一种韭菜的漂浮种植方法
技术领域
本发明涉及韭菜种植技术领域，尤其涉及一种韭菜的漂浮种植方法。
背景技术
韭菜属于百合科多年生宿根蔬菜，适应性强，抗寒耐热，中国各地到处都有栽培。目前的大面积韭菜种植一般采用土壤种植，一般每年收割3～4次，产量低，每次刈割后需培土、除杂草等工作，工作量大，成本高，效益低，且韭蛆害虫危害越来越严重，造成减产，若施用农药解决则造成农药残留污染。
发明内容
本发明的目的在于提供一种韭菜的漂浮种植方法，该方法能够阻隔韭蛆危害，加快韭菜的生长速度，提高韭菜产量和韭菜含水量。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种韭菜的漂浮种植方法，包括以下步骤：
1)在漂浮装置中加入营养液至营养液深度为8～12cm；所述营养液包括多元素水溶肥和水；所述多元素水溶肥和水的质量比为2～5：1000；
2)将成株期韭菜栽植入漂浮育苗盘后，置于漂浮装置中进行培养；所述栽植的密度以蔸与蔸之间的横向距离和纵向距离独立为5.5～6.5cm为准，每蔸栽植的韭菜的数量为9～11株；所述栽植用基质包括蔬菜育苗专用基质；
3)刈割韭菜，每刈割一次，在漂浮装置中补充多元素水溶肥和水，至漂浮装置内营养液深度为8～12cm和营养液中多元素水溶肥和水的质量比为2～5：1000；当25℃≤培养温度≤40℃时，每15～20d刈割韭菜一次；当5℃≤培养温度<25℃时，每20～30d刈割韭菜一次。
优选的，步骤1)和步骤3)所述营养液包括以下质量百分含量的组分：氮12％～18％、P2O512％～18％、K2O 12％～18％、EDTA-Fe 0.1％、EDTA-Mn 0.06％、EDTA-Zn0.06％、EDTA-Cu 0.04％、B 0.04％、Mo 0.0004％和MgO 0.45％。
优选的，步骤1)中所述漂浮装置的长度为28～32m，宽度为1～2m，高度为12～18cm。
优选的，步骤1)中所述漂浮装置在使用前经过消毒处理；所述消毒采用的消毒剂包括质量百分含量为2％的高锰酸钾和质量百分含量为3％的硫酸铜。
优选的，步骤2)中所述漂浮育苗盘的长度为60～70cm，宽度为30～35cm，厚度为6～7cm；所述漂浮育苗盘包括聚苯乙烯塑料泡沫盘。
优选的，步骤2)中所述成株期韭菜为生长了2～5年的成株期韭菜。
本发明的有益效果：本发明提供了一种韭菜的漂浮种植方法，通过水培漂浮生产方法，用水阻隔韭蛆危害，能够减少农药施用，生产绿色健康食品。本发明利用水培均衡肥水供应，比土培韭菜生长速度快40％～50％，一年可刈割10茬以上，经济效益是常规生产方法的3倍以上；本发明利用肥水药一体，基质培育，能够减少杂草侵害，水肥管理简单，生产成本降低，效率提高；本发明种植得到的韭菜比土培韭菜含水量高3％～5％，比土栽韭菜更鲜更嫩。本发明的方法种植韭菜能够随采随用，可连盘进入餐厅，现采现用，保持新鲜，采后回收盘体及根部，重复生产，降低成本，提高效益。
附图说明
图1为本发明实施例1中韭菜种植实物图。
具体实施方式
本发明提供了一种韭菜的漂浮种植方法，包括以下步骤：
1)在漂浮装置中加入营养液至营养液深度为8～12cm；所述营养液包括多元素水溶肥和水；所述多元素水溶肥和水的质量比为2～5：1000；
2)将成株期韭菜栽植入漂浮育苗盘后，置于漂浮装置中进行培养；所述栽植的密度以蔸与蔸之间的横向距离和纵向距离独立为5.5～6.5cm为准，每蔸栽植的韭菜的数量为9～11株；所述栽植用基质包括蔬菜育苗专用基质；
3)刈割韭菜，每刈割一次，在漂浮装置中补充营养液至漂浮装置内营养液深度为8～12cm；当25℃≤培养温度≤40℃时，每15～20d刈割韭菜一次；当5℃≤培养温度<25℃时，每20～30d刈割韭菜一次。
本发明首先在漂浮装置中加入营养液至营养液深度为8～12cm，优选为10cm；所述营养液包括多元素水溶肥和水；所述多元素水溶肥和水的质量比为2～5：1000，优选为3～4：1000。
本发明中，所述漂浮装置在使用前优选的经过消毒处理；所述消毒的方式优选为消毒液冲洗消毒；所述消毒采用的消毒剂优选的包括质量百分含量为2％的高锰酸钾和质量百分含量为3％的硫酸铜；所述质量百分含量为2％的高锰酸钾和质量百分含量为3％的硫酸铜的体积比为1：800，采用这两种消毒剂既可杀灭大部分细菌，也可杀灭大部分藻类，保持漂浮装置内水体清洁；所述消毒的频率优选为1次/年；所述漂浮装置的长度优选为28～32m，更优选为30m；所述漂浮装置的宽度优选为1～2m，更优选为1.5m；所述漂浮装置的高度优选为12～18cm，更优选为15cm；所述漂浮装置优选的采用红砖、水泥、沙石等材料砌建成；所述漂浮装置优选的建于大棚内，能够满足一年四季生产的需要；所述漂浮装置内每隔8～12m设置一地漏，排水管尾端设置开关，能够适时控制蓄排。
本发明所述营养液包括以下质量百分含量的组分：氮12％～18％、P2O5 12％～18％、K2O 12％～18％、EDTA-Fe 0.1％、EDTA-Mn 0.06％、EDTA-Zn 0.06％、EDTA-Cu0.04％、B 0.04％、Mo 0.0004％和MgO 0.45％。
本发明将成株期韭菜栽植入漂浮育苗盘后，置于漂浮装置中进行培养；所述栽植的密度以蔸与蔸之间的横向距离和纵向距离独立为5.5～6.5cm为准，每蔸栽植的韭菜的数量为9～11株，优选为10株；所述栽植用基质包括蔬菜育苗专用基质。
本发明中，所述成株期韭菜优选为生长了2～5年的成株期韭菜，更优选为生长了3～4年的成株期韭菜；所述栽植的基质包括蔬菜育苗专用基质；本发明对所述蔬菜育苗专用基质的配方没有特殊限制，采用本领域常规蔬菜育苗专用基质即可。
本发明中，所述漂浮育苗盘的长度为60～70cm，优选为65cm；所述漂浮育苗盘的宽度为30～35cm，优选为32cm；所述漂浮育苗盘的厚度为6～7cm，优选为6.5cm；所述漂浮育苗盘来源于常规市售，优选为聚苯乙烯塑料泡沫盘，更优选为50孔的聚苯乙烯塑料泡沫盘；所述聚苯乙烯塑料泡沫盘的长度为65cm，宽度为32cm，厚度为6.5cm，密度18目。
本发明刈割韭菜，每刈割一次，在漂浮装置中补充营养液至漂浮装置内营养液深度为8～12cm，优选为10cm；当25℃≤培养温度≤40℃时，每15～20d刈割韭菜一次，优选为每16～18d刈割韭菜一次；当5℃≤培养温度<25℃时，每20～30d刈割韭菜一次，优选为每22～28d刈割韭菜一次；本发明具体实施过程中，所述韭菜的高度达到15～25cm后，即可刈割上市。
下面结合实施例对本发明提供的技术方案进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
1、建立漂浮池：用红砖、水泥、沙石等材料砌建成占地长30m，宽1.5m，边框高15cm的漂浮池，地面平整，可蓄水的漂浮装置数个，漂浮装置建在大棚内，可满足一年四季生产的需要。漂浮装置内每隔10m设置一地漏，排水管尾端设置开关，可适时控制蓄排。
2、在漂浮池内放入10cm深度的水，水中加入多元素水溶肥，质量浓度为5‰，以后随着肥料浓度下降及时添加，保证韭菜生长需要。韭菜生长一年更换一次蓄水，并用质量百分含量为2％的高锰酸钾和质量百分含量为3％的硫酸铜进行消毒，冲洗漂浮装置；
多元素水溶肥：含氮15％，磷(P2O5)15％，钾(K2O)15％；
EDTA-Fe 0.1％
EDTA-Mn 0.06％
EDTA-Zn 0.06％
EDTA-Cu 0.04％
B:0.04％
Mo:0.0004％
MgO:0.45％。
3、将在土壤中生长3年的成株期韭菜挖起，栽植入漂浮育苗盘，漂浮育苗盘采用66.5cm×34cm×6.5cm规格，蔸于蔸之间间距为6cm×6cm，每蔸10株，50孔的聚苯乙烯塑料泡沫盘，栽植用基质采用已杀灭虫卵、杂草种子并已消毒好的蔬菜育苗专用基质，移栽后放入漂浮装置进行培养、生产。
4、当培养温度大于等于25℃、小于等于40℃时，每15～20d刈割韭菜一次，优选为每16～18d刈割韭菜一次；当培养温度大于等于5℃、小于25℃时，每20～30d刈割韭菜一次，韭菜生长到15～25cm后，即可刈割上市，刈割后加强肥水管理，进行重复生产。
5、肥水管理主要添加水，保持池内水深10cm；添加多元素水溶肥(质量浓度5‰)，保证韭菜生产需要。生产得到的韭菜的实物图参见图1。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
