一种提高多头菊切花品质的设施基质栽培方法
技术领域
本发明属于植物设施栽培方法领域，具体为一种提高多头菊切花品质的设施基质栽培方法。
背景技术
我国传统切花菊生产中，大都采用黄色或白色独本菊品种。随着我国社会经济发展和人民生活水平提高，鲜花消费已由过去礼品消费为主逐渐转变为市民日常消费，消费多样性和家庭插花对花形、花色和瓶插寿命等品质提出了更高的要求，这种市场消费行为的变化促使鲜切花品种类型日趋丰富，新潮的流行趋势不断呈现，其中切花多头菊以其花色丰富、色彩艳丽、花型优美、瓶插期长、花型多样等特点而受到消费者追捧。近年国内价格始终保持在每支切花1.0元以上，相当于单头菊的2~3倍。其管理比单头菊节省人工，种植成本低，经济效益好，因此种植面积不断增加。
多头菊是国际上流行切花品种之一，多头菊的品种主要来源于欧美，一部分来源于日本，特别是新的切花品种几乎全部出自欧美育种家之手，近年南京农业大学和浙江省农业科学院开展多头菊新品种选育工作，部分品种已在生产上应用。多头菊并不是采用以往的传统独本菊进行多花生产，而是培育花序分枝性较强和花朵较小的新品种。多头菊的大部分品种特性属于秋菊和寒菊，也有一少部分属于夏菊和夏秋菊。在欧美主要根据从短日条件处理开始到开花这个期间的长短进行分类，一般分为7~15周共7种不同花型品种，分别为园盘型、蜂窝型、荷花型、莲座型、管盘型、松针型和满天星型。切花生产中考虑周年生产的设施利用率，一般要求短日照处理周期以7~10周为宜，生产上由于对品种特性不完全了解、长日照处理时间过长、遮黑不到位，施用不当、土壤连作障碍、病虫危害等，导致切花品质参差不齐，选择适宜的季节、品种、先进的栽培设施。
关于多头菊设施栽培研究已经有相关报道，但是主要针对土壤栽培，而且土壤栽培条件下，设施连作障碍严重，病虫害预防难度大，切花品质不稳定，此外，设施栽培土壤发生次生盐渍化后主要采用灌水洗盐等方法，对生态环境造成不良的影响，而通过休闲方式修复土壤，造成土地利用率下降等问题。因此亟需开发一种适合江浙地区气候条件的多头菊设施基质栽培方法及设施，提高多头菊产量和品质，同时有利于实现基质的无害化消毒，实现可持续增产的目标。
发明内容
本发明提供一种提高多头菊切花品质的设施基质栽培方法，通过独特的基质和配方肥，并结合多头菊设施基质栽培管理和花期调控、解决现有多头菊设施栽培中土壤连作障碍，导致白绢病和菌核病等病害危害严重、切花成品率低和品质不稳定等问题。
本发明采用的方法具体方案如下：
一种提高多头菊切花品质的设施基质栽培方法，上述方法包括如下：
（一）制备基质；
上述基质由泥炭、椰糖、松鳞按质量比为8：1：1复配制成；
（二）配制水溶性专用配方肥；
（三）设施基质栽培；
上述多头菊栽培过程包括如下步骤：
组培苗培育；
选择2月下旬至4月中旬作为组培苗移栽时间，适时进行摘心促进侧芽发生，将组培苗培育成采穗母本；可选用在较低的温度下花芽分化和花蕾发育良好的晚花品种，表现良好的耐低温性，并具有在冬季较低的温度条件下较抗菌核病和灰霉病的特性，如日最低温度8~10℃，花芽分化仍能正常进行，开花期耐最低温度5℃低温，表现花色稳定性好，不易受低温影响引起花色褪色或加深的情况，单株花朵数6朵以上，舌状花瓣数不易受低温影响而减少，且冬季设施栽培条件下，因设施内湿度大和夜间温度低，不易诱发菌核病和灰霉病，品种具有较强的抗性。
扦插生根培养；
在6月下旬至9月上旬将步骤（1）培育的上述采穗母本穗条扦插在以椰糠作为生根基质的苗床上，生根培养；
基质预处理；
步骤（2）培育的生根苗移栽前一星期将上述（一）中的上述基质先浇透水并经消毒处理；
种苗移栽和定植培育；
取步骤（1）培育的生根苗当天移栽至步骤（3）中准备好的上述基质中，开始定植培养。上述移栽中多头菊的种苗定植密度按10㎝×10㎝种植，中间留10cm增加采光和通风，夏季移栽后10天内需遮荫网遮阳，光照强度控制在30000lux以内。
花期调控
通过人工光照对植株进行光处理调节，控制花期和生长高度；上述光处理调节依次包括长日照处理（51）、长日照补光处理（52）、二次电照补光处理（53）；
栽培管理
利用栽培设施对多头菊的生长实施温度管理、湿度管理、防倒伏管理、通风管理、喷药管理和水分管理。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，通过喷药管理进行重要病虫害防治，包括在定植后当天或第二天喷施80%代森锰锌1000倍+25%阿米西达1000倍或25%苯醚甲环唑1000倍，此后轮换喷，每7天一次预防叶斑病和白锈病；根据田间虫害发生情况及时喷施艾绿士1500倍和10%虫螨腈1000倍防治小菜蛾、蓟马和螨虫，10%吡虫啉1000倍防治蚜虫等。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述防倒伏管理中采用拉网防止倒伏，还有抹芽和摘顶蕾等农艺措施，具体方法具体包括如下：
当植株高度达到40 厘米左右时要及时提网，保持网上部分长度在15厘米左右，网上部分不宜过长，否则植株容易弯曲；相反网上部分过短，由于植株生长不整齐时，生长慢的植株会顶网引起弯曲。提网宜在晴天的下午进行，因为这时叶子比较柔软，提网时不易受损伤。提网时把花网向外侧绷紧，同时向上提起。当植株基部和中部的腋芽生长至3 厘米时要及时抹掉，抹芽时双手同时进行，防止伤叶；也不能芽很小时进行抹芽工作，这样容易损伤叶片。花芽开始分化后，当主蕾边上的侧蕾长到绿豆粒大小，这时要及时抹掉顶蕾，如顶蕾抹的太晚，则影响侧蕾生长，不利于侧蕾花梗伸长；如侧蕾很小时进行抹顶蕾工作，则很容易弄伤侧蕾，应根据个人熟练情况以能抹掉顶蕾而不伤及侧蕾为原则。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，利用栽培设施进行温度调控和水分管理，在停止补光前适当提高设施栽培管理温度，提高植株的生长势，在11月中旬当最日低温气温低于10℃时，夜间应进行封膜保温，夜温控制在13~15℃，白天温度20~28℃，适当提高补光期的管理温度，提高植株的生理活性，随着冬季自然气温的下降，根据各地的气象资料，结合不同品种的生长特性，合理确定安全的停止补光的日期，即保证在设施条件下，停光后花芽分化期设施内日最低温度控制在8℃以上，花蕾发育期和开花期最低温度控制在5℃以上，温度过低则引起花芽分化会停止，或出现消蕾等现象，白天通风良好，以控制温度20~25℃为宜。利用栽培设施，保持基质湿润状态，但不在冷空气来临时浇透水，以免大棚内湿度大诱发灰霉病和菌核病；在12月至1月上旬控制浇水量，保持基质偏干，当日最低温度在5℃以上，连续天晴连续3天以上，则可浇一次透水；当日最低温度5℃以下，则严格控制并减少浇水量。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述设施包括连栋大棚、上述连栋大棚上设有内遮阳网、农顶膜和内保温膜、喷雾系统、灌溉设备、内外保温系统、种植床、排水系统、环境参数监测系统、控制系统；
连栋大棚，至少设有6个连跨；顶高5.5米，天沟底高3.5米，跨度7米，长度44米，可根据多头菊不同季节生长要求，进行环境调控。
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，上述内遮阳网与内遮阳驱动系统相连并由其驱动；上述内遮阳网为遮阳率70%的白色保温幕。菊花属喜光作物，适宜光照强度为30000～60000lux，光照大于70000lx时，应使用遮阳网。
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，内外保温系统，包括覆盖于温室顶棚的顶棚膜和内棚膜，上述顶棚膜和内棚膜均为无滴膜，覆盖时间11月中旬至翌年的4月上旬，在外界最低气温-7℃时，棚内温度0℃以上。
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，种植床用水泥预制件构建，床底部用塑料薄膜与土壤隔离，达到介质与土壤隔离，床边缘底部设置排水孔，种植床深度22cm，宽度85cm，每个7米跨度单棚设置5个种植床，每个种植床种植6行，槽中间行距加倍，有效改善种植床排水和大棚通风与透光条件，种植床内铺设准备好的基质，厚度为19~20cm。改进种植床建造和配置，缩小种植床宽度，增强菊花生长的边际效应，提高切花品质。
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，排水系统，包括位于连栋大棚四周开挖的排水渠；连栋大棚四周开挖排水渠，棚内外除尽杂草，棚内苗床间的操作道硬化，或铺设园艺地布。
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，环境参数监测系统，包括棚外温度传感器、棚内温度传感器、湿度传感器、棚外光照强度传感器、棚外温度传感器；
作为优选，本发明提供的方法再进一步设置为，控制系统、包括控制器。控制系统的控制器连接并控制实施喷雾系统、内遮阳驱动系统、内外保温系统、排水系统、环境参数监测系统；
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，对营养生长阶段的菊花实施上述长日照处理（51），上述长日照处理（51）和长日照补光处理（52）的总时长大于等于16h/day，且使大棚内远离灯光处的光强度最低为70lux；上述长日照补光处理（52）具体方法如下：在夜间补光3~5小时，补光时间为晚上23：30至次日凌晨2：30或3：30，当植株高度达到30~40cm时停止补光。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述花期调控（5）还包括短日照处理和遮光处理，上述短日照处理（54）期间每天的光照时间不超过11小时。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述长日照补光处理结束后，停光6天花序原基分化处于初始阶段时，开始进行二次电照补光处理（53），每天补光2~2.5小时，一般自23：30至1：30或2：00，使日照时数控制在13~14小时，连续补光5天，然后停光3天，再每天补光1小时，连续补光5天。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述方法的步骤（三）中还包括株型控制（7）；上述株型控制（7）通过喷施B9来调控菊花生长速度，缩短节间，使株型更加紧凑美观；具体喷施方法为：
第一次在上述长日照补光处理（52）停止照光后3天喷1000倍92%B9；
第二次在上述长日照补光处理（52）停止照光后10天喷施800倍的92%B9；
第三次上述长日照补光处理（52）停止照光后17~18天喷施600倍92%B9；
第四次在上述长日照补光处理（52）停止照光后21天喷600~800倍92%B9；
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，对于植株偏高的品种应在上述长日照补光处理（52）停止照光前喷施500倍1~2次。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述方法的步骤（三）中还包括根据生长发育进程调整施用肥料（8），其方法如下：上述步骤（4）移栽并定植后一星期施用硝酸钾，每星期施一次，连续3次，然后施一次硝酸钙，上述长日照补光处理（52）结束后施用上述专用配方肥或专用配方肥+叶面肥；上述叶面肥包括浓度1000倍的磷酸二氢钾。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述步骤（一）中的上述松鳞由多年生马尾松的外皮经过高炭氮比好氧微生物发酵制成，上述发酵方法依次为：
首先，堆成1.2~1.6m高的大堆；
初期，堆上盖上覆盖物，强化保温、保湿，经过3~5天发酵，堆体内部温度达75℃，时续发酵20天，期间翻堆4~5次，后经3天时间降低温至50~60℃维持7天；
然后，温度平稳下降至常温；
最后，静置并熟处理20天，彻底脱去油脂、除去有害物质和杀灭病原菌及虫卵并培养有益微生物菌落后制得上述松鳞。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述步骤（三）中上述消毒处理方法包括消毒过程和基质改良过程：
上述消毒过程为对连作栽培的基质利用夏季自然高温进行闷棚消毒，将基质浇透水，在基质上面覆盖尼龙薄膜，再密闭大棚，利用夏季阳光热量的聚集作用，使基质表层20cm温度达到50℃以上，实现对基质有害生物的杀灭作用，根腐病发率低于0.1%，并可减少介质消毒和病虫害防治中化学农药使用量，有效保护了农业生态环境。
上述基质改良过程为对重复使用的栽培基质进行改良，在原来种植过菊花的栽培基质，因散化和沉降，需要添加新的基质，以保持基质的正常厚度，在原种植基质上添加10%椰康+10%的松鳞，与原基质混合均匀，以提高基质的通气性，改善基质的理化性状，可节省泥炭，有有利于草炭资源保护，促进循环农业的发展。
作为优选，本发明提供的方法进一步设置为，上述专用配方肥按质量比由磷酸二氢钾1500克、硝酸钾2500克、硫酸镁2500克+ 硼砂100克、硫酸锰100克、硫酸锌100克、硫酸铜100克、硫酸亚铁400克进行混合并稀释500~1000倍制得。
有益效果
本发明提供的一种提高多头菊切花品质的设施基质栽培方法，具有以下优点：
1.本发明提供的多头菊设施生产专用的基质，解决了大棚土壤栽培易引起土壤次生盐渍化，造成根系损伤和基部叶片黄化和大量落叶等问题。
2.本发明提供的多头菊设施生产专用的基质及专用配方肥，通过专用基质和专用配方肥的配合使用，有力保障了多头菊的产量与品质。
3.本发明提供的基质及其消毒方法能够有效避免发生土壤连作障碍，以及导致白绢病和菌核病等病害危害严重
4.本发明提供的栽培方法、多头菊的切花成品率高、品质稳定。
5.本发明的二次补光方法，比补光结束后直接持续停光栽培，单株花梗数增加1个以上，花朵数增加2朵以上，花瓣数增加20%以上。
6.本发明方法培育的多头菊植株生长健壮，冬季不停滞生长，开花期可延迟至1月下旬，花期和生长期能够根据产品及运输目的地进行调控，提高了产品的应用便捷性，提高了产品的市场竞争力。
7.本发明方法培育的多头菊植株高度80cm至100cm，切花一级品率70%以上，比传统大棚土壤栽培的同类品种高10~20%。
说明书附图
图1为多头菊组培苗培育扦插母本苗。
图2为头菊扦插育苗图。
图3为多头菊秋季设施基质栽培表现图。
图4为多头菊秋季设施基质栽培表现图。
具体实施方式
下面通过具体的实施例子并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供的提高切花多头菊品质的基质栽培方法，实施地点为嘉兴嘉德园艺有限公司菊花生产基地，上述方法包括如下步骤：
（1）基质准备：上述基质主要成分是泥炭，还包括椰糖和松鳞，泥炭：椰糠：松鳞为8：1：1。上述松鳞为松树皮经充分发酵处理加工而成，且存放时间不超过12个月。使用前将松鳞整袋置于浸泡池水中浸泡处理20天，捞出沥水后放置5天，撒于在苗床基质上，同时将椰糠块放置在基质上，浇透水使椰糠块完全散开，并在基质中施入复合肥(N-P-K：15-15-15)40kg/亩，然后将松鳞、椰康、泥炭与肥料混匀。
（2）水溶性配方肥：补光结束后施用专用配方肥，其配制方法为磷酸二氢钾1500克、硝酸钾2500克、硫酸镁2500克+ 硼砂100克、硫酸锰100克、硫酸锌100克、硫酸铜100克、硫酸亚铁400克进行混合，用清水溶解后稀释1000倍进行浇灌。
（3）移栽管理：选择2月下旬作为组培苗移栽时间，当日最低温度低于5℃时，夜间采用单层薄膜保温，4月上旬进行摘心，将组培苗培育成采穗母本，并在6下旬将培育的穗条在椰康作为基质的苗床上进行扦插生根培养，将生根的种苗直接移栽，或将生根苗拨起整理后放入打孔的塑料薄膜袋中，在冷库内3~5℃下保存3~15d，根据种植计划适时定植。上述种苗移栽前一星期将基质先浇透水，取生根苗当天移栽至准备好的基质中，种植深度以将基质覆盖到生根节位部为宜，小心将根系展开于基质中，轻压根部，然浇透定根水，夏季高温期移栽需要遮盖70%遮荫率的遮阳网，防止因强光造成叶片损伤和萎蔫，约一星期根系恢复生长后可去掉遮荫网。
（4）长日照处理：采用高光效钠灯（150w），每56平方米挂一个灯，使大棚内远离灯光处电照强度最低达70lux以上。母本苗常年进行电照补光栽培，通过人工补，抑制其花芽分化，促进营养生长，每天日照时数大于16小时。切花栽培避免短日照引起花芽提前分化，需根据目标花期，在营养生长阶段进行长日照处理，促进植株生长，达到花期控制的目的，浙江省范围内一般8月15日到11月10日自然日照时间低于13.5小时，计划在这一时段营养生长的菊花均需在夜间补光3~4小时，23：30至2：30或3：30，来抑制花芽分化。电照时期从种苗定植开始，在夏秋季一般电照天数为30 d，或当植株高度达到35cm时应及时停止补光。
（5）株型控制：为了使株型更加紧凑美观，可以采用喷施B9的方式调控生长速度，达到缩短节间的目的，第一次在二次补光停止照光后3天喷1000倍92%B9，第二次在二次补光停止照光后10天喷施800倍，第三次在二次补光停止照光后17~18天喷施600倍，第四次在二次补光停止照光后21天喷800倍，对于植株偏高的品种应在首次补光停止照光前喷施500倍1~2次，其它喷施方法同普通品种。
（6）根据生长发育进程调整施用方法：定植后一星期施用硝酸钾，每星期施一次，连续3次，然后施一次硝酸钙，补光结束后上述专用配方肥。在生长过程中，要根据实际情况喷施磷酸二氢钾等叶面肥，浓度1000倍。
（7）栽培管理：
利用栽培设施条件，对多头菊的生长环境参数进行综合管理，上述环境参数包括温度、湿度、二次补光，上述栽培管理还包括基质消毒和改良、防倒伏管理、通风管理、喷药管理和水分管理。
实施例2
本实施例提供的提高切花多头菊品质的基质栽培方法，实施地点为嘉兴嘉德园艺有限公司菊花生产基地，上述方法包括如下步骤：
（1）基质准备：上述基质主要成分是泥炭，还包括椰糖和松鳞，泥炭：椰糠：松鳞为8：1：1。上述松鳞为松树皮经充分发酵处理加工而成，且存放时间不超过12个月。使用前将松鳞整袋置于浸泡池水中浸泡处理20天，捞出沥水后放置5天，撒于在苗床基质上，同时将椰糠块放置在基质上，浇透水使椰糠块完全散开，并在基质中施入复合肥(N-P-K：15-15-15)40kg/亩，然后将松鳞、椰康、泥炭与肥料混匀。
（2）水溶性配方肥：补光结束后施用专用配方肥，其配制方法为磷酸二氢钾1500克、硝酸钾2500克、硫酸镁2500克+ 硼砂100克、硫酸锰100克、硫酸锌100克、硫酸铜100克、硫酸亚铁400克进行混合，用清水溶解后稀释1000倍进行浇灌。
（3）移栽管理：选择4月下旬作为组培苗移栽时间，6月中旬第一次摘心促进侧芽发生，将组培苗培育成采穗母本，并在7下旬将培育的穗条在椰康作为基质的苗床上进行扦插生根培养，将生根的种苗直接移栽，或将生根苗拨起整理后放入打孔的塑料薄膜袋中，在冷库内3~5℃下保存3~15d，根据种植计划适时定植，冬季设施栽培完全移栽期控制在9月20日前，补光结束时间为11月10日以前，以避免花芽分化期遇低温影响花芽分化和花蕾发育，同时加强大棚保温管理，自补光结束前10d开始适当提高大棚的管理温度，采用大棚双层薄膜保温，提高植株的生长活性，夜温控制在13~15℃，白天温度20~28℃。上述种苗移栽前一星期将基质先浇透水，取生根苗当天移栽至准备好的基质中，种植深度以将基质覆盖到生根节位部为宜，小心将根系展开于基质中，轻压根部，然浇透定根水，夏季高温期移栽需要遮盖70%遮荫率的遮阳网，防止因强光造成叶片损伤和萎蔫，约一星期根系恢复生长后可去掉遮荫网。
（4）长日照处理：采用高光效钠灯（150w），每56平方米挂一个灯，使大棚内远离灯光处电照强度最低达70lux以上。母本苗常年进行电照补光栽培，通过人工补，抑制其花芽分化，促进营养生长，每天日照时数大于16小时。切花栽培避免短日照引起花芽提前分化，需根据目标花期，在营养生长阶段进行长日照处理，促进植株生长，达到花期控制的目的，浙江省范围内一般8月15日到11月10日自然日照时间低于13.5小时，计划在这一时段营养生长的菊花均需在夜间补光3~4小时，23：30至2：30或3：30，来抑制花芽分化。电照时期从种苗定植开始，在夏秋季一般电照天数为30 d，秋冬季生长速度慢，一般电照天数不超过50d，或当植株高度达到35cm时应及时停止补光。
（5）株型控制：为了使株型更加紧凑美观，可以采用喷施B9的方式调控生长速度，达到缩短节间的目的，第一次在二次补光停止照光后3天喷1000倍92%B9，第二次在二次补光停止照光后10天喷施800倍，第三次在二次补光停止照光后17~18天喷施600倍，第四次在二次补光停止照光后21天喷800倍，对于植株偏高的品种应在首次补光停止照光前喷施500倍1~2次，冬季生长较慢，植株较矮且花梗不易伸长的品种可只喷前三次，第四次可免喷。
（6）根据生长发育进程调整施用方法：定植后一星期施用硝酸钾，每星期施一次，连续3次，然后施一次硝酸钙，补光结束后上述专用配方肥。在生长过程中，要根据实际情况喷施磷酸二氢钾等叶面肥，浓度1000倍。
（7）栽培管理：
利用栽培设施条件，对多头菊的生长环境参数进行综合管理，上述环境参数包括温度、湿度、二次补光，上述栽培管理还包括基质消毒和改良、防倒伏管理、通风管理、喷药管理和水分管理。
实施例3
本实施例提供的一种提高切花多头菊品质的基质栽培方法，其实施地点为台州市农业科学研究院菊花栽培试验基地，上述方法包括如下步骤：
（1）基质准备：上述基质主要成分是泥炭。在基质中施入复合肥(N-P-K：15-15-15)40kg/亩，然后将松鳞、椰康、泥炭与肥料混匀。
（2）水溶性配方肥：补光结束后施用专用配方肥，其配制方法为磷酸二氢钾1500克、硝酸钾2500克、硫酸镁2500克+ 硼砂100克、硫酸锰100克、硫酸锌100克、硫酸铜100克、硫酸亚铁400克进行混合，用清水溶解后稀释1000倍进行浇灌。
（3）移栽管理：选择4月下旬作为组培苗移栽时间，将组培苗培育成采穗母本，并在8下旬将培育的穗条在椰康作为基质的苗床上进行扦插生根培养，将生根的种苗移栽，上述种苗移栽前一星期将基质先浇透水，取生根苗当天移栽至准备好的基质中，种植深度以将基质覆盖到生根节位部为宜，小心将根系展开于基质中，轻压根部，然浇透定根水，夏季高温期移栽需要遮盖70%遮荫率的遮阳网，防止因强光造成叶片损伤和萎蔫，约一星期根系恢复生长后可去掉遮荫网。
（4）长日照处理：采用高光效钠灯（150w），每56平方米挂一个灯，使大棚内远离灯光处电照强度最低达70lux以上。母本苗常年进行电照补光栽培，通过人工补，抑制其花芽分化，促进营养生长，每天日照时数大于16小时。切花栽培避免短日照引起花芽提前分化，需根据目标花期，在营养生长阶段进行长日照处理，促进植株生长，达到花期控制的目的，浙江省范围内一般8月下旬到11月6日自然日照时间低于13.5小时，计划在这一时段营养生长的菊花均需在夜间补光3~4小时，23：30至2：30或3：30，来抑制花芽分化。电照时期从种苗定植开始，在夏秋季一般电照天数为30 d，或当植株高度达到40cm时应及时停止补光。
（5）株型控制：为了使株型更加紧凑美观，可以采用喷施B9的方式调控生长速度，达到缩短节间的目的，第一次在二次补光停止照光后3天喷700倍92%B9，第二次在二次补光停止照光后10天喷施800倍，第三次在二次补光停止照光后17~18天喷施700倍，第四次在二次补光停止照光后21天喷800倍，对于植株偏高的品种应在首次补光停止照光前喷施500倍1~2次，其它喷施方法同普通品种。
（6）根据生长发育进程调整施用方法：定植后一星期施用硝酸钾，每星期施一次，连续3次，然后施一次硝酸钙，补光结束后上述专用配方肥。在生长过程中，要根据实际情况喷施磷酸二氢钾等叶面肥，浓度1000倍。
（7）栽培管理：
利用栽培设施条件，对多头菊的生长环境参数进行综合管理，上述环境参数包括温度、湿度、二次补光，上述栽培管理还包括基质消毒和改良、防倒伏管理、通风管理、喷药管理和水分管理。
