一种提拉单晶炉装置
技术领域
本实用新型涉及晶棒生长领域，具体涉及一种提拉单晶炉装置。
背景技术
单晶硅作为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件。大部分的半导体级单晶硅采用直拉法制造，直拉单晶炉是使用加热器将多晶硅等多晶材料融化，并采用直拉法生长无位错单晶的设备。加热器是单晶炉热场的核心部件，提供多晶融化长晶的热能。现有技术的直拉单晶炉结构内布局的加热器装置结构复杂，且存在加热不均匀现象，会给晶体的生长产生不良问题。
发明内容
本实用新型为克服现有技术的不足，而提供的一种结构紧凑且加热均匀的提拉单晶炉装置。
为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案 ：
一种提拉单晶炉装置，包括壳体及设在所述壳体内的炉体，所述炉体与壳体之间设有保温石棉毡，在所述炉体内设有底托，在所述底托上设有坩埚，置于所述坩埚内的是籽晶杆，所述籽晶杆的上端连接于丝杆电机，在所述坩埚两侧的炉体内对称设有硅碳棒，还包括PLC控制系统，所述PLC控制系统与所述丝杆电机和硅碳棒连接。
优选地，在所述的炉体内还设有热电偶。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
本实用新型一种提拉单晶炉装置，采用在所述坩埚两侧的炉体内对称设有硅碳棒并通过PLC实现温度的精准控制，为进一步确保温度在标准范围内，在所述的炉体内还设有热电偶进行监控；本实用新型装置结构紧凑，加热效果好，满足晶体成长环境。
附图说明
图1为本实用新型主视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细的说明：参见图1，为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案 ：
一种提拉单晶炉装置，包括壳体1及设在所述壳体1内的炉体2，所述炉体2与壳体1之间设有保温石棉毡3，在所述炉体2内设有底托4，在所述底托4上设有坩埚5，置于所述坩埚5内的是籽晶杆6，所述籽晶杆6的上端连接于丝杆电机，在所述坩埚5两侧的炉体2内对称设有硅碳棒7，还包括PLC控制系统，所述PLC控制系统与所述丝杆电机和硅碳棒7连接。
优选地，在所述的炉体2内还设有热电偶8。
本实用新型一种提拉单晶炉装置，晶体生长在本实用新型装置的坩埚5中进行,通过预先在PLC控制系统录入温度参数以及丝杆电机的转速，在PLC控制系统精准的控制下硅碳棒7开始加热，并将坩埚5内的晶体材质熔融，籽晶杆6在丝杆电机的驱动下旋转提拉，设在所述炉体2内的热电偶8能够实时监控炉内温度参数，并通过PLC控制系统反馈给硅碳棒7。本实用新型装置结构紧凑，加热效果好，满足晶体成长环境。
以上所述，仅是对本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型做其他形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是，凡是未脱离本实用新型方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型的保护范围。
