一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体为一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构。
背景技术
多晶硅还原炉电极绝缘结构随着工艺的越来越成熟，目前电极绝缘结构主要是将电极套在绝缘套上后安装在底盘上，从而能够达到电极与底盘的绝缘要求，但这种绝缘方式会造成还原炉在运行过程中因高温高电流容易发生电极电流击穿绝缘套而产生接地停炉故障，为了解决这个问题，本实用新型提出一种多晶硅还原炉电级绝缘结构。为此，我们提出一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，包括电极体，所述电极体上端设有电极头，所述电极体下端安装有接电口，所述电极体外部包裹有绝缘组件，所述绝缘组件上端设有上凸缘，所述电极头外部包裹有固定结构，所述固定结构内插设有硅芯，所述硅芯外侧套设有垫片，所述绝缘组件插设于还原炉底盘内，所述绝缘组件下端设有螺纹帽。
优选的，所述上凸缘的底部半径大于还原炉底盘所设的插口半径。
优选的，所述硅芯下端与电极头相接触，且硅芯半径小于固定结构所设硅芯插口的半径。
优选的，所述上凸缘与绝缘组件为一体式结构，且所使用的材料相同。
优选的，所述固定结构稳定落在电极头上，固定结构将电极头上端面进行全部覆盖，并在固定结构上端面开设限位孔用来插设硅芯。
优选的，所述绝缘组件的高度大于还原炉底盘的高度。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本装置采用绝缘材料将电极包裹进行融合形成一体，安装于还原炉底盘上预留安装电极的孔中，之后在裸露的电极头上部安放硅芯固定结构，再进一步安装硅芯，保证硅芯与电极良好接触，以此可保证还原炉在运行过程中大量降低电流击穿结缘结构致使故障停炉的事故产生。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型硅芯结构示意图。
图中：1还原炉底盘、2绝缘组件、21螺纹帽、3接电口、4上凸缘、5电极头、6硅芯、7固定结构、71垫片、8电极体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种多晶硅还原炉电极的绝缘结构，包括电极体8，所述电极体8上端设有电极头5，所述电极体8下端安装有接电口3，通过接电口3使外部通电装置与电极体8接触更加良好，所述电极体8外部包裹有绝缘组件2，通过绝缘组件2不仅能够保证电极体8不会出现漏电情况，对外部造成影响，还可以对电极体8起防腐蚀、防磨损的作用，对电极体8进行保护，本绝缘组件2采用RSB材质的耐高温材料，所述绝缘组件2上端设有上凸缘4，所述上凸缘4的底部半径大于还原炉底盘1所设的插口半径，保证上凸缘4可保证绝缘组件2以及电极体8因摩擦力未达标准导致滑落现象，所述上凸缘4与绝缘组件2为一体式结构，且所使用的材料相同，所述电极头5外部包裹有固定结构7，所述固定结构7内插设有硅芯6，所述硅芯6下端与电极头5相接触，且硅芯6半径小于固定结构7所设硅芯6插口的半径，所述硅芯6外侧套设有垫片71，通过垫片71可增强硅芯6与固定结构7之间的摩擦力，有效防止硅芯6出现脱落等情况，且通过垫片71可防止硅芯6出现硅粉脱落等情况，可有效提高多晶硅的质量，所述绝缘组件2插设于还原炉底盘1内，所述绝缘组件2下端设有螺纹帽21，通过螺纹帽21以及上凸缘4将绝缘组件2以及电极体8固定于还原炉底盘1内，所述电极体8与绝缘组件2融合为一体，在相吻合且密封良好还原炉底盘1内进行安装，所述固定结构7安装在电极头5上部，固定结构7将电极头5上端面进行全部覆盖，并在固定结构7上端面开设限位孔用来插设硅芯6，通过固定结构7以及插设硅芯6的方式，可有效避免因电极头5放电击穿而引发的故障停炉，所述绝缘组件2的高度大于还原炉底盘1的高度，保证绝缘组件2下端可拧设螺纹帽21，以此来对绝缘组件2以及电极体8进行加固。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
