显示组件及其制备方法、显示模组和电子设备
技术领域
本申请实施例涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示组件及其制备方法、显示模组和电子设备。
背景技术
随着电子产品的形式的渐趋多样化，双面显示功能成为新一代电子产品的主要特色，特别是一些办公场所的显示用品。
但是，目前通常只是将两个独立的显示器件进行背靠背组装，以实现双面显示的功能。采用上述方式构成的双面显示装置比较厚重，因此不符合用户对轻薄性的要求。
发明内容
基于此，有必要针对双面显示装置比较厚重的问题，提供一种显示组件及其制备方法、显示模组和电子设备。
一种显示组件，包括：
第一发光单元；
第二发光单元；
驱动电路层，所述驱动电路层中设有驱动模块，所述驱动模块分别与所述第一发光单元和所述第二发光单元电连接，用于分别控制所述第一发光单元和所述第二发光单元发光；
其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元分别设置于所述驱动电路层相背的两个表面上。
一种显示组件的制备方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层中设有驱动模块；
在所述驱动电路层上形成第一发光单元，所述第一发光单元与所述驱动模块电连接；
剥离所述衬底；
在所述驱动电路层远离所述第一发光单元一侧的表面上形成第二发光单元，所述第二发光单元与所述驱动模块电连接。
一种显示模组，包括多个如上述的显示组件，且多个所述显示组件的所述驱动电路层相连通。
一种电子设备，包括如上述的显示模组。
上述显示组件及其制备方法、显示模组和电子设备，所述显示组件包括：第一发光单元；第二发光单元；驱动电路层，所述驱动电路层中设有驱动模块，所述驱动模块分别与所述第一发光单元和所述第二发光单元电连接，用于分别控制所述第一发光单元和所述第二发光单元发光；其中，所述第一发光单元和所述第二发光单元分别设置于所述驱动电路层相背的两个表面上。本申请实施例通过将第一发光单元和第二发光单元分别设置于驱动电路层的相背的两个表面上，实现了双面显示功能，而且，本申请实施例通过同一驱动电路层分别控制第一发光单元和第二发光单元，可以以较为轻薄的驱动电路层实现对双面显示的独立控制，即，实现了一种轻薄性更好的显示组件。
附图说明
图1为一实施例的显示模组的器件结构示意图；
图2为一实施例的第一发光单元和第二发光单元至少部分重合的显示组件的结构示意图；
图3为一实施例的第一发光单元和第二发光单元相错开的显示组件的结构示意图；
图4为一实施例的显示组件的等效电路图；
图5为一实施例的显示组件的剖面示意图；
图6为一实施例的显示组件的制备方法的流程图；
图7为一实施例的步骤604后的器件结构示意图；
图8为一实施例的步骤606后的器件结构示意图；
图9为一实施例的步骤608后的器件结构示意图；
图10为一实施例的步骤610后的器件结构示意图；
图11为一实施例的步骤604的子流程图。
元件标号说明：
显示组件：10；第一发光单元：100；第一阳极：110；第一阴极：120；第二发光单元：200；第二阳极：210；第二阴极：220；驱动电路层：300；驱动模块：301；像素驱动电路：311；选择电路：312；柔性层：320；缓冲层：330；栅绝缘层：340；层间介质层：350；平坦化层：360；有源层：371；第一接触结构：372；栅极：373；中间金属层：374；源极接触结构：375；漏极接触结构：376；第二接触结构：377；像素定义层：380；偏光片层：400；封装层：500；衬底：600
具体实施方式
为了便于理解本申请实施例，下面将参照相关附图对本申请实施例进行更全面的描述。附图中给出了本申请实施例的首选实施例。但是，本申请实施例可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请实施例的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请实施例的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请实施例的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请实施例。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在本申请实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方法或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。
图1为一实施例的显示模组的器件结构示意图，在本申请实施例中，显示模组包括多个显示组件10，图1中虚线框中的结构即作为一个显示组件10。参考图1，显示组件10包括第一发光单元100、第二发光单元200和驱动电路层300。其中，所述第一发光单元100和所述第二发光单元200分别设置于所述驱动电路层300相背的两个表面上。
第一发光单元100与驱动电路层300电连接，且第一发光单元100的电极与驱动电路层300中的电路电连接。第一发光单元100通过电极从相应的电路获取驱动电流或驱动电压，并在驱动电流或驱动电压的驱动下发光，且发光的亮度与驱动电流或驱动电压的正相关。第一发光单元100的发光方向为背离驱动电路层300的方向，多个第一发光单元100共同构成第一显示面，即正面显示。
第二发光单元200也与驱动电路层300电连接，且第二发光单元200的电极与驱动电路层300中的电路电连接。第二发光单元200通过电极从相应的电路获取驱动电流或驱动电压，并在驱动电流或驱动电压的驱动下发光，且发光的亮度与驱动电流或驱动电压的正相关。第二发光单元200的发光方向为背离驱动电路层300的方向，多个第二发光单元200共同构成第二显示面，即背面显示。
其中，由于第一发光单元100和第二发光单元200设置于驱动电路层300相背的两个表面上，且发光方向均为背离驱动电路层300的方向，因此，第一发光单元100与第二发光单元200的发光方向相反，即可实现双面显示的功能。可以理解的是，通过双面显示功能，用户即可以灵活地选择一个显示面进行显示，还可以使两个显示面同时显示相同的图像，以使多名用户可以同时从不同的角度进行观看，从而应对不同的应用场景，提高了显示组件10的灵活性。
驱动电路层300，所述驱动电路层300中设有驱动模块，所述驱动模块分别与所述第一发光单元100和所述第二发光单元200电连接，用于分别控制所述第一发光单元100和所述第二发光单元200发光。通过上述方式，可以在双面独立显示的基础上，使第一发光单元100和第二发光单元200共用同一驱动电路层300，即，使双面显示的驱动电路集成于一个驱动电路层300中，实现了较为轻薄的显示组件10。
可以理解的是，由于第一发光单元100和第二发光单元200均设置于驱动电路层300上，因此，第一显示面的形状和第二显示面的形状都是与驱动电路层300的形状相对应的，即，可以通过设置驱动电路层300的形状，形成平面式或弧面式的第一显示面和第二显示面，且两个显示面的形状可以不同。可选地，驱动电路层300可以为不透光结构，以避免位于不同面的发光单元发光时互相干扰，从而提高了双面显示的图像准确性。
在本实施例中，显示组件10包括：第一发光单元100；第二发光单元200；驱动电路层300，分别与所述第一发光单元100和所述第二发光单元200电连接，用于分别控制所述第一发光单元100和所述第二发光单元200发光；其中，所述第一发光单元100和所述第二发光单元200分别设置于所述驱动电路层300相背的两个表面上。本申请实施例通过将第一发光单元100和第二发光单元200分别设置于驱动电路层300的相背的两个表面上，实现了双面显示功能，而且，本申请实施例通过同一驱动电路层300分别控制第一发光单元100和第二发光单元200，可以以较为轻薄的驱动电路层300实现对双面显示的独立控制，即，实现了一种轻薄性更好的显示组件10。
在其中一个实施例中，第一发光单元100和第二发光单元200均为主动式发光单元，例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)和microLED器件等。可以理解的是，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等需要额外的背光模组，才能实现显示功能，轻薄性不佳，而且，驱动电路层300与发光单元之间的走线不便于穿过背光模组，因此制造难度和制造成本较高。
进一步地，所述第一发光单元100和/或所述第二发光单元200为microLED器件发光单元。可以理解的是，有机发光二极管和量子点发光二极管等都需要多道蒸镀工艺制程才能形成完整的发光器件结构，而蒸镀工艺对蒸镀环境的要求极高，且蒸镀形成的膜层比较脆弱，若进行正面和反面两次蒸镀，则可能造成在先蒸镀的膜层损伤，从而影响显示组件10的显示质量。再进一步地，可以第一发光单元100和第二发光单元200均为microLED器件发光单元，microLED器件中不需要设置复杂的膜层结构，因此制备的稳定性和可靠性较高，可以实现更高的制备良率，因此，正面显示和背面显示均采用microLED器件发光单元的显示组件10的制备工艺更加简单、成本更低。
图2为一实施例的第一发光单元100和第二发光单元200至少部分重合的显示组件10的结构示意图，参考图2，在本实施例中，第一发光单元100和第二发光单元200在垂直于驱动电路层300的方向上至少部分重合。可以理解的是，通过本实施例的设置方式，可以使microLED器件具有更大的发光面积，从而具有更高的亮度和更大开口率，而且，大尺寸的microLED器件的转移难度较低，因此，还可以有效提升显示组件10的制备良率。
图3为一实施例的第一发光单元100和第二发光单元200相错开的显示组件10的结构示意图，参考图3，在本实施例中，同一显示组件10中的所述第一发光单元100和所述第二发光单元200在垂直于所述驱动电路层300的方向上相错开。其中，相错开是指第一发光单元100和第二发光单元200在垂直于驱动电路层300的方向上不重合。本实施例的microLED器件的尺寸较小，且相邻的microLED器件之间的间隙较大，因此，转移时的空间裕度较大。
继续参考图3，所述驱动电路层300包括驱动模块301，所述显示组件10还包括数据信号线(图未示)，驱动模块301与所述数据信号线连接。进一步地，所述驱动模块301包括像素驱动电路311和选择电路。示例性地，图3中的第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2即可共同作为选择电路，从而实现显示组件的选择性显示的功能。
像素驱动电路311与所述数据信号线连接，用于传输所述数据信号。即，像素驱动电路311从数据信号线获取数据信号，并将获取到的数据信号传输至选择电路的输入端。
所述选择电路的输入端与所述像素驱动电路311连接，所述选择电路的两个输出端分别与所述第一发光单元100和所述第二发光单元200一一对应连接，所述选择电路用于根据外部输入的控制信号选择传输所述数据信号至所述第一发光单元100和/或所述第二发光单元200。
在本实施例中，通过设置选择电路，可以实现数据信号的传输方向的简便、快速的选择。示例性地，选择电路可以为二选一选择器，即，二选一选择器可以根据外部输入的控制信号，选择导通信号输入端和两个输出端中的一个之间的信号传输路径，从而将数据信号传输至目标发光单元，目标发光单元即第一发光单元100和第二发光单元200中的一个。其中，控制信号可以包括一个信号，也可以包括两个信号，两个信号可以互为反相信号，从而实现更加灵活、快速的控制。
继续参考图3，在其中一个实施例中，所述选择电路312包括第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，所述显示组件10还包括控制信号线(图未示)。其中，所述控制信号线用于传输控制信号至所述第一控制晶体管TFT1和所述第二控制晶体管TFT2，以控制所述第一控制晶体管TFT1和所述第二控制晶体管TFT2分时导通。
具体地，所述第一控制晶体管TFT1的栅极373可以与所述控制信号线连接，所述第一控制晶体管TFT1的源极与所述像素驱动电路311连接，所述第一控制晶体管TFT1的漏极与所述第一发光单元100连接；第二控制晶体管TFT2，所述第二控制晶体管TFT2的栅极373与所述控制信号线连接，所述第二控制晶体管TFT2的源极与所述像素驱动电路311连接，所述第二控制晶体管TFT2的漏极与所述第二发光单元200连接。在本实施例中，通过设置两个控制晶体管，可以实现对第一发光单元100和第二发光单元200的独立控制。示例性地，第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2可以连接至同一条控制信号线，且使第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2具有相反的导通特性，从而使第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2分时导通，本实施例的设置方式可以简化控制信号线的数量，以进一步提高显示组件10的轻薄性。
继续参考图3，显示模组中的多个第一控制晶体管TFT1和多个第二控制晶体管TFT2在驱动电路层300中呈互相间隔的阵列式排布，且多个所述显示组件10的所述驱动电路层300相连通，即多个驱动电路层300为同时制备，且共享同一个厚度，从而实现了更加轻薄的显示模组。
图4为一实施例的显示组件10的等效电路图，参考图4，在本实施例中，所述控制信号线包括第一控制线和第二控制线。第一控制线，与所述第一控制晶体管TFT1的栅极373连接；第二控制线，与所述第二控制晶体管TFT2的栅极373连接。
在其中一个实施例中，所述第一控制晶体管TFT1和所述第二控制晶体管TFT2具有相反的导通特性，所述第一控制线和所述第二控制线传输的控制信号的电平状态相同，本实施例的控制逻辑较为简单，即，可以基于相同的控制信号，实现对第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2的同时控制，而无需对控制信号进行额外的处理或生成多个控制信号。
在其中另一个实施例中，所述第一控制晶体管TFT1和所述第二控制晶体管TFT2具有相同的导通特性，所述第一控制线和所述第二控制线传输的控制信号的电平状态相反。可以理解的是，第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2是通过叠层设置的多个功能层实现其导通特性的，即，若设置导通特性相同的第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，则可以同步制备第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，即可以简化控制晶体管的制备工艺步骤，提高制备效率。
进一步地，继续参考图4，在其中一个实施例中，像素驱动电路311包括多个晶体管和至少一个存储电容，图4实施例提供了一种7T1C的实施方式，可以理解的是，在其他实施例中，像素驱动电路311也可以为3T1C、6T1C等，上述像素驱动电路311也可实现本申请的目的。
如前述说明，显示组件10包括数据信号线、第一控制线、第二控制线、第一发光单元100和第二发光单元200，在本实施例中，显示组件10还包括参考电压线、发光控制信号线和扫描信号线，以进一步实现更多的功能。
具体地，像素驱动电路311包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和存储电容。其中，第一晶体管T1的栅极373连接至第五晶体管T5的漏极，第一晶体管T1的源极连接至第三晶体管T3的漏极，第一晶体管T1的漏极连接至第六晶体管T6的源极，第二晶体管T2的栅极373连接至扫描信号线，第二晶体管T2的源极连接至第一晶体管T1的栅极373，第三晶体管T3的栅极373连接至发光控制信号线，第三晶体管T3的源极连接至电源电压VDD，第四晶体管T4的栅极373连接至扫描信号线，第四晶体管T4的源极连接至第一晶体管T1的源极，第四晶体管T4的漏极连接至数据信号线，第五晶体管T5的源极连接至扫描信号线，第五晶体管T5的源极连接至参考电压线，第六晶体管T6的栅极373连接至发光控制信号线，第六晶体管T6的漏极连接至第一控制晶体管TFT1的漏极，第七晶体管T7的栅极373连接至扫描信号线，第七晶体管T7的源极连接至参考电压线，第七晶体管T7的漏极连接至第一控制晶体管TFT1的漏极，存储电容分别于电源电压VDD和第一晶体管T1的栅极373连接。
第一发光单元100的第一阳极110连接至第一控制晶体管TFT1的漏极，第一发光单元100的第一阴极120连接至接地电压VSS，第二发光单元200的第二阳极210连接至第二控制晶体管TFT2的漏极，第二发光单元200的第二阴极220连接至接地电压VSS。其中，电源电压VDD高于接地电压VSS。
进一步地，像素驱动电路311可以执行驱动模式或测量模式，其中，驱动模式包括第一阶段和第二阶段，测量模式包括器件测量模式和像素测量模式，器件测量模式包括第三阶段和第四阶段。
具体地，继续参考图4，在驱动模式下，第一发光单元100或第二发光单元200根据数据信号和控制信号发光。其中，驱动模式的第一阶段包括：将第二晶体管T2切换至其导通状态，以导通第一晶体管T1的漏极和栅极373，以通过第四晶体管T4T4导通第一晶体管T1的源极和数据信号线。从而通过对存储电容C和第一晶体管T1的第一栅极373充电，以预补偿在第二阶段中阈值电压Vth对第一晶体管T1的源漏极电流的影响。驱动模式的第二阶段包括：通过第三晶体管T3导通第一晶体管T1的源极和电源电压VDD，并断开第一晶体管T1的第一栅极373和漏极。在发光阶段中，第一发光单元100通过第一晶体管T1电连接到电源电压VDD，由此使电流根据数据信号线的电压Vdata流向第一发光单元100或第二发光单元200。
在器件测量模式下，可以测量流向第一发光单元100或第二发光单元200的电流，以确定相关的器件特性的劣化。器件测量模式的第三阶段包括：导通第一晶体管T1的栅极373和参考电压线，以使第一晶体管T1切换至三极管模式。器件测量模式的第四阶段包括：导通第一晶体管T1的源极和数据信号线，以使电流在数据信号线和第一发光单元100或第二发光单元200之间流动；通过第六晶体管T6T6导通第一晶体管T1的漏极和第一发光单元100，以连接数据信号线和第一发光单元100或第二发光单元200，从而通过数据信号线将已知的偏置电压提供到发光单元，从而测量响应于该电压而产生的电流。在器件测量模式的第四阶段中，第一晶体管T1保持三极管模式，从而使源漏极电流大致与源漏极电压成比例。而且，在三极管模式中，第一晶体管T1的源漏极之间的电阻值较小，以使数据信号线和第一发光单元100的第一阳极110之间的电压降可被忽略或校正。
在像素测量模式下，可以利用已知的数据电压Vdata编程驱动晶体管，以模拟驱动模式时测量像素中的电流。在本实施例中，像素测量模式包括与前述的驱动模式的第一阶段相似的编程阶段，以及与前述的器件测量模式的第四阶段相似的电流测量阶段。具体地，像素测量模式的编程阶段包括：导通第二晶体管T2，以导通第一晶体管T1的漏极和栅极373，并通过第三晶体管T3导通第一晶体管T1的源极和数据信号线，从而利用对第一晶体管T1的第一栅极373充电，以预补偿在电流测量阶段中阈值电压Vth对第一晶体管T1的源漏极电流的影响。电流测量阶段包括：导通第一晶体管T1的源极和数据信号线，以通过第一晶体管T1使电流能够在数据信号线和第一发光单元100之间流动，通过第六晶体管T6T6导通第一晶体管T1的漏极和第一发光单元100，从而进行测量。
图5为一实施例的显示组件10的剖面示意图，参考图5，在本实施例中，所述第一控制晶体管TFT1和所述第二控制晶体管TFT2在所述驱动电路层300中呈互相间隔的阵列式排布。通过本实施例的设置方式，可以较为优化地兼容第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，使二者设置于同一膜层内，即，使驱动电路层300的厚度等于一个控制晶体管的厚度，从而实现了轻薄性更好的显示组件10。
图5中示出了第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，且第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2的结构相同，均包括栅极373、源极和漏极，源极通过源极接触结构375连接至数据信号线，漏极通过漏极接触结构376连接至发光单元，例如，可以通过漏极接触结构376连接至第一发光单元100的第一阳极110。其中，第一发光单元100和第二发光单元200均设置于由像素定义层380构成的凹槽中。
继续参考图5，在其中一个实施例中，所述驱动电路层300还包括：中间金属层374，沿平行于所述驱动电路层300的方向设置，且分别与所述第二发光单元200的阳极和所述第二控制晶体管TFT2的漏极在垂直于所述驱动电路层300的方向上至少部分重合；第一接触结构372，用于连接所述中间金属层374和所述第二发光单元200的阳极；第二接触结构377，用于连接所述中间金属层374和所述第二控制晶体管TFT2的漏极；其中，所述第一接触结构372和所述第二接触结构377均沿垂直于所述驱动电路层300的方向延伸。在本实施例中，通过设置中间金属层374，可以使第二发光单元200和第二控制晶体管TFT2的漏极以较少的走线实现更加灵活的电连接。
图6为一实施例的显示组件10的制备方法的流程图，参考图6，在本实施例中，制备方法包括步骤602至步骤610。
步骤602，提供衬底600。其中，衬底600可以为刚性衬底600，也可以为柔性衬底600。
步骤604，在所述衬底600上形成驱动电路层300，所述驱动电路层300中设有驱动模块301。其中，图7为一实施例的步骤604后的器件结构示意图，参考图7，在步骤604中，在衬底600上依次形成柔性层320、缓冲层330、栅绝缘层340、层间介质层350和平坦化层360，并通过蚀刻和填充的方法形成驱动模块301中的第一控制晶体管TFT1和第二控制晶体管TFT2，具体制备方法可参考图11对应的实施方式。可以理解的是，形成驱动电路层300的制备方式也不局限于图11的实施方式，其他可以实现相同结构的制备方法也属于本申请的保护范围。
步骤606，在所述驱动电路层300上形成第一发光单元100，所述第一发光单元100与所述驱动模块301电连接。其中，若第一发光单元100均为microLED发光单元，则可以通过转移的方式在驱动电路层300上形成第一发光单元100。图8为一实施例的步骤606后的器件结构示意图。
步骤608，剥离所述衬底600。其中，可以通过激光剥离的方式剥离衬底600。图9为一实施例的步骤608后的器件结构示意图。
步骤610，在所述驱动电路层300远离所述第一发光单元100一侧的表面上形成多个第二发光单元200，所述第二发光单元200与所述驱动模块301电连接，其中，图10为一实施例的步骤610后的器件结构示意图。
进一步地，继续参考图6，在其中一个实施例中，方法还包括：
步骤612，封装所述第一发光单元100和所述多个第二发光单元200，即在第一发光单元100上形成封装层500，并在多个第二发光单元200上形成封装层500，即可形成如图5所示的显示组件10。
再进一步地，在步骤612前，还包括在第一发光单元100上形成偏光片层400和/或触控模组(如图8所示)，以及在第二发光单元200上形成偏光片层400和/或触控模组(如图10所示)。通过形成偏光片层400，可以防止环境光对显示画面的影响，从而提高显示质量，而设置触控模组可以进一步扩展显示组件10的功能，从而提供一种更灵活的显示组件10。可以理解的是，通过上述步骤形成的显示组件10可参考相应的产品实施例，此处不再进行赘述。
图11为一实施例的步骤604的子流程图，结合参考图7和图11，步骤604包括步骤1102至步骤1116。
步骤1102，在所述衬底600上依次形成缓冲层330、有源层371和栅绝缘层340；
具体地，衬底600与缓冲层330之间还可以形成有柔性层320，柔性层320的材料可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)，柔性层320用于确保柔性背板的柔性，从而避免剥离衬底600时造成器件的损伤。
在衬底600与缓冲层330之间，还可以形成有遮光层，且遮光层覆盖部分衬底600。遮光层的材料可以为能够反光的金属或合金，例如钼、铝、铜、铬、钨、钛、钽等。其中，可以通过物理气相沉积、化学气相沉积等工艺在衬底600的表面形成遮光材料层，再对遮光材料层进行图形化以获得遮光层，图形化的方式可以为湿法刻蚀或干法刻蚀。
缓冲层330形成于遮光层远离衬底600的一侧，且完全覆盖衬底600。其中，缓冲层330的材料可以为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，在此不对材料进行特殊的限定。进一步地，可以通过化学气相沉积的方式形成缓冲层330。
有源层371形成于缓冲层330上，形成有源层371后，再对有源层371进行离子掺杂或设置金属导体化层等，以形成相应的源极区和漏极区。其中，有源层371的材料可以为金属氧化物，例如铟镓锌氧化物(IGZO)等，但不以此为限，还可以为铝锌氧化物(AZO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、硼掺杂氧化锌(BZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)中的一种或多种。此外，有源层371还可以为多晶硅材料或其它材料。进一步地，有源层371可以通过化学气相沉积、物理气相沉积或其它工艺形成。在本步骤中，有源层371为整层设置。
栅绝缘层340形成于有源层371和缓冲层330上。其中，栅绝缘层340的材料可以为氧化硅、氮化硅等绝缘材料，在此不对其材料进行特殊的限定。进一步地，栅绝缘层340可以采用化学气相沉积或其它工艺整面形成于有源层371上，并延伸覆盖有源层371和缓冲层330，即栅绝缘层340形成于有源层371和缓冲层330上。
步骤1104，蚀刻所述栅绝缘层340和所述缓冲层330以形成第一过孔，在所述第一过孔中填充导电材料以形成第一接触结构372。
具体地，可以在栅绝缘层340上涂布光阻层，并对光阻层进行曝光和显影，从而形成图形化的光阻层，再以图形化的光阻层为掩膜蚀刻栅绝缘层340和所述缓冲层330，以形成第一过孔，之后再在第一过孔中填充导电材料以形成第一接触结构372。
步骤1106，在所述栅绝缘层340上形成第一金属层，并图形化所述金属层，以形成栅极373和中间金属层374。
具体地，金属层的材料可以为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以为铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料，在此不对其材料进行特殊的限定。进一步地，金属层可以通过物理气相沉积或其它工艺形成于在栅绝缘层340上，并经过蚀刻工艺图形化以形成栅极373和中间金属层374。
步骤1108，在所述栅极373、所述中间金属层374和所述栅绝缘层340上形成层间介质层350。
具体地，层间介质层350形成于栅极373和中间金属层374上，并延伸覆盖栅绝缘层340，即，层间介质层350形成于栅极373、中间金属层374和栅绝缘层340上。其中，层间介质层350材料可以为氧化硅或氮化硅等绝缘材料。进一步地，层间介质层350可以通过化学气相沉积或其它工艺形成。
步骤1110，蚀刻所述层间介质层350以形成第二过孔，所述第二过孔暴露部分所述中间金属层374；
步骤1112，蚀刻所述层间介质层350和所述栅绝缘层340以形成第三过孔，所述第三过孔暴露部分所述有源层371；
步骤1114，在所述第二过孔中、所述第三过孔中和所述层间介质层350上形成源漏极层，图形化所述源漏极层以形成源极和漏极。
具体地，对栅绝缘层340和层间介质层350刻蚀形成第三过孔，第三过孔对应有源层371的源极区和漏极区。栅绝缘层340蚀刻时，可以利用层间介质层350自对准工艺完成蚀刻。本实施例通过湿法蚀刻形成栅极373后，可以先不进行栅绝缘层340蚀刻，而是先沉积层间介质层350，并通过黄光工艺定义蚀刻区域，再同步蚀刻层间介质层350和栅绝缘层340，从而节省一道蚀刻步骤，以提升产能。进一步地，上述形成第二过孔和第三过孔的步骤也可以同时执行，并分别停止与不同的膜层，从而进一步提高产能。
可选地，可以采用干法刻蚀形成第二过孔，干法刻蚀采用的气体为氟系气体，也可以采用湿法刻蚀形成第二过孔，湿法刻蚀采用氢氟酸，还可以采用湿法刻蚀以及干法刻蚀形成第二过孔，先用氢氟酸湿法刻蚀，再采用氟系气体干法刻蚀。可以理解的是，由于栅绝缘层340为整层设置，在后续形成其他膜层时，有源层371被栅绝缘层340保护，因此，后续制程不会对有源层371造成影响。
在层间介质层350远离栅绝缘层340的一侧形成源漏极层，图形化形成源极和漏极，源极和漏极通过第二过孔与连接。其中，源漏极层的材料可以为钼、铝、铜，但不以此为限，还可以为铬、钨、钛、钽以及包含它们的合金等材料。进一步地，可以通过物理气相沉积或其他工艺形成于层间介质层350上，并通过蚀刻工艺图形化形成源极和漏极，源极和漏极通过第二过孔与连接。
步骤1116，在所述层间介质层350、所述源极和所述漏极上形成平坦化层360。
具体地，在形成平坦化层360之前还可以形成有钝化层，钝化层的材料可以为氧化硅或氮化硅等无机材料，通过化学气相沉积或其他工艺形成于源漏极层上。平坦化层360的材料可以为光刻胶，通过涂布的方式形成于钝化层上。
应该理解的是，虽然各流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，各流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本申请一实施例还提供了一种电子设备，包括如上述的显示模组，本实施例通过将第一发光单元100和第二发光单元200分别设置于驱动电路层300的相背的两个表面上，实现了双面显示功能，而且，本实施例通过同一驱动电路层300分别控制第一发光单元100和第二发光单元200，可以以较为轻薄的驱动电路层300实现对双面显示的独立控制，即，实现了一种轻薄性更好的电子设备。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请实施例的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请实施例构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请实施例的保护范围。因此，本申请实施例专利的保护范围应以所附权利要求为准。
