一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置
技术领域
本实用新型涉及钽酸锂晶体基片生产技术领域，特别是涉及一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置。
背景技术
钽酸锂(LT)晶体是熔点约为1650℃、居里温度约为600～610℃的铁电体。而且，LT基板的主要用途是作为移动电话的高频信号处理用的表面声波(SAW)滤波器材料，但是LT基板于SAW滤波器器件制作中出现两个主要问题，将导致器件成品率降低、增加生产成本。第一、LT基板高的光透射率；第二、LT晶体具有高的热释电系数。因此，为了解决上述问题，将LT晶体的芯片进行还原处理来降低其体电阻率，此还原处理过程中LT芯片由白色或淡黄色转变为有色不透明化，通常LT芯片还原后其表面会呈现灰色或黑色，故也将此还原处理过程称作“黑化”。
目前黑化处理设备大都操作工序复杂，自动化程度不高，控制精度不精确，影响了黑化效率。
实用新型内容
本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置。
本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的：
一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置，包括热处理炉、电控箱、支撑座，所述支撑座内设置有还原气体存储罐，所述还原气体存储罐一端设置有进气管，所述还原气体存储罐另外一端设置有出气管，所述进气管外侧设置有调速阀，所述进气管一端设置有所述热处理炉，所述热处理炉上方设置有真空泵，所述热处理炉一端设置有炉门，所述热处理炉另外一端设置有所述出气管，所述热处理炉内部设置有压强传感器，所述压强传感器一侧设置有温度检测器，所述温度检测器下方设置有坩埚，所述坩埚内设置有金属片，所述金属片之间设置有晶体基片，所述坩埚两侧设置有高温加热器，所述热处理炉一侧设置有所述电控箱，所述电控箱外侧设置有所述电子显示器，所述电子显示器下方设置有功能按键，所述功能按键下方设置有调温旋钮，所述调温旋钮一侧设置有智能温控仪。
上述结构中，将所述金属片与所述晶体基片层叠放置在所述坩埚内，将所述坩埚放置在所述热处理炉内，通过所述电控箱设定温度和压强，所述真空泵抽取所述热处理炉内的空气，所述压强传感器检测达到额定压强以后，所述高温加热器发热，所述温度检测器检测所述热处理炉内的温度，调节所述调温旋钮设定额定温度，所述智能温控仪能够保持炉内温度稳定，所述还原气体存储罐放出还原气体，经过所述进气管传输进入到所述热处理炉内，对所述晶体基片进行还原处理，反应后的气体经过所述出气管返回所述还原气体存储罐，所述调速阀能够调节还原反应的速度。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述支撑座与所述电控箱通过螺钉连接，所述电子显示器与所述电控箱通过螺钉连接，所述功能按键与所述电控箱嵌套连接。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述调温旋钮与所述电控箱嵌套连接，所述智能温控仪通过螺钉固定在所述电控箱外侧，所述电控箱与所述温度检测器通过导线连接，所述压强传感器与所述电控箱通过导线连接。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述支撑座与所述还原气体存储罐通过螺栓连接，所述进气管与所述还原气体存储罐通过螺纹连接，所述出气管与所述还原气体存储罐通过螺纹连接。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述进气管与所述调速阀通过螺纹连接，所述进气管与所述热处理炉通过螺纹连接，所述热处理炉与所述出气管通过螺纹连接，所述热处理炉与所述炉门通过铰链连接。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述压强传感器与所述热处理炉通过螺钉连接，所述温度检测器与所述热处理炉通过螺钉连接，所述坩埚与所述热处理炉嵌套连接。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，所述高温加热器与所述热处理炉通过螺纹连接，所述金属片与所述晶体基片层叠在一起，所述热处理炉与所述真空泵通过螺栓连接。
本实用新型的有益效果在于：本实用新型结构简单，操作方便，能够自动调节保持炉内温度，控制精度高，还原气体循环使用，节约了成本。
附图说明
图1是本实用新型所述一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的主视图；
图2是本实用新型所述一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的热处理炉内部结构图；
图3是本实用新型所述一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的电控箱结构图。
附图标记说明如下：
1、真空泵；2、热处理炉；3、炉门；4、调速阀；5、进气管；6、出气管；7、还原气体存储罐；8、支撑座；9、电控箱；10、压强传感器；11、温度检测器；12、高温加热器；13、坩埚；14、金属片；15、晶体基片；16、电子显示器；17、功能按键；18、调温旋钮；19、智能温控仪。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明：
如图1-图3所示，一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置，包括热处理炉2、电控箱9、支撑座8，支撑座8内设置有还原气体存储罐7，支撑座8用于支撑装置，还原气体存储罐7用于存储还原气体，还原气体存储罐7一端设置有进气管5，进气管5用于传输气体进入热处理炉2，还原气体存储罐7另外一端设置有出气管6，出气管6用于排出流通还原气体，进气管5外侧设置有调速阀4，调速阀4用于调节气体流速，进气管5一端设置有热处理炉2，热处理炉2用于对晶体基片15进行黑化，热处理炉2上方设置有真空泵1，真空泵1用于抽取真空，热处理炉2一端设置有炉门3，炉门3用于取放物品，热处理炉2另外一端设置有出气管6，出气管6用于排出气体，热处理炉2内部设置有压强传感器10，压强传感器10用于检测装置内压强，压强传感器10一侧设置有温度检测器11，温度检测器11用于检测装置内温度，温度检测器11下方设置有坩埚13，坩埚13用于盛放晶体基片15，坩埚13内设置有金属片14，金属片14用于晶体基片15的还原反应，金属片14之间设置有晶体基片15，坩埚13两侧设置有高温加热器12，高温加热器12用于高温加热，热处理炉2一侧设置有电控箱9，电控箱9用于控制装置运行，电控箱9外侧设置有电子显示器16，电子显示器16用于显示装置的运行状态和数据，电子显示器16下方设置有功能按键17，功能按键17用于输入控制命令，功能按键17下方设置有调温旋钮18，调温旋钮18用于调节温度大小，调温旋钮18一侧设置有智能温控仪19，智能温控仪19用于调节调节保持温度不变。
上述结构中，将金属片14与晶体基片15层叠放置在坩埚13内，将坩埚13放置在热处理炉2内，通过电控箱9设定温度和压强，真空泵1抽取热处理炉2内的空气，压强传感器10检测达到额定压强以后，高温加热器12发热，温度检测器11检测热处理炉2内的温度，调节调温旋钮18设定额定温度，智能温控仪19能够保持炉内温度稳定，还原气体存储罐7放出还原气体，经过进气管5传输进入到热处理炉2内，对晶体基片15进行还原处理，反应后的气体经过出气管6返回还原气体存储罐7，调速阀4能够调节还原反应的速度。
为了进一步提高一种钽酸锂晶体基片的黑化处理装置的使用功能，支撑座8与电控箱9通过螺钉连接，电子显示器16与电控箱9通过螺钉连接，功能按键17与电控箱9嵌套连接，调温旋钮18与电控箱9嵌套连接，智能温控仪19通过螺钉固定在电控箱9外侧，电控箱9与温度检测器11通过导线连接，压强传感器10与电控箱9通过导线连接，支撑座8与还原气体存储罐7通过螺栓连接，进气管5与还原气体存储罐7通过螺纹连接，出气管6与还原气体存储罐7通过螺纹连接，进气管5与调速阀4通过螺纹连接，进气管5与热处理炉2通过螺纹连接，热处理炉2与出气管6通过螺纹连接，热处理炉2与炉门3通过铰链连接，压强传感器10与热处理炉2通过螺钉连接，温度检测器11与热处理炉2通过螺钉连接，坩埚13与热处理炉2嵌套连接，高温加热器12与热处理炉2通过螺纹连接，金属片14与晶体基片15层叠在一起，热处理炉2与真空泵1通过螺栓连接。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。
