有源矩阵基板、显示装置、以及有源矩阵基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵基板、显示装置、以及有源矩阵基板的制造方法。本发明，尤其，涉及一种源极线的一部分包括绕过部的有源矩阵基板、显示装置、以及有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
近年，在有源矩阵型的显示装置设置开口，将显示装置与其他装置组合而使用是普及的。例如，显示装置是如专利文献1般的，用于模拟(analog)型的手表的盘面，如专利文献2般的，用于露出投币自动售货机(slot machine)的卷盘的一部分的盘面。
然而，在有源矩阵型的显示装置设置开口的情况，栅极线以及源极线不得不以绕过开口的方式延伸设置。
虽然信号线以及源极线的绕过部可设置在显示区域，但是，在设置在显示区域的情况，如在专利文献3公开般的，因绕过部与像素电极之间的寄生电容(straycapacitance)，而有降低显示品质的顾虑。如此的像素电极与其他配线或者电极之间的寄生电容，为了显示品质的维持提升，是重要的，例如，专利文献4公开了，为了像素电极与源极线之间的寄生电容的降低，以与源极线重叠的方式从栅极线延伸设置遮蔽电极的构成。因此，通常，绕过部延伸设置在开口周围的非显示区域。
为了一边维持提升显示品质，一边将开口周围的非显示区域变小，例如，专利文献1公开了，将多个低电压电源线以及多个高电压电源线分别在开口周围一条化，节约低电压电源线以及高电压电源线的绕过部的配线空间的构成。又，例如，专利文献3，以有机绝缘膜覆盖绕过部，将密封材与开口之间作为绕过部的配线空间而活用的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2008-257191号(2008年10月23日公开)”
专利文献2：日本公开专利公报“特开2014-134766(2014年7月24日公开)”
专利文献3：日本公开专利公报“特开2010-54980号(2010年3月11日公开)”
专利文献4：日本公开专利公报“特开平7-230104号(1995年8月29日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在上述的现有技术中，在与包含显示区域的绕过部的源极线对应的部分中，有显示品质下降的问题。这是因为，由于为了将开口周围的非显示区域变小，绕过部的相邻间隔为窄，所以互相相邻的绕过部之间的寄生电容增大。
本发明的一方案是鉴于上述的问题点而成者，其目的是实现能够降低与包含显示区域的绕过部的源极线对应的部分的显示品质的下降的有源矩阵基板、显示装置、以及有源矩阵基板的制造方法。
解决问题的方案
为了解决上述的课题，本发明的一方案的有源矩阵基板是，包括：基板，设定了开口区域、所述开口区域的外侧的内非显示区域、以及所述内非显示区域的外侧的显示区域；多条栅极线以及与所述栅极线相交的多条源极线，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上延伸设置；以及多个像素电极，以与仅所述显示区域中的所述栅极线和所述源极线的交点对应的方式，设置在所述基板上的所述显示区域；其中所述源极线的一部分包含通过所述内非显示区域的源极绕过部；还包括遮蔽电极，所述遮蔽电极以在俯视下与所述源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式，设置在所述基板上的所述内非显示区域的构成。
为了解决上述的课题，本发明的一方案的有源矩阵基板的制造方法是，包含：第一工序，在基板，设定开口区域、所述开口区域的外侧的内非显示区域、以及所述内非显示区域的外侧的显示区域；第二工序，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上，延伸设置多条栅极线；第三工序，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上，延伸设置与所述栅极线相交的多条源极线在所述基板上；以及第四工序，以与仅所述显示区域中的所述栅极线和所述源极线的交点对应的方式，将多个像素电极设置在所述基板上的所述显示区域；其中所述源极线的一部分包含通过所述内非显示区域的源极绕过部；还包含第五工序，以在俯视下与所述源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式，将遮蔽电极设置在所述基板上的所述内非显示区域的方法。
发明效果
根据本发明的一实施方式，起到能够提升与包含显示区域的源极绕过部的源极线对应的部分的显示品质的效果。
附图说明
图1是表示包括本发明的几个实施方式的液晶显示面板的手表的概略构成的俯视图。
图2是表示本发明的几个实施方式的液晶面板的概略构成的俯视图。
图3是表示本发明的几个实施方式的液晶面板的概略构成的剖面图，图2的AA剖面图。
图4是表示本发明的几个实施方式的有源矩阵基板的概略构成的俯视图。
图5是表示本发明的几个实施方式的有源矩阵基板的显示区域的概略构成的俯视图。
图6是表示本发明的几个实施方式的有源矩阵基板的显示区域的概略构成的剖面图，图5的ABCDE剖面图。
图7是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的俯视图。
图8是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的剖面图，图7的AA剖面图。
图9是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的其他剖面图，图7的ABCDE剖面图。
图10是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的俯视图。
图11是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的剖面图。
图12是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的内非显示区域的概略构成的剖面图。
图13是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
图14是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
图15是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
图16是表示本发明的一实施方式的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
具体实施方式
[实施方式1]
以下，针对本发明的实施方式，详细地进行说明。
(手表)
图1是表示包括本发明的实施方式1的液晶显示面板70(显示装置)的手表80的概略构成的俯视图。
如图1所示，手表80是时针81、分针82、秒针83以驱动轴84为中心旋转藉此表示时间的模拟型的时钟，在盘面使用液晶显示面板70。驱动轴84通过液晶显示面板70的开口64(参照图2)，结合到内置在液晶显示面板70的背后的机械的驱动机构。又，液晶显示面板70与内置在手表80的栅极驱动器74、源极驱动器75、以及控制电路76连接。液晶显示面板70的开口64的内周被手表80的内边框85覆盖，液晶显示面板70的外周被手表80的外壳86覆盖。
使时针81、分针82、秒针83旋转的机械的驱动机构可以是公知的任何的构成，省略其详细的说明。又，液晶显示面板70可以用于手表80以外的时钟(例如，座钟以及挂钟)，也可以用于时钟以外的用途。
栅极驱动器74是驱动延伸设置在有源矩阵基板60的栅极线20(参照图4)的驱动电路。源极驱动器75是驱动延伸设置在有源矩阵基板60的源极线30(参照图4)的驱动电路。驱动电路76是控制栅极驱动器74以及源极驱动器75的电路。
(显示面板)
图2是表示图1所示的液晶显示面板70的概略构成的俯视图。
图3是表示图1所示的液晶显示面板70的概略构成的剖面图，图2的AA剖面图。
如图2以及图3所示，液晶显示面板70包括对向基板71、液晶层72、密封材73、以及本发明的实施方式1的有源矩阵基板60。又，在液晶液晶显示面板70设置有：设置开口64的开口区域64、开口64周围的内非显示区域A2、显示区域A3、外周附近的外非显示区域A4。
本实施方式的液晶显示面板70，也就是作为液晶模式，采用边缘场开关(FFS：Fringe Field Switching)方式。不限定于此，液晶显示面板70也可以采用FFS方式以外的液晶模式。液晶模式指的是使被包含在液晶层72的液晶分子的排列变化的模式。液晶分子的排列是按照共通电极52与像素电极50之间的电场而变化。因此，作为主要的液晶模式，已知有在基板面施加垂直方向(z轴方向)的纵电场的垂直定向模式、以及在基板面施加水平方向(xy平面方向)的横电场的水平定向模式。又，在水平定向模式的一种即面内开关(IPS：In Plane Switching)方式，有包含横电场与纵电场的两成分的倾斜电场，也就是施加边源电场的FFS方式。
在与对向基板71的有源矩阵基板60对向的侧的面，形成有黑矩阵(black matrix)与彩色滤光片(均省略图示)，在相反侧的面，设置有偏向板。根据液晶显示面板70所采用的液晶模式，也可以在对向基板71形成共通电极52。
液晶层72，在对向基板71与有源矩阵基板60之间，藉由密封材73封入。
密封材73形成在内非显示区域A2与外非显示区域A4。另外形成在内非显示区域A2的密封材73，在图3虽然以与开口64的内周一致的方式形成，但也可以是从开口64的内周分离而形成。形成在外非显示区域A4的密封材73，在图3虽然也以与对向基板71的外周一致的方式形成，但也可以是从对向基板71的外周分离而形成。
对向基板71以及有源矩阵基板60的形状，在图2虽然是圆环状，但不限定为此。例如，开口64也可以设置多个。例如，开口64的形状也可以是多角形或者蛋形等的其他形状。例如，对向基板71以及有源矩阵基板60的外周的形状可以是多角形或者蛋形等的其他形状，也可以是与开口64的形状不同。
(有源矩阵基板)
图4是表示图2以及图3所示的有源矩阵基板60的概略构成的俯视图。另外，为了方便图示，像素电极50以及共通电极52从图4省略。
图5是表示图4所示的有源矩阵基板60的显示区域A3的概略构成的俯视图。另外，为了方便图示，共通电极52从图5省略。
图6是表示图4所示的有源矩阵基板60的显示区域A3的概略构成的剖面图，图5的ABCDE剖面图。
图7是表示图4所示的有源矩阵基板60的内非显示区域A2的概略构成的俯视图。另外，为了方便图示，像素电极50以及共通电极52从图7省略。
图8是表示图4所示的有源矩阵基板60的内非显示区域A2的概略构成的剖面图，图7的AA剖面图。
图9是表示图4所示的有源矩阵基板60的内非显示区域A2的概略构成的其他剖面图，图7的BB剖面图。
如图4所示，有源矩阵基板60包括绝缘基板1(基板)、多条栅极线20、多条源极线30、以及多个像素晶体管40。又，在有源矩阵基板60，与液晶显示面板70同样地，设定有：设置有开口64的开口区域A1、开口64周围的内非显示区域A2、显示区域A3、以及外周附近的外非显示区域A4。又，如图5所示，有源矩阵基板60，在显示区域A3，包括像素晶体管40以及像素电极50。又，如图7所示，有源矩阵基板60，在内非显示区域A2，包括下遮蔽电极23。
在本说明书中，使用如以下般的xyz相交坐标系。
x轴：栅极线20的、显示区域A3的延伸设置方向。
y轴：源极线30的、显示区域A3的延伸设置方向。
z轴：绝缘基板1的厚度方向。
(绝缘基板与层叠构造)
绝缘基板1较佳为可见光的透射性高的透明基板，例如，也可以使用玻璃基板、包含聚对苯二甲酸乙二酯或者聚酰亚胺等的塑料基板。
如图6以及图8所示，在绝缘基板1上，缓冲层10、半导体层11、栅极绝缘膜12、栅极层13(第一导电层)、第一层间绝缘膜14(绝缘层)、源极层15(第二导电层)、第二层间绝缘膜16(绝缘层)、第一透明导电层17(第四导电层)、第三层间绝缘膜18(绝缘层)、以及第二透明导电层19(第三导电层)，依此顺序层叠。
缓冲层10以覆盖绝缘基板1的整面的方式形成。缓冲层10是用以缓冲绝缘基板1与半导体层11的晶格常数的差的绝缘层。缓冲层10是，例如，硅氧化膜、或者硅氮化膜。
半导体层11形成在缓冲层10之上。半导体层11是用以形成使像素晶体管40的源极电极42与漏极电极43导通的沟道44的半导体层。半导体层11在本实施方式中由低温多晶硅(LTPS；Llow temperature poly silicon)构成。LTPS层，例如，将在缓冲层10之上以化学气相沉积(CVD，chemical vapor deposition)法成膜的非晶硅层藉由准分子激光退火(excimer laser annealing)的照射而结晶化，藉此形成。
不限定为LTPS，半导体层11可以由非晶硅等的其他非氧化物半导体构成，也可以由氧化物半导体构成。构成半导体层11的氧化物半导体也可以是非晶氧化物半导体，也可以是包含结晶质部分的结晶质氧化物半导体。作为结晶质氧化物半导体，可举出多晶氧化物半导体、微结晶氧化物半导体、c轴在层面大致垂直地定向的结晶质氧化物半导体等。
构成半导体层11的氧化物半导体，例如，也可以包含In-Ga-Zn-O系半导体。In-Ga-Zn-O系的半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，不特别限定In、Ga以及Zn的比例(组成比)，例如，包含In：Ga：Zn＝2：2：1、In：Ga：Zn＝1：1：1、In：Ga：Zn＝1：1：2等。或者，构成半导体11的氧化物半导体，例如，也可以包含In-Sn-Zn-O系半导体(例如，In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。In-Sn-Zn-O系半导体是In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元系氧化物。或者，构成半导体11的氧化物半导体，例如，也可以包含In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体等。
由氧化物半导体构成的半导体层11也可以包含两层以上的层叠构造。包含非晶质氧化物半导体以及上述的各结晶质氧化物半导体的材料、构造、成膜方法、层叠构造的氧化物半导体层的构成等，例如，记载在特开2014-007399号公报。为了参考，将特开2014-007399号公报的公开内容的全部引用于本说明书。
栅极绝缘膜12是以覆盖缓冲层10以及半导体层11的表面的方式形成。栅极绝缘膜12是用以将像素晶体管40的栅极电极41从沟道44绝缘的绝缘膜。栅极绝缘膜12，例如，也可以是由聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等的有机绝缘材料形成，也可以是由二氧化硅(SiO2)以及氮化硅(SiNx)等的无机绝缘材料形成。
栅极层13形成在栅极绝缘膜12之上。栅极层13是用以形成像素电极40的栅极电极41的导电层。栅极层13，例如，能够由钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)或者这些的合金等的金属材料形成。
第一层间绝缘膜14，在栅极绝缘膜12与栅极层13之上形成。包含第一层间绝缘膜14，层间绝缘膜是用以将不同的导电层之间，或者，导电层与半导体层之间绝缘的绝缘膜。第一层间绝缘膜14可以由与栅极绝缘膜12相同的绝缘材料形成，也可以由与栅极绝缘膜12不同的绝缘材料形成。
在栅极绝缘膜12以及第一层间绝缘膜14，设置有为了将形成在源极层15的源极电极42以及漏极电极43连接到形成在半导体层11的沟道44的接触孔。
源极层15形成在第一层间绝缘膜14之上、以及设置在栅极绝缘膜12以及第一层间绝缘膜14的接触孔的内部。源极层15是用以形成像素晶体管40的源极电极42以及漏极电极43的导电层。源极层15，例如，能够由钛(Ti)、铜(Cu)、铬(Cr)、金(Au)、铝(Al)、钼(Mo)、钨(W)或者这些的合金等的金属材料形成。
第二层间绝缘膜16，在第一层间绝缘膜14与源极层15之上形成。第二层间绝缘膜16，与第一层间绝缘膜14同样地，可以由与栅极绝缘膜12相同的绝缘材料形成，也可以由与栅极绝缘膜12不同的绝缘材料形成。
第一透明导电层17形成在第二层间绝缘膜16之上。第一透明导电层17是用以形成共通电极52的导电层。第一透明导电层17，能够以来自背光的光可透射的方式，由氧化铟锡等的透明的导电材料形成。
第三层间绝缘膜18，在第二层间绝缘膜16与第一透明导电层17之上形成。第三层间绝缘膜18，与第一层间绝缘膜14同样地，可以由与栅极绝缘膜12相同的绝缘材料形成，也可以由与栅极绝缘膜12不同的绝缘材料形成。
在第二层间绝缘膜16以及第三层间绝缘膜18，设置有为了将形成在第二透明导电层19的像素电极50连接到在源极层15形成的源极电极42的接触孔。
第二透明导电层19形成在第三层间绝缘膜18之上、和设置在第二层间绝缘膜16以及第三层间绝缘膜18的接触孔的内部。第二透明导电层19是用以形成像素电极50的导电层。第二导电层19，也可以是以来自背光的光可透射的方式，由氧化铟锡等的透明的导电材料形成。
(栅极线与源极线)
如图4所示，栅极线20延伸设置在绝缘基板1之上。栅极线20，在显示区域A3中，互相大致平行且大致等间隔地，在x轴方向延伸设置。栅极线20的一部分(i)以绕过开口区域A1的方式，通过内非显示区域A2，(ii)包含延伸设置在内非显示区域A2的栅极绕过部21。由于剩余的栅极线20不通过内非显示区域A2，所以绕过开口区域A1。
源极线30以与栅极线20相交的方式延伸设置在绝缘基板1之上。源极线30，在显示区域A3中，互相大致平行且大致等间隔地，在y轴方向延伸设置。源极线30的一部分(i)以绕过开口区域A1的方式，通过内非显示区域A2，(ii)包含延伸设置在内非显示区域A2的源极绕过部31。由于剩余的源极线30不通过内非显示区域A2，所以绕过开口区域A1。
本实施方式的源极线30，准确地说是如图5所示，沿着像素电极50的外形以之字形延伸设置在显示区域A3。为了方便图示，在图5以外的图中，将源极线30以直线状图示。
如图4以及图7所示，栅极线20的栅极绕过部21的相邻间隔比栅极线20的显示区域A3中的相邻间隔小。同样地，源极线30的源极绕过部31的相邻间隔比源极线30的显示区域A3中的相邻间隔小。
如图7所示，栅极绕过部21包括扩张部22。扩张部22是，以在从z轴方向看的俯视下与源极绕过部31重叠的方式，栅极绕过部21被扩张的部分。因此，源极绕过部31的大部分与栅极绕过部21或者扩张部22重叠。扩张部22较佳为以沿着对应的源极绕过部31的方式形成，较佳为比对应的源极绕过部31宽度宽。扩张部22，也可以是如图7以及图8般的，与对应的源极绕过部31一对一对应地设置，也可以是如图9般的，以与多个源极绕过部31对应的方式设置。
(像素晶体管以及像素电极)
如图4以及图5所示，像素晶体管40以及像素电极50分别以与显示区域A3的栅极线20和源极线30的交点对应的方式，设置在绝缘基板1的上方。像素晶体管40的栅极电极41是对应的栅极线20的一部分。具体而言，栅极线20之中，与像素晶体管40的U字型的沟道44重叠的部分作为像素晶体管40的栅极电极41发挥功能。又，像素晶体管40的漏极电极43连接到对应的源极线30，源极电极42连接到对应的像素电极50。
另外，严格来说，像素晶体管40以及像素电极50，以成对的像素晶体管40以及像素电极50的两者被容纳在显示区域A3的方式设置。即，以与仅显示区域A3中的栅极线20和源极线30的交点对应的方式，像素电极50仅设置在显示区域A3。
如图6所示，像素晶体管40是顶栅型的薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)。像素晶体管40的栅极电极41由栅极层13形成，源极电极42以及漏极电极43由源极层15形成，沟道44由半导体层11形成。另外，如此的构造为例示，像素晶体管40可以是底栅型等其他构造的TFT，也可以是TFT以外的晶体管。
如图5所示，像素电极50包括折线型的多个开口，具备沿着所述开口的外形。为了方便图示，在图5以外的图中，将像素电极50以矩形图示，将包括像素电极的开口以直线状图示。另外，如此的形状为例示，像素电极50也可以根据液晶显示面板70采用的液晶模式为任何的形状。
如图6所示，像素电极50由第二透明导电层19形成，通过接触孔，连接到像素晶体管40的漏极电极43。
(共通电极)
如图6所示，共通电极52由第一透明导电层17形成。共通电极52是使被包含在液晶层72的液晶分子的排列与像素电极50共同动作而变化的电极。被包含在液晶层72的液晶分子的排列是按照共通电极52与像素电极50之间的电场而变化。共通电极52是根据液晶分子的排列变化的模式、也就是液晶模式，设置在对向基板71，或设置在有源矩阵基板60，或设置在两者。
本实施方式的液晶显示面板70采用FFS方式。因此，在有源矩阵基板61的绝缘基板1上，设置共通电极52。另外，共通电极52的具体的构成，根据液晶显示面板70采用的液晶模式，也可以是公知的任何的构成。
(栅极驱动器、源极驱动器、以及控制电路)
栅极驱动器74也可以是公知的任何的构成。栅极驱动器74，通常，是按照来自控制电路76的同步信号，逐条选择栅极线20，驱动已选择的栅极线20的移位寄存器电路。用于栅极驱动器74的移位寄存器的构成可以是公知的任何的构成，省略详细的说明。
源极驱动器75也可以是公知的任何的构成。源极驱动器75，通常，按照来自控制电路76的同步信号，逐多条选择源极线30，按照来自控制电路76的图像数据，驱动已选择的源极线30。通常，由于来自控制电路76被同时供给的图像信号与同色对应，所以源极驱动器75以同时选择的源极线30与同色对应的方式构成。
控制电路76将同步信号供给到栅极驱动器74以及源极驱动器75。控制电路76将与驱动的源极线30对应的图像信号供给到源极驱动器75。控制电路76也可以是公知的任何的构成。
(遮蔽电极)
下遮蔽电极23是作为用以遮蔽对应的源极绕过部31的-Z方向侧的电场的遮蔽电极发挥功能的导电层的部分。具体而言，在图7～图9所示的构成中，栅极线20的扩张部22、和与栅极绕过部21之中的源极绕过部31重叠的部分作为下遮蔽电极23发挥功能，下遮蔽电极23由栅极层13形成。下遮蔽电极23，藉由电场的遮蔽，能够降低对应的源极绕过部31、和与对应的源极绕过部31相邻的源极绕过部31之间的寄生电容。
为了电场的遮蔽，较佳为下遮蔽电极23与对应的源极绕过部31的结合电容大。因此，下遮蔽电极23较佳为以沿着对应的源极绕过部31的方式形成，较佳为比对应的源极绕过部31宽度宽。又，较佳为和与下遮蔽电极23对应的源极绕过部31之间的距离小。又，由于下遮蔽电极23与对应的源极绕过部31的结合电容较佳为稳定且大，所以较佳为在下遮蔽电极23与对应的源极绕过部31之间，半导体层11没有被夹住。因此，在下遮蔽电极23与对应的源极绕过部31之间，较佳为仅绝缘层(第一层间绝缘膜14)被夹住。
另外，作为下遮蔽电极23发挥功能的导电层也可以是栅极层13以外。例如，像素晶体管40为顶栅型的TFT的情况，有在绝缘基板1与半导体层11之间层叠遮光导电层。在这个情况，下遮蔽电极23能够由遮光导电层形成。又，下遮蔽电极23也可以是以仅与一部分的源极绕过部31对应的方式设置。
(显示品质)
以下，针对显示品质，详细地进行说明。
本说明书的显示品质指的是显示图像的亮度以及色彩的均匀性。
一般而言，源极线30是(i)以与互相相邻的源极线30对应的颜色互相不同的方式设置，并且(ii)以与同时被驱动的源极线30对应的颜色互相相同的方式，被分时驱动。例如，考虑与以依红绿蓝的顺序重复的方式排列的红绿蓝的各颜色对应的源极线30为，在各线期间，依红绿蓝的顺序被分时驱动的单纯的驱动顺序。
在如此的驱动顺序中，在各线期间中，在与红色对应的源极线30被驱动后，与绿色对应的源极线30的驱动，经由寄生电容，影响到与相邻的红色对应的源极线30的电位。接着，在与红色和蓝色对应的源极线30被驱动后，与蓝色对应的源极线30的驱动，经由寄生电容，影响到与红色和蓝色对应的源极线30的电位。因此，起因于相邻的源极线30的驱动而电位变动的变动次数是与红色对应的源极线30为两次，与绿色对应的源极线30为一次，与蓝色对应的源极线30为零次。
在显示区域A3中，由于源极线30与像素间距对应而排列，所以源极线30的相邻间隔比较广。因此，由于相邻的源极线30之间的寄生电容比较小，所以起因于相邻的源极线30的驱动的源极线30的电位的变动量比较小，对显示图像的影响也比较小。
与此相对，在内非显示区域A2中，由于将内非显示区域A2变小，源极线30的源极绕过部31的相邻间隔比较狭窄。因此，由于相邻的源极线30的源极绕过部31之间的寄生电容比较大，所以起因于相邻的源极线30的驱动的源极线30的电位的变动量比较大，使显示品质下降。此外，由于根据源极线30，对变动次数有从零次到两次的差，所以助长显示品质的下降。具体而言，在变动次数两次的源极线30的电位的变动量达到可看到的程度的情况，由于从内非显示区域A2向Y轴方向延伸的周期的纵条纹在显示图像被看到，所以显示品质大幅度地下降。
因此，降低源极绕过部31之间的寄生电容对于降低与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分的显示品质的下降是有益的。尤其，以变动次数两次的源极线30的电位的变动量不达到可看到的等级的方式，降低源极绕过部31之间的寄生电容对于降低显示品质的下降是更有益的。
因此，在仅对于一部分的源极绕过部31，设置下遮蔽电极23的情况，考虑驱动顺序，较佳为对于(i)变动次数为两次的源极线30以及(ii)与变动次数为两次的源极线30相邻的源极线30所包含的源极绕过部31设置下遮蔽电极23。
另外，源极线30的驱动顺序，在现实，大多比上述的单纯的驱动顺序复杂。例如，与红绿蓝的各色对应的源极线30是以从以下的T1到T6的驱动顺序被驱动。K是自然数。
T1：与第(4K-3)个以及第(4K-2)个的红色对应的源极线30
T2：与第(4K-3)个以及第(4K-2)个的绿色对应的源极线30
T3：与第(4K-3)个以及第(4K-2)个的蓝色对应的源极线30
T4：与第(4K-1)个以及第4K个的红色对应的源极线30
T5：与第(4K-1)个以及第4K个的绿色对应的源极线30
T6：与第(4K-1)个以及第4K个的蓝色对应的源极线30
在如此的驱动顺序中，与在T1被驱动的第(4K-3)个以及第(4K-2)个的红色对应的源极线30的电位、和与在T4被驱动的第(4K-1)个的红色对应的源极线30的电位起因于相邻的源极线30的驱动，而变动两次。又，与在T3被驱动的第(4K-1)个的蓝色对应的源极线30的电位、和与在T6被驱动的第(4K-1)个以及第4K个的蓝色对应的源极线30的电位变动零次。
因此，与仅对于一部分的源极绕过部31，设置下遮蔽电极23相比，由于仅对于全部的源极绕过部31设置下遮蔽电极23，下遮蔽电极23的设置被单纯化而为较佳。
(效果)
根据实施方式1的构成，下遮蔽电极23能够降低与下遮蔽电极23对应的栅极绕过部21、和与下遮蔽电极23对应的源极绕过部31相邻的源极绕过部31之间的寄生电容。因此，与没有包括下遮蔽电极23的构成比较，实施方式1的构成能够降低与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质的下降。又，由于一边维持与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质，一边将源极绕过部31的相邻间隔变狭窄，藉此能够将源极绕过部31的配线空间变小，所以能够将内非显示区域A2变小。
[实施方式2]
针对本发明的其他实施方式，若基于图10进行说明，则如下所述。另外，为了便于说明，针对与已在前述实施方式说明的部件具有相同功能的部件，标注相同图式标记，并省略其说明。
实施方式2的有源矩阵基板61是，与前述的实施方式1的有源矩阵基板60同样地，包括绝缘基板1、多条栅极线20、多条源极线30、多个像素晶体管40、像素电极50、以及下遮蔽电极23。实施方式2的有源矩阵基板61是，与前述的实施方式1的有源矩阵基板60同样地，设定设置有开口64的开口区域A1、开口64周围的内非显示区域A2、显示区域A3、以及外周附近的外非显示区域A4。
实施方式2的有源矩阵基板61是从前述的实施方式1的有源矩阵基板60，仅关于下遮蔽电极23不同，其他的构成为相同。具体而言，在图10所示的构成中，栅极线20的分离部24、和与栅极绕过部21之中的源极绕过部31重叠的部分作为下遮蔽电极23发挥功能。
图10是表示本发明的实施方式2的有源矩阵基板61的内非显示区域A2的概略构成的俯视图。另外，为了方便图示，像素电极50以及共通电极52在图10省略图示。
如图10所示，在实施方式2，栅极线20的栅极绕过部21不包括扩张部22。取代扩张部22，从栅极线20分离的分离部24由栅极层13形成。分离部24是，以在从z轴方向看的俯视下，与源极线30的源极绕过部31重叠的方式形成。因此，源极线30的源极绕过部31的大部分与分离部24重叠。分离部24较佳为以沿着对应的源极绕过部31的方式形成，较佳为比对应的源极绕过部31宽度宽。分离部24，也可以如图10的左侧般，与对应的源极绕过部31一对一对应地形成，也可以如图10的右侧般，以与多个源极绕过部31对应的方式形成。
分离部24，由于从栅极线20分离，所以既可以是浮动电极(floating electrode)，也可以连接到栅极线20以外的配线或者电极。分离部24为了作为下遮蔽电极23发挥功能，较佳为连接到大致固定电位(constant potential)的电极或者配线，连接目标的电极或者配线的电位更佳为接地电位或者接地电位附近。大致固定电位的电极或者配线，例如，包含设置在绝缘基板1的共通电极52、用以将共通电位供给到共通电极52的配线、用以将分离部24接地的专用接地配线、补助电容配线、高电位电源线、以及、低电位电源线等。共通电位是，通常，接近接地电位的固定电位。
(效果)
根据实施方式2的构成，与前述的实施方式1的构成同样地，能够降低与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质的下降。又，能够一边维持与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质，一边将内非显示区域A2变小。
此外，根据实施方式2的构成，作为下遮蔽电极23发挥功能的分离部24既可以是浮动电极，也可以是连接到栅极线20以外的配线或者电极。
又，实施方式2的构成也可以与前述的实施方式1的构成组合。例如，作为下遮蔽电极23，也可以对于一部分的源极绕过部31，设置扩张部22，对于其他一部分的源极绕过部31，设置分离部24。
[实施方式3]
针对本发明的其他实施方式，若基于图11进行说明，则如下所述。另外，为了便于说明，针对与已在前述实施方式说明的部件具有相同功能的部件，标注相同图式标记，并省略其说明。
实施方式3的有源矩阵基板62是，与在前述的实施方式1～2的有源矩阵基板60～61同样地，包括绝缘基板1、多条栅极线20、多条源极线30、多个像素晶体管40、以及像素电极50。实施方式2的有源矩阵基板61是，与在前述的实施方式1～2的有源矩阵基板60～61同样地，设定设置有开口64的开口区域A1、开口64周围的内非显示区域A2、显示区域A3、以及外周附近的外非显示区域A4。
实施方式3的有源矩阵基板62是从前述的实施方式1～2的有源矩阵基板60～61，关于不包括下遮蔽电极23，仅包括上遮蔽电极51不同，其他的构成为相同。
(上遮蔽电极)
图11是表示实施方式3的有源矩阵基板62的内非显示区域A2的概略构成的剖面图。
如图11所示，上遮蔽电极51是作为用以遮蔽源极线30的对应的源极绕过部31的+Z方向侧的电场的遮蔽电极发挥功能的导电层的部分。上遮蔽电极51是，如图11所示，由第一透明导电层17形成，在从z轴方向看的俯视下，与对应的源极绕过部31重叠。上遮蔽电极51，藉由电场的遮蔽，能够降低源极线30的对应的栅极绕过部21、和与对应的栅极绕过部21相邻的栅极绕过部21之间的寄生电容。
若参照图6以及图11，上遮蔽电极51与共通电极52，也形成在相同的第一透明导电层17。反过来说，第一透明导电层17之中，在显示区域A3的部分，作为共通电极52发挥功能，在内非显示区域A2的部分，作为上遮蔽电极51发挥功能。
上遮蔽电极51既可以是浮动电极，也可以是连接到所需的配线或者电极。上遮蔽电极51为了遮蔽电场，较佳为连接到大致固定电位的电极或者配线，连接目标的电极或者配线的电位更佳为接地电位或者接地电位附近。大致固定电位的电极或者配线是，例如，包含设置在绝缘基板1的共通电极52、用以将共通电位供给到共通电极52的配线、用以将上遮蔽电极51接地的专用接地配线、补助电容配线、高电位电源线、以及、低电位电源线等。尤其，上遮蔽电极51较佳为连接到共通电极52。这是因为，在这个情况，由于能够一体地形成上遮蔽电极51与共通电极52，所以上遮蔽电极51的形成是容易的。
另外，上遮蔽电极51，与下遮蔽电极23同样地，也可以与对应的源极绕过部31一对一对应地设置，也可以是以与多个源极绕过部31对应的方式设置。又，作为上遮蔽电极51发挥功能的导电层也可以在第一透明导电层17以外。例如，上遮蔽电极51能够由像素电极50形成的第二透明导电层19形成。在这个情况，为了第二透明导电层19的图案的单纯化，上遮蔽电极51的形状较佳为与像素电极50的形状或者内非显示区域A2的形状大致相同。又，例如，在像素晶体管40为顶栅型的TFT的情况，有在绝缘基板1与栅极层13之间层叠源极层15。在这个情况，上遮蔽电极51能够由栅极层13形成。又，上遮蔽电极51也可以是以仅与一部分的源极绕过部31对应的方式设置。
(效果)
根据实施方式3的构成，与前述的实施方式1的构成同样地，能够降低与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质的下降。又，能够一边维持与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质，一边将内非显示区域A2变小。
此外，根据实施方式3的构成，上遮蔽电极51既可以是浮动电极，也可以是连接到栅极线20以外的配线或者电极。
[实施方式4]
针对本发明的其他实施方式，若基于图12进行说明，则如下所述。另外，为了便于说明，针对与已在前述实施方式说明的部件具有相同功能的部件，标注相同图式标记，并省略其说明。
实施方式4的有源矩阵基板63是，与前述的实施方式1～3的有源矩阵基板60同样地，包括绝缘基板1、多条栅极线20、多条源极线30、多个像素晶体管40、以及像素电极50。实施方式2的有源矩阵基板61是，与前述的实施方式1的有源矩阵基板60同样地，设定设置有开口64的开口区域A1、开口64周围的内非显示区域A2、显示区域A3、以及外周附近的外非显示区域A4。
实施方式4的有源矩阵基板63是从前述的实施方式1～3的有源矩阵基板60～62，仅关于包括下遮蔽电极23与上遮蔽电极51的两者不同，其他的构成为相同。
实施方式4的下遮蔽电极23，也可以是如前述的实施方式1般的栅极绕过部21与扩张部22，也可以是如前述的实施方式2般的栅极绕过部21与分离部24，也可以是如前述的实施方式1～2的组合般的栅极绕过部21、扩张部22、分离部24。
图12是表示实施方式4的有源矩阵基板63的内非显示区域A2的概略构成的剖面图。
如图12所示，有源矩阵基板63包括下遮蔽电极23与上遮蔽电极51的两者。因此，源极绕过部31的-Z方向侧的电场由对应的下遮蔽电极23遮蔽，源极绕过部31的+Z方向侧的电场由对应的上遮蔽电极51遮蔽。因此，与前述的实施方式1～3比较，根据实施方式4的构成，由于源极绕过部31更被遮蔽，所以能够更降低互相相邻的源极绕过部31之间的寄生电容。
(效果)
因此，根据实施方式4的构成，与前述的实施方式1～3的构成比较，能够更降低与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质的下降。又，能够一边维持与包括显示区域A3的源极绕过部31的源极线30对应的部分中的显示品质，一边将内非显示区域A2变更小。
此外，根据实施方式2的构成，作为下遮蔽电极23发挥功能的分离部24既可以是浮动电极，也可以是连接到栅极线20以外的配线或者电极。
[实施方式5]
针对本发明的其他实施方式，若基于图13～图16进行说明，则如下所述。另外，为了便于说明，针对与已在前述实施方式说明的部件具有相同功能的部件，标注相同图式标记，并省略其说明。
实施方式5的有源矩阵基板的制造方法是用以制造前述的实施方式4的有源矩阵基板63的制造方法。
图13是表示实施方式5的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
图14是表示实施方式5的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
图15是表示实施方式5的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。另外，为了方便图示，形成在第一透明导电层17的共通电极52以及上遮蔽电极51在图15被省略。
图16是表示实施方式5的有源矩阵基板的制造方法的一部分的图。
在最初，如图13所示，在绝缘基板1，设定开口区域A1、开口区域A1的外侧的内非显示区域A2、内非显示区域A2的外侧的显示区域A3、显示区域A3的外侧的外非显示区域A4、以及外非显示区域A4的外侧的切除区域A5(第一工序)。
接着，在绝缘基板1的整面气相沉积缓冲层10，在缓冲层10的整面气相沉积半导体层11。并且使用光刻(photolithography)技术等，将像素晶体管40的沟道44(参照图6)形成在半导体层11。
接着，将栅极绝缘膜12整面地气相沉积，将栅极层13整面地气相沉积。并且，使用光刻技术等，如图14般，将包含栅极绕过部21的栅极线20与像素晶体管40的栅极电极41形成在栅极层13(第二工序)。此时，作为下遮蔽电极23发挥功能的扩张部22(参照图7)以及/或者分离部24(参照图10)，也一起形成在栅极层13(第五工序)。
接着，将第一层间绝缘膜14(绝缘层)整面地气相沉积，形成源极电极42以及漏极电极43用以连接到沟道44的接触孔，将源极层15整面地气相沉积。并且，使用光刻技术等，如图14般，将包含源极绕过部31的源极线30与像素晶体管40的源极电极42以及漏极电极43形成在源极层15(第三工序)。
接着，将第二层间绝缘膜16整面地气相沉积，将第一透明导电层17整面地气相沉积。并且，使用光刻技术等，将上遮蔽电极51以及共通电极52形成在第一透明导电层17(第五工序)
接着，将第三层间绝缘膜18整面地气相沉积，形成像素电极50用以连接到源极电极42的接触孔，将第二透明导电层19整面地气相沉积。并且，使用光刻技术等，如图15般，将像素电极50形成在第二透明导电层19(第四工序)。
最后，如图16所示，在开口区域A1形成开口64，将切除区域A5切除。
经过如以上般的工序，能够制造前述的实施方式4的有源矩阵基板63。此外，在有源矩阵基板63与对向基板71之间，以密封材73，将液晶层72封入，藉此能够制造如图2以及图3般的液晶显示面板70。
此外，将如以上般的工序，以形成作为下遮蔽电极23发挥功能的扩张部22，不形成分离部24以及上遮蔽电极51的方式变形，藉此能够制造前述的实施方式1的有源矩阵基板60。同样地，将如以上般的工序，以形成作为下遮蔽电极23发挥功能的分离部24，不形成扩张部22以及上遮蔽电极51的方式变形，藉此能够制造前述的实施方式2的有源矩阵基板61。同样地，将如以上般的工序，以形成上遮蔽电极51，不形成作为下遮蔽电极23发挥功能的扩张部22以及分离部24的方式变形，藉此能够制造前述的实施方式3的有源矩阵基板62。
(效果)
因此，根据实施方式5的制造方法以及其变形，能够制造前述的实施方式1～4的构成的有源矩阵基板60～63。
[总结]
本发明的方案1的有源矩阵基板(60～63)是，包括：基板(绝缘基板1)，设定了开口区域(A1)、所述开口区域的外侧的内非显示区域(A2)、以及所述内非显示区域的外侧的显示区域(A3)；多条栅极线(20)以及与所述栅极线相交的多条源极线(30)，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上延伸设置；以及多个像素电极(50)，以与仅所述显示区域中的所述栅极线和所述源极线的交点对应的方式，设置在所述基板上的所述显示区域；其中所述源极线的一部分包含通过所述内非显示区域的源极绕过部(31)；还包括遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)，所述遮蔽电极以在俯视下与所述源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式，设置在所述基板上的所述内非显示区域的构成。
根据上述构成，栅极线以及源极线以绕过开口区域的方式延伸设置。因此，能够不损坏栅极线以及源极线，在开口区域形成开口。
根据上述构成，由于遮蔽电极以与源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式设置，所以遮蔽电极将对应的源极绕过部的电场遮蔽。因此，遮蔽电极能够降低对应的源极绕过部、和与对应的源极绕过部相邻的源极绕过部之间的寄生电容。
由于藉由此寄生电容的降低，能够降低起因于内非显示区域的相邻的源极线的驱动的源极线的电位的变动量，所以能够降低对显示图像的影响。因此，能够降低与包括显示区域的源极绕过部的源极线对应的部分中的显示品质的下降。或者，由于一边维持与包括显示区域的源极绕过部的源极线对应的部分中的显示品质，一边将源极绕过部的相邻间隔变狭窄，藉此能够将源极绕过部的配线空间变小，所以能够将内非显示区域变小。
本发明的方案2的有源矩阵基板(60、61、63)也可以是，在上述方案1中，所述遮蔽电极包含比对应的源极绕过部(31)更设置在所述基板侧(-Z方向侧)的下遮蔽电极(下遮蔽电极23、作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、分离部24的至少任一个)的构成。
根据上述构成，由于遮蔽电极包含设置在基板侧的下遮蔽电极，所以能够将对应的源极绕过部的基板侧的电场遮蔽。
本发明的方案3的有源矩阵基板(60、61、63)也可以是，在上述方案2中，形成了所述栅极线(30)的第一导电层(栅极层13)比形成了所述源极线(30)的第二导电层(源极层15)更层叠在所述基板侧(-Z方向侧)；所述下遮蔽电极(23)由所述第一导电层形成的构成。
根据上述构成，下遮蔽电极由形成了栅极线的第一导电层形成。因此，能够容易地将下遮蔽电极连接到栅极线、由第一导电层形成的其他配线或者电极、或者、由比第一导电层更层叠在基板侧的其他导电层形成的其他配线或者电极。
由第一导电层或者比第一导电层更层叠在基板侧的其他导电层形成的其他配线是，例如，设置在基板上的共通电极、用以将共通电位供给到共通电极的配线、补助电容配线、高电位电源线、以及、低电位电源线等。
本发明的方案4的有源矩阵基板(60)也可以是，在上述方案3中，所述栅极线(20)的一部分包含通过所述内非显示区域(A2)的栅极绕过部(21)；所述下遮蔽电极(23)的一部分或者全部(栅极绕过部21以及/或者扩张部22)连接到所述栅极绕过部的构成。
根据上述构成，下遮蔽电极的一部分或者全部连接到栅极绕过部。栅极线的电位是(i)除了对应的像素电极被写入的扫描期间之外，将像素晶体管的源极漏极间维持在非通电状态的OFF电压，(ii)仅在对应的像素电极被写入的扫描期间，将像素晶体管的源极漏极间维持在通电状态的ON电位。
因此，栅极线的电位、和连接到栅极绕过部的下遮蔽电极的一部分或者全部的电位能够实质地视为OFF电位的固定电位。因此，能够降低下遮蔽电极的所述一部分或者全部的电位变动所致的源极线的电位变动。
本发明的方案5的有源矩阵基板(62、63)也可以是，在上述方案1～4的任一方案中，所述遮蔽电极包含比对应的源极绕过部(21)更设置在所述基板的相反侧(+Z方向侧)的上遮蔽电极(51)的构成。
根据上述构成，由于遮蔽电极包含设置在基板的相反侧的上遮蔽电极，所以能够将源极绕过部的基板的相反侧的电场遮蔽，能够降低相邻的源极绕过部之间的寄生电容。
本发明的方案6的有源矩阵基板(62、63)也可以是，在上述方案5中，所述形成了像素电极(50)的第三导电层(第二透明导电层19)比形成了所述源极线(30)的第二导电层(源极层15)更层叠在所述基板的相反侧(+Z方向侧)；所述上遮蔽电极(51)由所述第三导电层形成的构成。
根据上述构成，上遮蔽电极由形成了像素电极的第三导电层形成。因此，能够容易地将上遮蔽电极连接到由第三导电层形成的其他配线或者电极、或者、由比第三导电层更层叠在基板的相反侧的其他导电层形成的其他配线或者电极。
本发明的方案7的有源矩阵基板(62、63)也可以是，在上述方案5中，还包括共通电极(52)；形成了所述共通电极(52)的第四导电层(第一透明导电层17)比形成了所述源极线(30)的第二导电层(源极层15)更层叠在所述基板的相反侧(+Z方向侧)；所述上遮蔽电极(51)由所述第四导电层形成的构成。
根据上述构成，上遮蔽电极由形成了共通电极的第四导电层形成。因此，能够容易地将上遮蔽电极连接到由第四导电层形成的共通电极、或者、由比第四导电层更层叠在基板的相反侧的其他导电层形成的其他配线或者电极。
本发明的方案8的有源矩阵基板(60～63)也可以是，在上述方案1～7的任一方案中，所述遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、以及分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)的一部分或者全部连接到固定电位的电极或者配线的构成。
根据上述构成，由于遮蔽电极的一部分或者全部连接到固定电位的电极或者配线，所以遮蔽电极的所述一部分或者全部的电位是固定电位。因此，能够降低遮蔽电极的所述一部分或者全部的电位变动所致的源极线的电位变动。
固定电位的电极或者配线是，例如，配置在基板上的共通电极、用以将共通电位供给到共通电极的配线、补助容量配线、高电位电源线、低电位电源线、以及、用以将遮蔽电极接地的专用的接地配线等。另外，连接有遮蔽电极的一部分或者全部的连接目标的电位更佳为接地电位或者接地电位附近。
本发明的方案9的有源矩阵基板(60～63)也可以是，在上述方案1～8的任一方案中，在所述遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、以及分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)与对应的源极绕过部(31)之间，仅绝缘层(第一层间绝缘膜14、第二层间绝缘膜16、第三层间绝缘膜18)被夹住的构成。
根据上述构成，在遮蔽电极与对应的源极绕过部之间，仅绝缘层被夹住。因此，由于半导体层不被夹住，遮蔽电极与对应的源极绕过部之间的结合电容不变动，所以遮蔽电极能够将源极绕过部的电场稳定地遮蔽。
又，由于其他导电层没有被夹住，所以遮蔽电极是关于对栅极线而层叠所述遮蔽电极的侧的导电层，由最靠近对应的源极绕过部的导电层形成。因此，由于遮蔽电极与对应的源极绕过部之间的距离变小，遮蔽电极与对应的源极绕过部之间的结合电容变大，所以遮蔽电极能够将源极绕过部的电场有效地遮蔽。
本发明的方案10的有源矩阵基板(60～63)也可以是，在上述方案1～9的任一方案中，所述遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、以及分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)的宽度比对应的源极绕过部(31)的宽度大的构成。
根据上述构成，遮蔽电极的宽度比对应的源极绕过部的宽度大。因此，遮蔽电极能够将对应的源极绕过部的电场有效地遮蔽。
本发明的方案11的有源矩阵基板也可以是，在上述方案1～10的任一方案中，所述遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、以及分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)以沿着对应的源极绕过部(31)的方式设置的构成。
根据上述构成，由于遮蔽电极以沿着对应的源极绕过部的方式设置，所以能够与源极绕过部的大部分重叠。因此遮蔽电极能够将对应的源极绕过部的电场有效地遮蔽。
本发明的方案12的显示装置(液晶显示面板70)也可以是，包括上述方案1～11的任一方案的有源矩阵基板(60～63)的构成。
本发明的方案13的有源矩阵基板(60～63)的制造方法是，包含：第一工序，在基板(绝缘基板1)设定开口区域(A1)、所述开口区域的外侧的内非显示区域(A2)、所述内非显示区域的外侧的显示区域(A3)；第二工序，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上，延伸设置多条栅极线(20)；第三工序，以绕过所述开口区域的方式在所述基板上，延伸设置与所述栅极线相交的多条源极线(30)在所述基板上；以及第四工序，以与仅所述显示区域中的所述栅极线和所述源极线的交点对应的方式，将多个像素电极(50)设置在所述基板上的所述显示区域；其中所述源极线的一部分包含通过所述内非显示区域的源极绕过部(21)；还包含第五工序，以在俯视下与所述源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式，将遮蔽电极(作为下遮蔽电极23发挥功能的栅极绕过部21、扩张部22、以及分离部24的至少任一个、以及/或者、上遮蔽电极51)设置在所述基板上的所述内非显示区域的方法。
根据上述制造方法，栅极线以及源极线以绕过开口区域的方式延伸设置。因此，能够不损坏栅极线以及源极线，在开口区域形成开口。
根据上述制造方法，由于遮蔽电极以与源极绕过部的一部分或者全部重叠的方式设置，所以遮蔽电极将对应的源极绕过部的电场遮蔽。因此，遮蔽电极能够降低对应的源极绕过部、和与对应的源极绕过部相邻的源极绕过部之间的寄生电容。
由于藉由此寄生电容的降低，能够降低起因于内非显示区域中的相邻的源极线的驱动的源极线的电位的变动量，所以能够降低对显示图像的影响。因此，能够降低与包括显示区域的源极绕过部的源极线对应的部分中的显示品质的下降。或者，由于一边维持与包括显示区域的源极绕过部的源极线对应的部分中的显示品质，一边将源极绕过部的相邻间隔变狭窄，藉此能够将源极绕过部的配线空间变小，所以能够将内非显示区域变小。
本发明并非限定于上述的各实施方式，可于权利要求所示的范围内进行各种变更，关于将于不同实施方式分别公开的技术手段适当地进行组合而得到的实施方式，也包含于本发明的技术范围。此外，组合在各实施方式分别揭示的技术方法，藉此能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1...绝缘基板(基板)；10...缓冲层；11...半导体层；12...栅极层(绝缘层)；13...栅极层(第一导电层)；14...第一层间绝缘膜(绝缘层)；15...源极层(第二导电层)；16...第二层间绝缘膜(绝缘层)；17...第一透明导电层(第四导电层)；18...第三层间绝缘膜(绝缘层)；19...第二透明导电层(第三导电层)；20...栅极线；21...栅极绕过部(遮蔽电极、下遮蔽电极)；22...扩张部(遮蔽电极、下遮蔽电极)；23...下遮蔽电极(遮蔽电极)；24...分离部(遮蔽电极、下遮蔽电极)；30...源极线；31...源极绕过部；40...像素晶体管；41...像素晶体管的栅极电极；42...像素晶体管的源极电极；43...像素晶体管的漏极电极；44...像素晶体管的沟道；50...像素电极；51...上遮蔽电极；60、61、62、63...有源矩阵基板；64...开口；70...显示面板；71...对向基板；72...液晶层；73...密封材；74...栅极驱动器；75...源极驱动器；76...控制电路；80...手表；81...时针；82...分针；83...秒针；84驱动轴；85...内边框；86...外壳；A1...开口区域；A2...内非显示区域；A3...显示区域；A4...外非显示区域；A5...切除区域。
