第三色光微型发光二极管110a3、第三色光微型发光二极管110b3、第三色光微型发光二极管110c3与第三色光微型发光二极管110d3依序分别配置于显示面板120的第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4中，以使每一转移区内可以皆具有至少一第一色光微型发光二极管、至少一第二色光微型发光二极管以及至少一第三色光微型发光二极管。
进一步而言，位于第一转移区S1内的第一色光微型发光二极管110a1、第二色光微型发光二极管110a2与第三色光微型发光二极管110a3可以沿第一方向D1排列成一直线，位于第二转移区S2内的第一色光微型发光二极管110b1、第二色光微型发光二极管110b2与第三色光微型发光二极管110b3可以沿第一方向D1排列成另一直线，位于第三转移区S3内的第一色光微型发光二极管110c1、第二色光微型发光二极管110c2与第三色光微型发光二极管110c3可以沿第一方向D1排列成又一直线，位于第四转移区S4内的第一色光微型发光二极管110d1、第二色光微型发光二极管110d2与第三色光微型发光二极管110d3可以沿第一方向D1排列成再一直线，其中相邻两转移区内所形成的直线在第一方向D1上相互错位，如第一转移区S1与第二转移区S2内的所形成的直线在第一方向D1上相互错位，而第三转移区S3与第四转移区S4内的所形成的直线在第一方向D1上相互错位。
据此，第一转移区S1中的微型发光二极管110a1、微型发光二极管110a2与微型发光二极管110a3可以构成第一微型发光组件110a，第二转移区S2中微型发光二极管110b1、微型发光二极管110b2与微型发光二极管110b3可以构成第二微型发光组件110b，第三转移区S3中微型发光二极管110c1、微型发光二极管110c2与微型发光二极管110c3可以构成第三微型发光组件110c，而第四转移区S4中微型发光二极管110d1、微型发光二极管110d2与微型发光二极管110d3可以构成第四微型发光组件110d，以使第一转移区S1、第二转移区S2、第三转移区S3与第四转移区S4可以分别形成多个像素区P。
在第一方向D1上，并邻的两转移区(例如第一转移区S1与第二转移区S2)内的微型发光组件(例如第一微型发光组件110a与第二微型发光组件110b)具有相同色光。进一步来说，第一微型发光组件110a与第二微型发光组件110b皆包含至少三个不同色光的微型发光二极管，在第一方向D1上，第一微型发光组件110a的三个不同色光的微型发光二极管的排序与第二微型发光组件110b的三个不同色光的微型发光二极管的排序一致。
请参照图2F，在本实施例中，一种微型发光二极管显示装置100，包括显示基板120。显示基板120具有并邻的第一转移区S1与第二转移区S2。第一转移区S1与第二转移区S2内皆包括多个像素区P。第一微型发光组件110a沿第一方向D1排列成一直线。第二微型发光组件110b沿第一方向D1排列成另一直线，在第一方向D1上，第一微型发光组件110a与第二微型发光组件110b错位配置，因此可以弥补相邻转移区(如第一转移区S1与第二转移区S2)之间的亮度差，使显示基板120运作时，可以具有良好的显示质量。
进一步而言，第一微型发光组件110a与第二微型发光组件110b可以皆包括第一型电极111与第二型电极112，且第一微型发光组件110a的第一型电极111与第二微型发光组件110b的第一型电极111接合于共用电极线130。此外，第一微型发光组件110a的两端(第一型电极111与第二型电极112)可以分别接合于共用电极线130与第一转移区S1内的像素电极140中的上电极141，且第二微型发光组件110b的两端(第一型电极111与第二型电极112)可以分别接合于共用电极线130与第二转移区S2内的像素电极140中的下电极142。
请参照图2A至图2F，若微型发光二极管接合于共用电极线130与像素电极140中的上电极141，则同一像素电极140中的下电极142作为修补区101。一旦经检测后发现既存的微型发光二极管损坏，则可转移相同色光的另一颗微型发光二极管至修补区101，并使该颗微型发光二极管合于共用电极线130与同一像素电极140中的下电极142。反之，若微型发光二极管接合于共用电极线130与像素电极140中的下电极142，则同一像素电极140中的上电极141作为修补区101。一旦经检测后发现既存的微型发光二极管损坏，则可转移相同色光的另一颗微型发光二极管至修补区101，并使该颗微型发光二极管合于共用电极线130与同一像素电极140中的上电极141。然而，本发明不限于此，也可以通过其他适宜的方式进行修补。
图3示出本发明另一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图。请参照图3，相较于微型发光二极管显示装置100而言，本实施例的微型发光二极管显示装置200包括配置于显示面板120上的第一共用电极线2301、第二共用电极线2302以及多个像素电极240，其中第一共用电极线2301平行于第二共用电极线2302，且第一共用电极线2301与第二共用电极线2302沿第一方向D1延伸穿过第一转移区S12与第二转移区S22，像素电极240可以阵列设置于所第一转移区S12与第二转移区S22，其中每一像素电极240位于第一共用电极线2301与第二共用电极线2302之间，且每一像素电极240可以包括向第一共用电极线2301延伸的上电极241与向第二共用电极线2302延伸的下电极242。
进一步而言，第一微型发光组件210a的两端(第一型电极211与第二型电极112)可以分别接合于第二共用电极线2302与第一转移区S12内的像素电极240中的下电极242，且第二微型发光组件210b的两端(第一型电极211与第二型电极112)可以分别连接第一共用电极线2301与第二转移区S22内的像素电极240中的上电极241，其中第一共用电极线2301与第二共用电极线2302可以沿第二方向D2排列，但本发明不限于此。
此外，在本实施例中，如图3所示，微型发光二极管显示装置200可以更包括配置于显示面板120上的第三共用电极线2303以及其他像素电极240。举例而言，第三共用电极线2303、第一共用电极线2301与第二共用电极线2302可以沿第二方向D2排列，且另一第一微型发光组件210a的两端(第一型电极211与第二型电极112)可以分别接合于第一共用电极线2301与第一转移区S12内的其他像素电极240中的下电极242，且第二微型发光组件210b的两端(第一型电极211与第二型电极112)分别连接第三共用电极线2303与第二转移区S22内的其他像素电极240中的上电极241，但本发明不限于此。
图4示出本发明又一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图。请参照图4，相较于微型发光二极管显示装置100而言，本实施例的微型发光二极管显示装置300的第三转移区S33与第四转移区S43的交界B2在第一方向D1上偏移于第一转移区S13与第二转移区S23的交界B1。进一步而言，第三转移区S33上的第三微型发光组件310c在第二方向D2上可以对准第二转移区S22上的第二微型发光组件310b。
第二微型发光组件310b的数量与第三微型发光组件310c的数量可以为多个(图4中示意地示出出三个)。在本实施例中，一个第三微型发光组件310c在第二方向D2上可以对准一个第二微型发光组件310b。换句话说，第二转移区S23与第三转移区S33可以皆包括多个像素区，且第二转移区S23内的一个像素区在第二方向D2上可以对准第三转移区S33内的一个像素区。在此，对准可以为一对一的方式。
图5示出本发明再一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图。请参照图5，相较于微型发光二极管显示装置300而言，本实施例的微型发光二极管显示装置300a具有较大的偏移量，换句话说，可以是两个第三微型发光组件310c在第二方向D2上可以对准两个第二微型发光组件310b。换句话说，第二转移区S23内的两个像素区在第二方向D2上可以对准第三转移区S33内的两个像素区。
应说明的是，本发明不限制第三微型发光组件310c在第二方向D2上与第二微型发光组件310b的对准数量或第二转移区S23内的像素区在第二方向D2上与对准第三转移区S33内的像素区的对准数量，上述对准数量可以视偏移量的设计需求而定，举例而言，对准数量可以是大于两个。
图6示出本发明又另一实施例的微型发光二极管显示装置的局部示意图。请参照图6，本实施例的微型发光二极管显示装置400可以应用于无源驱动寻址模式(PM mode)。在本实施例中，微型发光二极管显示装置400，也可以包括显示基板420、第一微型发光组件410a以及第二微型发光组件410b。显示基板420具有并邻的第一转移区S14与第二转移区S24。第一微型发光组件410a配置于第一转移区S14内，且沿第一方向D1排列成一直线。第二微型发光组件410b配置于第二转移区S24内，且沿第一方向D1排列成另一直线，在第一方向D1上，第一微型发光组件410a不重叠于第二微型发光组件410b，因此可以弥补相邻转移区(如第一转移区S14与第二转移区S24)之间的亮度差，使显示基板420运作时，可以具有良好的显示质量。
综上所述，本发明在转移步骤中，当转移头由一转移区转移至另一转移区时，将转移头旋转180度可以较准确的将所需的微型发光二极管转移到预定位置上而形成相互错位，以减少转移头两端微型发光二极管因晶圆工艺因素导致厚度差异而产生明显边界并弥补相邻转移区之间的亮度差，因此在显示基板运作时，可以具有良好的显示质量。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
