《微波氮化（方法汇总4篇）.doc》
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微波氮化（方法汇总4篇） 20世纪末，氮化镓(GaN)以其较大的禁带宽度、高电子饱和速度、高击穿电压以及抗辐照等特点，成为当今高频大功率器件和系统的研究热点。而宽禁带半导体器件氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，具有高频率、高功率密度、高耐压以及高效率等优势，因此它在民用通信、物联网、石油勘探、航空航天、雷达系统等民用国防均有着广泛的应用前景。
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