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一种基于基础平面拼接的晶体模型

2021-02-17 00:22:13

一种基于基础平面拼接的晶体模型

  技术领域

  本实用新型涉及矿物晶体教学技术领域,特别涉及一种基于基础平面拼接的晶体模型。

  背景技术

  矿物晶体是指由生长在岩石的裂隙或空洞中的许多矿物单晶体所组成的簇状集合体,它们一端固定于共同的基地岩石上,另一端自由发育而具有良好的晶行。理想状态下形成的矿物晶体是规则的多面几何体,但自然形成的矿物晶体由于各种环境因素形状各异,教学时往往需要用到理想状态下的矿物晶体模型,但是矿物晶体种类众多,一一对其进行模型制造需要消耗大量成本,并且在储物室储存需要用到大量的储存空间,因此需要设计一种可也用基础平面拼接形成各种晶体形状的模型。

  实用新型内容

  本实用新型的目的是提供一种基于基础平面拼接的晶体模型,能够用基础平面拼接成各种各样规则的晶体模型,降低成本,节省储存空间。

  本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种基于基础平面拼接的晶体模型,包括中心连接球、多根伸缩连接杆及多个形状不一的几何面板,每一伸缩连接杆的两端均分别设置有第一磁性插轴及第二磁性插轴,所述中心连接球的外周开设有若干插孔,每一插孔内均设置有与所述第一磁性插轴相配合的铁制套孔,每一几何面板的中心均设置有铁制的连接座,每一连接座均设置有与所述第二磁性插轴相配合的连接孔。

  通过采用上述技术方案,进行晶体模型拼接时,首先将伸缩连接杆的第二磁性插轴插入到需要拼接的几何面板的连接孔内,根据实际需求调节伸缩连接杆的长度,再将伸缩连接杆的第一磁性插轴依次插入到中心连接球上的铁制套孔内,使几何面板与中心连接球连接,依次按照上述步骤将其余几何面板与中心连接球相应位置连接,最终完成需要的晶体模型的拼接。

  本实用新型的进一步设置为:每一连接座均包括万向球头、与万向球头连接的球头座,每一球头座均与对应几何面板的中心连接,每一连接孔均开设于对应万向球头远离球头座的一端。

  通过采用上述技术方案,通过调整两个面之间的角度可以完成不同矿物晶体的部分拼接,节省几何面板的消耗。

  本实用新型的进一步设置为:所述万向球头与所述球头座的转动设置有阻尼。

  通过采用上述技术方案,只有受外力时才能转动几何面板,防止拼接好的晶体模型面与面之间转动,影响拼接效果。

  本实用新型的进一步设置为:每一伸缩连接杆均设置有用于调节长度的调节旋钮。

  综上所述,本实用新型具有以下有益效果:本实用新型运用多张几何平面可以拼接完成多个不同的矿物晶体模型,通过中心连接球将作为中心将几何平面连接在一起,连接牢固,有效降低了一一制造矿物晶体模型的成本,并且能够有效节省储存空间。

  附图说明

  图1是本实用新型拼接的晶体模型示意图;

  图2是图1的透视图;

  图3是中心连接球的整体结构示意图;

  图4是伸缩连接杆的整体结构示意图;

  图5是几何面板的整体结构示意图。

  图中:1、中心连接球;11、插孔;2、伸缩连接杆;21、调节旋钮;3、几何面板;41、第一磁性插轴;42、第二磁性插轴;5、铁制套孔;6、连接座;61、万向球头;62、球头座;7、连接孔。

  具体实施方式

  以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

  实施例,一种基于基础平面拼接的晶体模型,参照图1-5,包括中心连接球1、多根伸缩连接杆2及多个形状不一的几何面板3,几何面板3的形状有正方形、长方形、三角形、菱形等形状,本实施例列举了四块长方形和两块菱形,每一伸缩连接杆2的两端均分别设置有第一磁性插轴41及第二磁性插轴42,每一伸缩连接杆2均设置有用于调节长度的调节旋钮21。

  中心连接球1用轻质的塑料制成,中心连接球1的外周开设有若干插孔11,每一插孔11内均设置有与第一磁性插轴41相配合的铁制套孔5,每一几何面板3的中心均设置有铁制的连接座6,每一连接座6均设置有与第二磁性插轴42相配合的连接孔7;每一连接座6均包括一个万向球头61、一个与万向球头61连接球头座62,万向球头61与球头座62的转动设置有阻尼,使得只有受外力作用时,万向球头61才能相对球头座62转动,每一球头座62均与对应几何面板3的中心连接,每一连接孔7均开设于对应万向球头61远离球头座62的一端。

  使用方式:进行晶体模型拼接时,首先将伸缩连接杆2的第二磁性插轴42插入到需要拼接的几何面板3的连接孔7内,根据实际需求调节伸缩连接杆2的长度,再将伸缩连接杆2的第一磁性插轴41依次插入到中心连接球1上的铁制套孔5内,使几何面板3与中心连接球1连接,依次按照上述步骤将其余几何面板3与中心连接球1相应位置连接,必要时手动转动几何面板3,最终完成需要的晶体模型的拼接。

  本具体实施例仅仅是对本实用新型的解释,其并不是对本实用新型的限制,本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改,但只要在本实用新型的权利要求范围内都受到专利法的保护。

《一种基于基础平面拼接的晶体模型.doc》
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