一种单晶硅片单面腐蚀装置
技术领域
本实用新型涉及硅片技术领域，尤其是涉及一种单晶硅片单面腐蚀装置。
背景技术
公知的，硅片腐蚀是利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀作用，去除硅片在多线切割锯切片时产生的表面损伤层，同时利用氢氧化钠对硅腐蚀的各向异性，争取表面较低反射率较低的表面织构，目前硅片在进行腐蚀处理的时候通常是将硅片直接投放到腐蚀液中去，然而有些程序中硅片的使用和后续的工艺中只需要硅片的单面处理，例如研制各种微型传感器、微执行器和微机械结构等，因此，在腐蚀这一步骤中只需要进行单面腐蚀就可以满足硅片的使用，并且双面腐蚀降低了硅片的厚度、浪费了化学品药液，最终导致了整个生产工艺的能耗高、效率低。
实用新型内容
为了克服背景技术中的不足，本实用新型公开了一种单晶硅片单面腐蚀装置，本实用新型通过在操作杆上设置承载盘，在承载盘上设置固定圈，以此来达到实现硅片的单面腐蚀的目的。
为了实现所述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种单晶硅片单面腐蚀装置，包括固定圈、旋钮、承载盘、操作杆、卡槽、固定柱和螺纹，在操作杆上设有承载盘，承载盘上设有卡槽，卡槽上设有固定圈，固定圈上设有固定柱，固定柱上设有旋钮和螺纹。
所述操作杆为圆柱型或棱柱型结构，操作杆的顶部面上设有承载盘。
所述承载盘为圆盘型结构，承载盘的底部面与操作杆呈垂直结构连接，操作杆的顶部面与承载盘底部面的中心相连接。
所述承载盘的顶部面上设有卡槽，卡槽为圆环型结构，卡槽与承载盘的边缘形成环状结构，卡槽的横截面与承载盘的横截面呈同心圆结构。
所述固定圈为圆柱型结构，固定圈的底部设置在卡槽的内部，固定圈的底部以嵌入式设置在卡槽内，固定圈的侧壁与卡槽呈垂直结构连接，固定圈的侧壁与承载盘呈垂直结构连接。
所述固定圈的侧面上设有一个开口，固定圈侧面的开口处设有旋钮和固定柱。
所述固定柱为圆柱型结构，固定柱的一端与固定圈的开口处连接，固定柱的另一端设有旋钮，固定柱的外壁上设有螺纹。
所述旋钮为圆柱型结构，旋钮的中部设有孔，固定柱通过旋钮上的孔插入到旋钮内，旋钮上的孔的内壁设有与固定柱外壁上的螺纹匹配的螺纹，旋钮通过其孔内壁上的螺纹与固定柱连接。
由于采用了上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型所述的一种单晶硅片单面腐蚀装置，包括固定圈、旋钮、承载盘、操作杆、卡槽、固定柱和螺纹，通过在操作杆上设置承载盘，在承载盘上设置固定圈，以此来达到实现硅片的单面腐蚀的目的；本实用新型结构简单、实用性强，不但可以快速完成硅片的单面腐蚀工作，而且减少了生产成本，提高了生产效率。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图；
图2为本实用新型的俯视结构示意图；
图3为本实用新型固定圈与承载盘的连接结构示意图；
图4为本实用新型旋钮与固定圈的连接结构示意图；
图中：1、固定圈；2、旋钮；3、承载盘；4、操作杆；5、卡槽；6、固定柱；7、螺纹。
具体实施方式
通过下面的实施例可以详细的解释本实用新型，公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切技术改进。
结合附图1~4所述的一种单晶硅片单面腐蚀装置，包括固定圈1、旋钮2、承载盘3、操作杆4、卡槽5、固定柱6和螺纹7，在操作杆4上设有承载盘3，承载盘3上设有卡槽5，卡槽5上设有固定圈1，固定圈1上设有固定柱6，固定柱6上设有旋钮2和螺纹7。
所述操作杆4为圆柱型或棱柱型结构，操作杆4的顶部面上设有承载盘3。
所述承载盘3为圆盘型结构，承载盘3的底部面与操作杆4呈垂直结构连接，操作杆4的顶部面与承载盘3底部面的中心相连接。
所述承载盘3的顶部面上设有卡槽5，卡槽5为圆环型结构，卡槽5与承载盘3的边缘形成环状结构，卡槽5的横截面与承载盘3的横截面呈同心圆结构。
所述固定圈1为圆柱型结构，固定圈1的底部设置在卡槽5的内部，固定圈1的底部以嵌入式设置在卡槽5内，固定圈1的侧壁与卡槽5呈垂直结构连接，固定圈1的侧壁与承载盘3呈垂直结构连接。
所述固定圈1的侧面上设有一个开口，固定圈1侧面的开口处设有旋钮2和固定柱6。
所述固定柱6为圆柱型结构，固定柱6的一端与固定圈1的开口处连接，固定柱6的另一端设有旋钮2，固定柱6的外壁上设有螺纹7。
所述旋钮2为圆柱型结构，旋钮2的中部设有孔，固定柱6通过旋钮2上的孔插入到旋钮2内，旋钮2上的孔的内壁设有与固定柱6外壁上的螺纹7匹配的螺纹，旋钮2通过其孔内壁上的螺纹与固定柱6连接。
实施例1，所述的一种单晶硅片单面腐蚀装置，在使用的时候，先在承载盘3的底部设置好操作杆4，操作杆4与承载盘3可以是固定连接结构，操作杆4与承载盘3也可以是可拆卸连接结构，承载盘3的顶部面上设有卡槽5，将固定圈1的底部插入到卡槽5内，然后在固定圈1的内部放上硅片，使得硅片的一个面与承载盘3的顶部面接触，硅片放置好之后，在固定圈1的开口处设有固定柱6，将旋钮2拧在固定柱6上，通过固定柱6外壁上的螺纹7将旋钮2拧紧，这样就保证硅片放置在固定圈1的内部，而且在翻转承载盘3的时候硅片不会掉落，然后就可以进行硅片的腐蚀了，使用操作杆4将整个装置进行移动或翻转，将硅片背离承载盘3的一面与腐蚀液进行接触即可，这样就完成了硅片的单面腐蚀工作了。
本实用新型未详述部分为现有技术，尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，具体实现该技术方案方法和途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
