一种延长环件寿命的处理方法
技术领域
本发明涉及环件领域，具体涉及一种延长环件寿命的处理方法。
背景技术
目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射的方法。溅射是一种物理气相淀积(PVD)的镀膜方式，其是用带电粒子轰击靶材，使靶材发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，靶材原子从表面逸出并淀积在衬底上的过程。利用溅射工艺可在衬底表面形成金属、合金或电介质薄膜。由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，导致从靶材表面逸出的靶材原子的方向性较差，即靶材原子会从各个角度脱离靶材表面，之后沿直线到达衬底表面，进而使得靶材原子对衬底表面内接触孔或通孔的底部和侧壁覆盖能力差，以及对台阶的侧壁覆盖能力也很差，因此为了在接触孔或通孔的底部和侧壁以及台阶的侧壁取得较好的覆盖效果，通常采用准直溅射。
准直溅射是在靶材和衬底之间设置一个溅射环，所述溅射环通常接地，用于将等离子体中的粒子聚集在一定范围内，若从靶材上被溅射出的靶材粒子角度较大，有可能这些靶材粒子会淀积在准直器上，被聚集后的靶材粒子将通过溅射环淀积在接触孔或通孔的底部和侧壁。如CN108396297A公开了一种溅射机环件，涉及半导体芯片加工技术领域，本发明提供的溅射机环件包括环件本体，环件本体具有形成环件端口的第一端部和第二端部，其中：第一端部上设有第一导电凸起，第一导电凸起上与第一端部连接的一端为第一内端，第一导电凸起末端的周向尺寸小于第一内端的周向尺寸；第二端部上设有第二导电凸起，第二导电凸起上与第二端部连接的一端为第二内端，第二导电凸起末端的周向尺寸小于第二内端的周向尺寸。其提供的溅射机环件增加了第一导电凸起和第二导电凸起末端与机台之间的距离，能够有效减小第一导电凸起和第二导电凸起接触到机台的概率。CN101545093A提供了一种用于溅射装置的固定环，包括环体和位于环体的环形外侧面上的固定凸起，所述环体包括两端分别相连的第一半圆部分和第二半圆部分，其中第一半圆部分的外壁圆周为第一圆的一部分，第二半圆部分的外壁圆周为第二圆的一部分，在第二半圆部分上具有缺口，所述缺口将所述第二半圆部分断开，并且第一圆的直径小于第二圆的直径。从而，在将固定环安装在枪体上时，固定环和枪体之间的间隙可以满足绝缘的要求。
然而上述环件在实际使用过程存在溅射异常及使用寿命短等问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种延长环件寿命的处理方法，通过该方法处理后能够解决环件在镀膜过程的溅射异常(表皮脱落，尖端放电，金字塔脱落等)，同时延长环件的使用寿命。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供了一种延长环件寿命的处理方法，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面、外表面及端口进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理。
本发明中，通过对环件进行滚花和喷砂处理，利用二者之间的增效促进效果，解决了环件在镀膜过程的溅射异常(表皮脱落，尖端放电，金字塔脱落等)，同时延长环件的使用寿命。
作为本发明优选的技术方案，所述环件的外表面滚花处理指对至螺帽中心线的垂直距离为16mm以内的所述环件的外表面进行滚花处理
作为本发明优选的技术方案，所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹。
作为本发明优选的技术方案，所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.35-0.5mm，例如可以是0.35mm、0.36mm、0.37mm、0.38mm、0.39mm、0.40mm、0.41mm、0.42mm、0.43mm、0.44mm、0.45mm、0.46mm、0.47mm、0.48mm、0.49mm或0.5mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花0.5-1mm，例如可以是0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.7mm、0.75mm、0.8mm、0.85mm、0.9mm、0.95mm或1mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹。
作为本发明优选的技术方案，所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.1-0.48mm，例如可以是0.1mm、0.12mm、0.14mm、0.16mm、0.18mm、0.2mm、0.22mm、0.24mm、0.26mm、0.28mm、0.3mm、0.32mm、0.34mm、0.36mm、0.38mm、0.4mm、0.42mm、0.44mm、0.46mm或0.48mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理。
作为本发明优选的技术方案，所述喷砂处理中喷砂的压强为20-38psi，例如可以是20psi、21psi、22psi、23psi、24psi、25psi、26psi、27psi、28psi、29psi、30psi、31psi、32psi、33psi、34psi、35psi、36psi、37psi或38psi等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅。
优选地，所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为5-10cm，例如可以是5cm、5.5cm、6cm、6.5cm、7cm、7.5cm、8cm、8.5cm、9cm、9.5cm或10cm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为3.81-10.16μm，例如可以是3.81μm、4μm、4.2μm、4.4μm、4.6μm、4.8μm、5μm、5.2μm、5.4μm、5.6μm、5.8μm、6μm、6.2μm、6.4μm、6.6μm、6.8μm、7μm、7.2μm、7.4μm、7.6μm、7.8μm、8μm、8.2μm、8.4μm、8.6μm、8.8μm、9μm、9.2μm、9.4μm、9.6μm、9.8μm、10μm或10.16μm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述螺帽喷砂处理后的粗糙度指螺帽部位仅进行喷砂处理而未进行滚花处理的表面的粗糙度。本发明中，螺帽侧面喷砂处理中喷嘴与侧面以0°、45°及90°各喷3次。
作为本发明优选的技术方案，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面和外表面进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理；
其中，所述环件的外表面滚花处理指对除距离螺帽中心线16mm外的表面进行滚花处理；所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花0.5-1mm；所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理；所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.35-0.5mm；所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.1-0.48mm；所述喷砂处理中喷砂的压强为20-38psi；所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅；所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为5-10cm；所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为3.81-10.16μm。
与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明中，通过对环件进行滚花和喷砂处理，利用二者之间的增效促进效果，解决了环件在镀膜过程的溅射异常(表皮脱落，尖端放电，金字塔脱落等)，同时延长环件的使用寿命，环件的使用次数延长为原来的3倍以上。
附图说明
图1是本发明实施例1中环件的示意图；
图2是本发明实施例1中环件处理位置的局部(A-A)示意图；
图中：1-螺帽滚花范围，2-螺帽喷砂范围。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供了一种延长环件寿命的处理方法，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面和外表面进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理；具体处理范围如图1和2所示；
其中，所述环件的外表面滚花处理指对除距离螺帽中心线16mm外的表面进行滚花处理；所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花0.5mm；所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理；所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.39mm；所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.2mm；所述喷砂处理中喷砂的压强为30psi；所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅；所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为8cm；所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为5.21μm。
所得环件在镀膜过程中溅射正常，后续使用次数增加5倍。
实施例2
本实施例提供了一种延长环件寿命的处理方法，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面和外表面进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理；
其中，所述环件的外表面滚花处理指对除距离螺帽中心线16mm外的表面进行滚花处理；所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花1mm；所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理；所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.5mm；所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.1mm；所述喷砂处理中喷砂的压强为38psi；所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅；所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为5cm；所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为6.82μm。
所得环件在镀膜过程中溅射正常，后续使用次数增加3倍。
实施例3
本实施例提供了一种延长环件寿命的处理方法，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面和外表面进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理；
其中，所述环件的外表面滚花处理指对除距离螺帽中心线16mm外的表面进行滚花处理；所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花0.7mm；所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理；所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.45mm；所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.48mm；所述喷砂处理中喷砂的压强为20psi；所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅；所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为10cm；所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为3.92μm。
所得环件在镀膜过程中溅射正常，后续使用次数增加8倍。
实施例4
本实施例提供了一种延长环件寿命的处理方法，所述环件的外表面设置有螺帽；所述方法包括：对所述环件的内表面和外表面进行滚花处理；对所述螺帽依次进行滚花和喷砂处理；
其中，所述环件的外表面滚花处理指对除距离螺帽中心线16mm外的表面进行滚花处理；所述螺帽的滚花处理指对螺帽底端沿侧壁滚花0.79mm；所述螺帽的喷砂处理指对螺帽侧面最高点至垂直距离螺帽中心线16mm的表面进行喷砂处理；所述环件的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述环件的滚花处理中的花纹深度为0.35mm；所述螺帽的滚花处理中的花纹为25TPI花纹；所述螺帽的滚花处理中的花纹深度为0.37mm；所述喷砂处理中喷砂的压强为31psi；所述喷砂处理中的砂粒为16#碳化硅；所述喷砂处理中喷嘴与喷砂部位的距离为6.8cm；所述螺帽喷砂处理后的粗糙度Ra为10.28μm。
所得环件在镀膜过程中溅射正常，后续使用次数增加4倍。
对比例1
与实施例1的区别仅在于不进行环件和环件外表面螺帽的滚花处理；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例2
与实施例1的区别仅在于环件外表面螺帽的喷砂处理；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例3
与实施例1的区别仅在于所述环件的内表面、外表面及端口进行滚花处理中的滚花花纹为30TPI；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例4
与实施例1的区别仅在于所述环件的内表面、外表面及端口进行滚花处理中的滚花花纹的深度为0.2mm；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例5
与实施例1的区别仅在于所述环件的内表面、外表面及端口进行滚花处理中的滚花花纹的深度为0.8mm；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例6
与实施例1的区别仅在于所述螺帽的滚花处理中的花纹为15TPI花纹；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例7
与实施例1的区别仅在于所述螺帽的滚花处理中的花纹的深度为0.04mm；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
对比例8
与实施例1的区别仅在于所述螺帽的滚花处理中的花纹的深度为0.8mm；
所得环件在镀膜过程中溅射异常，后续使用次数未增加。
通过对上述实施例和对比例的结果可知，本发明中，通过对环件进行滚花和喷砂处理，利用二者之间的增效促进效果，解决了环件在镀膜过程的溅射异常(表皮脱落，尖端放电，金字塔脱落等)，同时延长环件的使用寿命。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
