一种新型单晶复投桶
技术领域
本实用新型属于太阳能直拉硅单晶制造、直拉半导体硅单晶领域，尤其是涉及一种新型单晶复投桶。
背景技术
现有的复投桶采用内提升方式来实现复投硅料和再次熔料。在复投硅料时，由于提升杆是内提升，硅料随着底座下放，并从底座和复投桶之间打开的缝隙四周下料。这样的复投桶由于下料的方向是散射性的，容易溅硅，影响成晶；对于φ240mm-310mm的大尺寸单晶，易发生复投的硅料滞留在直壁导流筒R角的位置，对后期单晶成晶及整棒率造成一定的影响，降低成晶率。
发明内容
本实用新型要解决的问题是提供一种新型单晶复投桶，尤其适合用于拉制φ240mm-310mm的大尺寸单晶，可以有效的减少复投溅硅，提高成晶率。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
一种新型单晶复投桶，包括：
石英桶扩径口，所述石英桶扩径口与石英桶下端连接；
底座，所述底座设置于所述石英桶内；
提升杆，所述提升杆底端与所述底座顶部连接，所述提升杆顶端设置有相对于所述石英桶内部可相对升降的机构。
进一步地，所述石英桶扩径口为上下开口的半球，所述半球包括半球口和半球底，所述半球口的直径大于所述半球底的直径。
更进一步地，所述半球底开口端与石英桶下端连接。
进一步地，所述石英桶扩径口由若干块弧形板组成，所述弧形板横向切面的一端均与所述石英桶下端连接。
更进一步地，所述弧形板横向切面的一端均设置有相对于所述石英桶下端可相对转动的机构，所述弧形板的切面均两两相接为上下开口的半球。
进一步地，所述底座为圆锥状，所述底座内切于所述石英桶。
由于采用上述技术方案，通过对复投桶的底部进行改进，在复投的过程中改变下料的方向，将散射下料方向改变为竖直向下的下料方向。本实用新型既可以有效地减少复投溅硅的风险，又可以防止在复投大尺寸单晶时硅料滞留于直壁导流筒R角处，提高成晶率；该复投桶的结构简单、加工成本低、维修方便，并可提高生产效率高。
附图说明
图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图
图2是本实用新型的另一种实施例的结构示意图
图3是本实用新型的下料状态示意图
图中：
1、石英桶扩径口 2、底座 3、提升杆
4、石英桶
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明：
在本实用新型的一种实施例中，如图1和图3所示，一种新型单晶复投桶，包括：石英桶扩径口1、底座2和提升杆3，石英桶扩径口1与石英桶 4的下端固定连接；底座2设置于石英桶4内，并与石英桶4中心同轴；提升杆3的底端与底座2的顶部连接，提升杆3的顶端设置有相对于石英桶4 的内部可相对升降的机构。
优选地，底座2为圆锥状，底座2内切于石英桶4。
石英桶扩径口1为上下开口的半球，包括半球口和半球底，半球口的直径大于半球底的直径。半球底的开口端与石英桶4的下端固定连接。
半球口的截面圆心与半球的球心同心，以便硅料受重力影响，沿着半球的曲面下落时，下落方向为竖直向下。
本实用新型的一种实施例的工作过程：
在复投硅料时，通过提升杆3下放底座2，硅料随着底座2下放；底座 2和石英桶扩径口1之间的缝隙逐渐增大至硅料可以通过；硅料通过底座2 和石英桶扩径口1之间打开的缝隙，并沿着石英桶扩径口1的曲面竖直方向下料。
在本实用新型的另一种实施例中，如图2和图3所示，石英桶扩径口1 由若干块弧形板组成，弧形板横向切面的一端均与石英桶4的下端连接。
优选地，弧形板横向切面的一端均设置有相对于石英桶4的下端可相对转动的机构，弧形板的径向切面两两相接可构成一个上下开口的半球。
以便硅料受重力影响，沿着弧形板构成的半球曲面下落时，下落方向为竖直向下。
本实用新型的另一种实施例的工作过程：
在复投硅料时，通过提升杆3下放底座2，硅料随着底座2下放；底座 2打开石英桶扩径口1的弧形板，底座2和石英桶扩径口1之间的缝隙逐渐增大至硅料可以通过；硅料通过底座2和石英桶扩径口1之间打开的缝隙，并沿着石英桶扩径口1的曲面竖直方向下料。
以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
