一种108对棒还原炉底盘
技术领域
本实用新型涉及一种108对棒还原炉底盘，属于改良西门子法生产多晶硅领域。
背景技术
改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺，其中还原炉是该工艺的核心设备，还原电耗占多晶硅生产电耗的65%左右，所以还原炉的性能往往决定了多晶硅生产工艺的先进性。目前国内主要采用36对棒、40对棒还原炉生产多晶硅，这些炉型的产量相对较低，热辐射利用率低，能耗相对较高。
专利公开号为CN208700585U的中国专利公开了一种高效节能还原炉底盘，包括底盘，所述底盘上设有中心进料口、n个电极圈层和n-1个进料圈层，其中n≥4且n为正整数；所述电极圈层和进料圈层以中心进料口为圆心间隔设置；每个所述进料圈层设有不少于4个进料口；所述电极圈层从内向外计数，第n电极圈层设有4n对电极；同一电极圈层内相邻两个电极之间等间距设置；第n个所述电极圈层外设有出料圈层，所述出料圈层设有至少两个出料口，所述出料口等间距设置在出料圈层上。
上述重新设计还原炉底盘上电极和进料口的布局，从而改进还原炉中进行反应的温场和气场，同时提高原料转换率，降低生产成本。本申请还提供一种包括上述高效节能还原炉底盘的多晶硅还原炉；
但是上述专利中第n电极圈层需要设有4n对电极，同一电极圈层内相邻两个电极之间等间距设置，电极数目设置为逐层递加，偏转角度逐渐变小，当需要进行更大型还原炉设计时，由于数目过多就会造成电极间距离过近，偏转角度过小的问题。
因此为解决上述问题，有必要开发一种更大型，节能的还原炉，合理的进行底盘布置，充分利用热辐射，进一步降低还原炉运行电耗，提升国内多晶硅行业竞争力。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述背景问题中提出的问题，提供一种108对棒还原炉底盘，它结构合理，解决了现有还原炉产量低，电耗高等问题。
本实用新型的目的是这样实现的：一种108对棒还原炉底盘，包括底盘和尾气孔，所述底盘的中心设置有中心进料喷嘴；
所述底盘上还包括电极孔圈层和进料喷嘴圈层，每两层电极孔圈层之间设置一层进料喷嘴圈层；
所述电极孔圈层有7层，所述进料喷嘴圈层有6层；
所述7层电极孔圈层沿底盘中心向外呈同心圆状均匀设置，由内向外的各圈电极孔圈层中电极孔的数量依次为8、16、24、32、40、48、48；
所述6层进料喷嘴圈层均设置在电极孔圈层的圈层间隔内，由内向外的各圈进料喷嘴圈层中进料喷嘴的数量依次为4、8、12、16、16、16。
所述尾气孔设置在最外圈的电极孔圈层外侧，所述尾气孔有8个，并呈圆周状均匀设置。
所述电极孔圈层中，每两个同圈相邻的电极孔成组搭接，相邻的电极孔距离为200mm~250mm。
相比于现有技术，本实用新型具有以下优点：
本实用新型的一种108对棒还原炉底盘，对还原反应过程中产生的各种热量进行整合，充分利用硅棒间的热辐射，有效解决现有还原炉产量有限、一次转化率低、电耗高的问题，从而大幅降低多晶硅生产成本。
附图说明
图1为本实用新型一种108对棒还原炉底盘的结构示意图。
其中：
1、底盘；2、尾气孔；3、第七电极孔圈层；4、第六电极孔圈层；5、第五电极孔圈层；6、第四电极孔圈层；7、第三电极孔圈层；8、第二电极孔圈层；9、第一电极孔圈层；10、第六进料喷嘴圈层；11、第五进料喷嘴圈层；12、第四进料喷嘴圈层；13、第三进料喷嘴圈层；14、第二进料喷嘴圈层；15、第一进料喷嘴圈层；16、中心进料喷嘴。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型加以说明 ：
如图1所示，一种108对棒还原炉底盘，包括底盘1和尾气孔2，所述底盘1的中心设置有中心进料喷嘴16；
所述底盘1上还包括电极孔圈层和进料喷嘴圈层，每两层电极孔圈层之间设置一层进料喷嘴圈层；
所述电极孔圈层有7层，所述进料喷嘴圈层有6层；
所述7层电极孔圈层沿底盘中心向外呈同心圆状均匀设置，由内向外的各圈电极孔圈层中电极孔的数量依次为8、16、24、32、40、48、48；
所述6层进料喷嘴圈层均设置在电极孔圈层的圈层间隔内，由内向外的各圈进料喷嘴圈层中进料喷嘴的数量依次为4、8、12、16、16、16。
所述电极孔圈层中，每两个同圈相邻的电极孔成组搭接，相邻的电极孔距离为200mm~250mm。
在本实施例中，所述中心进料喷嘴16外围设置第一电极孔圈层9，所述第一电极孔圈层9包括8个电极孔；
所述第一电极孔圈层9外围设置第一进料喷嘴圈层15，所述第一进料喷嘴圈层15包括4个进料喷嘴；
所述第一进料喷嘴圈层15外围设置第二电极孔圈层8，所述第二电极孔圈层8包括16个电极孔；
所述第二电极孔圈层8外围设置第二进料喷嘴圈层14，所述第二进料喷嘴圈层14包括8个进料喷嘴；
所述第二进料喷嘴圈层14外围设置第三电极孔圈层7，所述第三电极孔圈层7包括24个电极孔；
所述第三电极孔圈层7外围设置第三进料喷嘴圈层13，所述第三进料喷嘴圈层13包括12个进料喷嘴；
所述第三进料喷嘴圈层13外围设置第四电极孔圈层6，所述第四电极孔圈层6包括32个电极孔；
所述第四电极孔圈层6外围设置第四进料喷嘴圈层12，所述第四进料喷嘴圈层12包括16个进料喷嘴；
所述第四进料喷嘴圈层12外围设置第五电极孔圈层5，所述第五电极孔圈层5包括40个电极孔；
所述第五电极孔圈层5外围设置第五进料喷嘴圈层11，所述第五进料喷嘴圈层11包括16个进料喷嘴；
所述第五进料喷嘴圈层11外围设置第六电极孔圈层4，所述第六电极孔圈层4包括48个电极孔；
所述第六电极孔圈层4外围设置第六进料喷嘴圈层10，所述第六进料喷嘴圈层10包括16个进料喷嘴；
所述第六进料喷嘴圈层10外围设置第七电极孔圈层3，所述第七电极孔圈层3包括48个电极孔。
在本实施例中，所述尾气孔2设置在第七电极孔圈层3的外围，所述尾气孔2有8个，并呈圆周状均匀设置。
在本实施例中，相邻电极孔距离（电极间距）采用230mm。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。
