一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置
技术领域
本实用新型是一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置，属于一种半导体工艺设备。
背景技术
LPCVD（低压化学气相沉积）系统用于集成电路、分立器件、MEMS等不同尺寸晶圆的薄膜沉积及掺杂等工艺。
目前行业内生产的同类产品中，仅有一路进气，在薄膜生长时容易出现进气口堵住的现象，同时工艺气体进入腔内时容易出现靠近进气口位置气体分布不均的现象，气氛环境不够好，反应腔内气氛环境不稳定的情况下，制品合格率会降低。在一路进气的前提下，因气体分布不均匀导致每次的合格品产量下降，生产成本较高。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置，包括进气管一以及进气管二，所述进气管一以及进气管二外接对应的工艺气体供气源，所述进气管二一端连接有输气管一以及输气管二，所述输气管一和输气管二连接至工艺腔内，所述工艺腔的一端设置有工艺腔法兰，所述输气管一和输气管二通过金属密封接头与进气管二连接，所述进气管二内部设置有气体压力传感器，所述气体压力传感器通过模拟量信号线与控制PLC连接。
进一步地，进气管一、进气管二、输送管一及输送管二使用316L不锈钢管，内壁半导体级电解抛光处理；所述输气管一和输气管二与进气管二连接的金属密封接头内有316L材质不锈钢垫片。
进一步地，控制上位机的内部设置有PLC，所述PLC与控制上位机通过通讯网线连接，所述气体压力传感器通过模拟量信号线与PLC连接。
进一步地，气体压力传感器的输出端与PLC模拟量模块的输入端连接，所述PLC的通讯网口端与控制上位机的通讯网口端连接。
本实用新型的有益效果：本实用新型的一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置，每种气体分为两路进入工艺腔体后，能够更迅速的稳定，保证更好的工艺气氛，提高制品合格率，一旦有其中一路进气管因为工艺产生的副产物堵住，也不会影响产品在工艺过程中的供气，同时稳定的供气减少了半导体工艺设备在使用过程中工艺气体的损耗，降低了成本，产品制程的稳定也得到大大的提高。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本实用新型一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置的结构示意图；
图2为本实用新型一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置的A处放大示意图；
图3为本实用新型一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置的输气管一和输气管二示意图；
图4为本实用新型一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置的压力信息传输原理框图；
图中： 1-进气管一、2-进气管二、3-输气管一、4-输气管二、5-工艺腔法兰、6-金属密封接头、21-气体压力传感器、22-模拟量信号线、23-PLC、24-控制上位机。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
请参阅图1至图3，本实用新型提供一种技术方案：一种半导体工艺设备上的新型进气管路装置，包括进气管一1以及进气管二2，进气管一1以及进气管二2外接对应的工艺气体供气源，进气管二2一端连接有输气管一3以及输气管二4，输气管一3和输气管二4连接至工艺腔内，工艺腔的一端设置有工艺腔法兰5，输气管一3和输气管二4通过金属密封接头6与进气管二2连接，进气管二2内部设置有气体压力传感器21，气体压力传感器21通过模拟量信号线22与控制PLC23连接。
进气管一1、进气管二2、输送管一3及输送管二4使用316L不锈钢管，内壁半导体级电解抛光处理；所述输气管一3和输气管二4与进气管二2连接的金属密封接头内有316L材质不锈钢垫片。
控制上位机24的内部设置有PLC23，PLC23与控制上位机24通过通讯网线连接，气体压力传感器21通过模拟量信号线22与PLC23连接。
气体压力传感器21的输出端与PLC23模拟量模块的输入端连接，PLC23的通讯网口端与控制上位机24的通讯网口端连接。
在实际使用的时候，气体压力传感器21可以检测进气管二2内部的气体压力情况，然后通过通过模拟量信号线22将信息传输至PLC23，直至传输至控制上位机24，方便工作人员控制。
做为本实用新型的一个实施例：在进气管二2安装高可靠性的阀门及高精度的气体流量控制器，可靠的将工艺气体定量（可调节）输送到反应腔中。控制系统根据监测气体压力传感器21反馈的工艺腔实时压力测量值与设定值比较结果，自动调节真空系统的抽速，使腔体内实现稳定可靠的负压气氛，每种气体分为两路进入工艺腔体后，能够更迅速的稳定，保证更好的工艺气氛，提高制品合格率，一旦有其中一路进气管因为工艺产生的副产物堵住，也不会影响产品在工艺过程中的供气，同时稳定的供气减少了半导体工艺设备在使用过程中工艺气体的损耗，降低了成本，产品制程的稳定也得到大大的提高。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
