碳化硅外延生长反应室的顶盖结构
技术领域
本发明涉及外延生长设备技术领域，特别涉及碳化硅外延生长反应室的顶盖结构。
背景技术
由于碳化硅本身具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，所以碳化硅成为制作高温、大功率、高频和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。而用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延片。目前碳化硅外延生长已经实现了商业化，用于外延生长碳化硅的设备中，反应室顶盖为设备中重要的一个部件，在外延生长反应室设计中起到了很大的作用，它能调节反应室内部温度场分布，改善外延生长条件，是外延生长反应室重要的组成部分。传统外延反应室顶盖为平面状，无法起到支撑作用。
发明内容
有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构。
实现上述目的而采取的技术方案如下：
一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，包括顶盖本体和内顶盖，所述内顶盖包括外圈和内圈，所述外圈固定在所述顶盖本体上表面，所述内圈悬空设于所述顶盖本体上方，所述外圈和内圈之间通过支撑部连接。
优选地，所述内圈为圆柱状，圆柱状所述内圈中心为第一贯穿孔。
优选地，所述支撑部包括多个支撑杆，多个所述支撑杆一端与所述内圈的外侧固定，另一端与所述外圈的内侧固定。
优选地，多个所述支撑杆之间形成有第二贯穿孔。
优选地，所述支撑杆设有五个，五个所述支撑杆之间相互形成五个所述第二贯穿孔。
本发明提供的一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，其有益效果在于：主要是通过对顶盖结构进行设计改良，在顶盖上表面形成向上凸起的内圈，这样，使得顶盖内部具有优异的抗压及支撑能力，也明显减少了顶盖的破损现象，增强了抗压力，同时，其结构设计巧妙合理，易于成型制作，适用于推广使用。
附图说明
图1为本发明碳化硅外延生长反应室的顶盖立体图；
图2为图1的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1、2所示，本实施例提出了一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，包括顶盖本体1和内顶盖2，内顶盖2包括外圈21和内圈22，外圈21固定在顶盖本体1上表面，内圈22悬空设于顶盖本体1上方，外圈21和内圈22之间通过支撑部23连接。
本实施例中，内圈22为圆柱状，圆柱状的内圈22中心为第一贯穿孔221。
本实施例中，支撑部23包括多个支撑杆231，多个支撑杆231一端与内圈22的外侧固定，另一端与外圈21的内侧固定。
本实施例中，多个支撑杆231之间形成有第二贯穿孔232。
本实施例中，支撑杆231有五个，五个支撑231杆之间相互形成五个第二贯穿孔232。
本实施例的一种碳化硅外延生长反应室的顶盖结构，主要是通过对顶盖结构进行设计改良，在顶盖上表面形成向上凸起的内圈，这样，使得顶盖内部具有优异的抗压及支撑能力，也明显减少了顶盖的破损现象，增强了抗压力，同时，其结构设计巧妙合理，易于成型制作，适用于推广使用。
以上结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但本发明不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本发明原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本发明的保护范围内。
